專利名稱：內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈。
背景技術：
零件內(nèi)孔要求表面硬度> HRC58，硬化層深度f 2mm，組織均勻，兩次高頻淬火間不能相互影響，零件異型結(jié)構(gòu)(尖、角)需要淬透且不允許有熔化現(xiàn)象。傳統(tǒng)的內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈，包括冷卻水管以及套設于冷卻水管上的多個導磁塊，參見圖I和圖2，導磁塊的縱剖截面為C型結(jié)構(gòu)，所述C型結(jié)構(gòu)包括上橫段、豎段以及下橫段，所述上橫段、豎段以及下橫段均為矩形，導磁塊的橫剖截面呈矩形結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈的導磁體加熱區(qū)域不集中，加熱效率不高，加熱范圍寬的缺點，導致內(nèi)孔高頻淬火處理的效率較低且 質(zhì)量較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種內(nèi)孔高頻淬火處理的效率較高且質(zhì)量較好的內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的
一種內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈，它包括冷卻水管以及多個導磁塊，所述冷卻水管包括一個C型水管段以及兩個直線水管段，所述兩個直線水管段位于C型水管段的同一側(cè)，所述兩個直線水管段與C型水管段的兩端垂直連接，所述導磁塊的縱剖截面為C型結(jié)構(gòu)，所述C型結(jié)構(gòu)包括上橫段、豎段以及下橫段，所述下橫段的外端設置有向下的斜面，所述斜面的傾斜角度為4(Γ45°，所述導磁塊的橫剖截面呈扇形結(jié)構(gòu)，多個導磁塊套設于C型水管段上，且C型結(jié)構(gòu)的開口朝外。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是
本發(fā)明通過改變導磁體形狀，減小接觸面，調(diào)整磁感應線的分布集中，由矩形改為扇形，縮短工件與感應圈的距離，提高加熱效率；導磁塊的下橫段設計有斜角，防止加熱到底面。它具有設計合理，制造方便，它屏蔽了靠近線圈的雜散磁通來減小非處理部位的加熱，改進了加熱模式、均勻性，提高熱處理質(zhì)量，而且在同樣功率條件下，加熱時間由原來的8s提高到5s，省電約40%，縮短加工時間提高生產(chǎn)效率。該內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈具有內(nèi)孔高頻淬火處理的效率較高且質(zhì)量較好的優(yōu)點。


圖I為傳統(tǒng)導磁塊的側(cè)視圖。圖2為傳統(tǒng)導磁塊的俯視圖。圖3為本發(fā)明內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明導磁塊的側(cè)視圖。圖5為本發(fā)明導磁塊的俯視圖。其中冷卻水管I、C型水管段11、直線水管段12 導磁塊2、上橫段21、豎段22、下橫段23。
具體實施例方式參見5，本發(fā)明涉及的一種內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈，它包括冷卻水管I以及多個導磁塊2，所述冷卻水管I包括一個C型水管段11以及兩個直線水管段12，所述兩個直線水管段12位于C型水管段11的同一側(cè)，所述兩個直線水管段12與C型水管段11的兩端垂直連接，所述導磁塊2的縱剖截面為C型結(jié)構(gòu)，所述C型結(jié)構(gòu)包括上橫段21、豎段22以及下橫段23，所述下橫段23的外端設置有向下的斜面，所述斜面的傾斜角度為4(Γ45°，所述導磁塊2的橫剖截面呈扇形結(jié)構(gòu)，多個導磁塊2套設于C型水管段12上，且C型結(jié)構(gòu)的開口朝外。如圖I和圖3所示，本發(fā)明導磁塊較傳統(tǒng)導磁塊產(chǎn)生磁感應線密集，能夠增加加熱效率。
權利要求
1.一種內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈，其特征在于它包括冷卻水管(I)以及多個導磁塊(2),所述冷卻水管(I)包括ー個C型水管段(11)以及兩個直線水管段(12)，所述兩個直線水管段(12 )位于C型水管段(11)的同一側(cè)，所述兩個直線水管段(12 )與C型水管段(11)的兩端垂直連接，所述導磁塊(2)的縱剖截面為C型結(jié)構(gòu)，所述C型結(jié)構(gòu)包括上橫段(21)、豎段(22)以及下橫段(23)，所述下橫段(23)的外端設置有向下的斜面，所述斜面的傾斜角度為4(Γ45°，所述導磁塊(2)的橫剖截面呈扇形結(jié)構(gòu)，多個導磁塊(2)套設于C型水管段(12)上，且C型結(jié)構(gòu)的開ロ朝外。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈，其特征在于它包括冷卻水管(1)以及多個導磁塊(2)，所述冷卻水管(1)包括一個C型水管段(11)以及兩個直線水管段(12)，所述兩個直線水管段(12)位于C型水管段(11)的同一側(cè)，所述兩個直線水管段(12)與C型水管段(11)的兩端垂直連接，所述導磁塊(2)的縱剖截面為C型結(jié)構(gòu)，所述C型結(jié)構(gòu)包括上橫段(21)、豎段(22)以及下橫段(23)，所述下橫段(23)的外端設置有向下的斜面，所述斜面的傾斜角度為40～45°，所述導磁塊(2)的橫剖截面呈扇形結(jié)構(gòu)，多個導磁塊(2)套設于C型水管段(12)上，且C型結(jié)構(gòu)的開口朝外。本發(fā)明內(nèi)孔高頻淬火處理感應圈具有內(nèi)孔高頻淬火處理的效率較高且質(zhì)量較好的優(yōu)點。
文檔編號C21D1/10GK102796857SQ201210299830
公開日2012年11月28日 申請日期2012年8月22日 優(yōu)先權日2012年8月22日
發(fā)明者陳文 , 昝茂榮, 陳紅衛(wèi), 嚴偉, 孫文萍 申請人:無錫鷹貝精密軸承有限公司