專利名稱：用于沉積層的cvd反應(yīng)器和方法
用于沉積層的CVD反應(yīng)器和方法本發(fā)明涉及一種具有加工腔的CVD反應(yīng)器，所述加工腔的底部由基座 (Suszeptor)形成，所述基座用于接收待用層進(jìn)行涂敷的襯底，所述加工腔的頂部由進(jìn)氣元件的下側(cè)形成，其中該進(jìn)氣元件的下側(cè)具有多個(gè)均勻分布在其整個(gè)面上的進(jìn)氣開口，該進(jìn)氣開口分為條狀的、在延伸方向上相互平行的第一和第二進(jìn)氣區(qū)域，其中第一進(jìn)氣區(qū)域的進(jìn)氣開口連接共用的第一過程-氣體輸入管線用于將第一加工氣體引入所述加工腔中，第二進(jìn)氣區(qū)域的進(jìn)氣開口連接不同于第一過程-氣體輸入管線的共用的第二過程-氣體輸入管線用于將第二加工氣體引入所述加工腔中，其中所述第一和第二進(jìn)氣區(qū)域交替地并行排列(nebeneinander liegen)0本發(fā)明進(jìn)一步涉及在加工腔中在襯底上沉積層的方法，所述加工腔的底部由基座形成，所述襯底置于所述基座上，以及所述加工腔的頂部由進(jìn)氣元件的下側(cè)形成，其中該進(jìn)氣元件的下側(cè)具有多個(gè)均勻分布在其整個(gè)面上的進(jìn)氣開口，該進(jìn)氣開口分為條狀的、在延伸方向上相互平行的第一和第二進(jìn)氣區(qū)域，第一進(jìn)氣區(qū)域的進(jìn)氣開口連接共用的第一過程-氣體輸入管線，通過該第一過程-氣體輸入管線將第一加工氣體弓I入所述加工腔中，第二進(jìn)氣區(qū)域的進(jìn)氣開口連接不同于第一過程-氣體輸入管線的、共用的第二過程-氣體輸入管線，經(jīng)過該第二過程-氣體輸入管線將第二加工氣體引入所述加工腔中，其中所述第一和第二進(jìn)氣區(qū)域交替地并行排列。US 5，595，606記載了一種一般性裝置。在該情況中，在反應(yīng)器罩內(nèi)有一個(gè)從下方加熱的基座。一個(gè)或多個(gè)襯底支撐在基座的水平面上。襯底的支撐面形成加工腔的底部。 加工腔的頂部由進(jìn)氣元件的下側(cè)形成。該下側(cè)形成進(jìn)氣面，其提供了多個(gè)噴嘴樣的進(jìn)氣開口。進(jìn)氣開口連接輸入管線，不同的加工氣體可以通過該輸入管線導(dǎo)入進(jìn)氣開口中。進(jìn)氣開口配置成條狀的、相互平行的第一和第二進(jìn)氣區(qū)域，其中第一和第二進(jìn)氣區(qū)域并行交替。 第一加工氣體專有地通過第一進(jìn)氣區(qū)域，第二加工氣體專有地通過第二進(jìn)氣區(qū)域，分別與載氣一起導(dǎo)入加工腔中。進(jìn)氣區(qū)域的寬度相應(yīng)于兩個(gè)鄰近進(jìn)氣開口的間距。加工腔的高度明顯大于兩個(gè)進(jìn)氣區(qū)域的間距。WO 2008/03^10Α1記載了一種CVD反應(yīng)器，在該反應(yīng)器中，進(jìn)氣元件可以將三種不同的加工氣體引入加工腔中。在進(jìn)氣元件的下側(cè)，存在多個(gè)先后位于一條線上的進(jìn)氣開口。分別包含單列設(shè)置的出氣噴嘴的三個(gè)條形區(qū)交替并行排列。在單列的附近設(shè)置沖洗氣體排出口。該列中的一列經(jīng)過環(huán)形進(jìn)氣元件的中心，并且鄰近兩種彼此不同的反應(yīng)氣體的排出口列，因此給出了一種不對稱的設(shè)置。US 4，880，163記載了一種具有進(jìn)氣元件的CVD反應(yīng)器，所述進(jìn)氣元件具有并排設(shè)置的條狀進(jìn)氣區(qū)域用于彼此不同的加工氣體。US 6，090，210記載了一種CVD反應(yīng)器，其具有多個(gè)共軸的、圍繞進(jìn)氣元件中心的進(jìn)氣區(qū)域用于彼此不同的加工氣體。US 5，500，256記載了螺旋形布置的進(jìn)氣區(qū)域，此處的區(qū)域?qū)挾纫蚕鄳?yīng)于兩個(gè)相互鄰近的進(jìn)氣區(qū)域之間的直接間距。DE 10 2005 055 468 Al記載了在CVD反應(yīng)器中沉積層的方法。此處相互不同的加工氣體也由相互不同的進(jìn)氣區(qū)域進(jìn)入加工腔中。用于將相互不同的加工氣體引入加工腔中的進(jìn)氣元件，其中對每種加工氣體配制獨(dú)立的進(jìn)氣噴嘴組，也記載于EP 1 118 691 Al、US 6，086，677、US 2004/0040502 Al、US 2004/0191413A1、US 2006/0201428A1和 US 2007/0101929A1 中。非-在先公開的WO 2010/065695A2記載了并排設(shè)置的進(jìn)氣條狀區(qū)，其形成為擴(kuò)散體，從而將不同的加工氣體相互分離地引入加工腔中。一般的裝置具有反應(yīng)器罩，其以相對環(huán)境呈氣密性的方式關(guān)閉，在它的內(nèi)部具有呈圓柱體形式的加工腔，加工腔的盤狀底部由從下方被加熱的基座形成，加工腔的盤狀頂部由同樣可加熱的進(jìn)氣元件形成。在襯底支撐物上可以排列一個(gè)或多個(gè)襯底。襯底支撐物可以包含多個(gè)單獨(dú)的、分別承載一個(gè)或多個(gè)襯底的承載盤(Lagerscheiben)，該承載盤在氣墊上被支撐著旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。由中心柱承載的基座可以繞加工腔的對稱軸旋轉(zhuǎn)。通過第一進(jìn)氣區(qū)域氣態(tài)可以將有機(jī)金屬化合物與載氣一起引入加工腔中，其中載氣可以是氫氣、氮?dú)饣蚨栊詺怏w。這里指的是例如TMGa、TMh或TMAl。通過第二進(jìn)氣區(qū)域引入加工腔中的第二加工氣體是氫化物(Hydride)，例如胂、膦或氨。借由這些加工氣體可以在襯底的表面上沉積半導(dǎo)體層，所述層可以包含(ia、In、Al、P、AS和N。借由這些裝置，不僅可以沉積III-V半導(dǎo)體層，也可以通過適當(dāng)選擇不同的起始材料沉積II-VI半導(dǎo)體層。另外，也可以通過加入合適的、高度-稀釋的另一種起始材料對沉積的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜。引入加工腔中的加工氣體以熱解方式分解。最優(yōu)化的是該分解作用僅發(fā)生在襯底表面上。由于位于加工腔內(nèi)基座上方的氣體因?qū)岬榷軣?，所以起始材料的預(yù)分解則是不可避免的。起始材料的預(yù)分解產(chǎn)物以不利的方式相互進(jìn)行反應(yīng)。在低于例如500°C的溫度時(shí)，預(yù)分解產(chǎn)物形成加成物。 加成物形成溫度取決于引入加工腔中的加工氣體的組成，并且在100°C至500°C的范圍中。 由于部分分解而形成的加成物不僅降低沉積層的結(jié)晶品質(zhì)。由于加成物上的晶核形成和由此導(dǎo)致的成核可能生成起始材料或其分解產(chǎn)物的團(tuán)簇物(Konglomerate)，其由向下移動(dòng)接近襯底表面的熱遷移得以抑制。非常昂貴的起始材料中未用于晶體生長的這一部分隨氣體流夾帶至出氣元件，在該出氣元件處離開加工腔而沒有被利用。本發(fā)明的任務(wù)是提供一種措施，通過該措施可以改進(jìn)沉積層的質(zhì)量(Qualitat)和涂敷過程的效率。該目標(biāo)通過權(quán)利要求中給出的本發(fā)明實(shí)現(xiàn)，其中首先和重要的是對裝置進(jìn)行如下的改進(jìn)加寬了進(jìn)氣區(qū)域的寬度?，F(xiàn)在更多的進(jìn)氣開口不僅先后排列，而且相鄰排列，從而形成了條狀或帶狀進(jìn)氣區(qū)域，每個(gè)進(jìn)氣區(qū)域具有的寬度基本上等于兩個(gè)相鄰進(jìn)氣開口的間距的四倍。進(jìn)氣區(qū)域基本上在環(huán)形進(jìn)氣元件的整個(gè)寬度上延伸，并具有橫跨延伸方向并行排列的氣體排出口。在中心附近延伸的進(jìn)氣區(qū)域是最長的。最短的進(jìn)氣區(qū)域在圓周范圍延伸。將相互不同的加工氣體引入加工腔中的進(jìn)氣區(qū)域優(yōu)選直接相鄰排列。因此，在本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施方案中，在兩個(gè)進(jìn)氣區(qū)域之間沒有設(shè)置進(jìn)一步的將沖洗氣體等引入加工腔中的進(jìn)氣開口。每個(gè)進(jìn)氣區(qū)域的進(jìn)氣開口通過氣體分配室供給，氣體分配室再連接輸入管線。加工腔的高度相應(yīng)于該區(qū)域的寬度，也約為相鄰進(jìn)氣開口間距的四倍。進(jìn)氣開口均勻地設(shè)置在進(jìn)氣元件的下側(cè)上。它們可以在矩形、特別是正方形的角點(diǎn)，或在等邊三角形的角點(diǎn)處。對以條形并行排列的、交替的進(jìn)氣區(qū)域的設(shè)置進(jìn)行選擇，使得具有環(huán)形輪廓的進(jìn)氣面的中心位于區(qū)域邊界中。旋轉(zhuǎn)軸也經(jīng)過該中心，同樣具有環(huán)形輪廓的基座可繞該中心旋轉(zhuǎn)。進(jìn)氣開口的直徑約為0. 6mm士 10%。它們的間距，即正方形的邊長，為約2. 6mm士 10%，其中進(jìn)氣開口位于該正方形的角點(diǎn)處，從而得到最優(yōu)加工腔高度為約11. Omm士 10%?；蜻M(jìn)氣面的直徑以及因而加工腔的直徑大于300mm。典型地，其直徑為約32cm。在CVD反應(yīng)器中實(shí)施的方法的特征在于，第一加工氣體在各種情況中經(jīng)過第一進(jìn)氣區(qū)域，第二加工氣體在各種情況中通過第二進(jìn)氣區(qū)域，與載氣一起引入加工腔中，其中該第一加工氣體包含上述有機(jī)金屬化合物中的一種，該第二加工氣體包含上述氫化物的一種。載氣可以是氫氣、氮?dú)饣蚨栊詺怏w。為了在生長表面上提供有效過量的氫化物，沉積過程在總壓力為500mbar 至IOOOmbar和優(yōu)選約為600mbar時(shí)進(jìn)行。選擇通過進(jìn)氣開口進(jìn)入加工腔中的質(zhì)量流量， 使得在加工腔體積的上半部中流體緩和(relaxieren)，各加工氣體混合，從而基本上在加工腔的下半部中通過擴(kuò)散作用將各加工氣體輸送至襯底表面上。均勻涂敷通過基座的連續(xù)旋轉(zhuǎn)引起的均一化作用而實(shí)現(xiàn)。不存在不可容忍的平均結(jié)晶體組成的局部偏差(lokal Abweichung)。在加工腔體積的上半部和加工腔體積的下半部的上區(qū)域，相互不同的加工氣體基本上僅在區(qū)域邊界的范圍進(jìn)行接觸。僅在這個(gè)區(qū)域中可以形成在本文開頭所述的要避免的加成物。在本文開始處所提及的關(guān)于團(tuán)簇形成的有害損失機(jī)制盡管不能通過根據(jù)本發(fā)明的措施完全得以避免，但是可以顯著地減小?？梢苑艞壥褂迷O(shè)置在單個(gè)進(jìn)氣區(qū)域之間的沖洗區(qū)域。在各區(qū)域的中心區(qū)中(即經(jīng)過各進(jìn)氣區(qū)域的兩個(gè)內(nèi)部進(jìn)氣開口引入加工腔中) 的加工氣體首先在邊界處靠近加工腔的下區(qū)域接觸各其他加工氣體。直到這時(shí)，各加工氣體和特別是有機(jī)金屬成分分解成一種或多種分解產(chǎn)物。但是由于至襯底的路徑縮短，剩余的反應(yīng)時(shí)間顯著減小。模型計(jì)算已顯示該反應(yīng)時(shí)間對于加成物和團(tuán)簇的形成而言具有極大的重要性。如果通過合適措施縮短反應(yīng)時(shí)間，那么不可避免地減小了團(tuán)簇以及由此導(dǎo)致的有害損失機(jī)制。因而基座的表面溫度可以在各處高于1000°C，特別地高于1100°C。所引入加工腔中的前體的擴(kuò)散長度在加工條件下，即在總壓力為至少500mbar和氣體溫度為至少 500°C的條件下，為約加工腔高度的一半。因此，選擇加工腔高度使得它等于擴(kuò)散長度的兩倍。以下將參考附圖對本發(fā)明的示例性實(shí)施方案進(jìn)行說明，其中

圖1圖示了穿過在反應(yīng)器罩內(nèi)部設(shè)置的加工腔的橫截面，圖2示出了進(jìn)氣元件5的進(jìn)氣面的俯視圖，圖3示出了圖1中加工腔橫截面的放大段III-III，以及圖4示出了包含氣體混合體系的CVD反應(yīng)器的示意圖。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的CVD反應(yīng)器的示意結(jié)構(gòu)，根據(jù)本發(fā)明的方法可以在該CVD 反應(yīng)器中實(shí)施。由附圖標(biāo)記19表示的反應(yīng)器罩19以相對環(huán)境呈氣密性方式封裝在進(jìn)氣元件5和基座2之間延伸的加工腔1。加工氣體經(jīng)過至少兩個(gè)輸入管線9、10引入加工腔1 中。運(yùn)載加工氣體的載氣和反應(yīng)產(chǎn)物一起通過出氣環(huán)18從加工腔2中以及未示出的排出管線從CVD反應(yīng)器罩19中帶出。第一輸入管線9和第二輸入管線10由氣體混合體系20供應(yīng)。氣體混合體系20 具有有機(jī)金屬成分用的存貯器，該有機(jī)金屬成分形成第一加工氣體。其可以為TMGa、TMIn 或TMA1。在存貯器22中容納的第二加工氣體是氫化物，例如胂、膦或氨。容納有機(jī)金屬成分的存貯器23可以具有洗瓶的形式，其中載氣流經(jīng)該洗瓶。就存放在存貯器24 (特別是中心)中的載氣而言，該載氣以氫氣、氮?dú)饣蚨栊詺怏w的形式存在。兩種加工氣體和載氣一起借由質(zhì)量流控制器21和設(shè)置在上游或下游的閥以計(jì)量方式供給至各輸入管線9、10。由圖1顯然可見，各第一輸入管線9和第二輸入管線10分流成多路，使得進(jìn)氣元件5的多個(gè)第一分配室7通過第一輸入管線9提供第一加工氣體供應(yīng)，進(jìn)氣元件5的多個(gè)第二分配室8通過第二輸入管線10提供第二加工氣體供應(yīng)。進(jìn)氣元件在平面圖中呈環(huán)形，并且具有下側(cè)6，該下側(cè)6包含多個(gè)均勻分布在其表面上的進(jìn)氣開口 13、14。如從圖2顯然可見，單個(gè)進(jìn)氣開口 13、14排列在示意為正方形的角點(diǎn)處。進(jìn)氣開口 13、14與相互不同的進(jìn)氣區(qū)域11、12相關(guān)聯(lián)。提供了兩種不同類型的進(jìn)氣區(qū)域11、12，分別單獨(dú)設(shè)置第一分配室7和第二分配室8。通過第一類型的進(jìn)氣區(qū)域11， 僅溶解在載氣中的第一加工氣體進(jìn)入加工腔1中。通過第二類型的進(jìn)氣區(qū)域，僅第二加工氣體和載氣一起進(jìn)入加工腔1中。以條或帶的方式提供了第一和第二類型的進(jìn)氣區(qū)域11、 12。進(jìn)氣區(qū)域11、12上下相互交替，使得直到兩個(gè)設(shè)置在最外面的進(jìn)氣區(qū)域?yàn)橹梗總€(gè)第一類型的進(jìn)氣區(qū)域11鄰近兩個(gè)第二類型的進(jìn)氣區(qū)域12，每個(gè)第二類型的進(jìn)氣區(qū)域12鄰近兩個(gè)第一類型的進(jìn)氣區(qū)域11。相互不同的進(jìn)氣區(qū)域11、12之間的區(qū)域邊界16沿分界壁15的下面布置，其將兩個(gè)相互不同的、同樣也以條或帶形并形排列布置的分配室7、8彼此分開。進(jìn)氣區(qū)域11、12相互平行延伸，從進(jìn)氣元件5的進(jìn)氣面6的一邊不間斷直到進(jìn)氣元件5的進(jìn)氣面6的對邊。在這個(gè)路線中，設(shè)置分界壁15使得一個(gè)分界壁和由該壁定義的區(qū)域邊界16經(jīng)過進(jìn)氣面6的中心M。中心M因此側(cè)面和相互不同的兩個(gè)進(jìn)氣區(qū)域11、12相接，這些進(jìn)氣區(qū)域11、12是最長的進(jìn)入?yún)^(qū)域。兩個(gè)最短的進(jìn)氣區(qū)域11、12是進(jìn)氣面6的最外邊緣。彼此上下相同設(shè)計(jì)的第一類型的進(jìn)氣開口 13和第二類型的進(jìn)氣開口 14的直徑為約0.6mm。進(jìn)氣開口 13、14相互的間距為約2.6mm。進(jìn)氣區(qū)域11、12的長度可以不同。然而它們的寬度是相同的。選擇進(jìn)氣區(qū)域11、12的寬度使得各進(jìn)氣區(qū)域11、12的四個(gè)進(jìn)氣開口 13、14并行排列。進(jìn)氣區(qū)域11、12的寬度W因而等于進(jìn)氣開口 13、14之間的間距D的四倍。各進(jìn)氣區(qū)域11、12的寬度基本上由橫跨進(jìn)氣區(qū)域11、12的延伸方向并行排列的進(jìn)氣開口 13、14的數(shù)目所限定。認(rèn)為有利的是，進(jìn)氣區(qū)域11、12直接相鄰接，其中彼此不同的加工氣體通過進(jìn)氣區(qū)域11、12流入加工腔中。無需在第一類型的進(jìn)氣區(qū)域和第二類型的進(jìn)氣區(qū)域之間提供沖洗氣體開口，其中惰性氣體通過該沖洗氣體開口引入在加工腔中。設(shè)置在進(jìn)氣元件5的下方且與其平行的基座2具有表面3，在其上設(shè)置了多個(gè)襯底 4。在此，襯底4可以最緊密的包裝位于由石墨構(gòu)成的環(huán)形基座2上?；?可以通過未示出的驅(qū)動(dòng)裝置繞旋轉(zhuǎn)軸17驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)，其中旋轉(zhuǎn)軸17穿過進(jìn)氣元件5的中心M。單個(gè)襯底4 也可以置于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的支撐盤上。選擇加工腔1的高度H，即底部3和頂部6之間的間距，使得從各進(jìn)氣區(qū)域11、12 的兩個(gè)內(nèi)部開口 13、14中離開的加工氣體首先進(jìn)入下半部以及優(yōu)選僅在加工腔體積1的下半部的下區(qū)域中接觸各其他加工氣體。因此，在加工腔1的上半部內(nèi)，僅僅是從各靠近區(qū)域邊界16的進(jìn)氣開口 13、14離開的加工氣體相互混合。因此，加成物的形成在此處受限于區(qū)域邊界16周圍的緊鄰區(qū)。最優(yōu)的方案為，加工腔1的高度H等于溶解在載氣中的加工氣體的擴(kuò)散長度的兩倍。加工腔內(nèi)的總壓力在500mbar至IOOOmbar的范圍以及優(yōu)選約為600mbar。襯底溫度為約1100°C。加工腔頂6的表面溫度稍大于500°C或600°C。該溫度取決于加工氣體的組成，加成物形成溫度取決于該組成在500°C至600°C的范圍中。然而，力口工腔頂6的溫度維持低于動(dòng)態(tài)生長的生長-溫度極限值，該溫度取決于加工氣體在850°C至 900°C的范圍。為了滿足這些需求，加工腔1的高度H約等于進(jìn)氣區(qū)域11、12具有的寬度W。所有的進(jìn)氣區(qū)域11、12具有相同的寬度W約10.4mm。在示例性的實(shí)施方案中，加工腔的高度為 11mm。由出氣環(huán)18圍繞的加工腔的直徑約為32cm。從而導(dǎo)致反應(yīng)器體積為約900cm3。在加工腔的上半部中可以形成加成物的體積減小至約40cm3。但是加成物也可以形成在進(jìn)氣區(qū)域11、12的中心區(qū)中，因?yàn)樵诩庸で惑w積的下區(qū)域中充分混合是期望的。但是，在此形成的加成物僅具有短路徑長度直到襯底4的表面且因而僅具有非常短的反應(yīng)時(shí)間，從而有效地減小了團(tuán)簇作用。本文中公開的所有特征(本身)對于本發(fā)明是重要的。相關(guān)的/附帶的優(yōu)先權(quán)文獻(xiàn)(在先申請的文本)的公開內(nèi)容也全部包括在本申請的公開文中，出于將這些文獻(xiàn)的特征并入本申請的權(quán)利要求中的目的。從屬權(quán)利要求以它們?nèi)芜x非獨(dú)立的形式代表了對現(xiàn)有技術(shù)的獨(dú)造性發(fā)展，特別是用于基于這些權(quán)利要求提交分案的目的。
權(quán)利要求
1.具有加工腔(1)的CVD反應(yīng)器，所述加工腔(1)的底部(3)由基座(2)形成，該基座(2)用于接收待用層進(jìn)行涂敷的襯底G)，所述加工腔(1)的頂部(6)由進(jìn)氣元件(5) 的下側(cè)形成，其中該進(jìn)氣元件(5)的下側(cè)具有多個(gè)均勻分布在其整個(gè)面上的進(jìn)氣開口(13、 14)，該進(jìn)氣開口(13、14)分為條狀的、在延伸方向上相互平行的第一和第二進(jìn)氣區(qū)域(11、 12)，其中第一進(jìn)氣區(qū)域(11)的進(jìn)氣開口(13)連接共用的第一過程-氣體輸入管線(9)用于將第一加工氣體引入所述加工腔(1)中，第二進(jìn)氣區(qū)域(1 的進(jìn)氣開口(14)連接不同于第一過程-氣體輸入管線(9)的共用的第二過程-氣體輸入管線(10)用于將第二加工氣體引入所述加工腔(1)中，其中所述第一和第二進(jìn)氣區(qū)域(11、1幻交替地并行排列，其特征在于，每個(gè)進(jìn)氣區(qū)域(11、12)的多個(gè)橫跨延伸方向并行排列的進(jìn)氣開口(13、14)的間距(D)約為加工腔(1)的高度(H)的四分之一，每個(gè)進(jìn)氣區(qū)域(11、12)的寬度(W)約等于高度 ⑶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1或特別是與其相應(yīng)的CVD反應(yīng)器，其特征在于，所述頂部(6)和所述底部C3)具有大致呈環(huán)形的輪廓，基座( 可以圍繞旋轉(zhuǎn)軸(17)旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或特別是與其相應(yīng)的CVD反應(yīng)器，其特征在于，第一進(jìn)氣區(qū)域(11)和第二進(jìn)氣區(qū)域(1 的區(qū)域邊界(16)經(jīng)過所述進(jìn)氣元件(5)的盤形進(jìn)氣面(6)的中心，所述基座的旋轉(zhuǎn)軸(17)經(jīng)過該中心(M)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或特別是與其相應(yīng)的CVD反應(yīng)器，其特征在于，所述以列的方式在一條線上并行排列的排出口(13、14)的間距為約2. 6mm。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或特別是與其相應(yīng)的CVD反應(yīng)器，其特征在于，所述加工腔的高度(H)為約11mm。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或特別是與其相應(yīng)的CVD反應(yīng)器，其特征在于，所述加工腔的直徑大于300mm。
7.在加工腔⑴中在襯底上沉積層的方法，所述加工腔⑴的底部⑶由基座⑵形成，所述襯底⑷置于所述基座⑵上，以及所述加工腔⑴的頂部(6)由進(jìn)氣元件(5) 的下側(cè)形成，其中該進(jìn)氣元件(5)的下側(cè)具有多個(gè)均勻分布在其整個(gè)面上的進(jìn)氣開口(13、 14)，該進(jìn)氣開口(13、14)分為條狀的、在延伸方向上相互平行的第一和第二進(jìn)氣區(qū)域(11、 12)，第一進(jìn)氣區(qū)域(11)的進(jìn)氣開口(1 連接共用的第一過程-氣體輸入管線(19)，通過該第一過程-氣體輸入管線(19)將第一加工氣體引入所述加工腔(1)中，第二進(jìn)氣區(qū)域 (12)的進(jìn)氣開口(14)連接不同于第一過程-氣體輸入管線的、共用的第二過程-氣體輸入管線(10)，經(jīng)過該第二過程-氣體輸入管線(10)將第二加工氣體引入所述加工腔(1)中， 其中所述第一和第二進(jìn)氣區(qū)域(11、1幻交替地并行排列，其特征在于，選擇所述進(jìn)氣開口 (13,14)彼此之間的間距(D)、所述加工腔(1)的高度(H)、每個(gè)進(jìn)氣區(qū)域(11、12)的寬度 (W)以及在500mbar至IOOOmbar范圍的總壓力、與加工氣體一起經(jīng)過各進(jìn)氣區(qū)域(11、12) 引入所述加工腔(1)的載氣的質(zhì)量流量，使得所述彼此不同的第一和第二加工氣體的充分混合僅在所述加工腔(1)的下半部發(fā)生，其中特別地，所述多個(gè)橫跨延伸方向并行排列的、 分配給共用進(jìn)氣區(qū)域的進(jìn)氣開口(13、14)的間距⑶約為所述加工腔的高度(H)的四分之一，每個(gè)進(jìn)氣區(qū)域(11、12)的寬度(W)約等于所述高度(H)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7或特別是與其相應(yīng)的方法，其特征在于，所述第一加工氣體是有機(jī)金屬化合物，特別是TiOn、TMGa或TMAl。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或特別是與其相應(yīng)的方法，其特征在于，所述第二加工氣體是氫化物，特別是胂、膦或氨。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或特別是與其相應(yīng)的方法，其特征在于，所述具有進(jìn)氣開口(13、14)的進(jìn)氣元件( 的進(jìn)氣頂部(6)的溫度高于所述第一和第二加工氣體的加成物形成溫度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有加工腔(1)的CVD反應(yīng)器，所述加工腔(1)的底部(3)由基座(2)形成，所述基座(2)用于接收待用層進(jìn)行涂敷的襯底(4)，所述加工腔(1)的頂部(6)由進(jìn)氣元件(5)的下側(cè)形成，其中該進(jìn)氣元件(5)的下側(cè)具有多個(gè)均勻分布在其整個(gè)面上的進(jìn)氣開口(13、14)，該進(jìn)氣開口(13、14)分為條狀的、在延伸方向上相互平行的第一和第二進(jìn)氣區(qū)域(11、12)，其中第一進(jìn)氣區(qū)域(11)的進(jìn)氣開口(13)連接共用的第一過程-氣體輸入管線(9)用于將第一加工氣體引入所述加工腔(1)中，第二進(jìn)氣區(qū)域(12)的進(jìn)氣開口(14)連接不同于第一過程-氣體輸入管線(9)的共用的第二過程-氣體輸入管線(10)用于將第二加工氣體引入所述加工腔(1)中，其中所述第一和第二進(jìn)氣區(qū)域(11、12)交替地并行排列。每個(gè)進(jìn)氣區(qū)域(11、12)的多個(gè)橫跨延伸方向并行排列的進(jìn)氣開口(13、14)的間距(D)約為加工腔(1)的高度(H)的四分之一，每個(gè)進(jìn)氣區(qū)域(11、12)的寬度(W)約等于高度(H)。
文檔編號C23C16/44GK102482774SQ201080037460
公開日2012年5月30日 申請日期2010年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月24日
發(fā)明者G.K.斯特勞克, M.道爾斯伯格 申請人:艾克斯特朗歐洲公司