專利名稱：屏蔽、應(yīng)用其的蒸鍍裝置和顯示面板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種屏蔽(shadow mask)、應(yīng)用其的蒸鍍裝置和應(yīng)用其制造有機發(fā)光二極管顯示面板(organic light emitting diode panel，OLED panel)的方法，且特別是涉及一種可減少屏蔽的開口邊緣所沾粘異物刮傷或壓傷基板的程度的屏蔽、應(yīng)用其的蒸鍍裝置和應(yīng)用其制造有機發(fā)光二極管顯示面板的方法。
背景技術(shù)：
OLED顯示面板可以透過電流驅(qū)動(current driven)或電壓驅(qū)動(voltagedriven)的方式而自行發(fā)光，不需如液晶顯示面板(liquid crystal display panel，LCD panel)一般，須于后方加上背光源。所以，OLED顯示面板具有自發(fā)光、廣視角及可全彩化等優(yōu)點。其中，OLED顯示面板更可被應(yīng)用于移動電話及個人數(shù)字助理(personal digital assistant，PDA)等可移動性電子裝置上，成為現(xiàn)今極具潛力的顯示面板。
傳統(tǒng)的OLED顯示面板包括上蓋及薄膜晶體管基板，上蓋透過框膠(sealant)與薄膜晶體管基板平行對組。薄膜晶體管基板包括數(shù)個紅色像素、數(shù)個藍色像素、數(shù)個綠色像素以及數(shù)個有機電致發(fā)光元件(organicelectroluminescent device，OELD)，這些有機電致發(fā)光元件設(shè)置于紅色像素、綠色像素及藍色像素內(nèi)。即，一個像素只有一個有機電致發(fā)光元件。每一有機電致發(fā)光元件包含陽極、陰極及發(fā)光材料層，發(fā)光材料層設(shè)置于陽極及陰極之間。
傳統(tǒng)的OLED蒸鍍工藝是以金屬屏蔽(shadow mask)將不要鍍發(fā)光材料層的像素遮住，并使要鍍發(fā)光材料層的像素露出。并且，一個開口對應(yīng)于一個露出像素。然而，由于屏蔽的開口邊緣于發(fā)光材料蒸鍍過程中會沾黏異物，或因金屬屏蔽表面凹凸不平，在繼續(xù)透過沾粘有異物的金屬屏蔽進行基板的蒸鍍工藝時，將會導致金屬屏蔽壓傷或刮傷基板。嚴重的話，更會導致像素的有機電致發(fā)光元件的陰、陽極產(chǎn)生電性誤觸的情況，進而造成像素產(chǎn)生暗點現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種屏蔽及應(yīng)用其的蒸鍍裝置和應(yīng)用其制造有機發(fā)光二極管顯示面板的方法。其屏蔽的一開口對應(yīng)于基板上至少二個像素的設(shè)計，可以在有機發(fā)光二極管顯示面板的基板透過屏蔽于蒸鍍裝置中進行蒸鍍工藝時，大幅度地減少屏蔽的開口邊緣所沾粘的異物刮傷及壓傷基板的程度，或因金屬屏蔽表面凹凸不平而刮、壓傷基板的程度，進而降低像素的有機電致發(fā)光元件因被刮傷或壓傷后所產(chǎn)生的暗點的機率。
根據(jù)本發(fā)明的第一目的，提出一種屏蔽，包括至少一開口。其中，開口的長度約為100微米(μm)～2000微米，且開口的寬度約為25微米～75微米。
根據(jù)本發(fā)明的第二目的，提出一種蒸鍍裝置，包括蒸鍍室、加熱元件、夾持元件及屏蔽。加熱元件設(shè)置于蒸鍍室中，用以加熱蒸鍍源。夾持元件設(shè)置于蒸鍍室中，用以夾持待蒸鍍物。屏蔽設(shè)置于加熱元件及夾持元件之間，并包括至少一開口。其中，開口的長度約為100微米(μm)～2000微米，且開口的寬度約為25微米～75微米。
根據(jù)本發(fā)明的第三目的，提出一種有機發(fā)光二極管顯示面板(organiclight emitting diode panel，OLED panel)的制造方法。首先，提供基板，基板上具有多個像素。接著，提供屏蔽，屏蔽具有至少一開口。其中，開口的長度約為100微米(μm)～2000微米，且開口的寬度約為25微米～75微米。然后，對準屏蔽及基板，使此開口對應(yīng)于部分的這些像素。接著，形成發(fā)光材料層于此開口所暴露的基板之上。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實施例，以更詳細地說明本發(fā)明。


圖1是依照本發(fā)明的實施例一的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。
圖2是依照本發(fā)明的實施例二的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。
圖3是依照本發(fā)明的實施例三的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。
圖4是依照本發(fā)明的實施例四的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。
圖5是依照本發(fā)明的實施例五的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。
圖6是依照本發(fā)明的實施例六的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。
圖7其是依照本發(fā)明的實施例七的蒸鍍裝置的側(cè)視示意圖。
圖8是依照本發(fā)明的實施例八的有機發(fā)光二極管顯示面板的制造方法的流程圖。
圖9是圖8的步驟84所對應(yīng)的工藝流程圖。
圖10A～10C分別是圖9的步驟91、93及95所對應(yīng)的工藝剖面圖。
圖11A～11B是圖9的步驟92及94所對應(yīng)的工藝俯視圖。
簡單符號說明10、20、30、40、50、60屏蔽11、41基板12、22、32、62、63開口70蒸鍍裝置71蒸鍍室72加熱元件73夾持元件74蒸鍍源75箭頭76承載元件101藍色發(fā)光材料層102綠色發(fā)光材料層103紅色發(fā)光材料層L1、L2、L3、L4、L5開口的長度W1、W2、W3、W4、W5開口的寬度R紅色像素G綠色像素B藍色像素具體實施方式
實施例一請參照圖1，其是依照本發(fā)明的實施例一的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。如圖1所示，屏蔽10包括至少開口12，于本實施中以四個開口12為例。各開口12的長度L1約為100微米(μm)～2000微米，于本實施例中例如為200微米。寬度W1約為25微米～75微米，于本實施例中例如為25微米。且開口12可等間隔地或不等間隔地由上而下直線式排列成行，并形成開口組的態(tài)樣。各開口12可為方形、邊角不為直角的類方形或是橢圓形。開口12的個數(shù)及形狀并不僅限于此，其可視實際應(yīng)用實務(wù)而彈性調(diào)整且設(shè)計。此外，各開口12的大小可相同或不同。另外，屏蔽10可為磁性金屬屏蔽，如鐵鎳合金。再者，屏蔽10可為非磁性金屬屏蔽，如不銹鋼。又，屏蔽10可為一體成型。
屏蔽10可對應(yīng)于基板11設(shè)置，以供基板11上于蒸鍍工藝中形成蒸鍍薄膜層，例如是有機發(fā)光二極管顯示面板中不同顏色的發(fā)光材料層?；?1上具有像素陣列，此像素陣列具有多行像素組，如一行紅色像素組、一行綠色像素組及一行藍色像素組。其中，此行紅色像素組具有八個等間隔上下排列的紅色像素R，此行綠色像素組具有八個等間隔上下排列的綠色像素G，此行藍色像素組具有八個等間隔上下排列的藍色像素B。屏蔽10的開口12可對應(yīng)于同一顏色的像素組，且各開口12可對應(yīng)于至少二個且至多二十個同一顏色的像素。其中，屏蔽10的各開口12對應(yīng)于同一行像素組中上下相鄰的二個同一顏色的像素。在本實施例中，各開口12對應(yīng)于同一行藍色像素組中上下相鄰的二個藍色像素B，以進行藍色發(fā)光材料層形成于藍色像素B上的蒸鍍工藝。接著，通過屏蔽10及基板11的相對移動，例如屏蔽10固定不動而基板11往左移動，或者是基板11固定不動而屏蔽10往右移動，亦可使各開口12對應(yīng)于同一行像素組中上下相鄰的二個綠色像素G，以進行綠色發(fā)光材料層形成于綠色像素G上的蒸鍍工藝。然后，通過屏蔽10及基板11的相對移動，亦可使各開口12對應(yīng)于同一行像素組中上下相鄰的二個紅色像素R，以進行紅色發(fā)光材料層形成于紅色像素R上的蒸鍍工藝。
本實施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員亦可以明了本實施例的技術(shù)并不局限在此。例如，各開口12的大小至少大于二個同一顏色的像素的面積。此外，紅色像素R、綠色像素G及藍色像素B各可具有電極，故紅色綠色及藍色發(fā)光材料層即可對應(yīng)地形成于紅色像素R、綠色像素G及藍色像素B的電極上。另外，屏蔽10除了具有開口12的設(shè)計之外，亦可還包括對應(yīng)于像素的開口，并不需要屏蔽10的各開口都必須要對應(yīng)于二個像素以上，這是可以依實際需求而彈性設(shè)計。
本實施例的屏蔽10的開口12對應(yīng)于基板11的至少二個像素的設(shè)計，可以減少屏蔽10的開口12的數(shù)目。因此，在有機發(fā)光二極管顯示面板的基板11透過屏蔽10進行蒸鍍工藝時，由于開口12邊緣變少，可以大幅度地減少屏蔽10的開口12邊緣所沾粘的異物刮傷或壓傷基板11的程度。
實施例二請參照圖2，其是依照本發(fā)明的實施例二的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。本實施例的屏蔽20與實施例一的屏蔽10不同之處在于開口的設(shè)計。如圖2所示，屏蔽20包括至少一個開口，例如包含二個開口12及一個開口22，開口22的長度L2及各開口12的長度L1約為100微米(μm)～2000微米，開口22的寬度W2及各開口12的寬度W1約為25微米～75微米。其中，開口22的大小大于開口12的大小，例如開口22的長度L2大于各開口12的長度L1，開口22的長度L2于本實施例中例如為400微米。開口22的寬度W2等于各開口12的寬度W1，于本實施例中例如皆為25微米。在本實施例中，開口12及22可等間隔地由上而下直線式排列成行，并形成開口組的態(tài)樣。開口12及22各可為方形、邊角不為直角的類方形或是橢圓形。此外，屏蔽20可為磁性金屬屏蔽，如鐵鎳合金。另外，屏蔽20可為非磁性金屬屏蔽，如不銹鋼。再者，屏蔽20可為一體成型。
屏蔽20可對應(yīng)于基板11設(shè)置，以供基板11上于蒸鍍工藝中形成不同顏色的發(fā)光材料層。在本實施例中，各開口12對應(yīng)于相鄰的二個藍色像素B，開口22對應(yīng)于相鄰的四個藍色像素B，以進行藍色發(fā)光材料層的蒸鍍工藝。接著，通過屏蔽20及基板11的相對移動，亦可依序進行綠色發(fā)光材料層形成于綠色像素G上，以及紅色發(fā)光材料層形成于紅色像素R上的蒸鍍工藝。本實施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員亦可以明了本實施例的技術(shù)并不局限在此。例如，開口22的大小至少大于四個同一顏色的像素的面積。
實施例三請參照圖3，其是依照本發(fā)明的實施例三的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。本實施例的屏蔽30與實施例一的屏蔽10不同之處在于開口的設(shè)計。如圖3所示，屏蔽30包括至少一開口，如一個開口12及一個開口32，開口32的長度L3及開口12的長度L1各約為100微米(μm)～2000微米，開口32的寬度W3及開口12的寬度W1各約為25微米～75微米。其中，開口32的大小大于開口12的大小，例如開口32的長度L3大于開口12的長度L1，開口32的長度L3于本實施例中例如為600微米。開口32的寬度W3等于開口12的寬度W1，于本實施例中例如皆為25微米。在本實施例中，開口12及32可等間隔地或不等間隔地由上而下直線式排列成行，并形成開口組的態(tài)樣。開口12及32各可為方形、邊角不為直角的類方形或是橢圓形。此外，屏蔽30可為磁性金屬屏蔽，如鐵鎳合金。另外，屏蔽30可為非磁性金屬屏蔽，如不銹鋼。再者，屏蔽30可為一體成型。
屏蔽30可對應(yīng)于基板11設(shè)置，以供基板11上于蒸鍍工藝中形成不同顏色的發(fā)光材料層。在本實施例中，開口12對應(yīng)于相鄰的二個藍色像素B，開口32對應(yīng)于相鄰的六個藍色像素B，以進行藍色發(fā)光材料層的蒸鍍工藝。接著，通過屏蔽30及基板11的相對移動，亦可依序進行綠色發(fā)光材料層形成于綠色像素G上，以及紅色發(fā)光材料層形成于紅色像素R上的蒸鍍工藝。本實施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員亦可以明了本實施例的技術(shù)并不局限在此。例如，開口32的大小至少大于六個同一顏色的像素的面積。
實施例四請參照圖4，其是依照本發(fā)明的實施例四的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。本實施例的屏蔽40與實施例二的屏蔽20不同之處在于開口的設(shè)計。如圖4所示，屏蔽40包括至少一開口，如二個開口12及五個開口22。至于開口12及22的長度及寬度范圍已于實施例一及二揭露過，在此省略不再贅述。相同大小的開口22可呈階梯式排列，例如三個開口22從屏蔽40左上方角落至其右下方角落呈下降趨勢的階梯式排列。換另一角度而言，三個開口22可從屏蔽40左下方角落至其右上方角落呈上升趨勢的階梯式排列。如此一來，本實施例的開口22呈階梯式排列的設(shè)計，可以加強屏蔽40的結(jié)構(gòu)強度，比較不會產(chǎn)生撓曲或變形的現(xiàn)象。此外，屏蔽40可為磁性金屬屏蔽，如鐵鎳合金。另外，屏蔽40可為非磁性金屬屏蔽，如不銹鋼。再者，屏蔽40可為一體成型的結(jié)構(gòu)。
屏蔽40可對應(yīng)于基板41設(shè)置，以供基板41上于蒸鍍工藝中形成不同顏色的發(fā)光材料層?；?1上具有像素陣列，此像素陣列具有多行像素組，如三行紅色像素組、三行綠色像素組及三行藍色像素組。其中，各行紅色像素組具有八個等間隔上下排列的紅色像素R，各行綠色像素組具有八個等間隔上下排列的綠色像素G，各行藍色像素組具有八個等間隔上下排列的藍色像素B。屏蔽40的開口12及22可對應(yīng)于同一顏色的所有像素。各開口12對應(yīng)于同一行藍色像素組中上下相鄰的二個藍色像素B，各開口22對應(yīng)于同一行藍色像素組中上下相鄰的四個藍色像素B，以進行藍色發(fā)光材料層形成于藍色像素B上的蒸鍍工藝。接著，通過屏蔽40及基板41的相對移動，亦可依序進行綠色發(fā)光材料層及紅色發(fā)光材料層的蒸鍍工藝。
實施例五請參照圖5，其是依照本發(fā)明的實施例五的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。本實施例的屏蔽50與實施例四的屏蔽40不同之處在于開口的排列設(shè)計。如圖5所示，屏蔽50包括至少一開口，如五個開口12及二個開口22。至于開口12及22的長度及寬度范圍已于實施例一及二揭露過，在此省略不再贅述不同大小的開口12及22可呈階梯式排列，例如二個開口22及一個開口12可從屏蔽50左上方角落至其右下方角落依序呈下降趨勢的階梯式排列。換另一角度而言，二個開口22及一個開口12可從屏蔽50左下方角落至其右上方角落依序呈上升趨勢的階梯式排列。此外，屏蔽50可為磁性金屬屏蔽，如鐵鎳合金。另外，屏蔽50可為非磁性金屬屏蔽，如不銹鋼。再者，屏蔽50可為一體成型的結(jié)構(gòu)。
屏蔽50可對應(yīng)于基板41設(shè)置，以供基板41上于蒸鍍工藝中形成不同顏色的發(fā)光材料層。屏蔽50的開口12及22可對應(yīng)于同一顏色的所有像素。各開口12對應(yīng)于同一行藍色像素組中上下相鄰的二個藍色像素B，各開口22對應(yīng)于同一行藍色像素組中上下相鄰的四個藍色像素B，以進行藍色發(fā)光材料層形成于藍色像素B上的蒸鍍工藝。接著，通過屏蔽50及基板41的相對移動，亦可依序進行綠色發(fā)光材料層形成于綠色像素G上，以及紅色發(fā)光材料層形成于紅色像素R上的蒸鍍工藝。
實施例六請參照圖6，其是依照本發(fā)明的實施例六的屏蔽及基板的對準關(guān)系的俯視示意圖。本實施例的屏蔽60與實施例四的屏蔽40不同之處在于開口的排列設(shè)計。如圖5所示，屏蔽60包括至少一開口，如一個開口12、二個開口22、一個開口32、一個開口62及一個開口63。開口62的長度L4及開口63的長度L5約為100微米(μm)～2000微米，開口62的寬度W4及開口63的寬度W5約為25微米～75微米。至于開口12、22及32的長度及寬度范圍已于實施例一、二及三揭露過，在此省略不再贅述。開口32的大小大于開口62的大小，開口62的大小大于各開口22的大小。在本實施例中，開口62的長度L4例如為500微米，開口63的長度L5例如為300微米，開口62的寬度W4及開口63的寬度W5例如皆為25微米。各開口22的大小大于開口63的大小，開口63的大小大于開口12的大小。不同大小的開口22、62及32可呈階梯式排列，例如開口22、62及322可從屏蔽60左下方角落至其右上方角落依序呈上升趨勢的階梯式排列。此外，屏蔽60可為磁性金屬屏蔽，如鐵鎳合金。另外，屏蔽60可為非磁性金屬屏蔽，如不銹鋼。再者，屏蔽60可為一體成型的結(jié)構(gòu)。
屏蔽60可對應(yīng)于基板41設(shè)置，以供基板41上于蒸鍍工藝中形成不同顏色的發(fā)光材料層。屏蔽60的開口12、22、32、62及63可對應(yīng)于同一顏色的所有像素。開口12對應(yīng)于同一行藍色像素組中上下相鄰的二個藍色像素B，各開口22對應(yīng)于同一行藍色像素組中上下相鄰的四個藍色像素B。開口63對應(yīng)于同一行藍色像素組中上下相鄰的三個藍色像素B，開口62對應(yīng)于同一行藍色像素組中上下相鄰的五個藍色像素B。因此，可以進行藍色發(fā)光材料層形成于藍色像素B上的蒸鍍工藝。接著，通過屏蔽60及基板41的相對移動，亦可依序進行綠色發(fā)光材料層形成于綠色像素G上，以及紅色發(fā)光材料層形成于紅色像素R上的蒸鍍工藝。本實施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員亦可以明了本實施例的技術(shù)并不局限在此。例如，開口62的大小至少大于五個同一顏色的像素的面積，開口63的大小至少大于三個同一顏色的像素的面積。
實施例七請參照圖7，其是依照本發(fā)明的實施例七的蒸鍍裝置的側(cè)視示意圖。如圖7所示，蒸鍍裝置70包括蒸鍍室71、加熱元件72、夾持元件73及上述實施例其中的屏蔽，在此以實施例一的屏蔽10為例作說明。加熱元件72設(shè)置于蒸鍍室71中，用以承載且加熱蒸鍍源74，使蒸鍍源74蒸發(fā)。夾持元件73設(shè)置于蒸鍍室71中，用以夾持待蒸鍍物。在本實施例中，蒸鍍源74例如為至少一有機發(fā)光材料，在基板11上形成不同顏色的發(fā)光材料層需要不同顏色的有機發(fā)光材料層，而待蒸鍍物例為有機發(fā)光二極管顯示面板的基板11。屏蔽10設(shè)置于加熱元件72及夾持元件73之間，并包括至少一開口12。其中，開口12的長度L1約為100微米(μm)～2000微米，且開口12的寬度W1約為25微米～75微米。在本實施例中，蒸鍍裝置70還包括承載元件76，設(shè)置于加熱元件72及夾持元件73之間，用以承載屏蔽10且供屏蔽10穩(wěn)固地沿著箭頭76的方向移動。此外，在基板11上，紅色像素R、綠色像素G及藍色像素B各可具有電極。通過更換不同顏色的有機發(fā)光材料的蒸鍍源74、加熱蒸鍍源74而使其蒸發(fā)以及沿著箭頭75的方向移動屏蔽10等步驟，蒸發(fā)后的藍色、綠色及紅色有機發(fā)光材料即可透過開口12，在藍色像素B、綠色像素G及紅色像素R的電極上依序形成藍色、綠色及紅色發(fā)光材料層。
本實施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員亦可以明了本實施例的技術(shù)并不局限在此。例如，加熱元件72可為電熱絲元件，是將高電流通過其鎢絲使其產(chǎn)生高溫后，即可將蒸鍍源74加熱成流體，例如為液狀或氣狀物質(zhì)，進而蒸發(fā)至蒸鍍室11內(nèi)。當屏蔽10為磁性金屬屏蔽時，夾持元件73可應(yīng)用磁力設(shè)計，以吸住屏蔽10。因此，可以使得屏蔽10更能貼緊基板11，避免屏蔽10及基板11之間產(chǎn)生空隙，進而防止有機發(fā)光材料蒸鍍到基板11上的錯誤位置。至于上述的有機發(fā)光材料蒸鍍到基板11上的錯誤位置的問題，例如是藍色有機發(fā)光材料有可能會因屏蔽10及基板11之間有孔隙而蒸鍍到鄰近的綠色像素G上。
在有機發(fā)光二極管顯示面板的基板11透過屏蔽10于蒸鍍裝置70中進行蒸鍍工藝時，由于屏蔽10的開口12對應(yīng)于基板上至少二像素的設(shè)計，可以大幅度地減少屏蔽10的開口12邊緣所沾粘的異物刮傷或壓傷基板11的程度。
實施例八請參照圖8，其是依照本發(fā)明的實施例八的有機發(fā)光二極管顯示面板的制造方法的流程圖。首先，在步驟81中，提供基板，基板上具有多個像素。接著，進入步驟82中，提供屏蔽，屏蔽具有至少一開口，開口的長度約為100微米(μm)～2000微米，開口的寬度約為25微米～75微米。然后，進入步驟83中，對準屏蔽及基板，使開口對應(yīng)于部分的這些像素。在本實施例中，步驟81～83所述的屏蔽及基板可以是實施例一至實施例五所揭露的屏蔽及基板，在此以屏蔽10及基板11為例作說明。又如圖1所示，基板11的這些像素包含數(shù)個紅色像素R、數(shù)個綠色像素G及數(shù)個藍色像素B，例如包含八個紅色像素R、八個綠色像素G及八個藍色像素B。各紅色像素R、各綠色像素G及各藍色像素B具有一電極，基板11例如是薄膜晶體管(thinfilm transistor，TFT)基板，屏蔽10具有四個開口12。開口12呈一直線式排列。各開口12的長度L1約為100微米(μm)～2000微米，各開口12的寬度W1約為25微米～75微米。其中，各開口12至少對應(yīng)于二個藍色像素B，至多對應(yīng)于二十個藍色像素。在本實施例中，各開口12以對應(yīng)于二個藍色像素B為例作說明，各開口12的大小大于二個藍色像素B的面積。若本實施例以實施例四的屏蔽40為例作說明，屏蔽40的開口22呈階梯式排列。接著，進入步驟84中，形成發(fā)光材料層于開口12所暴露的部分基板11之上。
至于本實施例如何形成發(fā)光材料層于開口12所暴露的部分基板11之上，將附圖舉例說明如后。請同時參照圖9～11B，圖9乃繪示圖8的步驟84所對應(yīng)的工藝流程圖，圖10A～10C乃分別繪示圖9的步驟91、93及95所對應(yīng)的工藝剖面圖，圖11A～11B是圖9的步驟92及94所對應(yīng)的工藝俯視圖。
首先，在步驟91中，如圖10A所示，形成藍色發(fā)光材料層101于部分的這些藍色像素B，如二個藍色像素B。接著，進入步驟92中，如第11A圖所示，移動屏蔽10及基板11其中之一，如固定基板不動而將屏蔽10往右移動，使開口12對應(yīng)部分的這些綠色像素G，如二個綠色像素G。然后，進入步驟93中，如圖10B所示，形成一綠色發(fā)光材料層102于部分的這些綠色像素G，如二個綠色像素G。接著，進入步驟94中，如圖11B所示，移動屏蔽10及基板11其中之一，如固定基板11不動而將屏蔽10往右移動，使開口12對應(yīng)部分的這些紅色像素R，如二個紅色像素R。然后，進入步驟95中，如圖10C所示，形成紅色發(fā)光材料層103于部分的這些紅色像素R，如二個紅色像素R。藍色發(fā)光材料層101、綠色發(fā)光材料層102及紅色發(fā)光材料層103的形成先后順序并不局限于上述說明中。需要注意的是，一個藍色發(fā)光材料層101、一個綠色發(fā)光材料層102及一個紅色發(fā)光材料層103可分別涵蓋對應(yīng)二個藍色像素B、二個綠色像素G及二個紅色像素R，但因各顏色發(fā)光材料層本身電阻很大，并不會影響彼此像素之間的發(fā)光品質(zhì)。
之后，更可分別于藍色發(fā)光材料層101、綠色發(fā)光材料層102及紅色發(fā)光材料層103上形成一整面且連續(xù)分布的電極，以形成有機發(fā)光二極管顯示面板的數(shù)個有機電致發(fā)光元件(organic electroluminescence device，OELD)于藍色像素B、綠色像素G及紅色像素R上。其中，一個像素只有一個有機電致發(fā)光元件。上述的有機電致發(fā)光元件為二個電極上下包夾發(fā)光材料層于其之間的一個三明治結(jié)構(gòu)。至于上述的有機電致發(fā)光元件的更詳細結(jié)構(gòu)，如電子傳輸層、電子注入層、空穴注入層及空穴傳輸層源的設(shè)計，亦為本實施例所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員所熟知的技術(shù)，在此省略不贅述。
本發(fā)明上述實施例所揭露的屏蔽及應(yīng)用其的蒸鍍裝置和應(yīng)用其制造有機發(fā)光二極管顯示面板的方法，其屏蔽的一開口對應(yīng)于基板上至少二個像素的設(shè)計，可以減少屏蔽的開口的數(shù)目。因此，在有機發(fā)光二極管顯示面板的基板透過屏蔽于蒸鍍裝置中進行蒸鍍工藝時，可以大幅度地減少屏蔽的開口邊緣所沾粘的異物刮傷或壓傷基板的程度，進而降低像素的有機電致發(fā)光元件因被刮傷或壓傷后所產(chǎn)生的暗點的機率。
綜上所述，雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種屏蔽，包括至少一開口，該開口的長度約為100微米～2000微米，該開口的寬度約為25微米～75微米。
2.如權(quán)利要求1所述的屏蔽，其中該開口為多個，該多個開口呈直線式排列。
3.如權(quán)利要求1所述的屏蔽，其中各該開口的大小相同。
4.如權(quán)利要求1所述的屏蔽，其中部分的該多個開口的大小相同。
5.如權(quán)利要求1所述的屏蔽，其中該開口為多個，該多個開口呈階梯式排列。
6.如權(quán)利要求1所述的屏蔽，為磁性金屬屏蔽。
7.如權(quán)利要求1所述的屏蔽，為非磁性金屬屏蔽。
8.如權(quán)利要求1所述的屏蔽，為一體成型。
9.一種蒸鍍裝置，包括蒸鍍室；加熱元件，設(shè)置于該蒸鍍室中，用以加熱蒸鍍源；夾持元件，設(shè)置于該蒸鍍室中，用以夾持待蒸鍍物；以及屏蔽，設(shè)置于該加熱元件及該夾持元件之間，并包括至少一開口，該開口的長度約為100微米～2000微米，該開口的寬度約為25微米～75微米。
10.如權(quán)利要求9所述的蒸鍍裝置，其中該開口為多個，該多個開口呈直線式排列。
11.如權(quán)利要求9所述的蒸鍍裝置，其中各該開口的大小相同。
12.如權(quán)利要求9所述的蒸鍍裝置，其中部分的該多個開口的大小相同。
13.如權(quán)利要求9所述的蒸鍍裝置，其中該開口為多個，該多個開口呈階梯式排列。
14.一種有機發(fā)光二極管顯示面板的制造方法，包括提供基板，該基板上具有多個像素；提供屏蔽，該屏蔽具有至少一開口，該開口的長度約為100微米～2000微米，該開口的寬度約為25微米～75微米；對準該屏蔽及該基板，使該開口對應(yīng)于部分的該多個像素；以及形成發(fā)光材料層于該開口所暴露的該基板之上。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該開口為多個，該多個開口呈直線式排列且對應(yīng)于該多個像素。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該開口為多個，該多個開口呈階梯式排列且對應(yīng)于該多個像素。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該開口的大小大于二個像素的面積。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該多個像素包含多個紅色像素、多個綠色像素以及多個藍色像素，形成該發(fā)光材料層的步驟包括形成藍色發(fā)光材料層于部分的該多個藍色像素；形成綠色發(fā)光材料層于部分的該多個綠色像素；以及形成紅色發(fā)光材料層于部分的該多個紅色像素。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中在形成該綠色發(fā)光材料層于部分的該多個綠色像素的步驟前，還包括移動該屏蔽及該基板其中之一，使該開口對應(yīng)部分的該多個綠色像素。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中在形成該紅色發(fā)光材料層于部分的該多個紅色像素的步驟前，還包括移動該屏蔽及該基板其中之一，使該開口對應(yīng)部分的該多個紅色像素。
全文摘要
一種有機發(fā)光二極管顯示面板的制造方法。首先，提供基板，該基板上具有多個像素。接著，提供屏蔽，該屏蔽具有至少一開口。其中，開口的長度約為100微米～2000微米，且開口的寬度約為25微米～75微米。然后，對準屏蔽及基板，使此開口對應(yīng)于部分的像素。接著，形成發(fā)光材料層于此開口所暴露的基板之上。
文檔編號C23C14/24GK1861834SQ20061009177
公開日2006年11月15日 申請日期2006年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月12日
發(fā)明者葉協(xié)鑫, 莫堯安 申請人:友達光電股份有限公司