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      一種廢電路板中錫鉛回收方法

      文檔序號:3354000閱讀:294來源:國知局
      專利名稱:一種廢電路板中錫鉛回收方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于利用化學(xué)方法回收重金屬領(lǐng)域,具體涉及一種廢電路板中錫鉛回收方法;該方法為先將廢電路板上的電子元器件濕法剝離,再進(jìn)行所述的廢電路板中錫、鉛的分類沉淀和回收,并將該回收過程中產(chǎn)生的廢氣和廢液再回用于該回收過程。
      背景技術(shù)
      中國大陸印刷電路板(PCB)產(chǎn)量位居世界第一,占到世界總產(chǎn)量26%,且以每年約15%的增長率發(fā)展。與此相對應(yīng),我國主要電子廢棄物年產(chǎn)生量為150萬噸,并以每年13% 15%的速度增長,其增速是普通生活垃圾的3倍。因廢電路板金屬含量高,可資源化潛力大, 一直是電子廢物回收的重點(diǎn)。長期以來,我國廢電路板金屬回收一直以稀貴金屬和含量最大的銅回收為重點(diǎn)。而在電路板中含量較高的錫、鉛沒有得到足夠的重視。隨著ROHS (Restriction of Hazardous Substances) Directive)指令的實(shí)施禾口國家X寸電子產(chǎn)品處理處置的重視,焊錫中鉛的使用受到嚴(yán)格限制。現(xiàn)廢電路板中焊錫通常為錫、鉛混合物,通過加熱溶解后回收的焊錫需進(jìn)行錫、鉛分離,以滿足回收后回用與生產(chǎn)的需要。
      傳統(tǒng)的酸溶焊錫拆解元器件工藝因產(chǎn)生大量廢酸而受到限制。在傳統(tǒng)處理方法中,酸溶解焊錫拆卸電子元器件后,溶液中的錫、鉛等通過沉淀的方法去除,沉淀再作為危險(xiǎn)廢物進(jìn)入危廢處理場填埋,造成錫、鉛資源的浪費(fèi)。廢電路板錫、鉛回收工藝技術(shù)和酸循環(huán)利用的高效、清潔濕法技術(shù)急于開發(fā),以解決廢電路板處理產(chǎn)生的廢物處理和金屬緊缺的雙重矛盾

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于提供一種廢電路板中錫鉛回收方法;該方法為先將廢電路板上的電子元器件濕法剝離,再進(jìn)行所述的廢電路板中錫、鉛的分類沉淀和回收,并將該回收過程中產(chǎn)生的廢氣和廢液再回用于該回收過程。該方法可有效防止廢電路板回收中產(chǎn)生的廢酸、廢氣、廢金屬污染,改善集中回收區(qū)的環(huán)境質(zhì)量,降低回收過程污染控制的成本。
      本發(fā)明的目的是由下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
      一種廢電路板中錫鉛回收方法,該方法為先將廢電路板上的電子元器件濕法剝離,再進(jìn)行所述的廢電路板中錫、鉛的分類沉淀和回收,并將該回收過程中產(chǎn)生的廢氣和廢液再回用于該回收過程;
      該方法依次包括以下步驟I .電子元器件拆解
      A. 將廢電路板用HN03進(jìn)行浸泡處理;所述的浸泡處理時(shí)間為O. 3-6小時(shí),所述的HN03的濃度為l-5mol/L;待該廢電路板電子元器件脫落后,得到裸板、廢電子元器件、和初級剝離液;將所述的該初級剝離液進(jìn)行過濾處理,得到剝離液;
      B. 將所述的裸板用純水進(jìn)行洗滌處理,得到洗滌液A回用于配制所述的HN03,浸泡所述的廢電路板;
      II. Sn02產(chǎn)品和PbS04產(chǎn)品制備
      A. 將所述的剝離液進(jìn)行曝氣處理,所述的曝氣處理的時(shí)間為30分鐘,得到錫酸沉淀和上
      清液A;
      B. 將所述的錫酸沉淀進(jìn)行洗滌處理,得到洗滌液B和洗滌過的錫酸沉淀;將所述的洗滌液B作為所述的剝離液回用;
      C. 將所述的洗滌過的錫酸沉淀進(jìn)行烘干處理、研磨破碎處理,得到粉體;將所述的粉體
      在進(jìn)行加熱脫水處理,得到Sn02產(chǎn)品;該加熱脫水處理的溫度為80(TC;
      D. 將所述的上清液A中加入4mol/L的H2S04,得到硫酸鉛沉淀和上清液B;將所述的硫酸
      鉛沉淀進(jìn)行烘干處理,得到PbS04產(chǎn)品;
      將所述的上清液B作為所述的剝離液回用;
      所述的Sn02產(chǎn)品的純度達(dá)到99. 5%以上,所述的PbS04產(chǎn)品的純度達(dá)到99。/。以上;所述的廢電路板中錫、鉛回收率達(dá)到95%以上。
      本發(fā)明與已有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)
      1. 本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)廢電路板電子元器件高效清潔濕法剝離,實(shí)現(xiàn)廢電路板中錫、鉛分類沉
      淀,高品質(zhì)回收;在實(shí)現(xiàn)廢電路板中有色金屬升級回收的同時(shí),有效防止回收過程中廢酸和重金屬的污染;本發(fā)明拓展廢電路板資源化利潤空間,推動(dòng)廢電路板金屬高效清潔回收;
      2. 本發(fā)明中,因?yàn)閹г骷膹U舊電路板上的元器件含有害物質(zhì),所以電子元器件需先進(jìn)行選擇拆卸,以防污染后續(xù)工藝,并將拆卸后的元器件作為危險(xiǎn)廢物單獨(dú)處理;拆卸后的基板便于實(shí)現(xiàn)銅金屬回收和非金屬材料的再生利用;
      3. 本發(fā)明中,廢舊電路板元器件高效拆卸技術(shù)具有較高的經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)境意義,可有效防止廢電路板金屬回收的廢酸、廢氣、廢金屬污染,改善集中回收區(qū)的環(huán)境質(zhì)量,減輕回收過程污染控制成本。
      下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。


      圖l:本發(fā)明中電子元器件拆解流程圖2:本發(fā)明中Sn02產(chǎn)品和PbS04產(chǎn)品制備流程圖。
      具體實(shí)施方式
      實(shí)施例l
      一種廢電路板中錫鉛回收方法,該方法為先將廢電路板上的電子元器件濕法剝離,再進(jìn)行所述的廢電路板中錫、鉛的分類沉淀和回收,并將該回收過程中產(chǎn)生的廢氣和廢液再回用于該回收過程;
      該方法依次包括以下步驟I .電子元器件拆解
      A. 將廢電路板用HN03進(jìn)行浸泡處理;所述的浸泡處理時(shí)間為6小時(shí),所述的HN03的濃度為lmol/L;待該廢電路板電子元器件脫落后,得到裸板、廢電子元器件、和初級剝離液;所述的將該初級剝離液用進(jìn)行過濾處理,得到剝離液;該過濾處理采用濾布;
      B. 將所述的裸板用純水進(jìn)行洗滌處理,得到洗滌液A回用于配制所述的HN03,浸泡所述的廢電路板;
      將所述的廢電子元器件作為危險(xiǎn)廢棄物另行處理;將所述的洗滌處理過的裸板另行處理回收銅;
      在所述的浸泡處理的過程揮發(fā)產(chǎn)生的HN03氣體由廢氣收集裝置收集起來回用于浸泡處理II. Sn02產(chǎn)品和PbS04產(chǎn)品制備
      A. 將所述的剝離液進(jìn)行曝氣處理,所述的曝氣處理的時(shí)間為30分鐘,得到錫酸沉淀和上
      清液A;
      B. 將所述的錫酸沉淀進(jìn)行洗滌處理,得到洗滌液B和洗滌過的錫酸沉淀;將所述的洗滌液B作為所述的剝離液回用;
      所述的洗滌處理是用2mol/L的硝酸在室溫下進(jìn)行攪拌,所述的攪拌的設(shè)備為79HW-1型(數(shù)顯)恒溫磁力攪拌器,購自金壇市晶玻實(shí)驗(yàn)儀器廠;C. 將所述的洗滌過的錫酸沉淀進(jìn)行烘干處理、研磨破碎處理,得到粉體;將所述的粉體在進(jìn)行加熱脫水處理,得到Sn02產(chǎn)品;該加熱脫水處理的溫度為80(TC;
      所述的烘干處理的設(shè)備為DGG9070型電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱,購自上海森信實(shí)驗(yàn)儀器有限公司;
      所述的研磨破碎處理的設(shè)備為麗301型混合碾磨儀,購自德國Retsch公司;所述的高溫脫水處理的設(shè)備為GL-1600型真空燒結(jié)爐,購自洛陽神佳窯業(yè)有限公司;
      D. 將所述的上清液A中加入4mol/L的H2S04,得到硫酸鉛沉淀和上清液B;將所述的硫酸鉛沉淀進(jìn)行烘干處理,得到PbS04產(chǎn)品;
      將所述的上清液B作為所述的剝離液回用;
      經(jīng)檢測,所述的Sn02產(chǎn)品的純度達(dá)80X,所述的PbS04產(chǎn)品的純度達(dá)到75。/。;所述的廢電路板中錫、鉛回收率達(dá)98%以上;該檢測方法為將所述的各個(gè)產(chǎn)品用王水進(jìn)行消解,再將得到的消解產(chǎn)物用原子吸收的方法進(jìn)行測量;鉛的測定方法依據(jù)《電子信息產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)的檢測方法》(SJ/T 11365-2006)進(jìn)行,錫的測定方法依據(jù)《錫鉛焊料化學(xué)分析方法錫量的測定》(GB/T 10574. 1-2003)進(jìn)行。
      實(shí)施例2
      本實(shí)施例中所述的廢電路板中錫鉛回收方法的步驟與實(shí)施例l中相同,區(qū)別在于I .電子元器件拆解
      A.將廢電路板用HN03進(jìn)行浸泡處理;所述的浸泡處理時(shí)間為4小時(shí),所述的HN03的濃度為2mol/L;
      經(jīng)檢測,所述的Sn02產(chǎn)品的純度達(dá)99X,所述的PbS04產(chǎn)品的純度達(dá)到99。/。;所述的廢電路板中錫、鉛回收率達(dá)99%;該檢測方法與實(shí)施例l中相同。實(shí)施例3
      本實(shí)施例中所述的廢電路板中錫鉛回收方法的步驟與實(shí)施例l中相同,區(qū)別在于I .電子元器件拆解
      A.將廢電路板用HN03進(jìn)行浸泡處理;所述的浸泡處理時(shí)間為l小時(shí),所述的HN03的濃度為3mol/L;
      經(jīng)檢測,所述的Sn02產(chǎn)品的純度達(dá)90X,所述的PbS04產(chǎn)品的純度達(dá)到90。/。;所述的廢電路板中錫、鉛回收率達(dá)98%;該檢測方法與實(shí)施例l中相同。實(shí)施例4
      本實(shí)施例中所述的廢電路板中錫鉛回收方法的步驟與實(shí)施例l中相同,區(qū)別在于I .電子元器件拆解
      A.將廢電路板用麗03進(jìn)行浸泡處理;所述的浸泡處理時(shí)間為O. 5小時(shí),所述的麗03的濃
      度為4mol/L;
      經(jīng)檢測,所述的Sn02產(chǎn)品的純度達(dá)85X,所述的PbS04產(chǎn)品的純度達(dá)到90。/。;所述的廢電路板中錫、鉛回收率達(dá)98%;該檢測方法與實(shí)施例l中相同。實(shí)施例5
      本實(shí)施例中所述的廢電路板中錫鉛回收方法的步驟與實(shí)施例l中相同,區(qū)別在于I .電子元器件拆解
      A.將廢電路板用麗03進(jìn)行浸泡處理;所述的浸泡處理時(shí)間為O. 3小時(shí),所述的麗03的濃度為5mol/L;
      經(jīng)檢測,所述的Sn02產(chǎn)品的純度達(dá)80X,所述的PbS04產(chǎn)品的純度達(dá)到85。/。;所述的廢電路板中錫、鉛回收率達(dá)97%;該檢測方法與實(shí)施例l中相同。
      權(quán)利要求
      1.一種廢電路板中錫鉛回收方法,其特征在于先將廢電路板上的電子元器件濕法剝離,再進(jìn)行所述的廢電路板中錫、鉛的分類沉淀和回收,并將該回收過程中產(chǎn)生的廢氣和廢液再回用于該回收過程。
      2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的廢電路板中錫鉛回收方法,其特征在于 依次包括以下步驟 該方法依次包括以下步驟 I .電子元器件拆解A. 將廢電路板用HN03進(jìn)行浸泡處理;所述的浸泡處理時(shí)間為O. 3-6小時(shí),所述的麗03的 濃度為l-5mol/L;待該廢電路板電子元器件脫落后,得到裸板、廢電子元器件、和初級剝離 液;將所述的該初級剝離液進(jìn)行過濾處理,得到剝離液;B. 將所述的裸板用純水進(jìn)行洗滌處理,得到洗滌液A回用于配制所述的HN03,浸泡所述 的廢電路板;II. Sn02產(chǎn)品和PbS04產(chǎn)品制備A. 將所述的剝離液進(jìn)行曝氣處理,所述的曝氣處理的時(shí)間為30分鐘,得到錫酸沉淀和上清液A;B. 將所述的錫酸沉淀進(jìn)行洗滌處理,得到洗滌液B和洗滌過的錫酸沉淀;將所述的洗滌液B作為所述的剝離液回用;C. 將所述的洗滌過的錫酸沉淀進(jìn)行烘干處理、研磨破碎處理,得到粉體;將所述的粉 體在進(jìn)行加熱脫水處理,得到Sn02產(chǎn)品;該加熱脫水處理的溫度為80(TC;D. 將所述的上清液A中加入4mol/L的H2S04,得到硫酸鉛沉淀和上清液B;將所述的硫酸 鉛沉淀進(jìn)行烘干處理,得到PbS04產(chǎn)品;將所述的上清液B作為所述的剝離液回用。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的廢電路板中錫鉛回收方法,其特征在于 所述的電子元器件拆解步驟中,所述的浸泡處理時(shí)間為6小時(shí),所述的麗03的濃度為lmol/L。
      4 根據(jù)權(quán)利要求2所述的廢電路板中錫鉛回收方法,其特征在于所述的電子元器件拆解步驟中,所述的浸泡處理時(shí)間為4小時(shí),所述的麗03的濃度為2mol/L。
      5 根據(jù)權(quán)利要求2所述的廢電路板中錫鉛回收方法,其特征在于所述的電子元器件拆解步驟中,所述的浸泡處理時(shí)間為l小時(shí),所述的麗03的濃度為3mol/L。
      6 根據(jù)權(quán)利要求2所述的廢電路板中錫鉛回收方法,其特征在于所述的電子元器件拆解步驟中,所述的浸泡處理時(shí)間為O. 5小時(shí),所述的麗03的濃度為4mol/L。
      7 根據(jù)權(quán)利要求2所述的廢電路板中錫鉛回收方法,其特征在于所述的電子元器件拆解步驟中,所述的浸泡處理時(shí)間為O. 3小時(shí),所述的麗03的濃度為5mol/L。
      8 根據(jù)權(quán)利要求l所述的廢電路板中錫鉛回收方法,其特征在于所述的Sn02產(chǎn)品的純度達(dá)到80-99%,所述的PbS04產(chǎn)品的純度達(dá)到75-99%,所述的廢電路板中錫、鉛回收率達(dá)到95-99%。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種廢電路板中錫鉛回收方法;該方法為先將廢電路板上的電子元器件濕法剝離,再進(jìn)行所述的廢電路板中錫、鉛的分類沉淀和回收,并將該回收過程中產(chǎn)生的廢氣和廢液再回用于該回收過程。該方法可有效防止廢電路板回收中產(chǎn)生的廢酸、廢氣、廢金屬污染,改善集中回收區(qū)的環(huán)境質(zhì)量,降低回收過程污染控制的成本。
      文檔編號C22B7/00GK101665875SQ20091030794
      公開日2010年3月10日 申請日期2009年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月29日
      發(fā)明者琦 喬, 劉景洋, 郭玉文 申請人:劉景洋
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