專利名稱：一種射頻電極放電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜制備技術(shù)，尤其涉及一種用于薄膜制備的射頻平板電極 放電裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的非晶硅薄膜太陽能電池生產(chǎn)工藝中，通常要通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical V鄰or D印osition，簡稱PECVD) 的方式進行薄膜制備。如圖1、 2所示，在這種PECVD工藝中，多采用平板電 極和微孔式結(jié)構(gòu)的布?xì)夥绞健Ｈ鐖Dl所示，現(xiàn)有PECVD薄膜制備裝置的結(jié)構(gòu) 示意圖，包括平板射頻陰極l、布?xì)獍?、鍍膜基板8。如圖2所示，其中布 氣板3上均勻散布著很多布?xì)饪?，在薄膜制備時通入的反應(yīng)氣體2會在電 場的作用下被分解為離子和活性基團等，分別穿過布?xì)獍?上的布?xì)饪?并 沉積在鍍膜基板8上，同時部分高能粒子在電場的作用下直接對鍍膜基板8 上的膜層7造成強烈轟擊，從而導(dǎo)致沉積的薄膜的質(zhì)量受到損傷，在射頻陰 極和鍍膜基板間加上偏置電壓后，這種損傷會更大；但是若為了保證膜層7 質(zhì)量而減小電場作用，反應(yīng)氣體的分解率將會降低，薄膜的沉積速度也會隨 之放慢。綜上可知，現(xiàn)有技術(shù)的缺點是-1. 由于分解出的高能離子和活性基團直接對沉積膜層造成的強烈轟擊， 使薄膜的質(zhì)量受到損傷。2. 若要保證膜層質(zhì)量而減小電場作用，則反應(yīng)氣體的分解率低，薄膜的 沉積速度慢。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提出一種射頻電極放電裝置設(shè)計，通過在靠近布?xì)獍宓?下方設(shè)置金屬網(wǎng)板，以減小被分解出的高能離子和活性基團直接對沉積膜層 造成的轟擊損傷，同時提高反應(yīng)氣體的分解率，提高薄膜的沉積速度。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的，包括從上到下依次設(shè)置的平板射頻電極、布 氣板和鍍膜基板，還包括網(wǎng)板，設(shè)置于緊鄰布?xì)獍逑路健?所述網(wǎng)板與布?xì)獍逯g通過陶瓷柱固定。所述網(wǎng)板為金屬材料，金屬網(wǎng)板的尺寸與平板射頻電極匹配。 所述金屬網(wǎng)板與平板射頻電極之間設(shè)有偏置電壓，活性離子和電子會在偏置電壓的作用下加速運動，使得通過金屬網(wǎng)板與布?xì)獍逯g反應(yīng)氣體的分解率提高。優(yōu)選地，所述金屬網(wǎng)板與布?xì)獍逯g的間距為2至30mm。金屬網(wǎng)板與布 氣板之間的強電場對反應(yīng)氣體的分解能力很強，與傳統(tǒng)射頻電極裝置相比， 反應(yīng)氣體的分解率提高，薄膜的沉積速度增快。優(yōu)選地，所述金屬網(wǎng)板與鍍膜基板之間的間距為2至100mm。金屬網(wǎng)板 與鍍膜基板之間的電場較小，與傳統(tǒng)的直接在射頻電極和鍍膜基板之間加電 場的情形相比，抵達鍍膜基板的分解物的動量和動能下降，對沉積的薄膜的優(yōu)選地， 一般布?xì)獍迳系牟細(xì)饪状笮?.5 5mm，金屬網(wǎng)孔是布?xì)饪状?小的2 5倍。優(yōu)選地，金屬網(wǎng)孔不能過大，孔的面積過大會導(dǎo)致網(wǎng)板自身支撐強度不 夠，孔的面積過小會導(dǎo)致被等離子體分解的活性粒子不能順暢的通過網(wǎng)板到 達基片表面。優(yōu)選地，金屬網(wǎng)孔的形狀為方形、圓形、三角形、多邊形都可以，可自 由設(shè)計。本發(fā)明由于采用了以上技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點 和積極效果1. 大大減小分解出的高能離子和活性基團直接對沉積膜層造成的轟擊， 提高了薄膜的質(zhì)量。2. 能在保證膜層質(zhì)量的前提下，加大反應(yīng)氣體的分解率，加快薄膜的沉 積速度。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部 分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的 不當(dāng)限定。在附圖中-圖1為現(xiàn)有技術(shù)的射頻電極放電裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)的布?xì)獍宓母┮晥D。圖3為本發(fā)明的射頻電極放電裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明的金屬網(wǎng)板的俯視圖。附圖標(biāo)號[1]平板射頻陰極[2]反應(yīng)氣體 [3]布?xì)獍錥4]布?xì)饪?[5]陶瓷柱 [6]網(wǎng)板 [7]膜層 [8]鍍膜基板具體實施方式
下面結(jié)合附圖3、 4，來具體介紹本發(fā)明的一種較佳實示例如圖3所示，本發(fā)明包括從上到下依次平行設(shè)置的一平板射頻電極1、 一布?xì)獍?、 一金屬網(wǎng)板6和一鍍膜基板8。平板射頻電極1與布?xì)獍?的一 側(cè)連接。布?xì)獍?上均勻分布布?xì)饪?，成矩陣排列。金屬網(wǎng)板6設(shè)置于緊 鄰布?xì)獍?下方，且通過陶瓷柱5與布?xì)獍?固定。所述網(wǎng)板為金屬材料， 金屬網(wǎng)板6的尺寸與平板射頻電極1的尺寸相匹配。金屬網(wǎng)板6與布?xì)獍? 之間的間距為2至30mm;金屬網(wǎng)板6與鍍膜基板8之間的間距為2至lOOmm。如圖4所示，金屬網(wǎng)板6上均勻分布網(wǎng)孔，網(wǎng)孔成矩陣排列，網(wǎng)每個孔 呈平行四邊形的形狀，也可是圓形，三角形，多邊形等。由于平板射頻電極1、布?xì)獍?以及鍍膜基板8通常被置于密閉環(huán)境中 工作，當(dāng)通入反應(yīng)氣體2時，反應(yīng)氣體2通過布?xì)饪?進入布?xì)獍?和鍍膜 基板8之間，此時如果打開射頻電極的電源，而金屬網(wǎng)板6接地，在平板射 頻電極1和金屬網(wǎng)板6之間的反應(yīng)氣體會被充分分解，這些分解物透過金屬 網(wǎng)板6運動到鍍膜基板8表面沉積薄膜。在射頻電極1和金屬網(wǎng)板6之間加入一偏置電壓，使得薄膜制備過程中 通過布?xì)饪?的氣體2能在布?xì)獍?和金屬網(wǎng)板6之間產(chǎn)生更為強烈的放電， 在偏置電壓的作用下離子會加速運動，對反應(yīng)氣體的轟擊增強，提高了反應(yīng) 氣體的分解率。現(xiàn)有技術(shù)的射頻平板電極1加入一偏置電壓后，被加速的離子將直接面 對沉積膜層7，對沉積膜層7造成的轟擊損傷增加。而本發(fā)明在加入金屬網(wǎng) 板6后，能把離子加速區(qū)域限制在遠(yuǎn)離膜層7的位置，有效減少被分解出的 高能離子和活性基團直接對沉積膜層7造成的轟擊損傷。綜上所述，本發(fā)明通過增設(shè)金屬網(wǎng)板，大大減小分解出的高能離子和活 性基團直接對沉積膜層造成的轟擊，加大反應(yīng)氣體的分解率，加快薄膜的沉 積速度，提高了薄膜的質(zhì)量。最后應(yīng)當(dāng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其 限制；盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)的說明，所屬領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解依然可以對本發(fā)明的具體實施方式
進行修改或者對部分技 術(shù)特征進行等同替換；而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā) 明請求保護的技術(shù)方案范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1、一種射頻電極放電裝置，包括從上到下依次設(shè)置的一平板射頻電極(1)、一布?xì)獍?3)和一鍍膜基板(8)，其特征在于，還包括一網(wǎng)板(6)，設(shè)置于緊鄰布?xì)獍?3)下方。
2、 如權(quán)利要求1所述的射頻電極放電裝置，其特征在于，所述網(wǎng)板(6) 與布?xì)獍?3)之間通過陶瓷柱(5)固定。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的射頻電極放電裝置，其特征在于，所述網(wǎng)板 (6)為金屬材料，金屬網(wǎng)板(6)的尺寸與平板射頻電極(1)匹配。
4、 如權(quán)利要求3所述的射頻電極放電裝置，其特征在于，所述金屬網(wǎng)板 (6)與布?xì)獍?3)之間的間距為2至30mm。
5、 如權(quán)利要求4所述的射頻電極放電裝置，其特征在于，所述金屬網(wǎng)板 (6)與鍍膜基板(8)之間的間距為2至100mm。
6、 如權(quán)利要求5所述的射頻電極放電裝置，其特征在于，所述金屬網(wǎng)板 (6)與平板射頻電極(1)之間設(shè)有一偏置電壓。
7、 如權(quán)利要求6所述的射頻電極放電裝置，其特征在于，所述金屬網(wǎng)板 (6)上的網(wǎng)孔是布?xì)饪?4)大小的2 5倍。
全文摘要
本發(fā)明介紹了一種射頻電極放電裝置，包括從上到下設(shè)置的一平板射頻電極、一布?xì)獍搴鸵诲兡せ?，還包括一金屬網(wǎng)板，設(shè)置于緊鄰布?xì)獍逑路?。本發(fā)明通過增設(shè)金屬網(wǎng)板，大大減小分解出的高能離子和活性基團直接對沉積膜層造成的轟擊，加大反應(yīng)氣體的分解率，加快薄膜的沉積速度，提高了薄膜的質(zhì)量。
文檔編號C23C16/513GK101403109SQ20081004266
公開日2009年4月8日 申請日期2008年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月9日
發(fā)明者芃 夏, 施松林, 軍 熊 申請人:上海拓引數(shù)碼技術(shù)有限公司