不銹鋼表面處理方法及由該方法制得的外殼的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種不銹鋼表面處理方法，包括如下步驟：提供不銹鋼基體；通過多弧離子鍍?cè)诓讳P鋼基體表面沉積打底層，該打底層為鈦金屬層；通過多弧離子鍍?cè)谒龃虻讓由铣练e過渡層，該過渡層為鋁金屬層；通過磁控濺射方法在所述過渡層上沉積鋁膜；對(duì)該形成有打底層、過渡層及鋁膜的不銹鋼基體進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，以使該過渡層及鋁膜被氧化而形成多孔的陽(yáng)極氧化膜；對(duì)該經(jīng)陽(yáng)極氧化處理的不銹鋼基體進(jìn)行著色處理并封孔，以使不銹鋼基體表面獲得所需的顏色。本發(fā)明還提供一種上述不銹鋼表面處理方法制得的外殼。
【專利說明】不銹鋼表面處理方法及由該方法制得的外殼
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種不銹鋼表面處理方法及由該方法制得的外殼。
【背景技術(shù)】
[0002]不銹鋼具有較高的強(qiáng)度以及很好的耐腐蝕性等優(yōu)點(diǎn)，經(jīng)常被用做電子裝置外殼。為了在不銹鋼外殼表面獲得更好的裝飾性外觀，通常在其表面進(jìn)行真空鍍膜，真空鍍膜雖然可以獲得金屬感很強(qiáng)的外觀，但顏色較為單調(diào)，而且顏色難以控制。相比之下，在鋁材上進(jìn)行陽(yáng)極處理能獲得顏色豐富的外觀，但經(jīng)陽(yáng)極處理的鋁材電阻高、導(dǎo)熱性低，作為電子裝置外殼不利于散熱，而且手感較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種不銹鋼表面處理方法，可使不銹鋼表面獲得陽(yáng)極氧化處理的外觀效果，進(jìn)而可獲得顏色豐富的外觀。
[0004] 另外，本發(fā)明還提供一種由上述方法制得的外殼。
[0005]一種不銹鋼表面處理方法，包括如下步驟:
提供不銹鋼基體；
通過多弧離子鍍?cè)诓讳P鋼基體表面沉積打底層，該打底層為鈦金屬層；
通過多弧離子鍍?cè)谒龃虻讓由铣练e過渡層，該過渡層為鋁金屬層；
通過磁控濺射方法在所述過渡層上沉積鋁膜；
對(duì)該形成有打底層、過渡層及鋁膜的不銹鋼基體進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，以使該過渡層及鋁膜被氧化而形成多孔的陽(yáng)極氧化膜；
對(duì)該經(jīng)陽(yáng)極氧化處理的不銹鋼基體進(jìn)行著色處理并封孔，以使不銹鋼基體表面獲得所需的顏色。
[0006]一種由上述不銹鋼表面處理方法制得的外殼，包括不銹鋼基體，該外殼還包括形成于該不銹鋼基體表面的鈦形成于不銹鋼基體表面的打底層及形成于該打底層表面的鋁陽(yáng)極氧化膜，該打底層為鈦金屬層。
[0007]上述不銹鋼表面處理方法，先采用多弧離子鍍于不銹鋼基體表面形成一層鈦金屬作為打底層及采用多弧離子鍍于該打底層上形成該鋁金屬過渡層；再通過磁控濺射方法于該過渡層上形成該鋁膜；最后對(duì)鋁膜進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，以在不銹鋼基體表面獲得陽(yáng)極氧化膜，再通過著色處理使不銹鋼基體獲得所需的顏色，由此可使不銹鋼基體具有顏色豐富的外觀。該鈦金屬打底層主要起保護(hù)不銹鋼基體的作用，其可防止不銹鋼基體在后續(xù)陽(yáng)極氧化處理過程中不被腐蝕，且該打底層通過多弧離子鍍形成，沉積速度快，且與不銹鋼基體具有較高的結(jié)合力。另外，在磁控濺射該鋁膜之前，先通過多弧離子鍍形成該鋁金屬過渡層，該過渡層具有較高的附著力，且與后續(xù)的鋁膜具有相同的組成，可提高鋁膜的附著力。而鋁膜采用磁控濺射方法形成，使鋁膜比較細(xì)膩、光滑。【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明較佳實(shí)施例不銹鋼表面處理方法的步驟流程圖。
[0009]圖2是本發(fā)明較佳實(shí)施例不銹鋼表面處理方法過程中所用真空鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖3是本發(fā)明較佳實(shí)施例外殼的剖面不意圖。
[0011]主要元件符號(hào)說明
【權(quán)利要求】
1.一種不銹鋼表面處理方法，包括如下步驟: 提供不銹鋼基體； 通過多弧離子鍍?cè)诓讳P鋼基體表面沉積打底層，該打底層為鈦金屬層； 通過多弧離子鍍?cè)谒龃虻讓由铣练e過渡層，該過渡層為鋁金屬層； 通過磁控濺射方法在所述過渡層上沉積鋁膜； 對(duì)該形成有打底層、過渡層及鋁膜的不銹鋼基體進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，以使該過渡層及鋁膜被氧化而形成多孔的陽(yáng)極氧化膜； 對(duì)該經(jīng)陽(yáng)極氧化處理的不銹鋼基體進(jìn)行著色處理并封孔，以使不銹鋼基體表面獲得所需的顏色。
2.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼表面處理方法，其特征在于:沉積該打底層、過渡層及鋁膜是在同一真空鍍膜設(shè)備中進(jìn)行，該真空鍍膜設(shè)備包括真空室、位于真空室內(nèi)的轉(zhuǎn)架、用以對(duì)真空室抽真空的真空抽氣系統(tǒng)、以及若干個(gè)弧源裝置。
3.如權(quán)利要求2所述的不銹鋼表面處理方法，其特征在于:沉積該打底層時(shí)，將若干個(gè)鈦靶置于真空鍍膜設(shè)備的弧源位置上，將不銹鋼基體固定于所述轉(zhuǎn)架上，該真空室被抽真空至3X10 —3Pa-8X10 —3Pa后，向真空室內(nèi)充入惰性氣體，使真空室內(nèi)壓力為0.1Pa-0.8Pa，調(diào)節(jié)真空室內(nèi)溫度為90°C -105°C，對(duì)所述鈦靶施加200V-300V的負(fù)偏壓，設(shè)置偏壓電源的占空比為40-50%，開啟所述鈦靶的電源，并調(diào)節(jié)鈦靶電壓為15V-30V，電流為50A-80A，在不銹鋼基體上沉積該打底層，沉積時(shí)間為10-25分鐘。
4.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼表面處理方法，其特征在于:沉積該過渡層時(shí)，將若干個(gè)鋁靶置于該真空鍍膜設(shè)備的弧源位置上，將形成有所述打底層的不銹鋼基體固定于所述轉(zhuǎn)架上，該真空室被抽真空至3 X 10 — 3Pa-8 X 10 一 3Pa后，向真空室充入惰性氣體，使真空室內(nèi)壓力為0.1 Pa-0.9Pa，調(diào)節(jié)真空室內(nèi)溫度為90°C _115°C，對(duì)所述鋁靶施加200V的負(fù)偏壓，設(shè)置偏壓電源的占空比為45%，開啟所述鋁靶的電源，并調(diào)節(jié)鋁靶電壓為15V-35V，電流為40A-70A，在打底層上沉積該過渡層，沉積時(shí)間為25-60分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼表面處理方法，其特征在于:沉積該鋁膜時(shí)，于真空室中設(shè)置若干個(gè)磁控鋁靶，將形成有所述打底層及過渡層的不銹鋼基體固定于所述轉(zhuǎn)架上，該真空室被抽真空至3 X 10 — 3Pa-8 X 10 — 3Pa后，向真空室充入惰性氣體，使真空室內(nèi)壓力為0.1Pa-0.9Pa，調(diào)節(jié)真空室內(nèi)溫度為120°C _130°C，對(duì)所述磁控鋁靶施加250V的負(fù)偏壓，設(shè)置偏壓電源的占空比為40%，開啟所述磁控鋁靶的電源，并調(diào)節(jié)電源功率為5kW-6kW，對(duì)不銹鋼基體濺射50-70分鐘，以于所述過渡層表面形成所述鋁膜。
6.如權(quán)利要求4所述的不銹鋼表面處理方法，其特征在于:所述陽(yáng)極氧化處理是以不銹鋼基體為陽(yáng)極，不銹鋼片為陰極，以硫酸溶液為電解液；硫酸濃度為190g/L-210g/L，電解液溫度為8°C _13°C，采用恒電壓模式，恒定電壓為13V，處理時(shí)間為10min-15min。
7.一種外殼，包括不銹鋼基體，其特征在于:該外殼還包括形成于該不銹鋼基體表面的打底層及形成于該打底層表面的鋁陽(yáng)極氧化膜，該打底層為鈦金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的外殼，其特征在于:該打底層的厚度為1.5 μ m-2.5 μ m。
9.如權(quán)利要求7所述的外殼，其特征在于:該鋁陽(yáng)極氧化膜的厚度為18μm-25μm。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK103898447SQ201210589228
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月29日
【發(fā)明者】張春杰 申請(qǐng)人:深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司