專利名稱：Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于將形成于Cu系材料上的Sn鍍層的Sn層和/或CuSn層剝離、并 將Cu系材料再循環(huán)的Sn鍍層的剝離方法。
背景技術(shù)：
含有純銅、黃銅、磷青銅、以及以單質(zhì)或多個、幾百質(zhì)量ppm 30質(zhì)量％的范圍含 有！^、Ni、Si、Sn、P、Mg、Zr、Cr、Ti、Al、Ag等元素的銅基合金的Cu系材料，其從鑄錠經(jīng)過壓 延、退火等工序，被終加工成板厚0. 1 4. Omm的條材或線材后，被廣泛用于車載用、民生機(jī) 器用或產(chǎn)業(yè)機(jī)器用的端子或母線、彈簧等通電部。這樣的Cu系材料通常為了確保通電時的 接觸可靠性和耐腐蝕性，在鍍敷金屬中鍍敷0. 5 5. 0 μ m厚的比較廉價的Sn而使用。另 外，由于Sn鍍層的回流處理、隨時間變化，在Cu系材料與Sn鍍層之間、或者Cu系鍍層與Sn 鍍層之間實(shí)施Cu基底鍍敷時，在Cu基底鍍層與Sn鍍層之間形成主要由Cu6Sn5、Cu3Sn等金 屬間化合物等形成的CuSn擴(kuò)散層，其厚度為0. 2 2. 0 μ m左右。另外，在Sn鍍層的最外 表面?zhèn)?，未被CuSn擴(kuò)散層的形成所消耗而殘留的Sn的層被稱為Sn層。在實(shí)施了鍍Sn的板材等的Cu系材料成為通電部的產(chǎn)品之前，通常在鍍Sn后進(jìn)行 切縫加工或沖壓加工等，此時會產(chǎn)生廢料。將該廢料作為原料直接熔解時，因所鍍敷而成的 Sn的成分使Sn成分變多，不能再用作原本的基材即Cu系材料的原料。因此，為了再利用原 本的基材，考慮到將被鍍敷而成的Sn剝離、除去。以往，作為將Cu系材料的Sn鍍層剝離的方法，提出了如下方法在氫氧化鈉中的 電解、以及如日本特開昭58-87275號公報(bào)中公開那樣地在含有Cu離子的硫酸或硝酸中浸
漬等方法。另外，在日本特開2000-2^214號公報(bào)中公開了如下方法在高純度錫酸堿化合 物的制造方法中，作為Sn的熔解方法，邊將作為反應(yīng)促進(jìn)劑的過氧化氫水溶液滴加到堿金 屬氫氧化物水溶液中，邊熔解的方法。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在氫氧化鈉水溶液中進(jìn)行電解時，如切縫加工和沖壓加工后產(chǎn)生的廢料等 那樣細(xì)碎且重疊在一起的帶Sn鍍層的Cu系材料，使其所有表面電流密度均勻是非常困難 的。為此，電流集中部分熔解而波及到基材，成為Cu系污泥的產(chǎn)生原因，產(chǎn)生再原料化時的 浪費(fèi)。另一方面，存在如下問題電流集中的部分剝離結(jié)束時結(jié)束電解的話，電流密度低的 部分產(chǎn)生Sn的殘留，有在進(jìn)行再原料化時產(chǎn)生成分不良這樣的問題。在前述日本特開昭58-87275號公報(bào)中公開的向含有Cu離子的硫酸中浸漬存在如 下優(yōu)點(diǎn)通過取代反應(yīng)剝離Sn鍍層，因而在Sn的剝離后不侵蝕Cu系材料基材。然而，存在 如下情況在例如由于沖壓加工而附著有油的廢料中，在脫掉沖壓的模具時，由于沖壓的壓 力和油，廢料之間極其牢固地密合。這樣的情形中，若不進(jìn)行脫脂，則取代反應(yīng)被抑制，Sn殘 留并成為成分不良，因此，作為前處理的脫脂工序成為不可或缺，不能避免由于工序數(shù)量的增加和化學(xué)品成本的增加所導(dǎo)致的成本上升以及生產(chǎn)率的降低。另外，在硫酸系的水溶液中進(jìn)行剝離時，剝離后，在表面附著有硫酸的S (硫)成 分。存在直接熔解、鑄造而進(jìn)行再原料化時，S在Cu系基材的晶界中產(chǎn)生偏析，且伴隨有鑄 造和其后的熱壓延時的裂紋等很多不良影響。為此，必須進(jìn)行充分的剝離后的水洗。進(jìn)而， 在Cu取代反應(yīng)中，水溶液中的Sn離子濃度變高時取代反應(yīng)鈍化，因而，需要用于從水溶液 中除去Sn離子的操作，成本上升不能避免。在前述日本特開2000-2^214號公報(bào)中公開的Sn熔解方法的目的是采用Sn制成 高純度錫酸堿，因而其僅著眼于Sn單質(zhì)的熔解，而對于比Sn熔解更困難的CuSn層卻未能 考慮。即，在前述日本特開2000-2^214號公報(bào)中公開的過氧化氫水溶液的滴加方法中，即 使Sn單質(zhì)能夠熔解，甚至CuSn層也完全剝離是極其困難的，這可通過本發(fā)明人等的研究而 辨明。進(jìn)而，完全沒有記載包含CuSn層的實(shí)施了鍍Sn的Cu系材料的基材的再原料化。另 外，根據(jù)日本特開2000-2^214號公報(bào)中的實(shí)施例，相對于原來的堿水溶液的量，過氧化氫 水溶液的量非常多，滴加結(jié)束后，堿濃度變得稀薄，因而，不采用濃縮等處理而以原樣的溶 液連續(xù)地進(jìn)行Sn熔解是困難的。本發(fā)明的目的在于提供Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，其即使附著有加工油等， 也容易剝離含有Sn層和/或CuSn層的帶Sn鍍層的Cu系材料的Sn層和/或CuSn層等， 能夠再次將Cu系材料進(jìn)行原料化。為了解決上述問題，本發(fā)明是一種Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，該方法用于將 形成有包含Sn層和/或CuSn層的Sn鍍層的Cu系材料再循環(huán)，將所述Cu系材料浸漬于 3. 0 37. 5質(zhì)量％的濃度的堿金屬氫氧化物水溶液中，在所述堿金屬氫氧化物水溶液的水 中，添加3. 0 50. 0質(zhì)量％的濃度的H2A水溶液，浸漬所述Cu系材料時的所述堿金屬氫氧 化物水溶液的溫度為60 105°C，所述堿金屬氫氧化物水溶液的堿金屬氫氧化物的摩爾數(shù) A與所述H2A水溶液的H2A的摩爾數(shù)B之比A/B為10以上，將所述Sn層中的Sn的摩爾數(shù) 設(shè)為C、所述CuSn層中的Sn的摩爾數(shù)設(shè)為D時，B彡CX2+DX6。根據(jù)本發(fā)明，能夠容易地將Cu系材料的Sn鍍層的Sn層和CuSn擴(kuò)散層剝離并進(jìn) 行再原料化，其中所述Cu系材料具有附著有加工油等的油的CuSn擴(kuò)散層。


圖1是表示用于實(shí)施本發(fā)明的裝置的一例的立體簡圖。圖2是說明圖1中H2A水溶液的添加方法的圖。
具體實(shí)施例方式以下，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。本發(fā)明如下所述將形成有Sn鍍層的Cu系材料浸漬于熔解有NaOH或KOH的堿金 屬氫氧化物水溶液中，將H2A水溶液添加到堿金屬氫氧化物水溶液的水中(溶液中)，從而 剝離Sn鍍層，其中所述Sn鍍層包含由Cu6Sn5、Cu3Sn等金屬間化合物等形成的CuSn層。Sn鍍層是指，包含Sn層和/或CuSn層的鍍層。作為典型的Sn鍍層，有在Cu系材 料的表面實(shí)施了鍍Sn的鍍層、或者在Cu系材料的表面實(shí)施了鍍Cu作為基底涂層后實(shí)施了 鍍Sn的鍍層。進(jìn)而，還有在該鍍Sn后，實(shí)施回流處理等的熱處理并形成有CuSn層(CuSn擴(kuò)散層)的由Sn層和CuSn層形成的鍍層。另外，由于回流處理等熱處理的熱處理?xiàng)l件，有 時Sn層減少，且Sn鍍層變?yōu)閮H有CuSn層。CuSn層是指，Cu和Sn的金屬間化合物和/或 Cu或Sn固溶于母相中而成的層等。本發(fā)明中的Sn層是指，未經(jīng)過如上所述的熱處理的Sn 鍍層，和鍍Sn后進(jìn)行回流等熱處理后未形成CuSn層的殘留Sn層等。Sn層的Sn的含有率 大體為90%以上。另外，Sn鍍層除此之外，還可以通過將Cu系材料浸漬于熔融的Sn中而 形成Sn層和CuSn層(CuSn擴(kuò)散層)的、所謂的鍍?nèi)廴赟n(熱浸，Hot Dip)而形成。圖1和圖2表示實(shí)施本發(fā)明的Sn鍍層的剝離方法的裝置的概要。如圖1所示，在 容納有堿金屬氫氧化物10的例如長方體狀的槽1中，安裝有圓筒形的筒2。筒2例如由不 銹鋼金屬網(wǎng)形成，通過支撐部件7安裝到槽1上部的筒固定部3。筒2借助筒馬達(dá)4的驅(qū)動 從而通過未圖示的帶等傳達(dá)旋轉(zhuǎn)力，沿筒2的中心軸線周圍(例如R方向)旋轉(zhuǎn)。形成有Sn鍍層的切割加工和沖壓加工后的廢料等Cu系材料的被處理物5，如圖1 和圖2所示被容納在筒2的下方，筒2與被處理物5 —起被浸漬在堿金屬氫氧化物水溶液 10中。將H2O2水溶液添加到該堿金屬氫氧化物水溶液10中。如以往那樣，從堿金屬氫氧化 物水溶液10的外側(cè)如上方滴加H2A水溶液時，Sn鍍層的剝離速度變慢，特別是在Sn鍍層 中具有CuSn層時，即使花時間也難以除去CuSn層。本發(fā)明人等反復(fù)進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果發(fā)現(xiàn) 通過在堿金屬氫氧化物水溶液10中添加H2A水溶液，能夠使Sn鍍層的剝離速度充分增加， 進(jìn)而，也能夠以充分的速度除去CuSn層。例如如圖2所示，將H2O2供給管6的前端插入至 槽1的底部附近，從堿金屬氫氧化物水溶液10的底部附近進(jìn)行供給?；蛘?，也可以將H2A 供給管6的前端插入至筒2內(nèi)部的堿金屬氫氧化物水溶液10中的任意部位，供給H2O2水溶 液。然后，旋轉(zhuǎn)筒2，攪拌混合有H2A水溶液的堿金屬氫氧化物水溶液10，從而能夠有效地 剝離被處理物5的Sn層和CuSn層。另外，實(shí)際上如日本特開2000-2^214號公報(bào)中記載那樣，從堿金屬氫氧化物水 溶液10的上方滴加H2A水溶液，結(jié)果，CuSn層的熔解非常慢，實(shí)質(zhì)上不能剝離。作為其理 由，考慮如下在接觸到堿金屬氫氧化物水溶液10的瞬間，H2O2的分解反應(yīng)開始，反應(yīng)中產(chǎn) 生的氧氣容易擴(kuò)散到大氣中，因而，氧氣沒有充分溶入到堿金屬氫氧化物水溶液10中，不 能獲得充分的剝離效果。本發(fā)明中，堿金屬氫氧化物水溶液中堿金屬氫氧化物的濃度為以質(zhì)量％計(jì)3. 0 37. 5%，優(yōu)選3. 5 30. 0%的范圍。這推測是濃度不足3. 0%或超過37. 5%時，Sn鍍層的 剝離效果變差。濃度高時，所添加的H2O2的分解變快，因而剝離效果降低。特別是，為了剝 離CuSn擴(kuò)散層，更優(yōu)選堿金屬氫氧化物的濃度為5. 0 25. 0%的范圍。將堿金屬氫氧化物水溶液的堿金屬氫氧化物的摩爾數(shù)設(shè)為Ajf H》2水溶液的H2A 的摩爾數(shù)設(shè)為B時，使摩爾比A/B為10以上。A/B不足10時，成本變得極其高，而且Sn鍍 層的剝離效果變得不充分。進(jìn)而，將實(shí)施了鍍Sn的Cu系材料的Sn層中的Sn的摩爾數(shù)設(shè) 為C、將CuSn層中的Sn的摩爾數(shù)設(shè)為D時，B彡CX2+DX6。B彡CX2+DX6的H2A的摩爾 數(shù)B為必須的理由是，認(rèn)為與CuSn的金屬間化合物有關(guān)系，在B < CX2+DX6時CuSn層不 充分熔解。另外，堿金屬氫氧化物的摩爾數(shù)A與Sn層中的Sn和CuSn層中的Sn的總和摩 爾數(shù)(C+D)之比A/(C+D)優(yōu)選為50以上，進(jìn)一步優(yōu)選為100以上。堿金屬氫氧化物水溶液的溫度在浸漬Cu系材料時為60 105°C、優(yōu)選為70 100°C的范圍。低于60°C時，Sn鍍層的剝離效果低(剝離速度慢)，超過105°C時，投入H2A時有引起暴沸的可能性，從安全的角度出發(fā)優(yōu)選為100°C以下。堿水溶液中的堿成分吸收大氣中的二氧化碳，一部分取代為Na2CO3等碳酸堿，但 可知碳酸堿增加時，使剝離反應(yīng)降低。為此，預(yù)先使碳酸堿的濃度為20質(zhì)量％以下，優(yōu)選為 15質(zhì)量％以下。為了碳酸堿不超過該濃度，優(yōu)選進(jìn)行堿金屬氫氧化物水溶液的添加。所添加的H2A水溶液中H2A的濃度為以質(zhì)量％計(jì)3. 0 50. 0%，優(yōu)選為3 35%， 連續(xù)添加到堿金屬氫氧化物水溶液中。在濃度低于3. 0%時，用于滿足所必須的H2A的摩 爾數(shù)B的H2O2水溶液的量變多，溶液質(zhì)量(體積)增加率變大，堿金屬氫氧化物水溶液的堿 濃度變得非常稀薄。為此，在連續(xù)地進(jìn)行剝離時，需要提取稀薄的液體而廢棄，并補(bǔ)充堿金 屬氫氧化物，在成本方面不利。超過50%時，容易引起局部的反應(yīng)，消耗必要以上的H2O2，因 此在成本方面不利。更優(yōu)選為5質(zhì)量％ 35質(zhì)量％。另外，H2O2水溶液的添加時間優(yōu)選為 5 60分鐘，全部添加量優(yōu)選為堿金屬氫氧化物水溶液的質(zhì)量的10%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為 5%以下。H2A水溶液的添加時間不足5分鐘而投入必要量時，相比于被Sn的鍍層的剝離 所消耗，更多的是與堿反應(yīng)而分解。另外，H2O2水溶液的添加時間超過60分鐘時，會在導(dǎo)致 生產(chǎn)率降低的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明范圍能夠充分進(jìn)行Sn鍍層的剝離。投入必要量的H2A水溶液后，可以不立即拉起Cu系材料，而保持浸漬于水溶液中。 此時，從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選保持時間為60分鐘以內(nèi)。如上所述，通過使堿和H2A為規(guī)定的摩爾數(shù)而將H2A水溶液添加到堿溶液的水中， 能夠容易地剝離Sn層和CuSn層。而且，幾乎沒有使液體量增加，剝離能力也沒有變差，因 而能夠連續(xù)地剝離Sn鍍層。進(jìn)而，利用浸漬Cu系材料的液體的氧化還原能力以進(jìn)行Sn的 剝離，因而，通過以如圖1所示的筒2、或攪拌翼的旋轉(zhuǎn)等攪拌方式進(jìn)行攪拌，或者設(shè)置循環(huán) 泵等而攪拌液體等，從而以往的電解方法中不能均勻剝離的細(xì)碎且屑狀的表面的Sn成分 也能夠容易且均勻地剝離。另外，通過浸漬于堿溶液中，能夠邊進(jìn)行由于切割加工(例如切 縫加工)和沖壓加工而附著有加工油的Cu系材料的脫脂，邊同時進(jìn)行Sn層和CuSn層的剝
1 O進(jìn)而，添加規(guī)定的H2A水溶液后，停止H2A水溶液的添加，通過將Cu系材料直接浸 漬保持在液體中，熔解CuSn層而產(chǎn)生的Cu離子被還原析出到Cu系材料的表面，因而，防止 了 Cu成分的不必要的露出，能夠有效地再利用。根據(jù)本發(fā)明，使用具有脫脂作用的堿金屬氫氧化物水溶液，因而，即使是為了用作 通電部制品而進(jìn)行切縫加工和沖壓加工而附著有加工油的Cu系材料，也能夠不進(jìn)行作為 前處理的脫脂工序，而如上所述地在脫脂的同時進(jìn)行Sn鍍層的剝離。另外，本發(fā)明的Sn鍍 層的剝離方法中，為了有效進(jìn)行剝離，Sn鍍層的厚度優(yōu)選為5μπι以下，CuSn層的厚度優(yōu)選 為2μπι以下。以上，對于本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限于這些例子。當(dāng)然， 本領(lǐng)域技術(shù)人員的話，可以在權(quán)利要求記載的技術(shù)思想的范圍內(nèi)想到各種變形例或修改 例，這些也理所當(dāng)然屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。例如，圖1和圖2中所示出的裝置是一個例 子，堿金屬氫氧化物水溶液的攪拌方法不限于筒，另外，H2O2的供給裝置也不限于圖2的供給管。實(shí)施例1根據(jù)圖1所示的裝置，進(jìn)行具有Sn鍍層的Cu系材料的Sn鍍層的剝離試驗(yàn)。將S
6η鍍層厚度為0. 5 4 μ m、板厚為0. 25 0. 8mm的Cu系材料適用本發(fā)明的剝離方法，對于 本發(fā)明例1 16的16種進(jìn)行Sn鍍層的剝離試驗(yàn)。堿水溶液只在本發(fā)明例16中為KOH的 水溶液，其他例子中為NaOH的水溶液，使堿金屬氫氧化物為以質(zhì)量％計(jì)3. 0 37. 5%，溫度 為60 100°C的范圍，對于各個例子分別設(shè)定。另外，H2O2水溶液(過氧化氫水溶液)的濃 度為以質(zhì)量計(jì)3 35%的范圍，對于各個例子分別設(shè)定，從堿水溶液的底部附近的水中添 加。進(jìn)而，中止H2A水溶液的添加后，本發(fā)明例6為15分鐘，本發(fā)明例9為10分鐘，將Cu 系材料保持在堿水溶液中，其他例子在中止H2O2水溶液的添加后立即從堿水溶液中取出。對于本發(fā)明例1 16分別由Sn鍍層的Sn層中的Sn的摩爾數(shù)C、CuSn擴(kuò)散層中 的Sn的摩爾數(shù)D求出H2O2水溶液的H2A的摩爾數(shù)B的必要摩爾數(shù)(B彡CX2+DX6)，設(shè)定 H2O2水溶液的H2A的摩爾數(shù)，以使成為其以上的摩爾數(shù)。進(jìn)而，設(shè)定堿溶液的摩爾數(shù)，以使 堿金屬氫氧化物溶液的堿金屬氫氧化物的摩爾數(shù)A與所添加的H2A水溶液的H2A的摩爾數(shù) B之比A/B為10以上。另外，在筒的圓周速度為2. 6 15. 5m/min的范圍分別設(shè)定。在本發(fā)明例中，在Cu系材料上實(shí)施鍍Sn，進(jìn)行回流處理，形成Sn鍍層，對于該Sn 鍍層進(jìn)行剝離試驗(yàn)。這里，將對被回流處理的Sn鍍層以熒光X射線式膜厚計(jì)測定的Sn的 厚度的值看作被實(shí)施到Cu系材料上的Sn鍍層的厚度。熒光X射線式膜厚計(jì)使用Seiko Instruments Inc.制SFT3300。在以熒光X射線式膜厚計(jì)測定Sn鍍層之前，在Cu系材料 上承載熒光X射線式膜厚計(jì)用的Sn的標(biāo)準(zhǔn)厚度的試樣，進(jìn)行機(jī)器的校正(校準(zhǔn))。另外，對 上述Sn鍍層進(jìn)行剝離試驗(yàn)后的試樣的表面，以熒光X射線式膜厚計(jì)同樣地測定Sn的厚度， 將所測定的值作為Sn成分的殘留厚度，評價Sn鍍層的剝離的程度。Sn鍍層的Sn層(純 Sn層)厚度用電解式膜厚計(jì)(中央制作所制TH11)測定。Sn鍍層中所含的全部Sn的摩爾數(shù)由Cu系材料的板厚和質(zhì)量以及上述Sn鍍層的 厚度算出。Sn層中的Sn的摩爾數(shù)同樣由上述Sn層的厚度算出。CuSn層中的Sn的摩爾數(shù) 是從上述Sn鍍層的全部Sn的摩爾數(shù)內(nèi)減去Sn層中的Sn的摩爾數(shù)而得的值，因而從上述 Sn鍍層中的全部Sn的摩爾數(shù)中減去上述Sn層中的Sn的摩爾數(shù)而算出。剝離試驗(yàn)后的Sn 成分的殘留厚度為選取50個剝離試驗(yàn)后的Cu系材料、以上述的熒光X射線式膜厚計(jì)進(jìn)行 測定的結(jié)果(測定值)的平均值。另一方面，作為比較例，進(jìn)行將鍍Sn厚度為1 μ m、板厚為0.2 5mm的同樣的Cu 系材料浸漬在NaOH水溶液中而成的7種剝離試驗(yàn)。比較例分別如下從堿溶液的上方滴加 H2O2水溶液的例子(比較例1)，堿水溶液的濃度過高的例子(比較例2、，A/B不足10的例 子(比較例幻，堿水溶液的溫度不足60°C的例子(比較例4)，H2O2水溶液的濃度不足3質(zhì) 量％、H2A水溶液的添加量超過堿水溶液的10質(zhì)量％的例子(比較例幻，堿水溶液的濃度 不足3質(zhì)量％、A/B不足10的例子(比較例6)，H2O2水溶液的H2A的摩爾數(shù)B為必要量以 下的例子(比較例7)。表1和表2分別示出以上的各個本發(fā)明例和比較例的Cu系材料、堿水溶液、H2O2 水溶液的條件和剝離試驗(yàn)結(jié)果。另外，表1和表2中的基材種類欄用CDA序號表示，C2600 為黃銅、C1020為無氧銅、C 19025為由Ni :1. 0質(zhì)量％、Sn :0. 90質(zhì)量％、P :0. 05質(zhì)量％、 剩余Cu組成的銅合金。作為這些Cu系材料的廢料材料，將附著有加工油的沖壓屑作為全 部實(shí)施例和比較例的試樣。另外，表2的比較例中，本發(fā)明以外的條件加有下劃線。
權(quán)利要求
1.一種Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，該方法用于將形成有包含Sn層和/或CuSn 層的Sn鍍層的Cu系材料再循環(huán)，將所述Cu系材料浸漬于3. 0 37. 5質(zhì)量％的濃度的堿金屬氫氧化物水溶液中，在所 述堿金屬氫氧化物水溶液的水中，添加3. 0 50. 0質(zhì)量％的濃度的H2A水溶液，浸漬所述Cu系材料時的堿金屬氫氧化物水溶液的溫度為60 105°C，所述堿金屬氫氧化物水溶液的堿金屬氫氧化物的摩爾數(shù)A與所述H2A水溶液的H2A的 摩爾數(shù)B之比A/B為10以上，將所述Sn層中的Sn的摩爾數(shù)設(shè)為C、所述CuSn層中的Sn的摩爾數(shù)設(shè)為D時， B 彡 CX2+DX6。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，所述堿金屬氫氧化物水溶 液為NaOH或KOH的水溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，由所述堿金屬氫氧化物水 溶液的底部添加所述H2A水溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，邊攪拌所述堿金屬氫氧化 物水溶液，邊添加所述H2A水溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，向所述堿金屬氫氧化物水 溶液中連續(xù)添加規(guī)定量的所述H2A水溶液后，停止所述H2A水溶液的連續(xù)添加，將所述Cu 系材料浸漬在所述堿金屬氫氧化物水溶液中保持1小時以內(nèi)的時間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，所述堿金屬氫氧化物水溶 液中的碳酸堿的濃度為20質(zhì)量％以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，所述實(shí)施了鍍Sn的Cu系 材料附著有切割加工或沖壓加工的加工油。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，所述Cu系材料的鍍Sn的 厚度為5μπι以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，所述CuSn層的厚度為 0. 2 2μπι。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，所述H2A水溶液的連續(xù) 添加時間為5 60分鐘。
全文摘要
一種Cu系材料的Sn鍍層的剝離方法，其中，將Cu系材料5浸漬于3.0～37.5質(zhì)量％的濃度的堿金屬氫氧化物水溶液中，在所述堿金屬氫氧化物水溶液的水中，添加3.0～50.0質(zhì)量％的濃度的H2O2水溶液，浸漬所述Cu系材料時的堿金屬氫氧化物水溶液的溫度為60～105℃，堿金屬氫氧化物水溶液的堿金屬氫氧化物的摩爾數(shù)A與所述H2O2水溶液的H2O2的摩爾數(shù)B之比A/B為10以上，將Sn層中的Sn的摩爾數(shù)設(shè)為C、CuSn層中的Sn的摩爾數(shù)設(shè)為D時，B≥C×2+D×6。
文檔編號C23F1/44GK102094202SQ20101061075
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者伊崎正晃, 園田悠太, 成枝宏人 申請人:同和金屬技術(shù)有限公司