專(zhuān)利名稱(chēng)：氣體輸送裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氣體輸送裝置和用于低壓原子層沉積中的處理室以及用于執(zhí)行低壓原子層沉積的方法。
背景技術(shù)：
原子層沉積(ALD)的過(guò)程是公知的。其主要包括沉積化學(xué)層以使得第一單層被化學(xué)吸收到基底的表面中，接著使用純凈氣體吹掉多余的材料，所述純凈氣體也可以用于凈化所述處理室以使得可以鋪設(shè)可能具有相同或不同的化學(xué)性質(zhì)的另一單層。ALD可以在大氣或低壓條件下進(jìn)行。在大氣壓下，由于需要克服環(huán)境壓強(qiáng)，因此必須供給大量的氣體，而且所得到的氣體流速(flow rate)表明基底趨向于與氣體逐漸蔓延所在位置上方的線或錐相遇。相反，在低壓條件下，可以以較低的流速供給較少量的氣體， 允許氣體擴(kuò)散而直至基底的整個(gè)表面可以被同時(shí)處理。相應(yīng)地，出于經(jīng)濟(jì)性和均勻性的原因，低壓ALD具有很大優(yōu)勢(shì)，但是非常不同的流動(dòng)特性意味著對(duì)于大氣ALD所設(shè)計(jì)的方法和技術(shù)不能被自動(dòng)地用在低壓ALD配置中。為了滿足期限要求，大多數(shù)ALD，不論大氣ALD還是低壓ALD，在單一的晶片上進(jìn)行。對(duì)于大多數(shù)沉積過(guò)程，假定能夠保持均勻性，如果可以實(shí)現(xiàn)批量處理，則會(huì)獲得巨大的經(jīng)濟(jì)性優(yōu)勢(shì)。已經(jīng)提出了可以實(shí)現(xiàn)批量ALD的多種方案。US6821563并非不典型的例子，而另一種方案可以在US7104476中找到。這些方案中的每一個(gè)都假定晶片將沿著循環(huán)路徑在不同的處理扇區(qū)上尋跡。在這種布置中，晶片的處理完全由進(jìn)行得最慢的過(guò)程來(lái)體現(xiàn)，且在使用中幾乎沒(méi)有柔性可言。另外，噴射器扇區(qū)是離散的，且在實(shí)際中僅有小部分扇區(qū)被使用或者存在明顯的均勻性問(wèn)題。在文獻(xiàn)2005/0084610中提出了并非不相似的布置，而 US2007/0073556給出了線性方案。另一種嘗試在US專(zhuān)利6902620中提出。其在單一室中使用多個(gè)噴頭，并通過(guò)使中間噴頭供給惰性氣體來(lái)試圖將主動(dòng)的處理區(qū)域分離，其中，在所述處理氣體之間可以發(fā)生反應(yīng)。并不清楚所提出的該方案在實(shí)際中是否可用，因?yàn)槭褂眠@種技術(shù)在室中提供完全的全直徑氬氣“幕障”是極端困難的。再看1989年，例如美國(guó)專(zhuān)利US4834020，用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的線性噴射器已經(jīng)為人所知，其中氣體可以被輸送至處理區(qū)域并然后為在處理區(qū)域的任一側(cè)上排出。惰性氣體或凈化氣體可以被供給到所述處理區(qū)域的任一側(cè)上。最復(fù)雜的方案可能是美國(guó)專(zhuān)利 US6200389中所公開(kāi)的方案。注意到，“密封”僅僅被描述在被處理的基底的線性行進(jìn)方向上。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于在基底位置上進(jìn)行低壓原子層沉積的氣體輸送裝置，包括第一總體細(xì)長(zhǎng)的噴射器，用于將處理氣體供給至處理部位(process
4zone)；位于所述處理部位周?chē)牡谝慌艢獠课?；和位于所述第一排放氣體周?chē)牧硪粐娚淦?，用于在所述處理部位周?chē)某隹谔幑┙o凈化氣體或惰性氣體，所述處理部位具有面對(duì)所述出口周?chē)奈恢玫谋?，以限定至少部分氣體密封。出于該詳細(xì)說(shuō)明的目的，部分氣體密封是泄漏在IOOOOppm以下的氣體密封。所述噴射器優(yōu)選具有一條或更多條端口線，且所述處理區(qū)域可以位于高度在15mm 和25mm之間的位置處，以便允許處理氣體的擴(kuò)散，由此，襯底可以有效地與均勻的處理氣體的云或霧遭遇。可以設(shè)置有由內(nèi)凈化氣體噴射器和外凈化氣體噴射器所限定的等離子體區(qū)域，且這可能位于所述部分氣體密封內(nèi)。所述裝置還可以包括在所述另一噴射器周?chē)牧硪粴怏w排放區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明可以包括一種可定位于處理室中并具有圍繞處理室的全周長(zhǎng)的氣體密封的氣體輸送裝置。所述裝置還可以包括在所述另一噴射器周?chē)牧硪粴怏w排放區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于在基底上形成層的低壓原子層沉積設(shè)備，包括處理室，所述處理室具有至少一個(gè)氣體噴射器和至少一個(gè)上述氣體輸送裝置；以及可旋轉(zhuǎn)支撐件，所述可旋轉(zhuǎn)支撐件用于將基底圍繞所述室和穿過(guò)所述氣體輸送裝置的處理區(qū)域移動(dòng)。所述設(shè)備還可以包括控制器，所述控制器用于控制所述氣體輸送裝置工作或不工作，由此基底可以根據(jù)基底上進(jìn)行的處理而通過(guò)氣體輸送裝置和處理室在處理室中單獨(dú)地或連續(xù)地進(jìn)行處理，反之亦然。部分氣體密封可以至少部分地由在約1. 5mm和約3mm之間寬的通道構(gòu)成。所述通道在使用中可以通過(guò)在基底(例如半導(dǎo)體晶片)表面和面對(duì)所述位置的壁的表面之間的距離來(lái)限定。方便地，壁可以在所述出口的任一側(cè)上對(duì)稱(chēng)地延伸，或可以僅在所述出口的一側(cè) (優(yōu)選在離處理區(qū)域最遠(yuǎn)的出口一側(cè))上延伸。所述部分氣體密封可以至少部分地由長(zhǎng)度在約30mm和約IOOmm之間的例如上述通道，尤其是長(zhǎng)度在約60mm和約IOOmm之間、寬度在約1. 5mm和約3mm之間的通道構(gòu)成。這些尺寸可以依賴于用作處理氣體或凈化氣體的一種或多種氣體分子的大小而有些許改變。 其也可以是可依賴于氣壓和所述部位和所述室之間的壓降而縮放的。優(yōu)選地，處理區(qū)域中的壓強(qiáng)不比室中的1托壓強(qiáng)高過(guò)大約+/-0. 25托(士30帕斯卡)。(1托 133. 3帕斯卡)在所述另一噴射器處的氣體速度可以是至少約50m/s。該速度或流率應(yīng)當(dāng)不超過(guò)氣體輸送系統(tǒng)的排氣能力。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種在處理室中進(jìn)行低壓原子層沉積的方法，所述處理室包括氣體輸送裝置，所述氣體輸送裝置具有全周長(zhǎng)密封以從所述處理室限定獨(dú)立的處理區(qū)域；和可旋轉(zhuǎn)支撐件，用于將基底圍繞所述處理室和穿過(guò)其中的處理區(qū)域移動(dòng)， 在所述方法中，所述基底在所述方法的至少一部分過(guò)程中在所述室和所述處理區(qū)域中都被處理。例如，所述氣體輸送裝置可以在所述支撐件的一個(gè)或更多個(gè)旋轉(zhuǎn)過(guò)程中被切斷。 這能夠使得襯底，例如半導(dǎo)體晶片，被暴露給處理室中的處理氣體所需的時(shí)間段且在處理
5區(qū)域中進(jìn)行后續(xù)處理。在處理時(shí)間明顯不等時(shí)，這對(duì)于批量處理晶片是尤其有用的方式。 因此，處理氣體可以被供給至處理室或凈化氣體，用于去除過(guò)多的沉積，可以被供給至所述室，在這種情況下，所述氣體輸送裝置可以進(jìn)行另一過(guò)程或多個(gè)過(guò)程。由于設(shè)置有圍繞所述氣體輸送裝置的全密封，在所述過(guò)程之間的交叉污染應(yīng)當(dāng)不會(huì)出現(xiàn)。雖然本發(fā)明已經(jīng)進(jìn)行了如上描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，其可以覆蓋如上所述的或在下文中所描述的特征的任何組合。


本發(fā)明可以以多種方式實(shí)現(xiàn)，具體的實(shí)施例將在下文中借助于示例參照附圖進(jìn)行描述，其中圖1是本發(fā)明的特別簡(jiǎn)單的實(shí)施例的平面圖；圖2是較復(fù)雜的批量處理器的對(duì)應(yīng)的平面圖；圖3是批量處理器的另一實(shí)施例的更細(xì)節(jié)的示意圖；圖4是沿圖5中的線IV-IV得到的穿過(guò)氣體輸送裝置的示意性剖視圖；圖5是平面圖；圖6至10是一系列圖表，示出在圖4所示出的氣體輸送裝置的截面上建模的模擬結(jié)果，顯示了改變對(duì)于密封效果的多種參數(shù)的結(jié)果。在每種情況下，從左邊軸線延伸并下降的線表示TiCl4在從處理區(qū)域的中心離開(kāi)的位置處的密度，而另一條從右向左下降的線表示NH3的密度；圖11和12對(duì)應(yīng)于氣體輸送裝置的替代實(shí)施例的圖3和4 ；和圖13是氣體輸送裝置的示意圖，示出等離子體處理階段的組合。
具體實(shí)施例方式圖1示出適合于應(yīng)用至低壓ALD中的設(shè)備10。所述設(shè)備10具有處理室11，所述處理室11可以通過(guò)以12表示的標(biāo)準(zhǔn)裝載鎖布置而被供給，由此，晶片可以被自動(dòng)地饋送到室11中和從所述室11中移除。噴射器13延伸到室11中。室11通過(guò)泵端口 14被抽真空。 典型的壓強(qiáng)在0. 5-10托的范圍內(nèi)。在下文將更詳細(xì)地描述，噴射器13的噴射器裝置15具有用于供給處理氣體的中央元件，該元件與主處理室11進(jìn)行有效的360°密封，這意味著，氣體既不能從處理室進(jìn)入到所述氣體輸送裝置15的中央處理區(qū)域，也不能處理從裝置15逃逸到處理室11中的氣體。如箭頭A示意性地示出的，所述處理室包含本領(lǐng)域所公知的類(lèi)型的可旋轉(zhuǎn)支撐件，基底 16 (例如半導(dǎo)體晶片)可以被置于所述可旋轉(zhuǎn)支撐件上，并被圍繞所述室旋轉(zhuǎn)以在所述氣體輸送裝置15下面通過(guò)?？刂破?7被設(shè)置用于將氣體輸送裝置15設(shè)置成工作的或不工作的，且所述控制器還可以在其它方面控制所述設(shè)備10，例如所述支撐件的旋轉(zhuǎn)速率和裝載鎖(load lock) 12的操作。所述處理室11可以設(shè)置有一個(gè)或更多個(gè)處理氣體入口，其中的一個(gè)入口由附圖標(biāo)記18表示。在使用中，晶片可以被批量地引入到所述支撐件上，并被圍繞所述室11旋轉(zhuǎn)。依賴于所期望的化學(xué)性質(zhì)，所述室11可以至少在所述處理的一些階段時(shí)包含凈化氣體，且所述氣體輸送裝置15可以或不可以在所述處理的不同階段處工作。通過(guò)示例，TiN可以通過(guò)以NH3處理基底16的表面并然后將其隨后暴露給TiCl4。 通常暴露給NH3的時(shí)間超出一秒，而暴露給TiCl4的時(shí)間需要小于0. 1秒。這可以通過(guò)以下步驟在所述室11中非常方便地實(shí)現(xiàn)最初關(guān)斷所述氣體輸送裝置；將NH3供給至處理室 11經(jīng)歷所需的時(shí)間段；以及然后將所述氣體輸送裝置15接通以供給TiCl4。例如通過(guò)改變 TiCl4的濃度經(jīng)常能夠平衡一次旋轉(zhuǎn)內(nèi)的計(jì)時(shí)。在這種情況下，NH3可以被始終提供。晶片可以在所有階段過(guò)程中被旋轉(zhuǎn)以確保在所述過(guò)程的第一部分期間其不會(huì)位于所述氣體輸送裝置15下方，或者所述支撐件可以以對(duì)應(yīng)于所述氣體輸送裝置15的間隙停止。這種大的暴露的不一致對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的設(shè)備是很難接納的。然而，同樣應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的設(shè)備也可以同樣接納氣體沉積時(shí)間段相似的處理。也可以與處理室11 一起使用的所述設(shè)備可以填充有凈化氣體，以在襯底16從所述氣體輸送裝置15發(fā)出時(shí)去除多余的材料。在圖2中，示出相同類(lèi)型的布置，但是示出了具有多于一個(gè)氣體輸送裝置的可能。圖3示出已經(jīng)進(jìn)行了有針對(duì)性的特殊設(shè)計(jì)(而不是像使用標(biāo)準(zhǔn)室和裝載鎖的圖1 和圖2的實(shí)施例那樣)的實(shí)施例的設(shè)備10。尤其示出了攜帶有五個(gè)晶片16的可旋轉(zhuǎn)的壓板20。機(jī)械手臂19將晶片16轉(zhuǎn)移至壓板20和從壓板20轉(zhuǎn)移至裝載鎖12。圖4和圖5更進(jìn)一步地示出了所述氣體輸送裝置15的屬性。在此，可以看到，設(shè)置有用于能夠噴射例如TiCL4的中央噴射器21。所述中央噴射器21限定處理區(qū)域或部位 22，并由排氣導(dǎo)管23包圍。其依次由包含矩形氬氣入口 25的厚壁24所包圍。在使用中，晶片在由入口 26產(chǎn)生的氬氣幕障下方的壁25的一部分下面從左至右從室11通過(guò)，其中經(jīng)過(guò)排氣室23穿過(guò)處理區(qū)域22且然后繼續(xù)向外移動(dòng)知道它們?cè)俅蔚竭_(dá)室11。應(yīng)當(dāng)理解，大多數(shù)TiCl4由周?chē)呐艢馐?3排出。擴(kuò)散超過(guò)排氣室23的任何氣體然后必須沿著通道27通過(guò)，在這種情況下，其不會(huì)被入口 26產(chǎn)生的氬氣幕障所捕獲也不會(huì)被朝向排氣室23推動(dòng)。通過(guò)使所述通道的寬度盡可能小而不給晶片造成損壞的風(fēng)險(xiǎn)或形成多余的阻力，會(huì)明顯地降低任何分子沿著所述通道逃逸的可能性。所述通道的長(zhǎng)度也是與之相關(guān)的因素。另一個(gè)因素是通過(guò)出口 26的氬氣的流率。就NH3而言，通道尺寸可以采用相同準(zhǔn)則，且空氣幕障降低從所述室擴(kuò)散直至處理區(qū)域22的可能性。即使分子到達(dá)所述通道27的左端，它們也將能夠由排氣室23排放。圖6至10示出在1托的處理壓強(qiáng)和300°C的壓板(platen) 20溫度條件下(在此情況下百萬(wàn)分之幾或者從處理區(qū)域22離開(kāi)或從室11進(jìn)入)工作的室11如何隨著在上述參數(shù)的變化而變化?？梢钥吹剑?5的半寬(也稱(chēng)為半密封)可以如所述間隙那樣產(chǎn)生特別明顯的差別，所述間隙為通道27的寬度。所述半寬越大，可接受的間隙也越大。在特定的情況下，所述通道可以僅需要在所述氬氣入口和所述室11之間延伸。這僅僅在根據(jù)需要進(jìn)入所述處理區(qū)域的氣體流率低且所述通道基本上僅是試圖防止NH3的進(jìn)入這樣的條件下才是尤其需要的。圖11和12示出氣體輸送裝置15的另一個(gè)實(shí)施例。在此，氣體輸送元件21位于由周?chē)木匦味栊詺怏w供給裝置26所限定的排氣室23內(nèi)，所述排氣室23依次位于由周界壁29所限定的另一排氣室28內(nèi)。從圖11可以看出，在使用中，所述氣體輸送裝置15可以剛好位于旋轉(zhuǎn)支撐件20 上方，以使得晶片16可以在壁29的底邊緣的下方通過(guò)以在由箭頭B所示的方向上行進(jìn)，其中它們經(jīng)過(guò)排氣室28，在入口氣體供給裝置26下方經(jīng)過(guò)，經(jīng)過(guò)排氣室23在供給裝置21下方進(jìn)入處理區(qū)域22。所述處理區(qū)域22可以足夠大以能夠在單個(gè)時(shí)刻容納整個(gè)晶片16，或可以比所述晶片的直徑窄，盡管其將縱向延伸至少所述晶片的直徑。然后，所述晶片通過(guò)所述裝置15，仍舊繼續(xù)沿同一方向行進(jìn)。如在圖11中所見(jiàn)，室23和28例如通過(guò)連接至泵19而被抽真空。氬氣被供給至惰性氣體入口 26，在這種情況下，其在所述排氣室23周?chē)⒁虼嗽谒鎏幚韰^(qū)域周?chē)纬捎行У亩栊詺怏w屏，且還可以用作凈化氣體。在壁29下面泄漏(見(jiàn)箭頭C)的任何氣體通過(guò)室28被抽真空和/或被氬氣幕障(curtain)阻擋。類(lèi)似地，被供給至21的諸如TiCl4等處理氣體通過(guò)處理區(qū)域22，并通過(guò)室23被排出。氬氣幕障防止氣體側(cè)向逸出。因此，圖5、圖11和12的設(shè)計(jì)提供圍繞處理氣體21的360°密封，并因此將所述處理區(qū)域22與處理室11的其它部分隔離開(kāi)。如上所述，該特征特別地增強(qiáng)所述設(shè)備10的柔性用途。以這種方式隔離的能力也可以通過(guò)設(shè)置更復(fù)雜的氣體輸送裝置15來(lái)利用，例如圖13所示。在此，由30表示的等離子體處理區(qū)域由第一凈化供給裝置31所圍繞，并被第二凈化供給裝置32將之與處理區(qū)域22分開(kāi)。這樣，所述基底的表面可以根據(jù)需要或者在等離子體處理之前或等離子體處理之后進(jìn)行處理。主動(dòng)區(qū)域30可以替代地提供UV或熱絲激勵(lì)。類(lèi)似地，這種源可以被設(shè)置在室11中以激發(fā)處理氣體。應(yīng)當(dāng)理解，參照?qǐng)D5、11_13所闡釋和描述的氣體輸送裝置15可以用于不同幾何形狀的頭中，且可以與更復(fù)雜的處理區(qū)域序列一起使用。
8
權(quán)利要求
1.一種用于在基底位置上進(jìn)行低壓原子層沉積的氣體輸送裝置，包括第一總體細(xì)長(zhǎng)的噴射器，用于將處理氣體供給至處理部位；位于所述處理部位周?chē)牡谝慌艢獠课唬缓臀挥谒龅谝慌欧艢怏w周?chē)牧硪粐娚淦?，用于在所述處理部位周?chē)某隹谔幑┙o凈化氣體或惰性氣體，所述處理部位具有面對(duì)所述出口周?chē)奈恢玫谋?，以限定至少部分氣體密封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體輸送裝置，其中設(shè)置有由內(nèi)凈化氣體噴射器和外凈化氣體噴射器在所述另一排氣區(qū)域內(nèi)所限定的主動(dòng)區(qū)域(等離子體/UV或熱絲激勵(lì))。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體輸送裝置，其中所述處理區(qū)域典型地位于高度在 IOmm和40mm之間的位置處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的氣體輸送裝置，還包括位于所述另一噴射器周?chē)牧硪粴怏w排放區(qū)域。
5.一種氣體輸送裝置，所述氣體輸送裝置可定位于處理室中并具有圍繞處理室的全周長(zhǎng)的氣體密封以限定氣體處理區(qū)域。
6.一種用于在基底上形成層的低壓原子層沉積設(shè)備，包括處理室，所述處理室具有至少一個(gè)氣體噴射器和至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的氣體輸送裝置以及可旋轉(zhuǎn)支撐件，所述可旋轉(zhuǎn)支撐件用于將基底圍繞所述室和穿過(guò)所述氣體輸送裝置的處理區(qū)域移動(dòng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低壓原子層沉積設(shè)備，還包括控制器，所述控制器用于控制所述氣體輸送裝置工作或不工作，由此基底能夠根據(jù)基底上進(jìn)行的處理而通過(guò)氣體輸送裝置和處理室在處理室中單獨(dú)地或連續(xù)地進(jìn)行處理，反之亦然。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的低壓原子層沉積設(shè)備，其中所述部分氣體密封至少部分地由寬度在約1. 5mm和約3mm之間的通道構(gòu)成，以使反應(yīng)部位之間的污染物小于 lOOOOppm。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的低壓原子層沉積設(shè)備，其中所述部分氣體密封至少部分地由長(zhǎng)度在約30mm和約IOOmm之間的通道構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低壓原子層沉積設(shè)備，其中所述通道長(zhǎng)度在約60mm和約 IOOmm之間、寬度在約1. 5mm和3mm之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的低壓原子層沉積設(shè)備，其中所述部分氣體密封使得反應(yīng)部位之間的污染物小于lOOOOppm。
12.根據(jù)權(quán)利要求5至10中任一項(xiàng)所述的低壓原子層沉積設(shè)備，其中所述處理區(qū)域中的壓強(qiáng)不超過(guò)所述室中的壓強(qiáng)的大約士50%。
13.根據(jù)權(quán)利要求5至11中任一項(xiàng)所述的低壓原子層沉積設(shè)備，其中在所述另一噴射器處的氣體速度是至少約50m/s。
14.一種在處理室中進(jìn)行原子層沉積的方法，所述處理室包括氣體輸送裝置，所述氣體輸送裝置具有全周長(zhǎng)密封以從所述處理室限定獨(dú)立的處理區(qū)域；和可旋轉(zhuǎn)支撐件，用于將基底圍繞所述處理室和穿過(guò)所述處理區(qū)域移動(dòng)，其中，所述基底在所述方法的至少一部分過(guò)程中在所述室和所述處理區(qū)域中都被處理。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述氣體輸送裝置在所述支撐件的一次或更多次旋轉(zhuǎn)期間被關(guān)斷。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中處理氣體被供給至所述處理室。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中由等離子體/UV或熱絲激勵(lì)所激發(fā)的處理氣體被供給至所述處理室。
18.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述室包括等離子體、UV或熱絲激勵(lì)源。
19.根據(jù)權(quán)利要求14至17中任一項(xiàng)所述的方法，其中凈化氣體被供給至所述處理室。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于在基底位置處的低壓原子層沉積的氣體輸送裝置。所述裝置包括第一總體細(xì)長(zhǎng)的噴射器(21)，用于將處理氣體供給至處理部位(22)；位于所述處理部位(22)周?chē)牡谝慌艢獠课?23)；和位于所述第一排放氣體周?chē)牧硪粐娚淦?25)，用于將凈化氣體或惰性氣體在所述處理部位(22，24)周?chē)某隹?26)處供給，所述處理部位面對(duì)所述出口周?chē)奈恢?，以限定至少部分氣體密封。
文檔編號(hào)C23C16/44GK102203316SQ200980127912
公開(kāi)日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2009年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月17日
發(fā)明者約翰·邁克爾, 羅伯特·杰弗里·貝利 申請(qǐng)人:Spp處理技術(shù)系統(tǒng)英國(guó)有限公司