專利名稱：磁控濺射鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種磁控濺射鍍膜裝置。
背景技術(shù)：
在磁控濺射鍍膜技術(shù)中，工作氣體和反應(yīng)氣體的供氣設(shè)計(jì)對鍍膜裝置的成膜質(zhì)量和膜層均勻性起著十分關(guān)鍵的作用?，F(xiàn)有的PVD設(shè)備沉積薄膜時(shí)，工作氣體(如氬氣)和反應(yīng)氣體(如氧氣、氮?dú)狻ⅳ橙驳戎械末`種或ー種以上)進(jìn)入混氣罐中混合均勻，然后通過導(dǎo)氣管進(jìn)入PVD設(shè)備的反應(yīng)室中，最后經(jīng)出氣管導(dǎo)出到靶材附近。開啟靶材的電源，靶材產(chǎn)生輝光放電，工作氣體離化后轟擊靶材產(chǎn)生靶材離子或原子，靶材離子或原子向基材運(yùn)動過程中，與反應(yīng)氣體反應(yīng)并沉積在基材上。工作氣體的作用在于離化后轟擊出靶材離子或原子；而反應(yīng)氣體主要用來與濺射出來的靶材離子或原子反應(yīng)并沉積在基材上。工作氣體和反應(yīng)氣體混合后同時(shí)導(dǎo)出到靶材附近，當(dāng)工作氣體較多時(shí)，濺射出的靶材原子和離子較多，反應(yīng)氣體能被完全消耗棹。但隨著反應(yīng)氣體的增多，部份反應(yīng)氣體就會吸附在靶材表面上，與靶材直接反應(yīng)，從而在靶材表面形成ー層化合物，導(dǎo)致靶材“中毒”。靶材“中毒”對PVD制程具有不利影響一方面，中毒現(xiàn)象導(dǎo)致靶材的濺射率大幅下降，薄膜沉積速度降低，并且沉積到基材上的膜層附著力差；另ー方面，靶材中毒后，極易導(dǎo)致基材表面薄膜異色，進(jìn)而導(dǎo)致整爐鍍膜產(chǎn)品報(bào)廢，損失極大。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，提供一種能夠有效避免靶材“中毒”的磁控濺射鍍膜裝置。

一種磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應(yīng)室、位于反應(yīng)室中央的一轉(zhuǎn)架及可拆卸地設(shè)置于反應(yīng)室腔壁與轉(zhuǎn)架之間的至少ー靶材，該磁控濺射鍍膜裝置還包括與反應(yīng)室連通的ニ氣體氣路，每ー氣體氣路均設(shè)置有出氣管，出氣管上開設(shè)有出氣孔，且其中ー氣體氣路的出氣孔靠近靶材設(shè)置，另ー氣體氣路的出氣孔靠近轉(zhuǎn)架設(shè)置。本發(fā)明磁控濺射鍍膜裝置設(shè)置有獨(dú)立的工作氣體氣路和反應(yīng)氣體氣路，工作氣體氣路的出氣孔靠近靶材設(shè)置，反應(yīng)氣體氣路的出氣孔設(shè)置于轉(zhuǎn)架的周圍，如此即使在反應(yīng)氣體的通入流量很大的情況下，也可避免反應(yīng)氣體與靶材表面反應(yīng)引起的靶材中毒現(xiàn)象。此外，該磁控濺射鍍膜裝置可有效將工作氣體均勻分布于靶材周圍，將反應(yīng)氣體均勻分布在基材附近，可大幅提高所鍍膜層的厚度均勻性和色差均勻性。


圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的磁控濺射鍍膜裝置的俯視示意 圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的磁控濺射鍍膜裝置的出氣管的示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應(yīng)室、位于反應(yīng)室中央的一轉(zhuǎn)架及可拆卸地設(shè)置于反應(yīng)室腔壁與轉(zhuǎn)架之間的至少一靶材，其特征在于該磁控濺射鍍膜裝置還包括與反應(yīng)室連通的二氣體氣路，每一氣體氣路均設(shè)置有出氣管，出氣管上開設(shè)有出氣孔，且其中一氣體氣路的出氣孔靠近靶材設(shè)置，另一氣體氣路的出氣孔靠近轉(zhuǎn)架設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于出氣孔靠近靶材設(shè)置的氣體氣路用以導(dǎo)出工作氣體，出氣孔靠近轉(zhuǎn)架設(shè)置的氣體氣路用以導(dǎo)出反應(yīng)氣體。
3.如權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述每一氣體氣路包括一導(dǎo)氣管、若干分支管和若干出氣管，該導(dǎo)氣管穿過反應(yīng)室的腔壁進(jìn)入到反應(yīng)室的內(nèi)部，且該導(dǎo)氣管在反應(yīng)室內(nèi)分別與所述若干分支管相連通，并且每一分支管對應(yīng)連通一出氣管。
4.如權(quán)利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述每一出氣管包括一主體管及一擋板，該主體管的一端連通一分支管，另一端封閉；且該若干出氣孔開設(shè)于主體管的管壁上，該若干出氣孔沿管壁的縱向排列，該主體管設(shè)置有出氣孔的一側(cè)對應(yīng)連接有所述擋板。
5.如權(quán)利要求4所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于該擋板呈拱形，該主體管與擋板通過一連接桿相連接。
6.如權(quán)利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述出氣管的一端垂直固定于反應(yīng)室的底壁或頂壁上。
7.如權(quán)利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于導(dǎo)出工作氣體的出氣管設(shè)置于每一靶材的兩側(cè)且與所述靶材平行，導(dǎo)出工作氣體的出氣管的出氣孔正對靶材。
8.如權(quán)利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于導(dǎo)出反應(yīng)氣體的每一出氣管靠近轉(zhuǎn)架的周圍設(shè)置且正對靶材。
9.如權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于用以導(dǎo)出反應(yīng)氣體的氣體氣路，其于反應(yīng)室的外部還設(shè)置有一與導(dǎo)氣管連通的混氣罐。
全文摘要
一種磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應(yīng)室、位于反應(yīng)室中央的一轉(zhuǎn)架及可拆卸地設(shè)置于反應(yīng)室腔壁與轉(zhuǎn)架之間的至少一靶材，該磁控濺射鍍膜裝置還包括與反應(yīng)室連通的二氣體氣路，每一氣體氣路設(shè)置有出氣孔，且其中一氣體氣路的出氣孔靠近靶材設(shè)置，另一氣體氣路的出氣孔設(shè)置于轉(zhuǎn)架的周圍。本發(fā)明磁控濺射鍍膜裝置能夠有效避免靶材“中毒”。
文檔編號C23C14/35GK103031527SQ20111029177
公開日2013年4月10日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者黃登聰, 彭立全 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司