專利名稱：電氣電子部件用復(fù)合材料以及使用其的電氣電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在金屬基體材料上設(shè)置有絕緣被膜的電氣電子部件用復(fù)合材料、 以及使用該復(fù)合材料的電氣電子部件。
背景技術(shù)：
在金屬基體材料上設(shè)置有電絕緣被膜(在本發(fā)明中，也簡(jiǎn)稱為“絕緣被膜”)的帶 有絕緣被膜的金屬材料已被用作例如電路基板等中的屏蔽(Shield)材料(例如，參照專利 文獻(xiàn)1)。該金屬材料適用于框體、外殼(case)、蓋罩(cover)、蓋體(cap)等，尤其適用于元 件內(nèi)置用低背化(使內(nèi)部空間的高度進(jìn)一步降低)框體。另外，作為提高帶有絕緣被膜的金屬材料中金屬基體材料與絕緣被膜的密合性的 方法，已知有在金屬基體材料的表面涂布偶聯(lián)劑的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2)、以及在金 屬基體材料的表面形成具有樹(shù)枝狀結(jié)晶的鍍敷層的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)3)。[專利文獻(xiàn)1]日本特開(kāi)2004-197224號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]日本專利第觀02402號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]日本特開(kāi)平5-MM32號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題將金屬基體材料上設(shè)置有絕緣被膜的金屬材料作為上述電氣電子部件用材料使 用時(shí)，由于該材料在金屬基體材料上設(shè)置有絕緣被膜，因而通過(guò)對(duì)金屬基體材料和絕緣被 膜在包含這兩者界面在內(nèi)的部位實(shí)施沖壓加工等加工而形成連接器接點(diǎn)等，能夠以窄間距 配置上述連接器接點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)各種應(yīng)用。然而，對(duì)于以往的材料而言，在對(duì)包含金屬基體材料與絕緣被膜的界面在內(nèi)的部 位實(shí)施沖壓加工等加工時(shí)，有時(shí)會(huì)在進(jìn)行加工的部位的金屬基體材料與絕緣被膜之間產(chǎn)生 幾微米 幾十微米左右的微小間隙。圖2的立體圖概略地示出了該情況。在圖2中，2為 電氣電子部件、21為金屬基體材料、22為絕緣被膜，在金屬基體材料21的沖壓加工面21a 附近，在金屬基體材料21與絕緣被膜22之間形成有間隙23。當(dāng)上述沖壓加工時(shí)的余隙 (clearance)越大(例如相對(duì)于上述金屬基體材料的厚度在5%以上時(shí))，則上述傾向越強(qiáng) 烈。由于減少上述沖壓加工時(shí)的余隙實(shí)際上存在限度，因此，也可以說(shuō)上述被加工體越微 細(xì)化(例如，上述金屬基體材料的厚度為0. Imm以下的被加工體、或者沖壓加工的寬度為 0. Imm以下的被加工體)，則上述傾向越強(qiáng)烈。當(dāng)處于這樣的狀態(tài)時(shí)，絕緣被膜22會(huì)因沖壓加工等的經(jīng)年變化等而完全從金屬 基體材料21上剝離，從而導(dǎo)致在金屬基體材料21上設(shè)置絕緣被膜22也變得毫無(wú)意義。另 一方面，在微細(xì)加工后再附上絕緣被膜極耗時(shí)間，致使產(chǎn)品的成本增加，因而并不實(shí)用。并 且，在使用所形成的電氣電子部件的金屬露出面(例如沖壓加工面21a)作為連接器接點(diǎn)等 時(shí)，雖然也可以考慮通過(guò)鍍敷等在金屬露出面(例如沖壓加工面21a)上后附上金屬層，但當(dāng)浸漬于鍍敷液中時(shí)，有可能會(huì)因鍍敷液從間隙23浸入而加速絕緣被膜22從金屬基體材 料21上剝離。前述問(wèn)題有時(shí)雖可通過(guò)選擇聚酰亞胺作為絕緣被膜來(lái)加以解決，但聚酰亞胺不僅 價(jià)格昂貴，而且在多數(shù)情況下為了形成被膜需要進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的處理，因此在經(jīng)濟(jì)上并不優(yōu) 選。另外，沖孔加工性雖然良好，但是由于被膜的伸長(zhǎng)率小，所以大多缺乏彎曲加工性，并不 適于被加工體需要進(jìn)行微細(xì)彎曲加工的情況。另外，作為提高金屬基體材料與絕緣被膜的密合性的方法，當(dāng)想要使用專利文獻(xiàn)2 的方法時(shí)，由于偶聯(lián)劑的液體壽命較短，因此存在必須對(duì)液體進(jìn)行細(xì)心注意管理的問(wèn)題。此 外，由于難以對(duì)整個(gè)金屬基體材料表面實(shí)施均勻的處理，因此對(duì)于上述微細(xì)的間隙有時(shí)沒(méi) 有效果。當(dāng)想要使用專利文獻(xiàn)3的方法時(shí)，為了控制所形成的鍍敷層的結(jié)晶狀態(tài)，必須在規(guī) 定的鍍敷條件下實(shí)施鍍敷，因此必須細(xì)心注意管理。另外，為了獲得充分的密合性，必須使 鍍敷厚度大于1 μ m,因此在經(jīng)濟(jì)上也不優(yōu)選。本發(fā)明的課題在于提供一種電氣電子部件用復(fù)合材料，該電氣電子部件用復(fù)合材 料即使在包含金屬基體材料與絕緣被膜的界面在內(nèi)的部位實(shí)施沖壓加工等加工，也可以保 持金屬基體材料與絕緣被膜的高密合性狀態(tài)；本發(fā)明還提供由該電氣電子部件用復(fù)合材料 形成的電氣電子部件。解決問(wèn)題的方法本發(fā)明人等針對(duì)上述問(wèn)題進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在金屬基體材料上隔著由 鎳(Ni)或鎳-鋅(Ni-Zn)合金形成的金屬層設(shè)置絕緣被膜時(shí)，可充分獲得金屬基體材料與 絕緣被膜的密合性，并進(jìn)一步進(jìn)行研究而完成了本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明，提供下述方案(1) 一種電氣電子部件用復(fù)合材料，該復(fù)合材料作為沖壓加工而形成的電氣電子 部件的材料使用，且在金屬基體材料上的至少一部分實(shí)質(zhì)上設(shè)置有1層絕緣被膜，其中，在 上述金屬基體材料與上述絕緣被膜之間存在有由Ni或Ni-ai合金形成的金屬層，并使得上 述沖壓加工之后的材料端部的上述絕緣被膜的剝離寬度小于10 μ m ；(2)上述(1)所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，上述由Ni或Ni-Si合金形成 的金屬層的厚度為0. 001 μ m以上且小于0. 1 μ m ；(3)上述(1)或( 所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，上述絕緣被膜由聚酰 胺酰亞胺構(gòu)成；(4)上述(1) (3)中任一項(xiàng)所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，上述金屬基 體材料由銅系金屬材料構(gòu)成；(5)上述⑴ (4)中任一項(xiàng)所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，上述金屬基 體材料的厚度為0. 06 0. 4mm ；(6) 一種電氣電子部件，其是如下形成的在上述⑴ (5)中任一項(xiàng)所述的電氣 電子部件用復(fù)合材料進(jìn)行沖壓加工之后，在上述金屬基體材料的至少一部分上殘留有上述 絕緣被膜；以及(7)上述(6)所述的電氣電子部件，該電氣電子部件是在沖壓加工后，對(duì)未設(shè)置前 述絕緣被膜的部位進(jìn)行濕式鍍敷處理而形成的。需要說(shuō)明的是，上述沖壓加工后的材料端部的絕緣被膜的剝離寬度，是使用余隙5ym的模具將試料沖切成5mmX2mm的矩形，然后浸漬在溶有紅墨水的水溶液中進(jìn)行測(cè)定 而得到的。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，由于在金屬基體材料與絕緣被膜之間存在有由Ni或Ni-Si合金形成 的金屬層，因此即使在包含金屬基體材料與絕緣被膜的界面(具體而言，是金屬基體材料 與金屬層的界面以及金屬層與絕緣被膜的界面)在內(nèi)的部位實(shí)施沖壓加工等加工，也可以 保持金屬基體材料與絕緣被膜的高密合性狀態(tài)，從而可以得到加工性優(yōu)異的電氣電子部件 用復(fù)合材料。并且，在本發(fā)明中，通過(guò)組合使用下述構(gòu)成，能夠更加容易地得到金屬基體材料與 絕緣被膜保持高密合狀態(tài)的電氣電子部件用復(fù)合材料。(1)使金屬層的厚度為0. 001 μ m以上且小于0. 1 μ m ；(2)由聚酰胺酰亞胺構(gòu)成絕緣被膜；(3)由銅系金屬材料構(gòu)成金屬基體材料；(4)使金屬基體材料的厚度為0. 06 0. 4mm。另外，本發(fā)明的電氣電子部件是如下形成的通過(guò)沖壓加工等對(duì)金屬基體材料上 的至少一部分設(shè)置有絕緣被膜的電氣電子部件用復(fù)合材料進(jìn)行加工，并在上述金屬基體材 料的至少一部分上殘留有絕緣被膜，由于使用由Ni或Ni-ai合金形成的金屬層介于金屬 基體材料與絕緣被膜之間的材料作為電氣電子部件用復(fù)合材料，因此絕緣被膜會(huì)通過(guò)金屬 層而密合在金屬基體材料上，從而可以容易地得到?jīng)_壓加工等的加工性優(yōu)異的電氣電子部 件。此外，就本發(fā)明的電氣電子部件而言，由于金屬基體材料與絕緣被膜密合，因此可 通過(guò)鍍敷等后加工容易地將后附的金屬層設(shè)置在未設(shè)置有絕緣被膜的部位，并且即使以窄 間距來(lái)設(shè)置使用該電氣電子部件，也不會(huì)因絕緣被膜從金屬基體材料上剝離而引起絕緣不良等。本發(fā)明的上述及其它特征及優(yōu)點(diǎn)，可適當(dāng)參照附圖，由下述記載而更加明確。


圖1是剖面圖，其示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的電氣電子部件用復(fù)合材料的一 例。圖2是概念圖，其通過(guò)立體圖示出了在金屬基體材料與絕緣被膜之間形成有間隙 的狀態(tài)的一例。符號(hào)說(shuō)明1電氣電子部件用復(fù)合材料2電氣電子部件11，21金屬基體材料12，22絕緣被膜13金屬層21a沖壓加工面23 間隙
具體實(shí)施例方式以下，針對(duì)本發(fā)明的電氣電子部件用復(fù)合材料的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施方式。例如，絕緣被膜及金屬層可以設(shè) 置在金屬基體材料的一個(gè)面上，也可以設(shè)置在金屬基體材料的兩面，根據(jù)作為最終產(chǎn)品的 電氣電子部件的要求特性，可以適當(dāng)變更本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的電氣電子部件用復(fù)合材料的剖面圖的一例。如 圖1所示，該電氣電子部件用復(fù)合材料1在金屬基體材料11上設(shè)置有絕緣被膜12，并且在 金屬基體材料11與絕緣被膜12之間設(shè)置有由Ni或Ni-Si合金形成的金屬層13。該金屬 層13用以提高與金屬基體材料11及絕緣被膜12的密合性，從而可得到?jīng)_壓加工等的加工 性優(yōu)異的電氣電子部件用復(fù)合材料1。在圖1中，示出的是絕緣被膜12設(shè)置在金屬基體材料11上表面的一部分與金屬 基體材料11的整個(gè)下表面的實(shí)例，但這僅是實(shí)例之一，絕緣被膜12也可以設(shè)置在金屬基體 材料11的整個(gè)上表面及整個(gè)下表面，還可以設(shè)置在金屬基體材料11上表面的一部分及下 表面的一部分上。即，只要在金屬基體材料11上的至少一部分設(shè)置絕緣被膜12即可。金屬層13是為了提高金屬基體材料11和絕緣被膜12的密合性而設(shè)置的。對(duì)于 金屬基體材料11和絕緣被膜12的密合性而言，優(yōu)選在沖壓加工后材料端部的絕緣被膜的 剝離寬度小于10 μ m,更優(yōu)選小于5 μ m。優(yōu)選采用電鍍、化學(xué)鍍等方法形成金屬層13，且該金屬層13由Ni或Ni-Si合金構(gòu) 成。對(duì)于Ni-Si合金而言，優(yōu)選在合金總量中含有50質(zhì)量％以下的Zn，更優(yōu)選含有10 30質(zhì)量％的&1。采用鍍敷形成金屬層13時(shí)，可以是濕式鍍敷，也可以是干式鍍敷。作為上述濕式 鍍敷的實(shí)例，可列舉電解鍍敷法、非電解鍍敷法。作為上述干式鍍敷的實(shí)例，可列舉物理蒸 鍍(PVD)法、化學(xué)蒸鍍(CVD)法。金屬層13的厚度太薄時(shí)，金屬層13與金屬基體材料11及絕緣被膜12之間的密 合性不會(huì)提高，而金屬層13的厚度太厚時(shí)，不僅上述密合性會(huì)降低，而且還會(huì)導(dǎo)致制造成 本增加，因此，金屬層13的厚度優(yōu)選為0. 001 μ m以上且小于0. 1 μ m，更優(yōu)選為0. 005 μ m以 上且0. 05μπι以下。金屬層太厚時(shí)密合性降低的理由雖然尚不明確，但可認(rèn)為其原因如下 金屬層薄時(shí)，無(wú)法形成完全的層狀，金屬散布成島狀，或者形成針孔多的金屬層，金屬層與 絕緣被膜的接觸面積大；與此相反，金屬層變厚時(shí)，形成平滑的層狀，金屬層與絕緣被膜的 接觸面積變小。另外，如果金屬層太厚，則在進(jìn)行沖壓加工或彎曲加工等加工時(shí)，塌角(夕' > )變大或產(chǎn)生裂縫而加速絕緣被膜的剝離，從這一觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選使金屬層13的厚度小 于 0. 1 μ m。作為絕緣被膜12的材料，從加工性等方面考慮，優(yōu)選使用合成樹(shù)脂等有機(jī)材料， 可以根據(jù)電氣電子部件用復(fù)合材料1的要求特性等來(lái)適當(dāng)選擇絕緣被膜12的材料。例如， 也可以采用以合成樹(shù)脂等有機(jī)材料為基礎(chǔ)材料并向其中添加除了該基礎(chǔ)材料以外的添加 物(有機(jī)物、無(wú)機(jī)物均可)的材料、或者無(wú)機(jī)材料等。如上所述，希望絕緣被膜12具有適當(dāng)?shù)慕^緣性，如果考慮到在形成為電氣電子部 件之后進(jìn)行回流焊(reflow)安裝的可能性，則優(yōu)選具有耐熱性。其中，如果特別考慮到原
6料成本、生產(chǎn)性、沖壓加工性或彎曲加工性等加工性的平衡，則優(yōu)選作為耐熱性樹(shù)脂的聚酰 胺酰亞胺。作為金屬基體材料11，從導(dǎo)電性和鍍敷性等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選使用銅系金屬材 料。作為銅系金屬材料，可適當(dāng)使用磷青銅(Cu-Sn-Ρ系)、黃銅(Cu-Si系)、銅鎳鋅合金 (Cu-Ni-Zn系)、科森合金(Cu-Ni-Si系)等銅基合金，除此之外，還可以使用無(wú)氧銅、韌銅、 磷脫氧銅(phosphorus deoxidized copper)等純銅系材料。金屬基體材料11的厚度優(yōu)選為0. 06mm以上。其原因在于，若金屬基體材料的厚 度小于0.06mm，則無(wú)法確保作為電氣電子部件的充分強(qiáng)度。另外，若金屬基體材料11的厚 度太厚，則在沖壓加工時(shí)，會(huì)導(dǎo)致余隙的絕對(duì)值增大，沖壓部的塌角變大，因此，優(yōu)選使金屬 基體材料11的厚度為0. 4mm以下，更優(yōu)選為0. 3mm以下。由此，可以在考慮沖壓加工等加 工的影響(余隙、塌角的大小等)之后確定金屬基體材料11的厚度的上限。作為在金屬基體材料11的表面隔著金屬層13設(shè)置絕緣被膜12的方法，可列舉 (a)在金屬基體材料上需要絕緣的部位設(shè)置帶有粘接劑的耐熱性樹(shù)脂膜，通過(guò)感應(yīng)加熱輥 使上述粘接劑熔融，然后進(jìn)行加熱處理以使其發(fā)生反應(yīng)固化接合的方法；(b)將樹(shù)脂或樹(shù) 脂前體溶解在溶劑中得到清漆，將該清漆涂布在金屬基體材料上需要絕緣的部位上，再根 據(jù)需要使溶劑揮發(fā)或者不使溶劑揮發(fā)，接著進(jìn)行加熱處理以使其發(fā)生反應(yīng)固化接合的方法 等。對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式的電氣電子部件用復(fù)合材料1而言，由于在使用上述(b)的方 法時(shí)可不必考慮粘接劑的影響，因此優(yōu)選。需要說(shuō)明的是，上述方法(b)的具體例在制造絕緣電線的方法等中是普通的技 術(shù)，從日本特開(kāi)平5-130759號(hào)公報(bào)等中也可獲知。本發(fā)明引用該公報(bào)作為本發(fā)明的參考技 術(shù)。這里，也可以反復(fù)進(jìn)行上述(b)的方法。這樣一來(lái)，可減小溶劑揮發(fā)不充分的可能 性，進(jìn)而可減少在絕緣被膜12與金屬層13之間產(chǎn)生氣泡等的可能性，從而可進(jìn)一步提高絕 緣被膜12與金屬層13之間的密合性。盡管如此，只要分多次形成的樹(shù)脂固化物為實(shí)質(zhì)上 相同的材料，則能夠?qū)崿F(xiàn)在金屬層13上實(shí)質(zhì)上設(shè)置一層的絕緣被膜12。在本發(fā)明中，“實(shí) 質(zhì)上設(shè)置一層絕緣被膜”是指，由上述(a)或(b)的單一步驟來(lái)設(shè)置一層絕緣被膜的情況、 以及如上所述通過(guò)多次步驟實(shí)質(zhì)上重疊設(shè)置相同的絕緣被覆的情況。此外，對(duì)于要在金屬基體材料11的部分表面上設(shè)置絕緣被膜12的情況，在金屬基 體材料11的表面上設(shè)置金屬層13之后，例如可采用對(duì)涂裝部進(jìn)行平版(offset)印刷或 凹版(gravure)印刷的應(yīng)用輥涂法設(shè)備的方法；或者，應(yīng)用感光性耐熱樹(shù)脂的涂布、通過(guò)紫 外線或電子射線來(lái)形成圖案、以及樹(shù)脂固化技術(shù)的方法；以及，將在電路基板中利用曝光顯 影蝕刻溶解來(lái)形成微細(xì)圖案的技術(shù)應(yīng)用于樹(shù)脂被膜等，從而制造出滿足樹(shù)脂被膜的形成精 度程度的方法。由此，可容易地實(shí)現(xiàn)僅在金屬基體材料11的表面的必要部分上設(shè)置絕緣被 膜12，從而無(wú)須為了將金屬基體材料11與其它電氣電子部件或電線等加以連接而除去絕 緣被膜12。若絕緣被膜12的厚度過(guò)薄，則無(wú)法期待絕緣效果，若絕緣被膜12的厚度過(guò)厚，則 難以進(jìn)行沖壓加工，因此，上述絕緣被膜12的厚度優(yōu)選為2 20 μ m，更優(yōu)選為3 10 μ m。在通過(guò)沖壓加工等對(duì)電氣電子部件用復(fù)合材料1進(jìn)行加工之后，由于未殘留部分 絕緣被膜12的部位上金屬基體材料露出，因此可進(jìn)行焊接，另外，具有可高度保持放熱性的優(yōu)點(diǎn)，因此適用于需要進(jìn)行放熱的部件。還可以對(duì)未設(shè)置絕緣被膜12的部位進(jìn)行濕式鍍敷處理。所說(shuō)的未設(shè)置絕緣被膜 12的部位，是指例如圖1中的金屬基體材料11的側(cè)面、或金屬基體材料11上表面的部分 設(shè)置有絕緣被膜12的部分以外的部位等。作為這里所采用的鍍敷處理，例如可列舉鍍Ni、 鍍Sn、鍍Au等。通過(guò)進(jìn)行鍍敷來(lái)設(shè)置后附的金屬層，可以對(duì)金屬基體材料11的表面實(shí)現(xiàn)保 護(hù)。對(duì)以往的帶有絕緣被膜的金屬材料實(shí)施沖壓加工等加工之后，再進(jìn)行濕式鍍敷處 理時(shí)，鍍敷液會(huì)從加工時(shí)所產(chǎn)生的間隙滲入而可能導(dǎo)致絕緣被膜從金屬基體材料上剝離， 但對(duì)于本實(shí)施方式的電氣電子部件用復(fù)合材料1而言，由于在金屬基體材料11與絕緣被膜 12之間存在有由Ni或Ni-Si合金形成的金屬層13，因此具有如下優(yōu)點(diǎn)即使通過(guò)鍍敷等后 加工來(lái)設(shè)置后附的金屬層(未圖示)，絕緣被膜12也不會(huì)從金屬基體材料11上剝離。這里，后附的金屬層的厚度與金屬層13的厚度無(wú)關(guān)，可適當(dāng)確定。從保護(hù)金屬基 體材料11表面的目的出發(fā)，優(yōu)選使后附金屬層的厚度為0. 001 5μπι的范圍?？筛鶕?jù)電 氣電子部件的用途來(lái)適當(dāng)選擇作為后附金屬層使用的金屬，但對(duì)于應(yīng)用于電接點(diǎn)、連接器 等的情況，優(yōu)選為Au、Ag、Cu、Ni、Pd、Sn或含有這些金屬的合金。本發(fā)明的電氣電子部件用復(fù)合材料1可以在經(jīng)沖壓加工后用于任何電氣電子部 件，該部件沒(méi)有特別限制，例如有連接器、端子、屏蔽罩(shield case)等，這些部件可用于 手機(jī)、便攜信息終端、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等電氣電子設(shè)備。將本發(fā)明的電氣電子部件用復(fù)合材料制成屏蔽罩等框體部件時(shí)，由于可良好地保 持與其它部件之間的絕緣性，因此有利于框體的低背化。另外，當(dāng)制成連接器、端子等電連 接部件時(shí)，由于可良好地保持與所鄰接的部件之間的絕緣性，因此有利于連接器的窄間距 化等。實(shí)施例以下，基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更為詳細(xì)的說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此。[實(shí)施例1](試料)對(duì)厚度0. 1mm、寬度20mm的金屬條(金屬基體材料)依次進(jìn)行電解脫脂、酸洗處理 之后，分另Ij 實(shí)施約 0. 001 μ m、0. 005 μ m、0. 02 μ m、0. 05 μ m、0. 085 μ m、0. 1 μ m、0. 2 μ m 的鍵 Ni,Ni-10% Zn (質(zhì)量％，下同)合金鍍敷、或Ni-30% Si合金鍍敷，構(gòu)成金屬層，接著，在各 金屬條的距離端部5mm的位置設(shè)置寬度IOmm的具有絕緣性的聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂被膜，由此 制造本發(fā)明例及比較例的電氣電子部件用復(fù)合材料。作為金屬條，使用的是JIS合金C5210R(磷青銅，古河電氣工業(yè)株式會(huì)社制造)。 需要說(shuō)明的是，鍍層厚度的測(cè)定如下使用熒光X射線測(cè)厚儀SFT-3200 (SEIKO PRECISION 株式會(huì)社制造)，根據(jù)10點(diǎn)平均值測(cè)得。另外，作為比較例，另行依次進(jìn)行電解脫脂、酸洗處理，然后在需要絕緣的部位設(shè) 置具有絕緣性的樹(shù)脂被膜而不實(shí)施鍍敷(無(wú)金屬層)，由此制造電氣電子部件用復(fù)合材料。(各種條件)上述電解脫脂處理如下進(jìn)行在包含60g/l的“清潔劑160S” (商品名，美錄德株 式會(huì)社制造)的脫脂液中，于液溫60°C、電流密度2. 5A/dm2的條件下進(jìn)行陰極電解10 30秒鐘。上述酸洗處理如下進(jìn)行在包含100g/l硫酸的酸洗液中，于室溫下浸漬10 30秒鐘。需要說(shuō)明的是，電解脫脂處理及酸洗處理的處理時(shí)間，可根據(jù)為了在后續(xù)的鍍敷 處理中得到指定的鍍敷厚度而對(duì)線速度進(jìn)行調(diào)整的結(jié)果，在上述范圍內(nèi)適當(dāng)確定。上述鍍Ni如下進(jìn)行在包含氨基磺酸鎳400g/l、氯化鎳30g/l、硼酸30g/l的鍍敷 液中，于液溫^°C、電流密度為1 ΙΟΑ/dm2的條件下，調(diào)整電流密度、鍍槽長(zhǎng)度及線速度， 使得獲得指定的鍍敷厚度。上述Ni-IO % Zn合金鍍敷如下進(jìn)行在包含硫酸鎳5g/l、焦磷酸鋅lg/Ι、焦磷酸 鉀100g/l的鍍敷液中，于液溫40°C、電流密度0. 5 5A/dm2的條件下，調(diào)整電流密度、鍍槽 長(zhǎng)度及線速度，使得獲得指定的鍍敷厚度。上述Ni-30% Zn合金鍍敷如下進(jìn)行在包含氯化鎳75g/l、氯化鋅30g/l、氯化銨 30g/l、硫氰化鈉15g/l的鍍敷液中，于液溫25°C、電流密度0. 05 0. 5A/dm2的條件下，調(diào) 整電流密度、鍍槽長(zhǎng)度及線速度，使得獲得指定的鍍敷厚度。使清漆(流動(dòng)狀涂布物)由涂裝裝置的矩形噴出口垂直噴出至移動(dòng)的金屬基體 材料表面，然后以300°C加熱30秒鐘，形成上述絕緣被膜層。上述清漆使用的是以N-甲 基-2-吡咯烷酮為溶劑的聚酰胺酰亞胺(PAI)溶液(東特涂料株式會(huì)社制造)，并且使形成 的樹(shù)脂被膜厚度為8 10 μ m的范圍。(評(píng)價(jià))對(duì)所獲得的電氣電子部件用復(fù)合材料進(jìn)行沖壓加工性的評(píng)價(jià)。上述沖壓加工性的評(píng)價(jià)如下進(jìn)行使用余隙5 μ m的模具，將試料沖切成5mmX 2mm 的矩形后，浸漬在溶有紅墨水的水溶液中，將沖壓后的材料端部的被膜剝離寬度小于5μπι 的情況評(píng)價(jià)為“優(yōu)(◎)”；將被膜剝離寬度為5μπ 以上且小于10 μ m的情況評(píng)價(jià)為“良 (〇)”；將被膜剝離寬度為10 μ m以上的情況評(píng)價(jià)為“差(X) ”。另外，使用DAIPLA WINTES株式會(huì)社制造的SAICAS DN-20S對(duì)各材料進(jìn)行絕緣被 膜的密合強(qiáng)度的測(cè)定。并在如下的測(cè)定條件下進(jìn)行使用寬度1mm、前角20°、后角10°的 金剛石切割刀片，以恒定速度模式，在水平速度2. 0 μ m/s、垂直速度0. 1 μ m/s下進(jìn)行。其結(jié) 果示于表1。表 1基體材料磷青銅
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權(quán)利要求
1.一種電氣電子部件用復(fù)合材料，該復(fù)合材料作為沖壓加工而形成的電氣電子部件的 材料使用，且在金屬基體材料上的至少一部分實(shí)質(zhì)上設(shè)置有1層絕緣被膜，其中，在上述金 屬基體材料與上述絕緣被膜之間存在有由Ni或Ni-ai合金形成的金屬層，并使得上述沖壓 加工之后的材料端部的上述絕緣被膜的剝離寬度小于10 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，上述由M或Ni-Si合金形 成的金屬層的厚度為0. 001 μ m以上且小于0. 1 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，上述絕緣被膜由聚酰胺 酰亞胺構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，上述金屬基體 材料由銅系金屬材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的電氣電子部件用復(fù)合材料，其中，上述金屬基體 材料的厚度為0. 06 0. 4_。
6.一種電氣電子部件，其是如下形成的在權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的電氣電子 部件用復(fù)合材料進(jìn)行沖壓加工之后，在上述金屬基體材料的至少一部分上殘留有上述絕緣 被膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電氣電子部件，該電氣電子部件是在沖壓加工后，對(duì)未設(shè)置 前述絕緣被膜的部位進(jìn)行濕式鍍敷處理而形成的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電氣電子部件用復(fù)合材料，該復(fù)合材料作為沖壓加工而形成的電氣電子部件的材料使用，且在例如銅系金屬材料的金屬基體材料上的至少一部分實(shí)質(zhì)上設(shè)置有1層絕緣被膜，其中，在上述金屬基體材料與上述絕緣被膜之間存在有由Ni或Ni-Zn合金形成的金屬層，并使得上述沖壓加工之后的材料端部的上述絕緣被膜的剝離寬度小于10μm。
文檔編號(hào)C23C26/00GK102076889SQ20098012442
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2009年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月24日
發(fā)明者座間悟, 橘昭賴, 菅原親人 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社