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      一種高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法

      文檔序號:3345579閱讀:197來源:國知局
      專利名稱:一種高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法。
      背景技術(shù)
      用磁控濺射制造的透明導(dǎo)電薄膜,是液晶顯示、平板顯示、靜電屏蔽、太陽能電池必需的功能材料。直流磁控濺射法是當(dāng)前國際高檔顯示器件用透明導(dǎo)電膜的主導(dǎo)制備工藝,該工藝以ITO半導(dǎo)體陶瓷(90% In2O3-IO% SnO2)作為濺射源,普遍在氬氣或氬氧混合氣氛中基板 100-550°C下用直流磁控濺射法制備ITO透明導(dǎo)電薄膜,所制備的透明導(dǎo)電薄膜品質(zhì)優(yōu)良, 可見光透過率> 85%,且電阻率小于10Χ10_4Ω · cm。但由于ITO材料的成本高昂,其中的主要組成原料銦金屬是稀有金屬,地殼中存量有限,而且ITO導(dǎo)電膜在還原氣氛及相對高濕度空氣環(huán)境下不穩(wěn)定,無法滿足這些領(lǐng)域的使用要求。自90年代,各國紛紛開始研究低制造成本的透明導(dǎo)電膜用靶材。目前國內(nèi)也有其它廠家或研究機構(gòu)做氧化鋅鋁(AZO)材料的研制工作,但普遍采用真空熱壓或熱等靜壓以及冷等靜壓成型后續(xù)燒結(jié)的工藝技術(shù),這些工藝設(shè)備投入大,生產(chǎn)成本昂貴、后續(xù)加工量大、成品率低,而且很難得到高密度高均勻度無失氧產(chǎn)品。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題就在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,本發(fā)明是一種以氧化鋅為主體成份的磁控濺射生產(chǎn)透明導(dǎo)電膜用AZO靶材的生產(chǎn)方法,磁控濺射生產(chǎn)透明導(dǎo)電膜的生產(chǎn)過程更易控制,不存在類似 ITO的嚴重毒化現(xiàn)象,濺射過程不需要加熱這在在塑料等柔性導(dǎo)電膜的生產(chǎn)中更有優(yōu)勢,生產(chǎn)的透明導(dǎo)電膜電阻率小于7Χ10_4Ω · cm,可見光透過率G00-700nm)大于83%,在還原氣氛及氧化環(huán)境下穩(wěn)定性能良好,滿足各種透明導(dǎo)電膜要求。為解決上述問題,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案本發(fā)明提供了一種高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,所述制造方法包括下列步驟1)、以ZnO粉體和Al2O3粉體為粉體原料,其中,ZnO的重量含量為96_99份,Al2O3 的重量含量為1-4份;2)、將純水、甲基丙烯酰胺單體或丙烯酰胺單體、N-N’亞甲基雙丙烯酰胺以 100 (15-20) (0.6-1)的重量比例充分溶解組成預(yù)混液,加入0. 1-5重量份的燒結(jié)后無殘留的氨基分散劑,加入ZnO粉體和Al2O3粉體的原料粉體制漿,漿料中原料粉體的體積含量為 45-65% ;3)、用分析純氨水或稀硝酸調(diào)節(jié)漿料的pH值到8-11,在球磨機中研磨6小時以上得到高流動性漿料;
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      4)、在高流動性漿料中加入0. 1-1%體積的有機脫氣劑,加入0. 01-0. 5wt%。的過硫酸銨引發(fā)劑,抽真空攪拌脫氣15-30分鐘,澆注入模具中;5)、料漿固化得濕坯;6)、將固化后的濕坯脫模,自然干燥12- 小時,然后加熱至40-90°C徹底干燥,得到靶材素坯;7)、將素坯在流通空氣爐中升溫至300-600°C脫除有機添加劑,然后在空氣爐中升溫至1300-155(TC燒結(jié)致密,加工成型得氧化鋅鋁靶材,靶材相對密度大于98%,微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分均勻。所述粉體原料為ZnO粉體和Al2O3粉體兩者的混合粉體,或兩者的化學(xué)共沉淀粉體,粉體純度大于99. 95%。所述粉體原料的粉體平均粒徑為20納米-200微米。所述分散劑為四甲基氫氧化氨等燒結(jié)后無殘留的氨基分散劑。所述制漿為強力攪拌制漿或球磨制漿。所述有機脫氣劑為聚乙二醇或正辛醇的一種或兩者按1 (0. 1-1)的比例的混合溶液。所述料漿固化得濕坯步驟為升溫至50-70°C,引發(fā)固化反應(yīng);或加入乙二胺類催化劑促使加入的有機單體發(fā)生交聯(lián)固化反應(yīng),使得料漿固化成濕坯。球磨制漿時漿料用氧化鋯球或氧化鋁球做介質(zhì)球磨6小時以上。模具為不吸水的塑料、木材、玻璃或金屬材料模具。本發(fā)明提供了一種以氧化鋅為主體成份的磁控濺射生產(chǎn)透明導(dǎo)電膜用AZO靶材的生產(chǎn)方法,磁控濺射生產(chǎn)透明導(dǎo)電膜的生產(chǎn)過程更易控制,不存在類似ITO的嚴重毒化現(xiàn)象,濺射過程不需要加熱這在在塑料等柔性導(dǎo)電膜的生產(chǎn)中更有優(yōu)勢,生產(chǎn)的透明導(dǎo)電膜電阻率小于7Χ10_4Ω · cm,可見光透過率G00-700nm)大于83%,在還原氣氛及氧化環(huán)境下穩(wěn)定性能良好,滿足各種透明導(dǎo)電膜要求。本發(fā)明的制造技術(shù)用于氧化鋅鋁靶材的生產(chǎn),具有明顯的成本優(yōu)勢,重復(fù)性好,適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn),材料的密度及微觀結(jié)構(gòu)均勻度都得以保證,靶材的質(zhì)量優(yōu)于其它技術(shù),用于制造大尺寸或圓筒狀等其它異型AZO靶材時,更是具有其他傳統(tǒng)技術(shù)無法比擬的優(yōu)勢。AZO材料相對于ITO材料的優(yōu)點在是1.所用主原料氧化鋅和氧化鋁是基礎(chǔ)氧化物,地殼內(nèi)儲量豐富,制造成本是ITO 材料的1/10。2.用于磁控濺射生產(chǎn)透明導(dǎo)電膜的的濺射速率高,不存在類似ITO由于主成分三氧化二銦在濺射過程中的分解而導(dǎo)致的的靶面毒化現(xiàn)象,生產(chǎn)效率高。3.生產(chǎn)過程更易控制,濺射過程中不需要調(diào)整氧分壓,基板不需要加熱,在塑料等柔性導(dǎo)電膜的生產(chǎn)中更有優(yōu)勢。4.本發(fā)明的制造成本相對于以往的冷壓-燒結(jié),熱壓和熱等靜壓制造AZO靶材工藝,具有明顯的成本優(yōu)勢,重復(fù)性好,適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn),材料的密度及微觀結(jié)構(gòu)均勻度都得以保證,靶材的質(zhì)量更加優(yōu)良。5.本發(fā)明的生產(chǎn)技術(shù)用于制造大尺寸或圓筒狀等其它異型AZO靶材時,不受尺寸和形狀的約束,具有其它技術(shù)無法比擬的優(yōu)勢。6.本發(fā)明的AZO靶材生產(chǎn)的透明導(dǎo)電膜電阻率小于7Χ10_4Ω ^m,可見光透過率 (400-700nm)大于83%,導(dǎo)電膜在還原氣氛及空氣環(huán)境下穩(wěn)定性能良好,滿足各種透明導(dǎo)電膜要求,具有更更廣闊的應(yīng)用前景。
      具體實施例方式本實施例中,用電子稱稱取氧化鋅的粉體1960克,氧化鋁粉體40克,原料組成為 98wt%氧化鋅+2wt%氧化鋁,平均粒徑20納米-200微米,粉體純度均大于99. 95%。制成混合原料粉體。將純水、甲基丙烯酰胺單體、N-N’二甲基雙丙烯酰胺以100 (16-18) (0. 6-1) 的重量比例充分溶解組成預(yù)混液,加入0. 1-5重量份的四甲基氫氧化氨做分散劑,加入原料粉體,用球磨機球磨制漿,漿料中原料粉體的固相含量50%,加入分析純氨水調(diào)節(jié)漿料的 PH值為9. 5,漿料在球磨機中用氧化鋯球做介質(zhì)球磨15小時,再加入0. 1-1%體積的正辛醇有機脫氣劑,和0. 01-0. 5wt%。過硫酸氨引發(fā)劑,在真空攪拌機中攪拌脫氣20分鐘,過80目篩澆注入無孔模具,實施例中模具是不銹鋼長方形盒子,模具尺寸200 (W)mmX 200mm(L),澆注模具后將裝有漿料的模具放入50°C空氣烘箱,升溫促使凝膠單體交聯(lián)固化,固化后濕坯體脫模,在空氣中自然干燥M小時,繼續(xù)在空氣烘箱中90°C干燥12小時以上,從而得到高密度高強度無缺陷的AZO素坯。素坯在流通空氣爐中300-650°C保溫脫除有機添加劑后,在空氣爐中1300-1550°C 燒結(jié)5-20小時,隨爐冷卻至室溫,將燒結(jié)體切割磨光,制造出150 (W) mm X 150mm (L) X 12mm 的AZO靶材,靶材顏色為均勻深綠色,用排水法實測相對密度為99. 4%,切樣測靶材體電阻為3. 2 X ΙΟ"3 Ω · cm,微觀結(jié)構(gòu)均勻,不存在真空燒結(jié)所導(dǎo)致的靶材氧缺乏問題。從制造的靶材上取料加工為直徑76毫米、厚度6毫米的大小,在SIM560磁控濺射機中直流磁控鍍膜,功率120W,Ar2壓力0. 6Pa,使用普通光學(xué)玻璃基板,溫度250°C,持續(xù)濺射3小時,濺射等離子弧穩(wěn)定,濺射完畢,用XP-I臺階儀測量,測得無色薄膜厚度950納米, CARY-100分光光度計測得400-700納米的可見光透過率84%,,以SZ-82四探針測試儀測得電阻率 4. 7 X IO"4 Ω · cm。濺射后的AZO靶材表面光潔,證明靶材質(zhì)量優(yōu)良,所制造的AZO透明導(dǎo)電膜在相對濕度80%的空氣烘箱中200°C保溫2小時后隨即測試膜的透過率及電阻率也未有變化。以上對本發(fā)明所提供的氧化鋅鋁靶材的生產(chǎn)方法進行了詳細介紹,本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想;同時,對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本發(fā)明的思想,在具體實施方式
      及應(yīng)用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
      權(quán)利要求
      1.一種高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括下列步驟1)、以ZnO粉體和Al2O3粉體為粉體原料,其中,ZnO的重量含量為96-99份,Al2O3的重量含量為1-4份;2)、將純水、甲基丙烯酰胺單體或丙烯酰胺單體、N-N’亞甲基雙丙烯酰胺以 100 (15-20) (0.6-1)的重量比例充分溶解組成預(yù)混液,加入0. 1-5重量份的燒結(jié)后無殘留的氨基分散劑,加入ZnO粉體和Al2O3粉體的原料粉體制漿,漿料中原料粉體的體積含量為 45-65% ;3)、用分析純氨水或稀硝酸調(diào)節(jié)漿料的pH值到8-11,在球磨機中研磨6小時以上得到高流動性漿料;4)、在高流動性漿料中加入0.1-1%體積的有機脫氣劑,加入0. 01-0. 5wt%。的過硫酸銨引發(fā)劑,抽真空攪拌脫氣15-30分鐘,澆注入模具中;5)、使料漿固化得濕坯;6)、將固化后的濕坯脫模,自然干燥12-M小時,然后加熱至40-90°C徹底干燥,得到靶材素坯;7)、將素坯在流通空氣爐中升溫至300-600°C脫除有機添加劑,然后在空氣爐中升溫至 1300-1550°C燒結(jié)致密,加工成型得氧化鋅鋁靶材,靶材相對密度大于98 %,微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分均勻。
      2.如權(quán)利要求1所述的高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,其特征在于所述粉體原料為ZnO粉體和Al2O3粉體兩者的混合粉體,或兩者的化學(xué)共沉淀粉體,粉體純度大于 99. 95%。
      3.如權(quán)利要求2所述的高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,其特征在于所述粉體原料的粉體平均粒徑為20納米-200微米。
      4.如權(quán)利要求3所述的高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,其特征在于所述分散劑為四甲基氫氧化氨。
      5.如權(quán)利要求4所述的高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,其特征在于所述制漿為強力攪拌制漿或球磨制漿。
      6.如權(quán)利要求5所述的高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,其特征在于所述有機脫氣劑為聚乙二醇或正辛醇中的一種或兩者按1 (0.1-1)的比例的混合溶液。
      7.如權(quán)利要求6所述的高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,其特征在于所述料漿固化得濕坯步驟為升溫至50-70°C,引發(fā)固化反應(yīng);或加入乙二胺類催化劑促使加入的有機單體發(fā)生交聯(lián)固化反應(yīng),使得料漿固化成濕坯。
      8.如權(quán)利要求7所述的高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,其特征在于球磨制漿時漿料用氧化鋯球或氧化鋁球做介質(zhì)球磨6小時以上。
      9.如權(quán)利要求8所述的高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的制造方法,其特征在于模具為不吸水的塑料、木材、玻璃或金屬材料模具。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種高密度低成本氧化鋅鋁濺射靶材的生產(chǎn)方法,以ZnO粉體和Al2O3粉體組成主原料;將純水、甲基丙烯酰胺單體、N-N’亞甲基雙丙烯酰胺充分溶解組成預(yù)混液,加入四甲基氫氧化氨等分散劑,加入粉體原料攪拌制漿,調(diào)pH值,球磨6小時以上得到漿料;漿料加入有機脫氣劑和過硫酸氨引發(fā)劑經(jīng)抽真空攪拌脫氣后澆注入模具;將模具升溫至50-70℃,引發(fā)凝膠單體交聯(lián)固化反應(yīng);固化后的濕坯脫模干燥得到靶材素坯;將素坯在流通空氣爐中脫粘、高溫?zé)Y(jié)、機械加工,制造出相對密度大于98%和化學(xué)組成及微觀結(jié)構(gòu)均勻的氧化鋅鋁濺射靶材。
      文檔編號C23C14/35GK102212781SQ201110118678
      公開日2011年10月12日 申請日期2011年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月10日
      發(fā)明者孔偉華 申請人:孔偉華
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