專利名稱：對rf設(shè)備進行鍍金屬的方法以及用于該方法的濺鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過干式方法對RF設(shè)備進行鍍金屬的方法以及用于該方法的濺
鍍裝置。
背景技術(shù)：
通常，RF設(shè)備為了使損失達到最小化，在基本部件上鍍上諸如銀等導(dǎo)電性優(yōu)秀的物質(zhì)。當(dāng)然，為了提高RF設(shè)備的耐蝕性還可以采用另外鍍金屬。目前，濕式方法常用于所述RF設(shè)備鍍金屬。但是，由于所述濕式方法的鍍金屬物質(zhì)所需的其他附加物質(zhì)多，因此有制作費用上升、鍍金屬消耗時間過長等缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，提供一種能夠降低制作費用且減少鍍金屬時間的對RF設(shè)備進行鍍金屬的方法以及用于該方法的濺鍍裝置。為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明一實施例的用于對RF設(shè)備進行鍍金屬的濺鍍裝置包括放置所述RF設(shè)備的被鍍金屬體的支撐部；由用于對所述被鍍金屬體進行鍍金屬的材料形成的第一靶子；以及與所述第一靶子分開排列的第二靶子。其中，對所述被鍍金屬體進行鍍金屬時，分別向所述第一靶子和所述第二靶子供給電力。根據(jù)本發(fā)明另一實施例的用于對RF設(shè)備進行鍍金屬的濺鍍裝置包括所述RF設(shè)備的被鍍金屬體放置的支撐部；以及面向所述支撐部并且由用于對所述被鍍金屬體進行鍍金屬的材料形成的靶子。其中，在鍍金屬工序期間所述靶子和所述被鍍金屬體中的至少一個上下?lián)u擺。根據(jù)本發(fā)明一實施例的利用具有支撐部和靶子的濺鍍裝置對RF設(shè)備進行鍍金屬的方法包括通過所述支撐部向用于所述RF設(shè)備的被鍍金屬體供給第一電壓且向所述靶子供給預(yù)定電力；以及向所述被鍍金屬體供給所述第一電壓并經(jīng)過預(yù)定時間后向所述被鍍金屬體供給第二電壓。根據(jù)本發(fā)明的RF設(shè)備鍍金屬方法通過一種干式方法并利用濺鍍裝置可以減少制作費用以及減少鍍金屬工序時間。并且，所述鍍金屬工序中，通過利用改變偏置電壓的方法、使用多個靶子的方法、上下?lián)u擺靶子的方法或者上下?lián)u擺被鍍金屬體的方法，可以維持不同鍍金屬位置之間小的厚度偏差且可以維持所述RF設(shè)備的優(yōu)秀特性。


圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例RF設(shè)備的圖；圖2為顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例濺鍍裝置和靶子的截面圖；圖3為顯示一般鍍金屬的結(jié)果圖；圖4為顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例對RF設(shè)備進行鍍金屬的工序圖；圖5為顯示根據(jù)圖4所示的工序進行鍍金屬的結(jié)果圖6為顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例對RF設(shè)備進行鍍金屬工序的簡要截面圖；圖7為顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例對RF設(shè)備進行鍍金屬工序的簡要截面圖；圖8為顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例對RF設(shè)備進行鍍金屬工序的簡要截面圖；圖9為顯示根據(jù)本發(fā)明其他實施例濺鍍裝置的簡要截面圖。
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例RF設(shè)備的圖，圖2為顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例濺鍍裝置和靶子的截面圖。如圖KA)和圖2㈧所示，RF設(shè)備可以為具有外殼100、多個腔體(Cavity) 102以及多個共振器104的腔體濾波器，并且利用濺鍍裝置200通過干式方法對所述RF設(shè)備進行鍍金屬。本發(fā)明的RF設(shè)備可以變形為多樣。當(dāng)然，RF設(shè)備為需要對底面和側(cè)面進行鍍金屬的腔體濾波器。以下，為了便于說明假設(shè)RF設(shè)備為腔體濾波器，但不限于此。如圖1 (B)，所述RF設(shè)備中，由鋁材料組成的基本部件110上依次排列由銅形成的第一鍍金屬層112以及由銀形成的第二鍍金屬層114。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，濺鍍裝置200在基本部件110上形成第一鍍金屬層112， 且在第一鍍金屬層112上形成第二鍍金屬層114。以下說明通過利用濺鍍裝置200對RF設(shè)備進行鍍金屬的工序。如圖2(A)所示，濺鍍裝置200包括靶子(Target) 210、支撐部212以及被鍍金屬體 214。靶子210由用于對所述RF設(shè)備進行鍍金屬的材料形成。換言之，靶子210可以由用于形成第一鍍金屬層112的第一鍍金屬物質(zhì)(銅)或者第二鍍金屬物質(zhì)(銀)形成。根據(jù)本發(fā)明一實施例，靶子210被設(shè)置后，在鍍金屬和工序(沉積工序)期間固定不動。如圖2(A)所示，預(yù)定電力供給至靶子210。如圖2(B)所示，靶子210可以具有六面體形狀。但是，如圖2(C)和圖2(D)所示， 靶子210也可以具有圓柱形狀或者五角以上的多角形狀。如果靶子210具有圓柱形狀或者五角形以上的多角形狀，對立體的被鍍金屬體214在進行鍍金屬時，有更多鍍金屬物質(zhì)沉積在被鍍金屬體214的側(cè)面部分。支撐部212起到支撐被鍍金屬體214的作用，偏置電壓(Bias Voltage)通過支撐部212供給至被鍍金屬體214。此處，被鍍金屬體214作為被鍍金屬的素子，意味著在第一鍍金屬層112形成之前的RF設(shè)備或者第二鍍金屬層114形成之前的RF設(shè)備。圖2(A)中有簡要顯示，被鍍金屬體 214可以具有如圖I(A)所示的形狀。以下說明通過利用濺鍍裝置200對RF設(shè)備進行鍍金屬的工序。圖3為顯示通過一般鍍金屬工序進行鍍金屬的結(jié)果圖，圖4為顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例對RF設(shè)備進行鍍金屬的工序圖，圖5為顯示根據(jù)圖4所示的工序進行鍍金屬的結(jié)果圖。圖4僅顯示了被鍍金屬體214中其中之一共振器和腔體部分，并且附圖標(biāo)記也用400 另外作了標(biāo)記。如圖2和圖4所示，靶子210設(shè)置在濺鍍裝置200的腔室內(nèi)的頂部，被鍍金屬體214設(shè)置在支撐部212的上面。接著，通過利用真空泵將濺鍍裝置200的腔室內(nèi)變成真空狀態(tài)，如圖2所示，非活性氣體例諸如氬氣(Ar)提供至所述腔室內(nèi)。接著，預(yù)定電力供給至靶子210，通過支撐部212向被鍍金屬體214供給已設(shè)定的偏置電壓。結(jié)果，例如氬氣(Ar)被發(fā)光放電(glow)形成Ar+離子，并變成等離子狀態(tài)。此處，Ar+離子與靶子210發(fā)生沖突(雖未在附圖示，利用磁力可以激活沖突)，通過所述沖突靶子210被濺鍍。即，鍍金屬物質(zhì)從靶子210分離，該分離的鍍金屬物質(zhì)沉積到被鍍金屬體 214。根據(jù)本發(fā)明的實施例，對RF設(shè)備進行鍍金屬的方法，如圖4(B)所示，初期施加第一偏置電壓(例如300V)，經(jīng)過預(yù)定時間后施加比第一偏置電壓低的第二偏置電壓(例如 150V)。例如，所述RF設(shè)備鍍金屬方法是初期施加第一偏置電壓，總體鍍金屬時間經(jīng)過一半后，使第一偏置電壓改變?yōu)榈诙秒妷骸４颂?，如圖4(D)和圖4(E)所示，鍍金屬物質(zhì)沉積到腔體的底面400a以及側(cè)面400b和400c。更具體地涉及，當(dāng)供給所述第一偏置電壓時， 在側(cè)面400b和400c上沉積很多鍍金屬物質(zhì)。當(dāng)供給第二偏置電壓時，在底面400a上沉積很多鍍金屬物質(zhì)。如上所述進行鍍金屬情況下，如圖5所示，所述RF設(shè)備的不同位置的厚度偏差維持在3倍以下。針對RF設(shè)備，不同位置之間的鍍金屬厚度偏差對所述RF設(shè)備的特性影響較大，如果不同位置之間厚度的偏差大就會導(dǎo)致RF設(shè)備的特性下降。因此，重要的是維持所述不同位置之間厚度的小偏差，本發(fā)明的RF設(shè)備鍍金屬方法是通過改變偏置電壓能過維持不同位置之間厚度的小偏差，且能過提高RF設(shè)備特性。圖4㈧顯示了在鍍金屬工序期間維持一定的偏置電壓O00V)的情況，圖4(B)顯示了在鍍金屬工序期間改變偏置電壓的情況。以下，參考圖4(A)和圖4(B)進一步詳細說明實際實驗的結(jié)果。表1維持一定偏置電壓情況
權(quán)利要求
1.一種用于對RF設(shè)備進行鍍金屬的濺鍍裝置，包括 放置所述RF設(shè)備的被鍍金屬體的支撐部；由用于對所述被鍍金屬體進行鍍金屬的材料形成的第一靶子；以及與所述第一靶子分開排列的第二靶子，其中，對所述被鍍金屬體進行鍍金屬時，分別向所述第一靶子和所述第二靶子供給電力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其中，所述第一靶子和所述第二靶子呈八子形地設(shè)置在所述RF設(shè)備的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其中，所述RF設(shè)備為腔體濾波器，從所述靶子分離的鍍金屬物質(zhì)沉積在腔體內(nèi)的底面和側(cè)面，其中，所述底面以及所述側(cè)面的最大厚度偏差為3倍以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其中，所述靶子由同一物質(zhì)形成，并且所述靶子由銀或者銅形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其中，在鍍金屬工序期間供給至所述被鍍金屬體的偏置電壓發(fā)生變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其中，所述第一靶子和所述第二靶子中的至少一個為圓柱形或者五角以上的多角形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其中，所述支撐部具有與所述被鍍金屬體的側(cè)面相對應(yīng)的彎曲部，其中，所述彎曲部形成有至少一個電極，通過所述電極向所述被鍍金屬體供給預(yù)定電源。
8.一種用于對RF設(shè)備進行鍍金屬的濺鍍裝置，包括 所述RF設(shè)備的被鍍金屬體放置的支撐部；以及面向所述支撐部，并且由用于對所述被鍍金屬體進行鍍金屬的材料形成的靶子， 其中，在鍍金屬工序期間所述靶子和所述被鍍金屬體中的至少一個上下?lián)u擺。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濺鍍裝置，其中，所述RF設(shè)備為腔體濾波器，從所述靶子分離的鍍金屬物質(zhì)沉積在腔體內(nèi)的底面以及側(cè)面，其中，所述底面以及所述側(cè)面的最大厚度偏差為3倍以下，并且所述靶子由銀或者銅形成。
10.根根權(quán)利要求8所述的濺鍍裝置，其中，在鍍金屬工序期間供給至所述被鍍金屬體的偏置電壓發(fā)生變化。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濺鍍裝置，其中，所述靶子為圓柱形或者五角以上的多角形。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濺鍍裝置，其中，所述支撐部具有與所述被鍍金屬體側(cè)面相對應(yīng)的彎曲部，其中，所述彎曲部形成有至少一個電極，通過所述電極向所述被鍍金屬體供給預(yù)定電源。
13.一種利用具有支撐部和靶子的濺鍍裝置對RF設(shè)備進行鍍金屬的方法，包括 通過所述支撐部向用于所述RF設(shè)備的被鍍金屬體供給第一電壓且向所述靶子供給預(yù)定電力；以及向所述被鍍金屬體供給所述第一電壓并經(jīng)過預(yù)定時間后，向所述被鍍金屬體供給第二電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第二電壓比所述第一電壓低，在整個工序時間中一半時間向所述被鍍金屬體供給所述第一電壓，剩余一半時間向所述被鍍金屬體供給所述第二電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述RF設(shè)備為腔體濾波器，從所述靶子分離的鍍金屬物質(zhì)沉積在所述腔體內(nèi)的底面和側(cè)面，其中，所述底面以及所述側(cè)面的最大厚度偏差為3倍以下，所述靶子由銀或者銅形成， 并且所述靶子為圓柱形或者五角以上的多角形。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，采用多個靶子，并且向所述多個靶子供給相同的電力。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述靶子或者所述被鍍金屬體上下?lián)u擺，所述支撐部具有與所述被鍍金屬體的側(cè)面相對應(yīng)的彎曲部，其中，所述彎曲部形成有至少一個電極，通過所述電極向所述被鍍金屬體供給預(yù)定電源。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通過干式方法對RF設(shè)備進行鍍金屬的方法以及用于該方法的濺鍍裝置。所述濺鍍裝置包括放置所述RF設(shè)備的被鍍金屬體的支撐部；由用于對所述被鍍金屬體進行鍍金屬的材料形成的第一靶子以及與所述第一靶子分開排列的第二靶子。其中，對所述被鍍金屬體進行鍍金屬時，分別向所述第一靶子和所述第二靶子供給電力。
文檔編號C23C14/14GK102453874SQ20111033260
公開日2012年5月16日 申請日期2011年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月27日
發(fā)明者吳世英, 鄭賢泳, 鄭銘峻, 金明浩 申請人:Ace技術(shù)株式會社