專利名稱：反應(yīng)腔室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備部件，尤其涉及一種反應(yīng)腔室。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體加工過程的等離子刻蝕工藝中需要在反應(yīng)腔室內(nèi)形成等離子體，因此需要在 反應(yīng)腔室上部介質(zhì)窗施加射頻，使得進(jìn)入反應(yīng)腔內(nèi)的工藝氣體激發(fā)成等離子體，進(jìn)而進(jìn)行 半導(dǎo)體硅片的加工。等離子刻蝕過程中，在反應(yīng)室壁上會出現(xiàn)薄膜累積，這種薄膜累積可 能使反應(yīng)腔壁的材料脫落進(jìn)入反應(yīng)環(huán)境中，影響刻蝕工藝的正常進(jìn)行；薄膜還可能影響射 頻回路，影響刻蝕的有效進(jìn)行。
在目前的半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備中， 一般采用內(nèi)襯來保護(hù)反應(yīng)室的壁面。并通過對內(nèi)襯的周 期性更換，保證工藝的有效進(jìn)行。但是，由于整個內(nèi)襯處于反應(yīng)腔真空環(huán)境中，該內(nèi)襯在 真空環(huán)境中與反應(yīng)室熱傳導(dǎo)差而缺乏充分的熱交換。當(dāng)射頻循環(huán)地開和關(guān)時，將導(dǎo)致內(nèi)襯 的溫度出現(xiàn)波動。
現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用圓柱形內(nèi)襯應(yīng)用在反應(yīng)腔室內(nèi)，并采用帶有外法蘭的內(nèi)襯，通 過法蘭在大氣中與反應(yīng)室連接進(jìn)行熱傳遞。 上述現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺點(diǎn)
由于法蘭只是在大氣中與反應(yīng)腔連接進(jìn)行熱傳遞，而內(nèi)襯的溫度波動是在真空狀態(tài)下 進(jìn)行的，因此不能有效的避免內(nèi)襯溫度的波動。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能有效避免內(nèi)襯溫度波動的反應(yīng)腔室。 本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
本發(fā)明的反應(yīng)腔室，包括內(nèi)襯，所述的內(nèi)襯包括側(cè)壁，所述側(cè)壁設(shè)有接觸法蘭，所述 接觸法蘭與反應(yīng)腔室的內(nèi)壁緊密接觸。
由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的反應(yīng)腔室，由于內(nèi)襯的側(cè)壁設(shè) 有接觸法蘭，所述接觸法蘭與反應(yīng)腔室的內(nèi)壁緊密接觸?？梢酝ㄟ^接觸法蘭使內(nèi)襯與反應(yīng) 腔室在真空環(huán)境中交換溫度，有效避免內(nèi)襯溫度的波動。


圖l為本發(fā)明反應(yīng)腔室的具體實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明反應(yīng)腔室的具體實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本發(fā)明反應(yīng)腔室的具體實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的反應(yīng)腔室，其較佳的具體實(shí)施例一如圖l所示，包括反應(yīng)腔室壁6、進(jìn)氣口 2、介質(zhì)窗4、調(diào)節(jié)基環(huán)5、排氣口8、靜電卡盤7及內(nèi)襯1。在進(jìn)行加工工藝時，工藝氣體通 過進(jìn)氣口2進(jìn)入反應(yīng)腔室，通過排氣口8排出反應(yīng)后的氣體，通過射頻裝置3加入射頻，使得 反應(yīng)腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體迸行刻蝕反應(yīng)。
內(nèi)襯1包含外法蘭101、側(cè)壁102、接觸法蘭103、等離子屏蔽板104、等離子屏蔽板104 具有多個孔隙，將等離子體約束到制定區(qū)域。外法蘭101與反應(yīng)腔室壁6連接，接觸法蘭103 與反應(yīng)腔室壁6接觸連接，反應(yīng)腔室壁6通過接觸法蘭103在真空環(huán)境中與內(nèi)襯1相連接，內(nèi) 襯1與反應(yīng)腔室壁6發(fā)生熱傳遞，這樣在射頻循環(huán)地開關(guān)時，能夠保持內(nèi)襯l的熱穩(wěn)定，保證 晶片處理(如刻蝕)工藝的穩(wěn)定進(jìn)行。
內(nèi)襯1的側(cè)壁上部的外法蘭101可以與反應(yīng)腔室壁6固定連接?？梢酝ㄟ^螺釘連接，通 過螺釘?shù)膲壕o力使接觸法蘭103與反應(yīng)腔室壁6的內(nèi)側(cè)緊密接觸。反應(yīng)腔室壁6的內(nèi)面可以設(shè) 有臺階，所述接觸法蘭103可以與臺階緊密接觸。
內(nèi)襯102的側(cè)壁的下部的屏蔽板104可以與內(nèi)襯1的側(cè)壁102及接觸法蘭103可以為整體 式結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例二如圖2所示，所述接觸法蘭103與反應(yīng)腔室壁6的內(nèi)側(cè)固定連接。接觸法 蘭103可以通過螺釘15固定在反應(yīng)腔室壁6內(nèi)側(cè)的臺階上，確保接觸法蘭103與臺階緊密接 觸，提高導(dǎo)熱率。屏蔽板104與靜電卡盤之間也可以通過螺釘13固定連接。
接觸法蘭103可以設(shè)于所述內(nèi)襯的側(cè)壁102的內(nèi)側(cè)，也可以設(shè)于所述內(nèi)襯的側(cè)壁102的 外側(cè)。
具體實(shí)施例三如圖3所示，內(nèi)襯的側(cè)壁102與屏蔽板104可以分體設(shè)置，并通過螺釘14 固定連接。具體可以讓屏蔽板104與接觸法蘭103的上表面或下表面接觸，在通過螺釘14連 接在一起。在這種情況下，屏蔽板104與接觸法蘭103的接觸面之間最好添加屏蔽線圈，一 方面可以屏蔽等離子，另一方面可以提高導(dǎo)熱率。屏蔽板104與接觸法蘭103的接觸面可以 進(jìn)行陽極氧化處理，也可以不進(jìn)行陽極氧化處理。
外法蘭101與反應(yīng)腔室壁6之間可以設(shè)密封圈12和屏蔽線圈11。
本發(fā)明通過內(nèi)襯下部的接觸法蘭在真空條件下與反應(yīng)腔室壁連接，繼而增大內(nèi)襯在真 空條件下的導(dǎo)熱率，使內(nèi)襯具有熱穩(wěn)定性。這就減少了內(nèi)襯中在射頻電源循環(huán)開及關(guān)時產(chǎn) 生的溫度波動，有利于刻蝕的穩(wěn)定進(jìn)行。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任 何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都 應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種反應(yīng)腔室，包括內(nèi)襯，其特征在于，所述的內(nèi)襯包括側(cè)壁，所述側(cè)壁設(shè)有接觸法蘭，所述接觸法蘭與反應(yīng)腔室的內(nèi)壁緊密接觸。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述接觸法蘭與反應(yīng)腔室的內(nèi)壁固 定連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述的反應(yīng)腔室的內(nèi)壁設(shè)有臺 階，所述接觸法蘭與所述臺階緊密接觸。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述的反應(yīng)腔室的內(nèi)壁設(shè)有臺階， 所述接觸法蘭通過螺釘固定在所述的臺階上。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述接觸法蘭設(shè)于所述內(nèi)襯的側(cè)壁 的內(nèi)側(cè)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述接觸法蘭設(shè)于所述內(nèi)襯的側(cè)壁 的外側(cè)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述內(nèi)襯的側(cè)壁的上部還設(shè)有外法 蘭，所述外法蘭與反應(yīng)腔室的側(cè)壁固定連接。
8、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述內(nèi)襯的側(cè)壁的下部連接有屏蔽板。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述的側(cè)壁與屏蔽板為整體式結(jié)構(gòu)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述的側(cè)壁與屏蔽板通過螺釘固 定連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種反應(yīng)腔室，包括內(nèi)襯，內(nèi)襯的側(cè)壁設(shè)有接觸法蘭，接觸法蘭與反應(yīng)腔室的內(nèi)壁緊密接觸。反應(yīng)腔室的內(nèi)壁設(shè)有臺階，接觸法蘭固定在臺階上。內(nèi)襯的側(cè)壁的下部連接有屏蔽板，側(cè)壁與屏蔽板可以為整體式結(jié)構(gòu)，也可以為分體式結(jié)構(gòu)。通過內(nèi)襯下部的接觸法蘭在真空條件下與反應(yīng)腔室壁連接，繼而增大內(nèi)襯在真空條件下的導(dǎo)熱率，使內(nèi)襯具有熱穩(wěn)定性，減少了內(nèi)襯中在射頻電源循環(huán)開及關(guān)時產(chǎn)生的溫度波動，有利于刻蝕的穩(wěn)定進(jìn)行。
文檔編號C23F4/00GK101383266SQ200710121288
公開日2009年3月11日 申請日期2007年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月3日
發(fā)明者趙夢欣 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司