一種降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，該方法適用于在晶圓上生長金屬層的工藝，該方法包含以下步驟：1、薄晶圓背面金屬濺射工藝開始前預(yù)先對晶圓噴射反應(yīng)氣體，使晶圓開始緩慢升溫；2、進行薄晶圓背面金屬濺射工藝；3、薄晶圓背面金屬濺射工藝完成后，持續(xù)對晶圓噴射反應(yīng)氣體，使晶圓緩慢降溫。本發(fā)明通過在進行薄晶圓背面金屬濺射工藝開始前預(yù)先噴射反應(yīng)氣體，使晶圓在工藝開始前先緩慢升溫，并在工藝完成后持續(xù)對晶圓平射反應(yīng)氣體，使晶圓在工藝完成后緩慢降溫，實現(xiàn)晶圓在整個工藝過程中柔和形變，以降低晶圓破損率，破損率有現(xiàn)有技術(shù)的1%降低至0.1%。
【專利說明】一種降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體制造工藝方法，具體涉及一種降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在晶圓上進行生長鈦層、鎳礬層和銀層的工藝時，需要采用薄晶圓背面金屬濺射工藝流程。對于薄晶圓背面金屬濺射工藝，最主要的問題在于晶圓破損。如圖1所示，以現(xiàn)有的薄晶圓背面金屬濺射工藝進行晶圓表面金屬層生長的過程中，由于每一個金屬層生長流程在開始與結(jié)束時環(huán)境溫度都會有大幅度的變化，從而會導致晶圓彎曲變化，這是造成晶圓破損的主要原因之一，采用現(xiàn)有工藝進行薄晶圓背面金屬濺射，晶圓的破損率達到1%。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，在工藝開始與結(jié)束時，使晶圓上的薄膜溫度柔和的變化，從而保證晶圓柔和形變，以降低晶圓破損率。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，該方法適用于在晶圓上生長金屬層的工藝，其特點是，該方法包含以下步驟:
步驟1、薄晶圓背面金屬濺射工藝開始前預(yù)先對晶圓噴射反應(yīng)氣體，使晶圓開始緩慢升溫;
步驟2、進行薄晶圓背面金屬濺射工藝；
步驟3、薄晶圓背面金屬濺射工藝完成后，持續(xù)對晶圓噴射反應(yīng)氣體，使晶圓緩慢降溫。
[0005]該方法適用于在晶圓上生長鈦層或鎳礬層或銀層的工藝。
[0006]該方法進行過程中噴射反應(yīng)氣體的流量為小于等于200標況毫升每分。
[0007]上述步驟1中，薄晶圓背面金屬濺射工藝開始前對晶圓噴射反應(yīng)氣體小于等于50秒。
[0008]上述步驟3中，薄晶圓背面金屬濺射工藝完成后對晶圓噴射反應(yīng)氣體小于等于50秒。
[0009]上述的反應(yīng)氣體為気氣。
[0010]上述步驟1中不對反應(yīng)腔施加刻蝕電壓。
[0011]上述步驟3中不對反應(yīng)腔施加刻蝕電壓。
[0012]本發(fā)明一種降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，和現(xiàn)有技術(shù)的薄晶圓背面金屬濺射方法相比，其優(yōu)點在于，本發(fā)明通過在進行薄晶圓背面金屬濺射工藝開始前預(yù)先噴射反應(yīng)氣體，使晶圓在工藝開始前先緩慢升溫，并在工藝完成后持續(xù)對晶圓平射反應(yīng)氣體，使晶圓在工藝完成后緩慢降溫，實現(xiàn)晶圓在整個工藝過程中柔和形變，以降低晶圓破損率，破損率有現(xiàn)有技術(shù)的1%降低至0.1%。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為現(xiàn)有技術(shù)金屬層生長工藝的流程示意圖；
圖2為本發(fā)明一種降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法的流程示意圖。

【具體實施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖，進一步說明本發(fā)明的具體實施例。
[0015]如圖2所示，為通過本發(fā)明所公開的降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法分別進行了三次金屬層生長工藝的流程示意圖。本實施例中，該方法可適用于在晶圓上分別進行鈦層、鎳礬層或銀層的生長工藝，也可以適用于連續(xù)在晶圓上生長上述三種金屬層(金屬層生長順序不限)。
[0016]本發(fā)明一種降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法包含以下步驟:
步驟1、薄晶圓背面金屬濺射工藝開始前預(yù)先對晶圓噴射反應(yīng)氣體小于等于50秒，可采用例如20秒(s )，使晶圓開始緩慢升溫。反應(yīng)氣體為氬氣(Ar Gas )，流量為小于等于200標況暈升每分，例如:110標況暈升每分(seem),在預(yù)噴射反應(yīng)氣體的過程中不對反應(yīng)腔加刻蝕電壓(Etch voltage),此時刻蝕電壓為0千瓦(kw)。
[0017]步驟2、進行薄晶圓背面金屬濺射工藝，開始對反應(yīng)腔施加刻蝕電壓，并持續(xù)對晶圓噴射気氣(反應(yīng)氣體)，流量為小于等于200標況暈升每分，例如:110標況暈升每分(seem)。其中刻蝕電壓與反應(yīng)時間(Process time)都按照通過薄晶圓背面金屬派射法生長相應(yīng)金屬層的工藝要求設(shè)定。
[0018]步驟3、薄晶圓背面金屬濺射工藝完成后，停止對反應(yīng)腔施加刻蝕電壓，并持續(xù)對晶圓噴射氬氣小于等于50秒，例如20秒，使晶圓緩慢降溫，氬氣流量為小于等于200標況暈升每分，例如:110標況暈升每分(seem)。
[0019]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細介紹，但應(yīng)當認識到上述的描述不應(yīng)被認為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，該方法適用于在晶圓上生長金屬層的工藝，其特征在于，該方法包含以下步驟: 步驟1、薄晶圓背面金屬濺射工藝開始前預(yù)先對晶圓噴射反應(yīng)氣體，使晶圓開始緩慢升溫; 步驟2、進行薄晶圓背面金屬濺射工藝； 步驟3、薄晶圓背面金屬濺射工藝完成后，持續(xù)對晶圓噴射反應(yīng)氣體，使晶圓緩慢降溫。
2.如權(quán)利要求1所述的降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，其特征在于，該方法適用于在晶圓上生長鈦層或鎳礬層或銀層的工藝。
3.如權(quán)利要求1所述的降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，其特征在于，該方法進行過程中噴射反應(yīng)氣體的流量為小于等于200標況毫升每分。
4.如權(quán)利要求1所述的降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，其特征在于，所述步驟I中，薄晶圓背面金屬濺射工藝開始前對晶圓噴射反應(yīng)氣體小于等于50秒。
5.如權(quán)利要求1所述的降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，其特征在于，所述步驟3中，薄晶圓背面金屬濺射工藝完成后對晶圓噴射反應(yīng)氣體小于等于50秒。
6.如權(quán)利要求1所述的降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，其特征在于，所述的反應(yīng)氣體為IS氣。
7.如權(quán)利要求1所述的降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，其特征在于，所述步驟I中不對反應(yīng)腔施加刻蝕電壓。
8.如權(quán)利要求1所述的降低晶圓破損率的薄晶圓背面金屬濺射方法，其特征在于，所述步驟3中不對反應(yīng)腔施加刻蝕電壓。
【文檔編號】C23C14/34GK104253039SQ201310266359
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】趙高輝, 姜國偉, 牟善勇 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司