專利名稱：薄膜傳送裝置和卷繞式真空成膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜傳送裝置和巻繞式真空成膜方法，其可一邊 在真空環(huán)境中連續(xù)移送基膜并對(duì)被傳送的上述基膜進(jìn)行成膜處理、 加熱處理或等離子處理等， 一邊連續(xù)巻收經(jīng)過(guò)處理的該基膜。
背景技術(shù)：
人們公知現(xiàn)有技術(shù)中的如下 一種巻繞式真空蒸鍍方法(例如參照
下述專利文獻(xiàn)1 ): 一邊將從巻放輥上連續(xù)移送過(guò)來(lái)的長(zhǎng)條狀的基膜 巻繞到冷卻輥上， 一 邊將來(lái)自設(shè)置在該冷卻輥對(duì)面位置的蒸發(fā)源中 的蒸鍍物質(zhì)蒸鍍到基膜上，蒸鍍后的基膜則被巻收到巻收輥上。
圖5是表示這種現(xiàn)有技術(shù)中的巻繞式真空蒸鍍裝置的大致結(jié)構(gòu) 的示意圖。在該圖中，符號(hào)l表示真空空腔，符號(hào)2表示巻放輥， 符號(hào)3表示冷卻(或加熱)輥(主輥)，符號(hào)4表示巻放輥，符號(hào)5 表示蒸發(fā)源。在巻放輥2和主輥3之間設(shè)置有導(dǎo)向輥6A、 6B，而在 主輥3和巻收輥4之間設(shè)置有導(dǎo)向輥7A、 7B。
基膜F為塑料薄膜或金屬箔等，其從巻放輥2上連續(xù)移送過(guò)來(lái)并 經(jīng)導(dǎo)向輥6A、 6B而提供給主輥3。這樣，基膜F由于巻繞主輥3被 其冷卻(或加熱)，在這種狀態(tài)下，會(huì)對(duì)基膜F的面對(duì)蒸發(fā)源5的 位置的一個(gè)表面進(jìn)行成膜處理。經(jīng)過(guò)成膜處理后的基膜F會(huì)經(jīng)導(dǎo)向 輥7A、 7B而連續(xù)巻收到巻收輥4上。
專利文獻(xiàn)1日本發(fā)明專利公報(bào)第3795518號(hào)專利文獻(xiàn)2日本發(fā)明專利公開公報(bào)特開2004-87792號(hào)
一般情況下，構(gòu)成上述巻繞式真空蒸鍍裝置的導(dǎo)向輥采用如圖6 所示的結(jié)構(gòu)，圖6所示的導(dǎo)向輥8具有圓柱形輥表面8a,輥表面8a 接觸基膜F的一個(gè)表面并對(duì)基膜F的行進(jìn)進(jìn)行引導(dǎo)。與輥表面8a接觸并被其支承的基膜F的表面，會(huì)因在巻繞式真空蒸鍍裝置內(nèi)的導(dǎo)
向輥的設(shè)置地點(diǎn)的不同而不同，如圖5所示，基膜F的成膜表面會(huì) 接觸導(dǎo)向輥6B、 7A的輥表面，而基膜F的非成膜表面則會(huì)接觸導(dǎo) 向輥6 A、 7B的輥表面。
但是由于蒸鍍材料的種類、成膜形態(tài)或上述裝置的使用條件等的 不同，會(huì)出現(xiàn)不可讓基膜F的成膜區(qū)域接觸導(dǎo)向輥的輥表面的情況。 因?yàn)閷?dǎo)向輥的輥表面接觸基膜F的成膜區(qū)域時(shí)，則會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)致其成 膜部上產(chǎn)生微小劃痕的問(wèn)題。這里所說(shuō)的"成膜區(qū)域"，主要是指 基膜的除了兩個(gè)側(cè)緣部以外的部分。
這時(shí)，可以考慮采用如下方法來(lái)處理在真空蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)中， 不使用圖5所示的導(dǎo)向輥6B、 7A,而采用例如圖7所示的僅僅支承 基膜F的非成膜表面的結(jié)構(gòu)，這時(shí)的基膜F的成膜表面就不會(huì)接觸 到導(dǎo)向輥。但在這種方法中，各個(gè)輥的設(shè)置位置會(huì)受到限制，從而 使上述裝置在結(jié)構(gòu)上受到很大的限制。
另外，還可以采用下述方法來(lái)處理使接觸基膜F的成膜表面的 導(dǎo)向輥的結(jié)構(gòu)為圖8中A所示的結(jié)構(gòu)(例如參照上述專利文獻(xiàn)2)。 在圖8中A所示的導(dǎo)向輥9的圓柱形輥表面9a上，設(shè)置有一對(duì)突出 的環(huán)形導(dǎo)向部9b，兩個(gè)環(huán)形導(dǎo)向部9b互相隔開一定距離用來(lái)支承基 膜F的兩個(gè)側(cè)緣部。由于導(dǎo)向部9b只支承基膜F的非成膜區(qū)域或作 為其非使用范圍的兩個(gè)側(cè)緣部，所以可避免基膜F的成膜區(qū)域Fc接 觸到輥表面9a。
但上述結(jié)構(gòu)有如下技術(shù)問(wèn)題因被傳送的基膜F的形狀呈長(zhǎng)條 形，而且在施加了張力的狀態(tài)下被傳送，所以如圖8中B所示，被 傳送的基膜F的中央部會(huì)產(chǎn)生彎曲，因而出現(xiàn)其成膜區(qū)域Fc接觸到 導(dǎo)向輥9的輥表面9a的情況。而且，上述結(jié)構(gòu)無(wú)法實(shí)現(xiàn)對(duì)基膜F的 行進(jìn)進(jìn)行平穩(wěn)地引導(dǎo)的功能，從而出現(xiàn)如下問(wèn)題基膜F的行進(jìn)線 路發(fā)生紊亂，影響基膜F的巻收
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜傳送裝置和 巻繞式真空成膜方法，其可以保護(hù)基膜的成膜區(qū)域，而且可以使基 膜能夠平穩(wěn)地傳送。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中所述的薄膜傳送 裝置，其為用來(lái)在真空空腔內(nèi)傳送基膜的薄膜傳送裝置，包括巻放 輥、巻收輥和傳送機(jī)構(gòu)。上述傳送機(jī)構(gòu)設(shè)置在上述巻放輥和上述巻 收輥之間，并具有引導(dǎo)單元。該引導(dǎo)單元包括導(dǎo)向輥和輔助輥，該 導(dǎo)向輥具有用來(lái)支承上述基膜的兩個(gè)側(cè)緣部的 一對(duì)環(huán)形導(dǎo)向部，上 述輔助輥面向上述導(dǎo)向輥設(shè)置，將上述基膜的兩個(gè)側(cè)緣部壓向上述 一對(duì)導(dǎo)向部。
本發(fā)明的一種實(shí)施方式中的巻繞式真空成膜方法包括在真空環(huán) 境中連續(xù)移送基膜的情況，對(duì)上述基膜的至少 一 個(gè)表面進(jìn)行成膜處 理，該基膜在其兩個(gè)側(cè)緣部被夾持的狀態(tài)下朝向巻收部傳送。


圖1是表示作為本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的巻繞式真空成膜裝 置的巻繞式真空蒸鍍裝置的大致結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是表示圖1中的巻繞式真空蒸鍍裝置的主要部位的結(jié)構(gòu)示例 的側(cè)視圖。
圖3是表示本發(fā)明的引導(dǎo)單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的主視圖。 圖4是表示本發(fā)明的引導(dǎo)單元的另一結(jié)構(gòu)示例的主視圖。 圖5是表示現(xiàn)有技術(shù)中的巻繞式真空蒸鍍裝置的大致結(jié)構(gòu)的示 意圖。
圖6是表示現(xiàn)有技術(shù)中的導(dǎo)向輥的 一 個(gè)結(jié)構(gòu)示例的主視圖。 圖7是表示現(xiàn)有技術(shù)中的另一巻繞式真空蒸鍍裝置的大致結(jié)構(gòu) 的示意圖。
圖8是表示現(xiàn)有技術(shù)中的導(dǎo)向輥的另 一 結(jié)構(gòu)示例的主視圖。符號(hào)說(shuō)明
10，巻繞式真空蒸鍍裝置；11，真空空腔；12，巻放輥；13，主輥；14，巻收輥；15，蒸發(fā)源；16A、 16B、 17A、 17B,導(dǎo)向輥；17a, 輥表面；17b，導(dǎo)向部；18、 18A、 18B，輔助輥；18a，輥表面；18b， 壓緊部；19,推壓機(jī)構(gòu)；20、 30，引導(dǎo)單元；21A、 21B，支承架； 22A、 22B,推壓機(jī)構(gòu)；25，隔離罩；F,基膜；Fa,成膜表面；Fb, 非成膜表面；Fc，成膜區(qū)域
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的一種實(shí)施方式中所述的薄膜傳送裝置，是用來(lái)在真空空 腔內(nèi)傳送基膜的薄膜傳送裝置，其包括巻放輥、巻收輥和傳送機(jī)構(gòu)。 該傳送機(jī)構(gòu)設(shè)置在上述巻放輥和上述巻收輥之間，并具有引導(dǎo)單元。 該引導(dǎo)單元包括導(dǎo)向輥和輔助輥，該導(dǎo)向輥具有用來(lái)支承上述基膜 的兩個(gè)側(cè)緣部的 一 對(duì)環(huán)形導(dǎo)向部，上述輔助輥面向上述導(dǎo)向輥設(shè)置， 將上述基膜的兩個(gè)側(cè)緣部壓向上述一對(duì)導(dǎo)向部。
在上述薄膜傳送裝置中，被傳送的基膜在其兩個(gè)側(cè)緣部被引導(dǎo)單 元夾持的狀態(tài)下朝向巻收輥傳送，因而可避免基膜的成膜區(qū)域與引 導(dǎo)單元的導(dǎo)向輥和輔助輥的各個(gè)輥表面接觸，乂人而可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)該 成膜區(qū)域的目的。此外，采用上述結(jié)構(gòu)時(shí)，可平穩(wěn)地傳送基膜，并 可確?；ぞ哂辛己玫膸喪招浴?br> 這里所說(shuō)的基膜的"成膜區(qū)域"，是指基膜的成膜表面的不接觸 上述引導(dǎo)單元的中央部。這樣的基膜包括即使是整個(gè)成膜表面都用 來(lái)進(jìn)行成膜處理，其兩個(gè)側(cè)緣部也作為非使用區(qū)域的基膜，或具有 用來(lái)阻止在其兩個(gè)側(cè)緣部上附著上成膜材料的隔離罩的基膜。
優(yōu)選在上述薄膜傳送裝置的上述巻放輥和上述巻收輥之間，還具 有下列機(jī)構(gòu)的其中之一對(duì)上述基膜進(jìn)行成膜處理的成膜機(jī)構(gòu)，對(duì) 上述基膜進(jìn)行加熱處理的加熱機(jī)構(gòu)或?qū)ι鲜龌みM(jìn)行等離子處理的 等離子處理機(jī)構(gòu)。
由此，在基膜被傳送的過(guò)程中，就可以對(duì)其實(shí)施成膜處理、加熱 處理或等離子處理。
優(yōu)選上述輔助輥具有 一 對(duì)環(huán)形的壓緊部，用來(lái)分別將上述基膜的兩個(gè)側(cè)虛彖部同時(shí)壓在上述一對(duì)導(dǎo)向部上。
因此，使用該裝置可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)基膜的成膜區(qū)域的目的。
或者，優(yōu)選設(shè)置有2個(gè)上述輔助輥，它們分別獨(dú)立地將所述基膜 的兩個(gè)側(cè)纟彖部同時(shí)壓在所述一對(duì)導(dǎo)向部上。
因此，不僅可將施加給基膜的各緣部的推壓力調(diào)整得更為合適， 還可以控制基膜的行進(jìn)狀況。
優(yōu)選上述傳送機(jī)構(gòu)包括緊貼著上述基膜的非成膜表面并且對(duì)其 進(jìn)行冷卻或加熱處理的主輥，對(duì)于這種結(jié)構(gòu)，上述導(dǎo)向輥可以設(shè)置 在上述主輥和上述巻收輥之間。
因此，上述裝置在一邊傳送基膜的同時(shí)，可一邊對(duì)其進(jìn)行冷卻或 加熱處理，從而可確保該被冷卻了或被加熱了的基膜具有良好的巻 收性。
此外，本發(fā)明的一種實(shí)施方式中的巻繞式真空成膜方法包括在真 空環(huán)境中連續(xù)移送基膜的情況，對(duì)上述基膜的至少 一個(gè)表面進(jìn)行成 膜處理，該基膜在其兩個(gè)側(cè)緣部被夾持的狀態(tài)下朝向巻收部傳送。
上述巻繞式真空成膜方法會(huì)夾持著經(jīng)成膜處理的基膜的兩個(gè)側(cè) 緣部，將該基膜朝向巻收部傳送。因此可以在保護(hù)著其成膜區(qū)域的 情況下平穩(wěn)地傳送該基膜，并可確保其具有良好的巻收性。
下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。而且，在本實(shí)施方式中， 將本發(fā)明適用于巻繞式真空蒸鍍裝置和巻繞式真空蒸鍍方法，并將 其作為薄膜傳送裝置和巻繞式真空成膜方法的一個(gè)示例來(lái)進(jìn)行說(shuō) 明。
圖1是表示作為本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的巻繞式真空蒸鍍裝 置IO的大致結(jié)構(gòu)的示意圖，該巻繞式真空蒸鍍裝置IO是連續(xù)地向 長(zhǎng)條狀的基膜F的一個(gè)表面蒸鍍既定蒸鍍材料的裝置。
雖然沒(méi)有進(jìn)行圖示，但是真空空腔11連接有真空排氣機(jī)構(gòu)，該 裝置采用可對(duì)真空空腔11的內(nèi)部進(jìn)行真空排氣的結(jié)構(gòu)，直到其達(dá)到 規(guī)定的真空度。在真空空腔11的內(nèi)部設(shè)置有巻放輥12、用來(lái)使基膜 F冷卻的主輥13和巻收輥14，在與主輥13面對(duì)的位置設(shè)置有構(gòu)成成膜機(jī)構(gòu)的蒸發(fā)源15。從巻放輥12上連續(xù)移送出基膜F，基膜F在 主輥13上被冷卻同時(shí)也在與蒸發(fā)源15面對(duì)的位置上進(jìn)行成膜處理， 之后被巻收到巻收輥14上。
此外，在巻放輥12和主輥13之間設(shè)置有對(duì)成膜處理前的基膜F 的行進(jìn)進(jìn)行引導(dǎo)的導(dǎo)向輥16A和導(dǎo)向輥16B，而在主輥13和巻收輥 14之間設(shè)置有對(duì)經(jīng)過(guò)成膜處理的基膜F的行進(jìn)進(jìn)行引導(dǎo)的引導(dǎo)單元 20和導(dǎo)向輥17B。由這些導(dǎo)向輥16A和16B、主輥13、引導(dǎo)單元20 和導(dǎo)向輥17B構(gòu)成本發(fā)明的"傳送機(jī)構(gòu)"。
這里，基膜F由按照規(guī)定寬度裁斷的長(zhǎng)條狀的具有絕緣性的塑料 薄膜制成，例如其可以使用OPP(位伸性聚丙烯)薄膜、PET(聚對(duì) 苯二曱酸乙二醇酯，俗稱滌綸樹脂)薄膜或PI(聚酰亞胺)薄膜等。 此外，基膜F也可以是金屬箔。
在本實(shí)施方式中，基膜F相當(dāng)于將其成膜表面的兩個(gè)側(cè)緣部作為 非成膜區(qū)域的基膜，或是即使將整個(gè)成膜表面都用來(lái)進(jìn)行成膜處理， 其兩個(gè)側(cè)緣部也作為非使用區(qū)域的基膜。如圖2所示，為使成膜表 面的兩個(gè)側(cè)緣部都成為非成膜區(qū)域，可采用例如在主輥13和蒸發(fā)源 15之間設(shè)置隔離罩25的方法，用隔離罩25覆蓋基膜F的兩個(gè)側(cè)緣 部，僅對(duì)基膜F的中央部的成膜區(qū)域進(jìn)行成膜處理而形成蒸鍍膜Fm。
巻放輥12和巻收輥14各自具有獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部，通過(guò)其可以 勻速、連續(xù)地移送或巻收基膜F。主輥13呈筒狀并由不銹鋼或鐵等 金屬制成，其具有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部，主輥13的內(nèi)部設(shè)置有冷卻介質(zhì)循環(huán) 系統(tǒng)等冷卻機(jī)構(gòu)?；的非成膜表面緊貼主輥13并被其冷卻處理， 而基膜F的外面 一側(cè)的成膜表面由來(lái)自蒸發(fā)源15的蒸鍍物質(zhì)進(jìn)行成 膜處理。
蒸發(fā)源15不僅用來(lái)收納蒸鍍物質(zhì)，還包括采用電阻加熱、感應(yīng) 加熱或電子束加熱等公知的方法使蒸鍍物質(zhì)加熱蒸發(fā)的機(jī)構(gòu)。該蒸 發(fā)源15設(shè)置在主輥13的下方，其使蒸鍍物質(zhì)的蒸氣附著在其對(duì)面 的主輥13上的基膜F的成膜表面上而形成覆膜。
對(duì)于蒸鍍物質(zhì)不作特殊限定，例如除了可使用Al(鋁)、Co(鈷)、Cu (銅)、Ni (鎳)或Ti (鈥)等金屬元素單質(zhì)之外，還可以使用 Al-Zn(鋅)、Cu-Zn或Fe (鐵)-Co等兩種以上的金屬或多元素合 金。而且，蒸發(fā)源15的設(shè)置數(shù)量不局限于一個(gè)，其設(shè)置數(shù)量可以為 多個(gè)。
導(dǎo)向輥16A和導(dǎo)向輥17B由接觸基膜F的非成膜表面并對(duì)基膜 F的行進(jìn)進(jìn)行引導(dǎo)的圓柱形輥體形成，例如上述導(dǎo)向輥16A和導(dǎo)向 輥17B具有與如圖6所示的導(dǎo)向輥8相同的結(jié)構(gòu)。此外，導(dǎo)向輥16B 由接觸基膜F的成膜表面并對(duì)基膜F的行進(jìn)進(jìn)行引導(dǎo)的圓柱形輥體 形成，其具有與上述導(dǎo)向輥16A、 17B相同的結(jié)構(gòu)。而且，本實(shí)施 方式中的這些導(dǎo)向輥16A、 16B、 17B采用其隨著基膜F的傳送而轉(zhuǎn) 動(dòng)的自由輥結(jié)構(gòu)，但是其也可以各自具有獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)部。
引導(dǎo)單元20設(shè)置在主輥13和導(dǎo)向輥17b之間，其具有可使經(jīng)過(guò) 成膜處理的基膜F朝向巻收輥14一側(cè)傳送的引導(dǎo)功能。圖3是表示 本實(shí)施方式中的引導(dǎo)單元20的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的側(cè)視圖，圖3中所示 的引導(dǎo)單元20包括導(dǎo)向輥17A和輔助輥18。
導(dǎo)向輥17A由具有輥表面17a的圓柱形輥體形成，輥表面17a 面朝基膜F的成膜表面Fa，導(dǎo)向輥17A以其軸位置被固定的方式設(shè) 置在真空空腔11的內(nèi)部。在該導(dǎo)向輥17A的輥表面17a上，設(shè)置有 一對(duì)突出的環(huán)形導(dǎo)向部17b,兩個(gè)環(huán)形導(dǎo)向部17b對(duì)夾基膜F的成膜 表面Fa的成膜區(qū)域Fc的兩個(gè)側(cè)緣部進(jìn)行支承，在成膜區(qū)域Fc和輥 表面17a間形成有一定寬度的間隙。導(dǎo)向部17b可以與導(dǎo)向輥17A 的輥表面17a—體形成，也可以釆用其為另外一個(gè)零件的結(jié)構(gòu)。
而且，上述導(dǎo)向輥17A采用其隨著基膜F的傳送而轉(zhuǎn)動(dòng)的自由 輥結(jié)構(gòu)，但是其也可以具有獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)部。此外，對(duì)于導(dǎo)向部 17b的構(gòu)成材料不作特殊限定，除了可使用金屬、樹脂之外，也可以 使用橡膠等彈性體。
另外，輔助輥18由與導(dǎo)向輥17A面對(duì)設(shè)置的圓柱形輥體形成， 在該輔助輥18的輥表面18a上，設(shè)置有一對(duì)突出的環(huán)形壓緊部18b， 兩個(gè)環(huán)形壓緊部18b接觸基膜F的非成膜表面Fb并將基膜F的兩個(gè)側(cè)緣部壓向?qū)蜉?7A的導(dǎo)向部17b，壓緊部18b可以與輔助輥18 的輥表面18a—體形成，也可以采用其為另外一個(gè)零件的結(jié)構(gòu)。
輔助輥18的軸部連接有推壓才幾構(gòu)19,由推壓機(jī)構(gòu)19將該輔助 輥18壓向?qū)蜉?7A,該推壓機(jī)構(gòu)19具有彈簧、氣缸等施力機(jī)構(gòu)， 其與軸位置固定了的導(dǎo)向輥17A —起對(duì)基膜F的兩個(gè)側(cè)緣部產(chǎn)生規(guī) 定的夾緊壓力，因此，該結(jié)構(gòu)不僅可以防止基膜F的傳送位置發(fā)生 錯(cuò)位，還可防止基膜F產(chǎn)生彎曲。
而且，上述輔助輥18采用了其隨著基膜F的傳送而轉(zhuǎn)動(dòng)的自由 輥結(jié)構(gòu)，但是其也可以具有獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)部。此外，對(duì)于壓緊部 18b的構(gòu)成材料不作特殊限定，除了可使用金屬、樹脂之外，也可以 使用橡膠等彈性體。
在具有上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式中，在經(jīng)真空排氣而達(dá)到規(guī)定數(shù)值 真空度的真空空腔11的內(nèi)部，從巻放部12上會(huì)連續(xù)移送基膜F，對(duì) 于被傳送過(guò)來(lái)的基膜F而言，在主輥13上完成成膜處理后，會(huì)將其 巻收到巻收部14上。
這時(shí)，當(dāng)采用本實(shí)施方式時(shí)，完成成膜處理的基膜F的成膜區(qū)域 Fc在位于與導(dǎo)向輥17A的輥表面17a面對(duì)的位置上被傳送，而基膜 F在其兩個(gè)側(cè)緣部被夾在導(dǎo)向輥17A的導(dǎo)向部17b和輔助輥18的壓 緊部18b之間的狀態(tài)下被傳送，因此其成膜區(qū)域Fc不會(huì)接觸到導(dǎo)向 輥17A的輥表面17a。所以可實(shí)現(xiàn)保護(hù)成膜區(qū)域Fc的目的，即可防 止因其與輥表面17a接觸而損傷蒸鍍覆膜或降低蒸鍍覆膜的特性的 情況出現(xiàn)。
此外，當(dāng)采用本實(shí)施方式時(shí)，由于該裝置采用通過(guò)引導(dǎo)單元20 來(lái)夾持基膜F的兩個(gè)側(cè)緣部并傳送基膜F的結(jié)構(gòu)，所以可以使基膜 F能夠平穩(wěn)地傳送，并可以確?；在巻收部14上具有良好的巻 收性。
圖4是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式中的引導(dǎo)單元30的結(jié)構(gòu)示例的 主視圖。圖4所示的引導(dǎo)單元30包括具有上述結(jié)構(gòu)的導(dǎo)向輥17A; 一對(duì)輔助輥18A、 18B，其接觸基膜F的非成膜表面Fb —側(cè)并將基膜F的兩個(gè)側(cè)纟彖部壓向上述導(dǎo)向輥17A的一對(duì)導(dǎo)向部17b。
這兩個(gè)輔助輥18A、 18B的各自的轉(zhuǎn)動(dòng)軸分別以可轉(zhuǎn)動(dòng)的方式被 支承架21A、 21B支 K,而這兩個(gè)支岸〈架21A、 21B分別與相互獨(dú)立 的推壓機(jī)構(gòu)22A、 22B相連接。推壓機(jī)構(gòu)22A、 22B具有彈簧、氣缸 等施力機(jī)構(gòu)，其與軸位置固定了的導(dǎo)向輥一起對(duì)基膜F的兩個(gè)側(cè)緣 部產(chǎn)生規(guī)定的夾緊壓力。因此，該結(jié)構(gòu)不僅可以防止基膜F的傳送 位置發(fā)生錯(cuò)位，還可防止基膜F產(chǎn)生彎曲。
而且，上述輔助輥18A、 18B采用了其隨著基膜F的傳送而轉(zhuǎn)動(dòng) 的自由輥結(jié)構(gòu)，但是其也可以具有獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)部。此外，對(duì)輔 助輥18A、 18B的構(gòu)成材料不作特殊限定，除了可使用金屬、樹脂 之外，也可以使用橡膠等彈性體。
在具有上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式中，基膜F在其兩個(gè)側(cè)緣部被夾在 導(dǎo)向輥17A的導(dǎo)向部17b和輔助輥18A、 18B之間的狀態(tài)下進(jìn)行傳 送，所以基膜F的成膜區(qū)域Fc不會(huì)接觸到導(dǎo)向輥17A的輥表面17a, 因此可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)成膜區(qū)域Fc的目的，即可以防止因其與輥表面17a 接觸而損傷蒸鍍覆膜或降低蒸鍍覆膜的特性的情況出現(xiàn)。
此外，當(dāng)采用本實(shí)施方式時(shí)，由于該裝置采用通過(guò)引導(dǎo)單元30 來(lái)夾持基膜F的兩個(gè)側(cè)緣部并傳送基膜F的結(jié)構(gòu)，所以可以使基膜 F能夠平穩(wěn)地傳送，并可確保基膜F在巻收部14上具有良好的巻收 性。
而且，本實(shí)施方式中采用了分別通過(guò)輔助輥18A、 18B將基膜F 的兩個(gè)側(cè)緣部壓向?qū)蜉?7A的導(dǎo)向部17b的結(jié)構(gòu)，因此，通過(guò)上 述結(jié)構(gòu)可以將施加給基膜F的各個(gè)緣部的壓緊力調(diào)整得更為合適， 還可由此來(lái)控制基膜F的行進(jìn)狀況。
上面已經(jīng)說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是，本發(fā)明并不局限于此，
例如，在上述本實(shí)施方式中說(shuō)明了以面對(duì)導(dǎo)向輥17A的方式設(shè) 置輔助輥18 (18A、 18B)來(lái)構(gòu)成本發(fā)明的引導(dǎo)單元20 ( 30 )的情 況，其中，經(jīng)過(guò)成膜處理的基膜F的成膜表面又與導(dǎo)向輥17A面對(duì)，但也可以像上述一樣使輔助輥以面對(duì)導(dǎo)向輥16B (圖1 )的方式設(shè)置 并構(gòu)成引導(dǎo)單元，其中，成膜處理前的基膜F的成膜表面與導(dǎo)向輥 16B面對(duì)。
或者，可使具有上述結(jié)構(gòu)的輔助輥分別以與所有的導(dǎo)向輥互相面 對(duì)的方式設(shè)置。由此不僅可一邊實(shí)現(xiàn)保護(hù)基膜的兩個(gè)表面的目的， 一邊還可以對(duì)基膜進(jìn)行巻收。
此外，在上述實(shí)施方式中說(shuō)明了使用蒸發(fā)源15并以釆用真空蒸 鍍法來(lái)制成金屬覆膜的方法作為成膜方法的示例，但不受此局限， 還可采用噴鍍法或各種CVD法等方法來(lái)制成金屬覆膜或非金屬覆膜 的成膜方法，還可結(jié)合上述成膜方法而適當(dāng)?shù)夭捎脟婂儼械瘸赡し?法。此外，不局限于將主輥13作為冷卻輥，還可以將其當(dāng)作加熱輥 使用。
而且，在上述本實(shí)施方式中說(shuō)明了將本發(fā)明的薄膜傳送裝置適用 于巻繞式真空蒸鍍裝置等成膜裝置的示例，但不局限于此，例如本 發(fā)明也可適用于下述薄膜處理裝置中，在該裝置的巻放輥和巻收輥 之間設(shè)置加熱處理機(jī)構(gòu)或等離子處理機(jī)構(gòu)等，在基膜傳送過(guò)程中就 可對(duì)其實(shí)施加熱處理或等離子處理。此外，本發(fā)明的薄膜傳送裝置
也適用于只是從巻放輥朝向巻收輥傳送基膜的裝置中，這種情況下， 空腔內(nèi)部不局限于要使其處于真空環(huán)境，該空腔內(nèi)部也可以處于通 常大氣壓環(huán)境。
權(quán)利要求
1.一種在真空空腔內(nèi)傳送基膜的薄膜傳送裝置，其特征在于包括卷放輥、卷收輥和傳送機(jī)構(gòu)，所述傳送機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述卷放輥和所述卷收輥之間，并具有引導(dǎo)單元，所述引導(dǎo)單元包括導(dǎo)向輥和輔助輥，所述導(dǎo)向輥具有用來(lái)支承所述基膜的兩個(gè)側(cè)緣部的一對(duì)環(huán)形導(dǎo)向部，所述輔助輥與所述導(dǎo)向輥以互相面對(duì)的方式設(shè)置，由該輔助輥將所述基膜的兩個(gè)側(cè)緣部壓向所述一對(duì)導(dǎo)向部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜傳送裝置，其特征在于 在所述巻放輥和所述巻收輥之間，還具有下列機(jī)構(gòu)的其中之一 對(duì)所述基膜進(jìn)行成膜處理的成膜機(jī)構(gòu)，對(duì)所述基膜進(jìn)行加熱處理的 加熱機(jī)構(gòu)或?qū)λ龌みM(jìn)行等離子處理的等離子處理機(jī)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜傳送裝置，其特征在于 所述輔助輥具有一對(duì)環(huán)形的壓緊部，該壓緊部分別將所述基膜的兩個(gè)側(cè)緣部同時(shí)壓在所述一對(duì)導(dǎo)向部上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜傳送裝置，其特征在于設(shè)置有2個(gè)所述的輔助輥，該輔助輥分別獨(dú)立地將所述基膜的兩 個(gè)側(cè)緣部壓在所述一對(duì)導(dǎo)向部上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜傳送裝置，其特征在于所述傳送機(jī)構(gòu)具有緊貼著所述基膜的非成膜表面并且對(duì)其進(jìn)行 冷卻或加熱處理的主輥，所述導(dǎo)向輥設(shè)置在所述主輥和所述巻收輥 之間。
6. —種巻繞式真空成膜方法，其特征在于在真空環(huán)境中連續(xù)移送基膜，對(duì)所述基膜的至少 一個(gè)表面進(jìn)行成 膜處理，夾持著經(jīng)成膜處理后的基膜的兩個(gè)側(cè)緣部，將所述基膜朝 向巻收部傳送。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜傳送裝置和卷繞式真空成膜方法，其不僅實(shí)現(xiàn)了保護(hù)基膜的成膜區(qū)域的目的，還實(shí)現(xiàn)了可使基膜能夠平穩(wěn)地傳送的目的。本發(fā)明中的卷繞式真空成膜裝置(10)包括引導(dǎo)單元(20)，引導(dǎo)單元(20)包括導(dǎo)向輥(17A)和輔助輥(18)，導(dǎo)向輥(17A)具有用來(lái)支承基膜(F)的兩個(gè)側(cè)緣部的一對(duì)環(huán)形導(dǎo)向部(17b)，輔助輥(18)與導(dǎo)向輥(17A)以互相面對(duì)的方式設(shè)置，由輔助輥(18)將基膜(F)的兩個(gè)側(cè)緣部壓向一對(duì)導(dǎo)向部(17b)，由此可以避免基膜(F)的成膜區(qū)域(Fc)接觸到引導(dǎo)單元(20)的導(dǎo)向輥(17A)和輔助輥(18)的各個(gè)輥表面，因而可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)成膜區(qū)域(Fc)的目的。
文檔編號(hào)C23C14/56GK101680083SQ20088001597
公開日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2008年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月14日
發(fā)明者中塚篤, 多田勲, 廣野貴啟 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛(ài)發(fā)科