專利名稱：真空處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在成為真空氣氛的真空處理腔室內(nèi)對被處理物進(jìn)行規(guī)定處理的真空處理裝置。
背景技術(shù)：
一直以來，在例如半導(dǎo)體裝置的制造工序等中，使用在成為真空氣氛的真空處理腔室內(nèi)，對半導(dǎo)體晶片等被處理物加熱，進(jìn)行成膜處理等規(guī)定處理的真空處理裝置。
例如，作為上述真空處理裝置的1個例子，已知有如下的等離子體處理裝置，即，向成為真空氣氛的真空處理腔室內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的處理氣體，并向該真空處理腔室內(nèi)導(dǎo)入微波，產(chǎn)生處理氣體的等離子體，
利用CVD實(shí)施成膜處理等(參考專利文獻(xiàn)1)。
上述的微波等離子體處理裝置等有利用例如鋁合金等金屬部件構(gòu)成真空處理腔室的情況。另一方面，用于向該真空處理腔室內(nèi)導(dǎo)入處理氣體的配管系統(tǒng)等多由不銹鋼形成。因此，存在形成由這些不同種類的材料構(gòu)成的金屬部件彼此之間通過真空密封部件抵接的抵接部的情況。
另外，例如，在進(jìn)行金屬成膜的等離子體處理裝置等中，氧、氫等雜質(zhì)的存在對成膜處理造成壞影響，因此期望使真空處理腔室內(nèi)成為高真空，例如l(T6Pa數(shù)量級的高真空。然而，在形成為這樣的高真空的情況下，當(dāng)使用通常的樹脂制的O形環(huán)時，來自大氣等外部的氧、氫等透過O形環(huán)并被導(dǎo)入真空處理腔室內(nèi)。因此，作為真空密封部件，使用金屬制的金屬密封部件。
但是存在以下問題例如，在上述的鋁合金和不銹鋼的抵接部等由不同種類的材料構(gòu)成的金屬部件的抵接部使用金屬密封部件的情況下，在進(jìn)行伴隨加熱的處理等時，由于這些金屬部件的熱膨脹率的差而使得金屬部件彼此的相對位置偏離，因?yàn)榻饘倜芊獠考贿@些金屬部件摩擦，所以金屬密封部件受到損傷，發(fā)生真空泄漏。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-342386公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的情況而完成的，其目的在于提供一種真空處 理裝置，即使在與常溫不同的溫度范圍內(nèi)使用的情況下，也能夠抑制 金屬密封部件發(fā)生損傷，與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠降低發(fā)生真空泄漏的可 能性。
本發(fā)明的真空處理裝置的一個方式，包括真空處理腔室，其容 納被處理物，使內(nèi)部成為真空氣氛，對上述被處理物實(shí)施規(guī)定的處理；
和真空處理裝置構(gòu)成部件，其以閉塞上述真空處理腔室的開口部的方 式設(shè)置，并由與上述真空處理腔室的熱膨脹率不同的金屬材料構(gòu)成，
在上述真空處理腔室和上述真空處理裝置構(gòu)成部件的抵接部具有氣 密地密封該抵接部的金屬密封部件；和嵌合機(jī)構(gòu)，其將上述真空處理
裝置構(gòu)成部件限制在上述真空處理腔室，抑制因熱膨脹差而在上述真 空處理裝置構(gòu)成部件與上述真空處理腔室發(fā)生錯位。
本發(fā)明的真空處理裝置的一個方式是，在上述真空處理裝置中， 上述真空處理腔室由鋁合金構(gòu)成，上述真空處理裝置構(gòu)成部件由不銹 鋼構(gòu)成。
本發(fā)明的真空處理裝置的一個方式是，上述真空處理裝置包括 氣體供給機(jī)構(gòu)，其向上述真空處理腔室內(nèi)供給規(guī)定的處理氣體；和等
離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，其通過高頻電力的施加，在上述真空處理腔室內(nèi)產(chǎn) 生上述處理氣體的等離子體。
本發(fā)明的真空處理裝置的一個方式是，在上述真空處理裝置中， 上述真空處理裝置構(gòu)成部件是用于向上述真空處理腔室內(nèi)導(dǎo)入上述處 理氣體的氣體配管構(gòu)成部件。
本發(fā)明的真空處理裝置的一個方式是，在上述真空處理裝置中， 上述真空處理裝置構(gòu)成部件是用于從上述真空處理腔室內(nèi)排氣的排氣 部構(gòu)成部件。
本發(fā)明的真空處理裝置的一個方式是，在上述真空處理裝置中， 具有加熱機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⑸鲜稣婵仗幚砬皇覂?nèi)設(shè)定為高于常溫的溫度。
5本發(fā)明的真空處理裝置的一個方式是，在上述真空處理裝置中， 上述規(guī)定的處理為形成金屬膜的成膜處理。


圖1為表示本發(fā)明的一個實(shí)施方式的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2為圖1的等離子體處理裝置的俯視圖。
圖3為放大表示圖1的等離子體處理裝置的主要部分的結(jié)構(gòu)的縱 截面圖。
圖4為放大表示圖1的等離子體處理裝置的主要部分的結(jié)構(gòu)的縱 截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。 圖1、 2表示將本發(fā)明的真空處理裝置適用于CVD成膜裝置的實(shí) 施方式的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，該CVD成膜裝置1包括形成為大致圓 筒狀的上下開放的真空處理腔室2;以及作為分別閉塞在該真空處理腔 室2的上部開口的上方側(cè)開口部4和在底部開口的下方側(cè)開口部5的 部件的蓋體3和臺保持部件6。臺保持部件6構(gòu)成暫時集合真空處理腔 室2內(nèi)的排氣的排氣室6a，在排氣室6a的下部側(cè)壁部分連接真空排氣 配管70的一端，該真空排氣配管70為對真空處理腔室2內(nèi)進(jìn)行真空 排氣的排氣部構(gòu)成部件，該真空排氣配管70的另一端與排氣裝置7連 接。
在真空處理腔室2的內(nèi)部，設(shè)置有用于水平載置作為被處理體的 半導(dǎo)體晶片(以下稱為處理基板)8的臺10。該臺10設(shè)置在支柱11 上，該支柱11豎立設(shè)置在排氣室6a的內(nèi)部，該臺10包括支承處理 基板8的可自由地上下活動的多個支撐銷12、對處理基板8進(jìn)行加熱 的加熱機(jī)構(gòu)13、使等離子體的生成穩(wěn)定的環(huán)14、和網(wǎng)狀電極15等。 支撐銷12豎立設(shè)置在支撐板17上，其上端部貫通上述臺10，該支撐 板17通過例如氣缸16等升降機(jī)構(gòu)被升降。
在真空處理腔室2的一個側(cè)壁上，設(shè)置有用于進(jìn)行處理基板8的搬入搬出的搬入搬出口 20、和開關(guān)該搬入搬出口20的閘閥21。另外， 在真空處理腔室2的側(cè)壁上內(nèi)裝有用于對真空處理腔室2的側(cè)壁進(jìn)行 加熱的筒式(cartridge)加熱器23，由此控制為原料氣體的凝結(jié)和副產(chǎn)
物不會附著的溫度。
在蓋體3的內(nèi)側(cè)，以與臺10相對的方式，隔著絕緣部件24安裝 有處理氣體噴出用的噴頭25。該噴頭25具有形成為圓板狀的3個板， 即上段板25a、中段板25b和下段板25c。
上段板25a作為基底部件起作用，在該上段板25a的外周下部螺 釘固定中段板25b的外周部。在上段板25a配置有圓板狀的內(nèi)側(cè)加熱 器26和環(huán)狀的外側(cè)加熱器27。這些加熱器26、 27分別與未圖示的電 源連接。
在中段板25b的下表面，下段板25c密接并被螺釘固定。在上段 板25a的下表面和中段板25b之間氣密地形成有空間28。另外，在中 段板25b、下段板25c上，以貫通他們的方式形成有多個氣體流路30。 這些氣體流路30設(shè)置為2個系統(tǒng)，從該2個系統(tǒng)的氣體流路交替地供 給2種氣體(第一氣體和第二氣體)，由此通過ALD (Atomic Layer Deposition:原子層沉積)法能夠形成原子層級別的薄膜。這里雖然采 用分別供給2個系統(tǒng)的氣體的后混合類型的噴頭，但也可以采用一起 供給2個系統(tǒng)的氣體的前混合類型的噴頭。
另外，在上段板25a的上表面，分別連接有用于供給上述的2種 氣體的第一氣體導(dǎo)入管35a和第二氣體導(dǎo)入管35b的一端。
另一方面，第一和第二氣體導(dǎo)入管35a、 35b的另一端側(cè)，通過組 裝在上段板25a的凹陷部內(nèi)并覆蓋加熱器26、 27的絕熱部件38和氣 體導(dǎo)入部件39，與氣體供給源40、 41連接。
從氣體供給源40供給作為第一氣體的例如TaCl5氣體。另外，從 氣體供給源41供給作為第二氣體的例如H2氣體。使這些氣體等離子 化，發(fā)生所希望的反應(yīng)，由此在處理基板8的表面上形成Ta膜等。
從高頻電源51經(jīng)匹配電路51a向與噴頭25連接的供電棒52供給 高頻電力，在真空處理腔室2內(nèi)的處理基板8上形成高頻電場，由此 使供給至真空處理腔室2內(nèi)的TaCl5氣體和H2氣體等離子化，促進(jìn)Ta 的成膜反應(yīng)。另外，噴頭25構(gòu)成為冷卻時通過供給干燥氣體而進(jìn)行冷
7卻。
在蓋體3的上表面?zhèn)仍O(shè)置有保持噴頭25的上端外周緣部125的溫 度的環(huán)狀絕緣板53、和屏蔽箱54。該屏蔽箱54覆蓋蓋體3的上方， 在其上部設(shè)置有進(jìn)行供給到噴頭25的干燥氣體的熱排氣的排氣口 55。
圖1的箭頭A所示的部位是構(gòu)成上述第一氣體導(dǎo)入管35a和第二 氣體導(dǎo)入管35b的氣體配管構(gòu)成部件、與設(shè)置在真空處理腔室2的蓋 體3的氣體流路的連接部分。在該連接部分A的氣體配管構(gòu)成部件側(cè)， 如圖3放大所示，設(shè)置有凸緣部130，使該凸緣部130與蓋體3抵接并 進(jìn)行連接。該凸緣部130與構(gòu)成第一氣體導(dǎo)入管35a和第二氣體導(dǎo)入 管35b的配管部件同樣地由不銹鋼構(gòu)成，在該凸緣部130和蓋體3的 抵接部分設(shè)置有作為真空密封部件的金屬密封部件140。該金屬密封部 件140為雙重結(jié)構(gòu)，里面由具有彈簧功能的螺旋狀部件140b的金屬O 形環(huán)構(gòu)成，設(shè)置有覆蓋該螺旋狀部件140b、且一部分為切口的結(jié)構(gòu)的 外側(cè)部件140a的金屬C形環(huán)。外側(cè)部件140a、螺旋狀部件140b由 INCONEL合金(O二氺少)(商品名)、HASTELLOY合金(八7亍 口,)(商品名)、Ni、 Al、 SUS等相同材料或不同材料構(gòu)成。該金屬 密封部件140例如能夠使用Helicoflex metal (a!j〕71^;/夕7^夕 a)(商品名)等。該金屬密封部件140利用密封部件的彈性維持密封， 能夠防止密封部件過于緊固。另外，該金屬密封部件140利用密封部 件的彈性恢復(fù)，能夠吸收由溫度循環(huán)、壓力循環(huán)引起的部件的小的變 形。
如圖3所示，在真空處理腔室2的蓋體3，沿著成為氣體流路的開 口部的周緣形成有環(huán)狀的槽150，在該槽150內(nèi)設(shè)置有整體形狀為環(huán)狀 (O形環(huán)狀)的金屬密封部件140。另外，在真空處理腔室2的蓋體3， 在槽150的外側(cè)部分以圍繞槽150的周圍的方式形成有環(huán)狀的凹部 160。另一方面，在凸緣部130側(cè)形成有與凹部160對應(yīng)的環(huán)狀的凸部 170，構(gòu)成使凸部170嵌合于凹部160的嵌合機(jī)構(gòu)180。
該嵌合機(jī)構(gòu)180用于防止如下情況的發(fā)生在使真空處理腔室2 和蓋體3升溫到高于常溫的溫度、例如數(shù)十'C 200。C時，因鋁合金制 的真空處理腔室2的蓋體3和不銹鋼制的凸緣部130的熱膨脹率的差 而使得在真空處理腔室2的蓋體3和凸緣部130發(fā)生位置錯位，從而使金屬密封部件140的表面被摩擦而產(chǎn)生損傷。通過設(shè)置該嵌合機(jī)構(gòu)
180，例如以30(TC以上優(yōu)選40(TC以上的處理溫度進(jìn)行處理時，即使 真空處理腔室2和蓋體3成為高于常溫的溫度、例如數(shù)十'C 20(TC， 與現(xiàn)有技術(shù)相比，也能夠大幅降低因金屬密封部件140的損傷而引起 的發(fā)生真空泄露的可能性。該情況下的上限處理溫度為90(TC以下。
另外，構(gòu)成凸緣部130的材料例如能夠使用SUS316 (L)(熱膨脹 系數(shù)為16.0xlO-6廠C)、SUS303(L)(熱膨脹系數(shù)為17.2xl(T6/°C )、SUS304 (L)(熱膨脹系數(shù)為17.3xlO，C)、 HASTELLOY (商品名)(熱膨脹 系數(shù)為11.5xlO-6廠C)、INCONEL(商品名)(熱膨脹系數(shù)為11.5xl(T6/°C )、 Ni (熱膨脹系數(shù)為13.3xl(T，C)等。另外，構(gòu)成真空處理腔室1的鋁 合金例如能夠使用A5052 (熱膨脹系數(shù)為23.8xlO—，C)、 A5056 (熱膨 脹系數(shù)為24.3xlO-6/。C)、 A5083 (熱膨脹系數(shù)為23.4xl(r6/°C )、 A6061 (熱膨脹系數(shù)為23.6xl(r6/。C)、 A6063 (熱膨脹系數(shù)為23.4xlO—6/°C )、 A7075 (熱膨脹系數(shù)為23.6xlO—VC)等。在使用這樣的材料的情況下， 線膨脹率的差為6xl0—6 13xl0—，C左右。因此，例如在凸緣部130的 直徑為O.lm左右，并使溫度從常溫上升IO(TC的情況下，在凸緣部130 的外周部分，產(chǎn)生6xl(^mm 13xl0々mm左右的由熱膨脹差引起的伸 長的差。通過抑制該伸長的差，抑制金屬密封部件140的表面被摩擦。
在此情況下，假定在圖3中標(biāo)注點(diǎn)劃線的方向上存在凸緣部130 的中心，則熱膨脹率大的鋁合金制的真空處理腔室2沿著圖中標(biāo)注箭 頭B的方向，多余地延伸線膨脹率的差的量。因此，在凹部160和凸 部170，圖3中標(biāo)注點(diǎn)劃線的凸緣部130的中心側(cè)(圖中標(biāo)注箭頭C 的部分)抵接而抑制延伸。因此，在常溫下標(biāo)注箭頭C的部分的余隙 (clearance)至少需要為5xl(T2mm 50xl(r2mm以下，例如優(yōu)選為 10xlO-Vm 20xl(^mm左右。另外，除上述材料以外，例如也有使用 A1203 (熱膨脹系數(shù)為6.5xlO，C)、 A1N (熱膨脹系數(shù)為5.0xlO—6/°C ) 等的情況。槽的尺寸為，直徑為800mm以下，優(yōu)選為500mm以下。
另外，如圖3所示，如果在金屬密封部件140的配置部分的外側(cè) 設(shè)置嵌合機(jī)構(gòu)180，則在嵌合機(jī)構(gòu)180的部分能夠抑制部件彼此之間的 摩擦，因此能夠防止塵埃的產(chǎn)生，且能夠防止侵入真空處理腔室2內(nèi)。 另外，作為嵌合機(jī)構(gòu)180，也可以在真空處理腔室2的蓋體3側(cè)設(shè)置凸部，在凸緣部130側(cè)設(shè)置凹部，但在考慮這些部件的強(qiáng)度的情況下，
優(yōu)選在強(qiáng)度更高的凸緣部130側(cè)設(shè)置凸部的圖3的結(jié)構(gòu)。另外，如圖4 所示，上述結(jié)構(gòu)的嵌合機(jī)構(gòu)180和金屬密封部件140等也設(shè)置在圖1 所示的構(gòu)成第一氣體導(dǎo)入管35a和第二氣體導(dǎo)入管35b的氣體配管構(gòu) 成部件與真空處理腔室2的噴頭的上段板25a的連接部(圖1的箭頭G 的部分)。而且，在圖4中，第一氣體導(dǎo)入管35a和第二氣體導(dǎo)入管35b 與凸緣35連接。另外，在此情況下，金屬密封部件140、凸部170也 可以采用不配置在上段板25a側(cè)，而配置在凸緣部35側(cè)的結(jié)構(gòu)。
上述嵌合機(jī)構(gòu)180也設(shè)置在圖1所示的上述臺保持部件6與作為 對真空處理腔室2內(nèi)進(jìn)行真空排氣的排氣部構(gòu)成部件的真空排氣配管 70的連接部(圖1的箭頭D的部分)。
圖1的箭頭D的部分的嵌合機(jī)構(gòu)180用于防止如下情況的發(fā)生 因鋁合金制的臺保持部件6和不銹鋼制的真空排氣配管70的熱膨脹率 差，導(dǎo)致在他們之間發(fā)生錯位，金屬密封部件140的表面被摩擦而產(chǎn) 生損傷。由此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠降低因金屬密封部件140的損 傷引起的真空泄露的發(fā)生可能性。此外，上述的嵌合機(jī)構(gòu)180能夠適 用于氣密地閉塞真空處理腔室2的開口部的各種部分，例如同樣能夠 適用于使真空處理腔室2的內(nèi)部可視化的窗部分、以及用于進(jìn)入真空 處理腔室2的內(nèi)部而進(jìn)行維修的進(jìn)入口部分等。
在圖1所示的真空處理腔室2和蓋體3之間(圖1的箭頭E的部 分)，用現(xiàn)有的樹脂制的O形環(huán)密封，并真空密封，維持真空處理腔室 2和蓋體3的電連接，經(jīng)真空處理腔室2使蓋體3為接地電位。但是， 真空處理腔室2和蓋體3的面接觸不充分，真空處理腔室2和屏蔽蓋 體3之間的電接觸電阻變高，在他們之間產(chǎn)生電位差，但是，通過將 與圖3所示的本實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)的嵌合機(jī)構(gòu)180設(shè)置在真空處理 腔室2和蓋體3的連接部分(圖1的箭頭E的部分)，能夠?qū)⒔拥仉娢?抑制得較低，能夠高效地供給電力，電力損耗少，能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的等 離子體。
通過如上所述設(shè)置嵌合機(jī)構(gòu)180，在真空處理腔室2和蓋體3由不 同種的金屬材料構(gòu)成的情況下，由于其線膨脹率的差，或者在他們由 相同金屬材質(zhì)形成的情況下，由于真空處理腔室2和蓋體3的溫度差引起的熱膨脹差，嵌合機(jī)構(gòu)180的凹部和凸部強(qiáng)有力地接觸，能夠減
少真空處理腔室2和蓋體3之間的電阻。由此，能夠通過真空處理腔 室2將蓋體3維持為接地電位。
與上述的嵌合機(jī)構(gòu)180相同，在真空處理腔室2與設(shè)置在其下部 的臺保持部件6的連接部分(圖1的箭頭F的部分)，出于減少部件間 的電接觸電阻的目的，設(shè)置有嵌合機(jī)構(gòu)180。由此，能夠減少真空處理 腔室2和臺保持部件6之間的電阻，能夠通過保持部件6將設(shè)置在其 上部的真空處理腔室2和蓋體3維持為接地電位。
如以上所說明的那樣，在本實(shí)施方式中，即使在成膜時真空處理 腔室2的壁溫度成為高于常溫的溫度例如數(shù)十"C至20(TC左右的情況 下，也能夠抑制金屬密封部件140受到損傷而發(fā)生真空泄露的情況。 另外，能夠在采用不同材料和真空密封結(jié)構(gòu)的位置設(shè)置本發(fā)明的密封 結(jié)構(gòu)等加以應(yīng)用。
此外，本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施方式，當(dāng)然能夠進(jìn)行各種變形。 例如，在上述實(shí)施方式中，對將本發(fā)明應(yīng)用于利用高頻電力產(chǎn)生等離 子體的等離子體CVD裝置中的情況進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明同樣也能 夠適用于利用微波產(chǎn)生等離子體的微波等離子體CVD裝置以及其他真 空處理裝置。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明的真空處理裝置能夠在半導(dǎo)體裝置的制造領(lǐng)域等中利用。 因此具有產(chǎn)業(yè)上的可利用性。
ii
權(quán)利要求
1.一種真空處理裝置，其包括真空處理腔室，其容納被處理物，使內(nèi)部成為真空氣氛，對所述被處理物實(shí)施規(guī)定的處理；和真空處理裝置構(gòu)成部件，其以閉塞所述真空處理腔室的開口部的方式設(shè)置，并由與所述真空處理腔室的熱膨脹率不同的材料構(gòu)成，該真空處理裝置的特征在于在所述真空處理腔室和所述真空處理裝置構(gòu)成部件的抵接部，具有氣密地密封該抵接部的金屬密封部件；和嵌合機(jī)構(gòu)，其相對于所述真空處理腔室限制所述真空處理裝置構(gòu)成部件，抑制因熱膨脹差而在所述真空處理裝置構(gòu)成部件與所述真空處理腔室發(fā)生錯位的情況。
2. 如權(quán)利要求l所述的真空處理裝置，其特征在于 所述真空處理腔室由鋁合金構(gòu)成，所述真空處理裝置構(gòu)成部件由不銹鋼構(gòu)成。
3. 如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，包括 氣體供給機(jī)構(gòu)，其向所述真空處理腔室內(nèi)供給規(guī)定的處理氣體；和等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，其通過高頻電力的施加，在所述真空處理腔 室內(nèi)產(chǎn)生所述處理氣體的等離子體。
4. 如權(quán)利要求3所述的真空處理裝置，其特征在于 所述真空處理裝置構(gòu)成部件是用于向所述真空處理腔室內(nèi)導(dǎo)入所述處理氣體的氣體配管構(gòu)成部件。
5. 如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于 所述真空處理裝置構(gòu)成部件是用于從所述真空處理腔室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣部構(gòu)成部件。
6. 如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于 具有加熱機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⑺稣婵仗幚砬皇液烷]塞所述真空處理腔室的開口的蓋體設(shè)定為數(shù)十。C 200°C 。
7. 如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于 所述規(guī)定的處理為形成金屬膜的成膜處理。
8. 如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于 所述嵌合機(jī)構(gòu)在所述真空處理裝置構(gòu)成部件側(cè)形成有凸部，在所述真空處理腔室側(cè)形成有凹部。
9. 如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于 所述嵌合機(jī)構(gòu)在所述真空處理裝置構(gòu)成部件側(cè)形成有凹部，在所述真空處理腔室側(cè)形成有凸部。
10. 如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于 所述金屬密封部件由O形環(huán)部和C形環(huán)部構(gòu)成。
11. 如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于所述被處理物被以30(TC 卯(TC的處理溫度進(jìn)行處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種真空處理裝置。在真空處理腔室(2)的蓋體(3)，沿著成為氣體流路的開口部的周緣形成有環(huán)狀的槽(150)，在該槽(150)內(nèi)設(shè)置有整體形狀為環(huán)狀(O形環(huán)狀)且形成為雙重結(jié)構(gòu)的金屬密封部件(140)。在蓋體(3)，在槽(150)的外側(cè)部分以包圍槽(150)的周圍的方式形成有環(huán)狀凹部(160)。另一方面，在凸緣部(130)側(cè)形成有與凹部(160)對應(yīng)的環(huán)狀凸部(170)，構(gòu)成使凸部(170)嵌合在凹部(160)中的嵌合機(jī)構(gòu)(180)。
文檔編號C23C16/44GK101680090SQ20088002084
公開日2010年3月24日 申請日期2008年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月19日
發(fā)明者李一成 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社