專利名稱：反應(yīng)腔室及化學(xué)氣相沉積設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，尤其涉及一種反應(yīng)腔室及化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
背景技術(shù)：
在微電子基片或太陽能電池基片加工過程中，廣泛用到化學(xué)氣相沉積設(shè)備。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括進氣管路1、反應(yīng)腔室2、待處理 基片3、基片載板4、濾網(wǎng)5、抽氣管路6等。抽氣管路6安裝在反應(yīng)腔室2的下方，濾網(wǎng)5安 裝在抽氣管路6內(nèi)靠近反應(yīng)腔室2的位置，用于過濾殘氣中的粉塵。在化學(xué)氣相沉積工藝過程中，由抽氣管路6為反應(yīng)腔室2提供真空環(huán)境，反應(yīng)腔室 2通過加熱、射頻、微波等方式注入能量，由進氣管路1導(dǎo)入反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體在反應(yīng)腔室 2中進行化學(xué)反應(yīng)，生成物沉積在基片3上，殘氣經(jīng)過濾網(wǎng)5過濾，由抽氣管路6經(jīng)真空泵排 出ο上述現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺點對于化學(xué)氣相沉積設(shè)備，理想的情況是反應(yīng)生成物僅在待處理的基片3表面發(fā)生 化學(xué)反應(yīng)并沉積生成物，而在其他位置(如反應(yīng)腔室側(cè)壁、基片載板、抽氣管路等)不發(fā)生 化學(xué)反應(yīng)和沉積作用。但這在實際中是不可避免的，化學(xué)反應(yīng)不可避免的在反應(yīng)腔室的其 他位置發(fā)生，產(chǎn)生的固態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物會不斷堆積在濾網(wǎng)上方，造成整個設(shè)備的抽氣能力逐漸 下降，并影響工藝結(jié)果。為了保障設(shè)備的性能，就需要定期對抽氣管路(包括濾網(wǎng))進行維 護，且抽氣管路維護較為繁瑣，減低了設(shè)備的運行效率，加大了設(shè)備的運行成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能緩解抽氣管路粉塵阻塞、降低備抽氣管路的維護頻率 的反應(yīng)腔室及化學(xué)氣相沉積設(shè)備。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室的下方設(shè)有抽氣管路， 所述抽氣管路靠近反應(yīng)腔室的一段為向下的折彎型，所述抽氣管路的折彎型部位背離所述 反應(yīng)腔室排氣口的一側(cè)安裝有濾網(wǎng)。本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，該化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括上述的反應(yīng)腔室。由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的反應(yīng)腔室及化學(xué)氣相沉積 設(shè)備，由于抽氣管路靠近反應(yīng)腔室的一段為向下的折彎型，抽氣管路的折彎型部位背離所 述反應(yīng)腔室排氣口的一側(cè)安裝有濾網(wǎng)。工藝過程中，粉塵能夠沉積在抽氣管路的折彎型部 位的下部，并減少對濾網(wǎng)的堵塞，進而緩解化學(xué)氣相沉積設(shè)備的抽氣管路中的粉塵阻塞、降 低抽氣管路的維護頻率。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明的反應(yīng)腔室的具體實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的反應(yīng)腔室及的具體實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明的反應(yīng)腔室，其較佳的具體實施方式
是，反應(yīng)腔室的下方設(shè)有抽氣管路，抽 氣管路靠近反應(yīng)腔室的一段為向下的折彎型，抽氣管路的折彎型部位背離反應(yīng)腔室排氣口 的一側(cè)安裝有濾網(wǎng)，折彎型可以為U型或V型或其它的折彎型。抽氣管路的折彎型部位的底部可以設(shè)有儲塵槽，除塵槽的底部可以設(shè)有除塵法
AA *. o具體實施例中，抽氣管路6的內(nèi)徑可以為10mm 1000mm范圍，優(yōu)選40mm 200mm 范圍；儲塵槽的內(nèi)徑可以為10mm 1000mm范圍，優(yōu)選40mm 200mm范圍；儲塵槽的高度可 以為0 1000mm范圍，優(yōu)選10mm 200mm范圍。本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其較佳的具體實施方式
是，該化學(xué)氣相沉積設(shè)備包 括上述的反應(yīng)腔室。本發(fā)明的工作原理是化學(xué)氣相沉積技術(shù)使用的工藝氣壓多在幾百帕量級，在這一壓力范圍附近，氣流 很難推動顆粒物質(zhì)移動，因此在一般情況下，反應(yīng)生成的固體物質(zhì)受到重力作用多數(shù)沉積 在設(shè)備的下方。利用這一原理，將抽氣管路靠近反應(yīng)腔室一端設(shè)計成‘U’型或‘V’型等折 彎型，在抽氣管路的折彎型部位的背離反應(yīng)腔室排氣口一側(cè)安裝濾網(wǎng)，使得絕大多數(shù)的固 體生成物沉積在折彎型管的底部。少量附著在濾網(wǎng)上的沉積物由于結(jié)構(gòu)松散，結(jié)合力較弱， 很難大量在濾網(wǎng)上堆積，因此能夠大大降低粉塵對濾網(wǎng)透氣性的影響，從而延長濾網(wǎng)的維 護周期。在折彎型抽氣管路的下方設(shè)計一個儲塵槽，并在儲塵槽的下方安裝除塵法蘭，使得 絕大部分的粉塵可以沉積在儲塵槽內(nèi)，并通過打開除塵法蘭進行清除，大大降低了抽氣管 路的維護難度。實施例一如圖2所示，化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室的抽氣管路6靠近反應(yīng)腔室2 —端為 U型，抽氣管路6內(nèi)徑為100mm;在抽氣管路6的U型部位的下部設(shè)計有儲塵槽7，其內(nèi)徑為 100mm,高度為50mm ；儲塵槽7下部安裝有除塵法蘭8 ；在抽氣管路的U型部位的背離反應(yīng)腔 室2的一側(cè)安裝有濾網(wǎng)5。設(shè)備使用過程中，在抽氣管路6內(nèi)的固體生成物由于重力作用，大部分沉積在儲 塵槽7內(nèi)；在濾網(wǎng)5下方生成的固體物質(zhì)由于結(jié)合力弱，無法在濾網(wǎng)5上大量堆積，因此能 夠保障濾網(wǎng)5的透過性，降低其維護頻率。儲塵槽7和除塵法蘭8的設(shè)計使得抽氣管路6的除塵維護難度大大降低。實施例二 如圖3所示，化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室的抽氣管路6靠近反應(yīng)腔室2 —端為 V型，在抽氣管路6的V型部位的下部設(shè)計有儲塵槽7，儲塵槽7下部安裝有除塵法蘭8 ；在 V型抽氣管路背離反應(yīng)腔室一側(cè)安裝有濾網(wǎng)。本發(fā)明能夠緩解化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室的抽氣管路中的粉塵阻塞，降低設(shè) 備抽氣管路的維護頻率，并降低維護難度，提高了設(shè)備的運行效率，減少了設(shè)備的運行成本。 以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換， 都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室的下方設(shè)有抽氣管路，其特征在于，所述抽氣管路靠近反應(yīng)腔室的一段為向下的折彎型，所述抽氣管路的折彎型部位背離所述反應(yīng)腔室排氣口的一側(cè)安裝有濾網(wǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述折彎型為U型或V型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述抽氣管路的折彎型部位的底 部設(shè)計有儲塵槽，所述除塵槽的底部設(shè)有除塵法蘭。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述抽氣管路的內(nèi)徑為IOmm IOOOmm0
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述抽氣管路的內(nèi)徑為40mm 200mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述儲塵槽的內(nèi)徑為IOmm IOOOmm0
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反應(yīng)腔室備，其特征在于，所述儲塵槽的內(nèi)徑為40mm 200mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述儲塵槽的高度為0 1000mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述儲塵槽的高度為IOmm 200mm。
10.一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，該化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括權(quán)利要求1至9任 一項所述的反應(yīng)腔室。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種反應(yīng)腔室及化學(xué)氣相沉積設(shè)備，反應(yīng)腔室的下方設(shè)有抽氣管路，抽氣管路靠近反應(yīng)腔室的一段為U型或V型的折彎型，折彎型部位背離反應(yīng)腔室排氣口的一側(cè)安裝有濾網(wǎng)，抽氣管路的折彎型部位的底部設(shè)有儲塵槽和除塵法蘭。工藝過程中，粉塵能夠沉積在抽氣管路的折彎型部位下部的儲塵槽中，減少對濾網(wǎng)的堵塞，能夠緩解化學(xué)氣相沉積設(shè)備抽氣管路中的粉塵阻塞，降低設(shè)備抽氣管路的維護頻率，并降低維護難度，提高了設(shè)備的運行效率，減少了設(shè)備的運行成本。
文檔編號C23C16/44GK101921995SQ200910086629
公開日2010年12月22日 申請日期2009年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月12日
發(fā)明者楊盟 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司