專利名稱：電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層實現(xiàn)有機器件封裝的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于有機電子器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及ー種利用電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積技術(shù)制備鈍化層從而實現(xiàn)有機電子器件封裝的方法，該封裝方法可以有效地阻隔水汽和氧氣向有機電子器件的滲透。
背景技術(shù)：
有機電子器件經(jīng)過二十幾年的研究和發(fā)展，已經(jīng)開發(fā)出可以用于商用的平板顯示器件，由于其具有重量輕、視角寬、響應(yīng)速度快等優(yōu)點，被認為是最具發(fā)展?jié)摜娘@示技術(shù)之一。但有機電子器件的產(chǎn)業(yè)化還存在著許多問題，其中器件的壽命是重要的ー個方面。以有機電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Device, 0LED)為例,空氣中的水氧對其產(chǎn)生致命的威脅日本學者C. Adachi報道了對于沒有進行封裝保護的OLED器件在大氣環(huán)境下 工作，其發(fā)光強度在150分鐘內(nèi)下降99%Hamada Y. , Adachi C. , Tsutsui T. and ShogoS.，Jpn. J. AppI. Phys. 31，1812(1992)。其中，氧氣的破壞作用主要表現(xiàn)在使發(fā)光層材料氧化變質(zhì)生成羥基化合物；水汽的主要破壞方式是與金屬電極反應(yīng)使器件電極穩(wěn)定性下降。因此，OLED必須進行有效封裝以阻隔水氧。近年來，OLED的封裝技術(shù)研究集中在薄膜包覆領(lǐng)域，利用薄膜形成阻隔水氧進入器件的鈍化層，這種方法使OLED器件更輕薄，壽命更長，機械性能更優(yōu)異，是OLED器件制備領(lǐng)域未來的發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是ー種制備高純物質(zhì)薄膜的物理方法，在電子束加熱裝置中，從陰極發(fā)射的熱電子經(jīng)陰極與陽極間的高壓電場加速并聚焦成束，由磁場使之偏轉(zhuǎn)到達坩堝蒸發(fā)源材料表面，轟擊并蒸發(fā)材料。電子束蒸發(fā)設(shè)備可以蒸發(fā)高熔點材料，在蒸鍍氧化物時可實現(xiàn)快速蒸發(fā)，但是其鍍膜質(zhì)量有限，隨著蒸鍍薄膜厚度的増加會產(chǎn)生細小裂紋，這些缺陷會造成有機電子器件長期存放過程中氣體阻隔性能的下降。原子層沉積技術(shù)是ー種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層ー層的鍍在基底表面的方法，其是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學吸附并反應(yīng)而形成沉積膜。這種方法可以準確的在納米尺寸范圍內(nèi)控制無機鈍化層厚度，制備致密無孔的薄膜，有效阻隔水氧。但是原子層沉積技術(shù)生長速率慢，而且在反應(yīng)氣體中需要有水汽或氧氣的參與，在封裝薄膜制備的初期，含有水或氧的載氣脈沖對有機電子器件造成不可逆侵蝕影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層實現(xiàn)有機電子器件封裝的方法，其利用沉積的無機鈍化層薄膜來有效隔絕原子層沉積過程中氧氣或水汽進入有機電子器件內(nèi)部，該封裝薄膜可延長有機電子器件使用壽命。其首先是采用電子束蒸發(fā)的方法快速沉積無機鈍化層形成第一層封裝薄膜，目的是防止原子層沉積過程中反應(yīng)物對有機器件的侵蝕；其次，由于電子束蒸發(fā)所能形成的封裝薄膜在有機器的長期存放過程中氣體阻隔性能有限，因此電子束蒸發(fā)之后采用原子層技術(shù)慢速沉積致密無孔的第二層封裝薄膜來進ー步阻隔水氧。該封裝方法避免了輻射與高溫等可以導致有機器件退化的因素，而且制備工程完全是“干式”的，沒有溶劑或水對器件造成的污染及損傷，對封裝后的有機器件性能影響小，同時封裝后的有機器件具有透光性和柔性(選用柔性襯底)特點。本發(fā)明所述方法，其步驟如下I)首先在襯底上制備陽極、有機層和陰極結(jié)構(gòu)的有機電子器件；2)然后利用電子束蒸發(fā)技術(shù)在器件上制備金屬氧化物或金屬氮化物的鈍化層薄膜，作為第一封裝薄膜層；3)最后利用原子層沉積技術(shù)在步驟2)的第一封裝薄膜層上再制備ー層致密的金屬氧化物或金屬氮化物的鈍化層薄膜，作為第二封裝薄膜層。
上述方法中，有機電子器件可以是有機電致發(fā)光器件(organic lightemittingdevice, 0LED),有機薄膜晶體管(organic thin-film transistor, 0TFT),有機太 陽電池(organic photovoltage, OPV)等；有機電子器件的有機層由非必需的空穴注入層、空穴傳輸層、活性層、電子傳輸層、非必需的電子注入層組成；在有機電子器件的的有機層和陰極間還可以制備有金屬緩沖層；上述方法步驟2)中，金屬氧化物為氧化硅(SiO)，ニ氧化硅(SiO2),三氧化ニ鋁(Al2O3),氧化鈦(TiO2),氧化錯(ZrO2),氧化鎂(MgO),氧化鉭(Ta2O5), ニ氧化鉿(HfO2)等；金屬氮化物為氮化硅(Si3N4),氮化鈦(TiN)等。上述方法步驟2)中，電子束蒸發(fā)制備第一封裝薄膜層的沉積速率為10 50A/S，所制備的第一封裝薄膜層的厚度為10 lOOOnm，優(yōu)選為50 400nm,最優(yōu)選為50 200nm ;步驟3)中原子層沉積制備第二封裝薄膜層的沉積速率為0.1~1A/S，所制備的第二封裝薄膜層的厚度為I 300nm，優(yōu)選為10 200nm，最優(yōu)選為20 IOOnm0上述方法中，襯底為玻璃材料，其厚度為IOOum IOOOum;或為聚萘ニ甲酸こ ニ醇酯 polyethylene naphthalate (PEN)、聚對苯 ニ 甲酸こ ニ醇酯 polyethyleneterephthalate (PET)、聚醚酰亞胺Polyetherimide (PEI)等柔性聚酯類材料,其厚度為20um 100um。上述方法中，電子束蒸發(fā)的真空度為2X10_3Pa 5X10_6Pa，電子束束流強度為50mA 500mA，整個蒸鍍過程襯底基片旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速3 10圏/分鐘，蒸鍍開始后，從燈絲發(fā)射出來的電子束經(jīng)高電壓(6KV)加速和磁場偏轉(zhuǎn)270度后，打到坩堝中的鍍料上，其運行軌跡如同英文字母“e”，鍍料在被電子束加熱后，從坩堝中脫溢出來，以薄膜的形式沉積在待沉積器件的陰極表面，從而形成第一封裝薄膜層；原子層沉積過程是將沉積完第一封裝薄膜層的器件放入反應(yīng)室內(nèi)并加熱至70°C 90°C，然后將金屬氧化物或金屬氮化物的前驅(qū)體材料在I X KT1Pa I X KT3Pa壓力下通入反應(yīng)室，時間為0. 2秒 5秒，使器件表面對金屬氧化物或金屬氮化物前驅(qū)體材料進行化學吸附；再將氮氣或惰性氣體通入反應(yīng)室，以清除殘余的前驅(qū)體材料；然后在I X KT1Pa I X 10_3Pa壓カ下，將水蒸汽通入反應(yīng)室，時間為0. 2秒 5秒，使器件表面吸附的金屬氧化物或金屬氮化物前驅(qū)體材料反應(yīng)形成金屬氧化物或金屬氮化物的鈍化薄膜層；將氮氣通入反應(yīng)室，以清除殘余的水蒸汽；重復上述循環(huán)，使器件表面上覆蓋的鈍化薄膜層的厚度達到20 IOOnm,從而形成第二封裝薄膜層；上述方法步驟3)中，金屬氧化物和氮化物為三氧化ニ鋁(Al2O3),氧化鋯(ZrO2),ニ氧化娃(SiO2),氧化鈦(TiO2),氧化鎂(MgO),氧化鉭(Ta2O5)氮化娃(Si3N4),氮化鈦(TiN)等,其中三氧化ニ招(Al2O3)的前驅(qū)體材料為三甲基招Trimethylaluminium,氧化錯(ZrO2)的前驅(qū)體材料為四ニ甲基錯Tetrakis(Dimethylamido)Zirconium ;氮化娃(Si3N4)前驅(qū)體材料為聚硼硅氮烷([NHSi(CH3) (C2H4) ]3B)n，氮化鈦(TiN)的前驅(qū)體材料為四氯化鈦TiCl40有機電子器件的有機層是采用真空蒸鍍、旋涂、絲網(wǎng)印刷或溶液涂敷的方法制備的；有機電子器件的陽極為80 200nm氧化錫銦或10 25nm薄層金屬銀或鋁；
有機電子器件的金屬緩沖層為LiF、Cs2C03、NaCl、MgCl2等；陰極為Al、Au、Ag等。


圖I :本發(fā)明所述方法制備的有機電子器件結(jié)構(gòu)示意圖；1為襯底及陽極，2為空穴傳輸層，3為活性層，4為電子傳輸層,5為緩沖層和陰極,6為電子束蒸發(fā)技術(shù)制備的第一封裝薄膜層，7為原子層沉積技術(shù)制備的第二封裝薄膜層；圖2 :實施例I制備的采用不同封裝結(jié)構(gòu)的OLED器件壽命測試曲線(初始亮度1000cd/cm2),曲線I為沒有進行封裝的OLED器件亮度-時間曲線，曲線2為使用電子束沉積50nm AL2O3封裝的OLED器件亮度-時間曲線，曲線3為使用電子束沉積50nm AL2O3結(jié)合原子層沉積104. 4nm薄膜層進行封裝的OLED器件亮度-時間曲線；圖3 :本發(fā)明所述有機電子器件的等效Ca薄膜電學測試器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖3(a)正視圖，圖3 (b)為俯視圖。21為襯底，22為金屬電極，23為Ca薄膜，6為電子束蒸發(fā)技術(shù)制備的第一封裝薄膜層，7為原子層沉積技術(shù)制備的第二封裝薄膜層；圖4 (a):為原子層沉積氧化鋯的薄膜表面通過SEM電鏡放大10000倍的照片，圖4 (b)為原子層沉積氧化鋯的薄膜切面通過SEM電鏡放大190000倍的照片。從圖中可以觀察到氧化鋯的薄膜均勻，平整沒有明顯的針孔，翹曲或分層的現(xiàn)象，說明原子層沉積的氧化鋯薄膜非常致密。圖5 實施例2不同封裝結(jié)構(gòu)的器件在相対濕度50%、室溫20°C情況下的電流-電壓曲線(Ca薄膜測試方法):圖5 (a)器件Al :薄膜封裝層為E-beam Al2O3(75nm)，曲線I為封裝后31分鐘后測試器件I-V，曲線2為封裝后93分鐘后測試器件I-V ;圖5(b)器件BI 薄膜封裝層為ALD ZrO2 (85nm)，曲線I為封裝后30分鐘后測試器件I_V，曲線2為封裝后36分鐘后測試器件I-V ；圖5(c)器件Cl :薄膜封裝層為E-beam Al2O3 (50nm) /ALD ZrO2 (85nm)，曲線I為封裝后30分鐘后測試器件I-V，曲線2為封裝后90分鐘后測試器件I-V。
具體實施例方式實施例I :我們制備了結(jié)構(gòu)為ITO 玻璃 /MoO2 (5nm)/mMTDATA(3OnmVNPB (2Onm)/Alq (5Onm)/LiF(Inm)/Al的OLED器件。在此基礎(chǔ)上制備A，B，C三組器件。其中，A組器件沒有進行封裝，B組器件使用電子束沉積50nm AL2O3的進行封裝，C組器件使用電子束沉積50nm AL2O3并結(jié)合原子層沉積104. 4nm薄膜層進行封裝。制備過程如下[I]襯底材料為ITO玻璃，首先將ITO玻璃用丙酮、こ醇棉球反復擦洗清潔；[2]將擦洗干凈的襯底放入干凈的燒杯中再依次用丙酮、こ醇、去離子水各超聲10分鐘，然后放在烘箱中烘干，從而獲得表面無化學雜質(zhì)和細微顆粒的清潔襯底；[3]將處理好的襯底置于多源有機分子氣相沉積系統(tǒng)中(參見中國專利ZL03110977. 2，“用于有機電致發(fā)光鍍膜機的坩鍋式蒸發(fā)源”)，系統(tǒng)的真空度可達到10_5Pa，在薄膜生長的過程中系統(tǒng)的真空度維持在4X10_4Pa左右。材料生長的厚度和生長速率由美國IL-400型膜厚控制儀進行控制，有機材料生長速率控制在0.4A/s 亮度采用Pr650測量，器件的電流電壓特性采用Keithley-2400電流ー電壓測試儀進 行測量。所有的電流-電壓測試都是在室溫大氣環(huán)境中進行的。 如圖2所示，從亮度隨時間的變化曲線可以看出A組器件亮度衰減的最快。器件B對應(yīng)的亮度曲線衰減的程度次之，這是因為器件B使用了電子束沉積的AL2O3薄膜進行了封裝，這層膜會對水汽產(chǎn)生一定的阻隔作用，因此器件B比器件A亮度衰減較慢。器件C亮度衰減最慢，說明使用電子束熱蒸鍍和ALD沉積形成的雙層膜會起到優(yōu)異的水、氧阻隔效果。本實例中有關(guān)縮與名稱的含義如下ITO :氧化銦錫MoO2 :氧化鑰mMTDATA -AA' A"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺，4，4’，4" -Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyiamino)triphenyIamineNPB :N，N' -ニ苯基-N，N ' _(ト萘基)-1，1'-聯(lián)苯 _4，4’- ニ胺，N，N' _Di_[(1-naphthalenyl)-N，N' -diphenyl]-(1，I' -biphenyl)-4, 4f -diamineAlq :八羥基喹啉鋁tris(8-hydroxyquinolinato)aluminumLiF:氟化鋰實施例2 :有機電子器件的等效Ca薄膜電學測試為了能夠?qū)_評估我們制備的封裝薄膜對水汽的阻隔性能，我們制備了與實施例I所述的有機電子器件等效的Ca薄膜電學測試器件，其器件結(jié)構(gòu)及參數(shù)為器件Al A1 (IOOnm) /Ca (200nm) /E-beam Al2O3 (75nm)；器件BI :A1 (IOOnm)/Ca (2OOnm)/ALD 沉積 ZrO2(85Mi)；器件Cl A1 (IOOnm) /Ca (200nm) /E-beam Al2O3 (50nm)/ALD 沉積 ZrO2 (85nm)；Ca薄膜電學測試器件結(jié)構(gòu)如圖3所示，依次由玻璃襯底21、兩個分立的Al接觸電極22、Ca單質(zhì)薄膜23、第一封裝薄膜層6和第二封裝薄膜層7組成；兩個分立的Al接觸電極均為エ字形結(jié)構(gòu)(長14mm,寬IOmm,厚IOOnm),位于襯底的同側(cè)靠近端面處；Ca單質(zhì)薄膜(長10mm，寬10mm，厚200nm)制備在襯底和Al接觸電極上，且使Al接觸電極露出部分區(qū)域；第一封裝薄膜層6制備在Al接觸電極和Ca單質(zhì)薄膜上，并將Ca單質(zhì)薄膜完全包覆，同樣使Al接觸電極露出部分區(qū)域；第二封裝薄膜層7制備在第一封裝薄膜層6上；制備過程如下[I]襯底材料為載玻片玻璃，首先將載玻片玻璃用丙酮、こ醇棉球反復清潔；
[2]將擦洗干凈的襯底放入干凈的燒杯中再依次用丙酮、こ醇、去離子水各超聲10分鐘，然后放在烘箱中烘干，從而獲得表面無化學雜質(zhì)和細微顆粒的清潔襯底；[3]將處理好的襯底置于多源有機分子氣相沉積系統(tǒng)中(參見中國專利ZL03110977. 2，“用于有機電致發(fā)光鍍膜機的坩鍋式蒸發(fā)源”)，系統(tǒng)的真空度可達到10_5Pa，在薄膜生長的過程中系統(tǒng)的真空度維持在3X10_4Pa左右；材料生長的厚度和生長速率由美國IL-400型膜厚控制儀進行控制，器件的電流電壓特性采用Agilent B2902A電流ー電壓測試儀進行測量；測試時的溫度保持在20°C，相対濕度50%，在玻璃襯底上依次蒸鍍Al接觸電極及Ca單質(zhì)薄膜，其中蒸鍍Al電極采用的鍍料為鋁條，將鋁條懸掛在ー根鎢絲蒸發(fā)源上，鎢絲兩端通電，利用熱蒸發(fā)的原理蒸鍍Al電極；蒸鍍Ca單質(zhì)薄膜采用的鍍料為鈣顆粒，將鈣顆粒放入鑰舟中，鑰舟兩端通電，利用熱蒸發(fā)的原理蒸鍍Ca單質(zhì)薄膜。為使研究器件在制備和測試過程中不受水氧等氣體的侵蝕，實驗要求在不暴露空氣條件中傳遞和更換掩膜板。[3]在Ca單質(zhì)薄膜上電子束沉積氧化鋁薄膜作為第一封裝層薄膜，電子束沉積系統(tǒng)腔內(nèi)真空度為3X10_3Pa，坩堝內(nèi)鍍料為氧化鋁粉末，電子束束流強度控制在100mA，電子 束偏轉(zhuǎn)電壓6KV，整個蒸鍍過程襯底基片旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5圈/分鐘。然后進行原子層沉積將具有第一封裝層的器件放入原子層沉積系統(tǒng)反應(yīng)室加熱至 80°C ;將四ニ 甲基錯 Tetrakis (Dimethylamido) Zirconium 在 I X ICT3Pa 壓カ下通入反應(yīng)室，時間為0. 2秒；將氮氣通入反應(yīng)室，以清除未被基底化學吸附的四ニ甲基鋯殘余氣體；然后在I X 10_3Pa壓カ下，將水蒸汽反應(yīng)氣體通入反應(yīng)室，時間為0. 2秒，在基底上形成ー層氧化鋯沉積層，將氮氣通入反應(yīng)室，以清除未被基底化學吸附的水，重復上述循環(huán)，使在第一封裝層薄膜上覆蓋的氧化鋯層的厚度達到85nm，作為第二封裝層薄膜。在對整個器件進行薄膜封裝過程中，只留出Al的一部分作為探針接觸電極。[4]在封裝后，將器件暴露在溫度20°C，相対濕度RH=50%的環(huán)境中，不同時間測I-V曲線，得到其薄膜電阻的變換率，帶入下面的公式
uU I Cd / I , M(H,0) Ca Area湖_丨們_=崎％Wmdow......Area可以得到該器件的水汽透過率。測量采用探針接觸Ca薄膜兩端的Al電極,Agilent B2902A電流ー電壓測試儀在不同時間測量得到Ca薄膜的電流電壓特性。器件C是采用本發(fā)明設(shè)計的電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層薄膜封裝結(jié)構(gòu)，器件A和B為傳統(tǒng)単一薄膜封裝技術(shù)。器件A，B和C的電流-電壓隨時間變化曲線如圖5(a) (b) (c)所示。從圖中可以明顯看出封裝效果，器件C的要高于A (WVTR=LO * 10_2/g/m2/day)和 B (WVTR=L 2 * lCT2/g/m2/day),經(jīng)過計算可以達到 WVTR=6. 7 * lCT4/g/m2/day ;本實例中有關(guān)縮寫名稱的含義如下WVTR :水汽透過率；E-beam:電子束蒸發(fā)ALD :原子層沉積n為化學反應(yīng)中的摩爾比；本例中水與鈣的摩爾比為2 1Sca 為 Ca 的電阻率；Sca 取值為 3. 91xl0_8
P Ca 為 Ca 密度；P Ca 取值為 L 55g/cm31/R為測量得到的電阻率；Agilent B2902A電流ー電壓測試儀測量得到M (H2O)和M(Ca)分別為Ca和水的摩爾質(zhì)量；本例的M (H2O)為18g/mol, M(Ca)為 40g/mol。Ca_Area/ffindow_Area為該薄膜有效測試面積與掩 膜版窗ロ的比值,這里取值為
Io
權(quán)利要求
1.一種電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層實現(xiàn)有機器件封裝的方法，其步驟如下 1)首先在襯底上制備陽極、有機層和陰極結(jié)構(gòu)的有機電子器件； 2)然后利用電子束蒸發(fā)技術(shù)在器件上制備金屬氧化物或金屬氮化物的鈍化層薄膜，作為第一封裝薄膜層； 3)最后利用原子層沉積技術(shù)在步驟2)的第一封裝薄膜層上再制備ー層金屬氧化物或金屬氮化物的鈍化層薄膜，作為第二封裝薄膜層，從而完成有機器件的封裝。
2.如權(quán)利要求I所述的ー種電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層實現(xiàn)有機器件封裝的方法，其特征在于步驟I)中所述的有機電子器件是有機電致發(fā)光器件、有機薄膜晶體管或有機太陽電池。
3.如權(quán)利要求I所述的ー種電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層實現(xiàn)有機器件封裝的方法，其特征在于襯底為玻璃，其厚度為IOOum IOOOum ;襯底或為聚萘ニ甲酸こニ醇酷、聚對苯ニ甲酸こニ醇酯或聚醚酰亞胺，其厚度為20um lOOum。
4.如權(quán)利要求I所述的ー種電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層實現(xiàn)有機器件封裝的方法，其特征在于步驟2)或步驟3)中所述的金屬氧化物為氧化硅、ニ氧化硅、三氧化ニ鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鎂、氧化鉭或ニ氧化鉿；金屬氮化物為氮化硅或氮化鈦。
5.如權(quán)利要求I所述的ー種電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層實現(xiàn)有機器件封裝的方法，其特征在于步驟2)中電子束蒸發(fā)制備第一封裝薄膜層的沉積速率為10~50A/S,所制備的第一封裝薄膜層的厚度為10 lOOOnm。
6.如權(quán)利要求I所述的ー種電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層實現(xiàn)有機器件封裝的方法，其特征在于步驟3)中原子層沉積制備第二封裝薄膜層的沉積速率為0.1 1A/S,所制備的第二封裝薄膜層的厚度為I 300nm。
7.如權(quán)利要求I所述的ー種電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層實現(xiàn)有機器件封裝的方法，其特征在于步驟2)中電子束蒸發(fā)的真空度為2X 10_3Pa 5X 10_6Pa，電子束束流強度為50mA 500mA，整個蒸鍍過程襯底基片旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速3 10圏/分鐘。
8.如權(quán)利要求I所述的ー種電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積鈍化層實現(xiàn)有機器件封裝的方法，其特征在于步驟3)中原子層沉積是將沉積完第一封裝薄膜層的器件放入反應(yīng)室內(nèi)并加熱至70°C 90°C，然后將金屬氧化物或金屬氮化物的前驅(qū)體材料在I X KT1Pa I X KT3Pa壓カ下通入反應(yīng)室，時間為0. 2秒 5秒，使器件表面對金屬氧化物或金屬氮化物前驅(qū)體材料進行化學吸附；再將氮氣或惰性氣體通入反應(yīng)室，以清除殘余的前驅(qū)體材料；然后在I X KT1Pa I X 10_3Pa壓カ下，將水蒸汽通入反應(yīng)室，時間為0. 2秒 5秒，使器件表面吸附的金屬氧化物或金屬氮化物前驅(qū)體材料反應(yīng)形成金屬氧化物或金屬氮化物的鈍化薄膜層；將氮氣通入反應(yīng)室，以清除殘余的水蒸汽；重復上述循環(huán)，使器件表面上覆蓋的鈍化薄膜層的厚度達到20 lOOnm，從而形成第二封裝薄膜層。
全文摘要
本發(fā)明屬于有機電子器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種利用電子束蒸發(fā)結(jié)合原子層沉積技術(shù)制備鈍化層從而實現(xiàn)有機電子器件封裝的方法。首先，采用電子束蒸發(fā)的方法快速沉積無機鈍化層形成第一層封裝薄膜，目的是防止原子層沉積過程中反應(yīng)物對有機器件的侵蝕；其次，由于電子束蒸發(fā)所能形成的封裝薄膜在有機器的長期存放過程中氣體阻隔性能有限，因此電子束蒸發(fā)之后采用原子層技術(shù)慢速沉積致密無孔的第二層封裝薄膜來進一步阻隔水氧。該封裝方法避免了輻射與高溫等可以導致有機器件退化的因素，而且制備工程完全是“干式”的，沒有溶劑或水對器件造成的污染及損傷，對封裝后的有機器件性能影響小，同時封裝后的有機器件具有透光性和柔性特點。
文檔編號H01L51/56GK102864417SQ20121030095
公開日2013年1月9日 申請日期2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月22日
發(fā)明者段羽, 陳平, 臧春亮, 謝月, 楊永強, 趙毅, 劉式墉 申請人:吉林大學