一種氮氧鋅薄膜的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氮氧鋅薄膜的制備方法，采用射頻磁控濺射，以體積百分?jǐn)?shù)99.9-99.999%的氮化鋅靶為濺射靶材，靶材與襯底的距離為20-150mm，在一定的射頻頻率下，以體積百分?jǐn)?shù)99.9-99.999%的氬氣為濺射氣體，襯底溫度為25-150℃，在0.5-5W/cm2的功率密度下實(shí)施濺射，濺射室的背景真空小于1×10-7托，先以所述氬氣預(yù)濺射一段時(shí)間，再以體積百分?jǐn)?shù)99.9-99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣流量0.1-60sccm，氬氣流量5-100sccm，濺射壓強(qiáng)0.1-10.0Pa，獲得氮氧鋅薄膜，其中，Zn原子數(shù)占51-66%，N∶O=1∶3～2∶1。本發(fā)明解決了氮在氧化鋅中固溶度低的問題，制備得到的n型氮氧鋅薄膜的載流子遷移率較高，電阻率較低。
【專利說明】一種氮氧鋅薄膜的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體薄膜的制備，特別是涉及一種氮氧鋅薄膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在近十幾年的時(shí)間中，以硅材料TFT為驅(qū)動(dòng)單元的液晶顯示器件以其體積小、重量輕、品質(zhì)高等一系列優(yōu)點(diǎn)獲得了迅速發(fā)展，并成為主流的信息顯示終端。然而隨著人們對(duì)顯示器件分辨率、響應(yīng)速度、穩(wěn)定性等性能要求的提高，以硅材料為有源層的TFT暴露出一系列的問題，而與目前在液晶顯示器有源驅(qū)動(dòng)矩陣中廣泛采用的非晶硅TFT相比，氧化物半導(dǎo)體TFT具有如下優(yōu)勢(shì):(I)場(chǎng)效應(yīng)遷移率高；(2)開關(guān)比高；(3)制備工藝溫度低；(4)可以制作大面積非晶薄膜，均勻性好，具有良好一致的電學(xué)特性；(5)受可見光影響小，t匕非晶硅薄膜晶體管穩(wěn)定；(6)可以制作成透明器件。在平板顯示領(lǐng)域，氧化物TFT技術(shù)幾乎滿足包括AMOLED驅(qū)動(dòng)、快速超大屏幕液晶顯示、3D顯示等諸多顯示模式的所有要求。在柔性顯示方面，襯底材料不能承受高溫，而氧化物TFT的制備工藝溫度低，與柔性襯底兼容，因而具備較大優(yōu)勢(shì)。
[0003]傳統(tǒng)的IGZO薄膜晶體管由于在IGZO薄膜中存在氧空位，因此其載流子遷移率相對(duì)較低，且存在穩(wěn)定性問題。而以氮氧鋅ZnON作為有源層的TFT顯示出更高的遷移率，目前獲得廣泛的關(guān)注。典型的，采用鋅靶，氧氣、氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，反應(yīng)磁控濺射工藝制備ZnON有源層，通過調(diào)節(jié)氧、氮的流量來控制薄膜中氧、氮含量。由于采用氮?dú)庾鳛閾诫s源來制備ZnON薄膜，無法提供足夠的活性氮，從而氮在氧化鋅中的固溶度低，導(dǎo)致在薄膜生長過程中主要發(fā)生氧與鋅的反應(yīng)，導(dǎo)致工藝窗口窄，制備得到的η型氮氧鋅薄膜載流子遷移率較低，電阻率較高，性能還達(dá)不到TFT的要求。而為了解決氮在氧化鋅中固溶度低的問題，通常要求氮流量高達(dá)300-500sCCm，進(jìn)而又導(dǎo)致濺射鍍膜速度慢，濺射功率高，原材料消耗大的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:彌補(bǔ)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種氮氧鋅薄膜的制備方法，解決了氮在氧化鋅中固溶度低的問題，制備得到的η型氮氧鋅薄膜的載流子遷移率較高，電阻率較低，以氮氧鋅薄膜為有源層的TFT性能很好。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下的技術(shù)方案予以解決:
[0006]一種氮氧鋅薄膜的制備方法，包括如下步驟:
[0007]采用射頻磁控濺射，以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮化鋅靶為濺射靶材，濺射靶材與襯底的距離為20-150mm，在一定的射頻頻率下，以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氬氣為濺射氣體，襯底溫度為25-150°C，在0.5-5ff/cm2的功率密度下實(shí)施濺射，濺射室的背景真空小于IX 10_7托，先以所述氬氣預(yù)濺射一段時(shí)間，再以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣流量為0.l-60sccm,氬氣流量為5-lOOsccm，濺射壓強(qiáng)控制在0.1-10.0Pa之間，獲得所述氮氧鋅薄膜，所述氮氧鋅薄膜中，Zn原子數(shù)占51_66%，N: 0=1: 3 ?2:1。
[0008]本發(fā)明采用氮化鋅靶，采用氬氣濺射，在濺射產(chǎn)物中觀察到高濃度的活性氮原子，不需要采用傳統(tǒng)的高流量的氮?dú)獾姆磻?yīng)濺射方式，活性氮足夠多，氮容易引入氮氧鋅薄膜中，氮在氧化鋅中固溶度較高，制備得到的η型氮氧鋅薄膜的載流子遷移率較高，電阻率較低，基于該薄膜的薄膜晶體管的遷移率更高，穩(wěn)定性更好。
[0009]優(yōu)選地，當(dāng)不通入氮?dú)鈺r(shí)，所述氧氣流量為4-10sccm,所述IS氣流量為10_30sccmo
[0010]由于氮化鋅的濺射鍍膜本質(zhì)上氮是欠缺的，且氧的活性強(qiáng)，需準(zhǔn)確控制各氣體的流量，采用以上的優(yōu)選流量可以達(dá)到優(yōu)化的結(jié)果，獲得的氮氧鋅薄膜呈非晶態(tài)，其表面平難
iF.ο
[0011]優(yōu)選地，還通入體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，0sccm〈氮?dú)饬髁?lt; lOOsccm。
[0012]當(dāng)通入氮?dú)鈺r(shí)，進(jìn)一步優(yōu)選地，所述氮?dú)饬髁繛?0_40sccm,氧氣流量為10_20sccm,気氣流量為 40_80sccm。
[0013]通入氮?dú)夂?，氧氣流量與通入的氮?dú)饬髁坑嘘P(guān)，氧氣流量可以大幅提高，調(diào)控更加容易，通入氮?dú)夂?，一方面可以補(bǔ)償?shù)娜笔?，另一方面可以提高氧的流量，達(dá)到控制容易的目的，即薄膜中的氮氧比例更容易調(diào)節(jié)，氮氧鋅薄膜的載流子遷移率進(jìn)而更容易調(diào)節(jié)，但是仍然不需要采用傳統(tǒng)反應(yīng)濺射中高流量的氮?dú)狻?br> [0014]優(yōu)選地,所述預(yù)派射時(shí)間為lOmin。
[0015]預(yù)濺射以氬氣為工作氣體，預(yù)濺射IOmin較好，以去除氮化鋅靶表面一層，保證靶面清潔，不會(huì)污染薄膜。
[0016]優(yōu)選地，在l-3W/cm2的功率密度下實(shí)施濺射。
[0017]一種氮氧鋅薄膜的制備方法，包括如下步驟:采用射頻磁控濺射，以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮化鋅靶為濺射靶材，濺射靶材與襯底的距離為20_150mm，射頻頻率13.56MHz,以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氬氣為濺射氣體，襯底溫度為25_150°C，在l-3W/cm2的功率密度下實(shí)施濺射，濺射室的背景真空小于1X10—7托，先以所述氬氣預(yù)濺射lOmin，再以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣流量為4-10sccm，氬氣流量為10-30sCCm，濺射壓強(qiáng)控制在0.1-10.0Pa之間，獲得所述氮氧鋅薄膜；或者，再以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氧氣和體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮?dú)鉃榉磻?yīng)氣體，所述氮?dú)饬髁繛?0-40sccm，氧氣流量為10-20sccm，氬氣流量為40-80sccm，濺射壓強(qiáng)控制在0.1-10.0Pa之間，獲得所述氮氧鋅薄膜，所述氮氧鋅薄膜中，Zn原子數(shù)占55_65%，N: 0=1:1。
[0018]在以上的方案下，ZnON薄膜呈非晶態(tài)，非晶ZnON薄膜的表面平整，氮氧鋅薄膜中，Zn原子數(shù)占55-65%，N: 0=1: 1，采用Accent HL5500PC型Hall效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試載流子濃度和Hall遷移率，隨著氧分壓提高，載流子濃度降低，優(yōu)化條件下的載流子濃度較低?1017cnT3，Hall 遷移率達(dá)到 50cm2/Vs。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為實(shí)例I所制備的氮氧鋅薄膜的XRD圖；[0020]圖2為實(shí)例3所制備的氮氧鋅薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面對(duì)照附圖并結(jié)合優(yōu)選的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0022]本發(fā)明提供一種氮氧鋅薄膜的制備方法，在一個(gè)實(shí)施方式中，包括如下步驟:
[0023]采用射頻磁控濺射，以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮化鋅靶為濺射靶材，濺射靶材與襯底的距離為20-150mm，在一定的射頻頻率下，以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氬氣為濺射氣體，襯底溫度為25-150°C，在0.5-5ff/cm2的功率密度下實(shí)施濺射，濺射室的背景真空小于IX 10_7托，先以所述氬氣預(yù)濺射一段時(shí)間，再以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣流量為0.l-60sccm,氬氣流量為5-lOOsccm，濺射壓強(qiáng)控制在0.1-10.0Pa之間，獲得所述氮氧鋅薄膜，所述氮氧鋅薄膜中，Zn原子數(shù)占51-66%，N: 0=1: 3 ?2:1。
[0024]其中，背景真空是鍍膜前需要達(dá)到的真空度，越高越好，否則，殘余氣體如氧氣將會(huì)對(duì)薄膜產(chǎn)生很大影響；襯底溫度在25-150°C內(nèi)實(shí)施濺射都是可行的，但保持在室溫25°C是較經(jīng)濟(jì)的。
[0025]優(yōu)選地，當(dāng)不通入氮?dú)鈺r(shí)，所述氧氣流量為4-10sccm,所述IS氣流量為10_30sccmo
[0026]優(yōu)選地，還通入體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，0sccm〈氮?dú)饬髁?lt; lOOsccm。當(dāng)通入氮?dú)鈺r(shí),進(jìn)一步優(yōu)選地,所述氮?dú)饬髁繛?0-40sccm,氧氣流量為10_20sccm,気氣流量為 40_80sccm。
[0027]優(yōu)選地,所述預(yù)派射時(shí)間為lOmin。
[0028]優(yōu)選地，在l-3W/cm2的功率密度下實(shí)施濺射。
[0029]在另一個(gè)實(shí)施方式中，包括如下步驟:采用射頻磁控濺射，以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮化鋅靶為濺射靶材，濺射靶材與襯底的距離為20_150mm，射頻頻率13.56MHz,以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氬氣為濺射氣體，襯底溫度為25_150°C，在l-3ff/cm2的功率密度下實(shí)施濺射，濺射室的背景真空小于1X10—7托，先以所述氬氣預(yù)濺射lOmin，再以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣流量為4-lOsccm，氬氣流量為10-30sCCm，濺射壓強(qiáng)控制在0.1-10.0Pa之間，獲得所述氮氧鋅薄膜；或者，再以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氧氣和體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮?dú)鉃榉磻?yīng)氣體，所述氮?dú)饬髁繛?0-40sccm，氧氣流量為10-20sccm，氬氣流量為40-80sccm，濺射壓強(qiáng)控制在0.1-10.0Pa之間，獲得所述氮氧鋅薄膜，所述氮氧鋅薄膜中，Zn原子數(shù)占55-65%，N: 0=1:1。
[0030]以下通過更具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0031]實(shí)施例1
[0032]采用射頻磁控濺射，以99.99%的氮化鋅靶為濺射靶材，氮化鋅靶與襯底的距離為60mm,射頻頻率13.56MHz，以99.999%的氬氣為濺射氣體，99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氣體的比例通過氣體流量計(jì)控制。樣品生長時(shí)襯底溫度保持在25°C，濺射的功率密度為2W/cm2，派射室的背景真空為0.8 X 10_7托,預(yù)派射lOmin。氧氣流量為6sccm,不通入氮?dú)?気氣流量為20sccm，濺射壓強(qiáng)為1.3Pa。[0033]制備得到的薄膜的化學(xué)組成中，Zn原子數(shù)占58%，氮與氧的原子數(shù)比N: 0=1: I。采用Accent HL5500PC型Hall效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試載流子濃度和Hall遷移率，載流子濃度較低~1017cm_3，Hall遷移率為50cm2/Vs。薄膜呈非晶態(tài)，非晶ZnON薄膜的表面平整，ZnON薄膜的XRD圖如圖1所示。
[0034]一種以氮氧鋅作為有源層的氮氧鋅薄膜晶體管采用頂柵結(jié)構(gòu)，如圖2所示，包括基板1、形成在基板I上的源極2、漏極3和氮氧鋅半導(dǎo)體有源層4，其中源極2和漏極3分別與氮氧鋅半導(dǎo)體有源層4接觸，在氮氧鋅半導(dǎo)體有源層4上覆蓋一層?xùn)艠O絕緣層5、以及在柵極絕緣層5上的柵極6，溝道區(qū)域位于源極2和漏極3之間，其中，柵極6與絕緣層5以及溝道區(qū)域可以形成自對(duì)準(zhǔn)。該結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)在于氮氧鋅半導(dǎo)體層被柵極絕緣層覆蓋，受到絕緣層和柵極的保護(hù)，不需要另外的保護(hù)層或另外的保護(hù)工藝，不會(huì)受環(huán)境或工藝因素的影響且沒有增加額外的工藝處理步驟。TFT的場(chǎng)效應(yīng)遷移率達(dá)到47cm2/Vs
[0035]本實(shí)施例的氮氧鋅薄膜晶體管的制造方法包括下列步驟:
[0036](I)基板I可以是玻璃、石英、硅片或其它柔性基板如塑料等，在基板I上沉積導(dǎo)電層，沉積方式可以采用熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、磁控濺射等，導(dǎo)電層可以是鈦、銀、金、鉻、鋁、銅、鑰、鉭、鎢等或透明導(dǎo)電膜，也可以是這些導(dǎo)電材料的合金，既可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是以這些導(dǎo)電層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的采用磁控濺射金屬鈦Mo，導(dǎo)電層厚度在IOnm-1OOOnm之間，較佳厚度為200nm，濺射的背景真空度小于I X 10_6托。
[0037](2)采用濕法或干法刻蝕導(dǎo)電層形成源極2和漏極3。
[0038](3)之后在源極2、漏極3和基板I上按照實(shí)施例1的工藝條件沉積氮氧鋅薄膜，所形成的ZnON薄膜厚度為5-2000nm,較優(yōu)的厚度為50nm。
[0039](4)在氮氧鋅薄膜上形成柵極絕緣薄膜，柵極絕緣薄膜的沉積方式可以采用PECVD, PLD、電子束蒸發(fā)、磁控濺射及ALD，可由氮化硅(SiNx)、氧化硅(Si02)、氮氧化硅、氧化招、氧化乾或HfO2等制成,優(yōu) 化地,采用ALD技術(shù),在室溫下沉積厚度IOOnm的a_Si0x柵極絕緣薄膜，沉積的背景真空小于I X 10_6托。
[0040](5)在柵極絕緣薄膜上形成柵極金屬層，柵極金屬層的沉積方式可以采用熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、磁控濺射等技術(shù)。
[0041](6)采用濕法或干法刻蝕柵極金屬層形成柵極6，再以柵極6為掩膜，干法刻蝕柵極絕緣薄膜形成與柵極6圖案一致的柵極絕緣層5。
[0042](7)采用濕法刻蝕氮氧鋅薄膜形成氮氧鋅半導(dǎo)體有源層4。
[0043]實(shí)施例2
[0044]采用射頻磁控濺射，以99.99%的氮化鋅靶為濺射靶材，氮化鋅靶與襯底的距離為60mm，所用的射頻頻率13.56MHz，以99.999%的氬氣為濺射氣體，99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氣體的比例通過氣體流量計(jì)控制。樣品生長時(shí)襯底溫度保持在25°C，濺射功率3.3W/cm2, ?賤射室的背景真空為0.9X 10〃托,預(yù)派射lOmin。氧氣流量為Isccm,不通入氮?dú)?気氣流量保持為50SCCm，濺射壓強(qiáng)為1.5Pa。
[0045]制備得到的薄膜的化學(xué)組成中，Zn原子數(shù)占66%，氮與氧的原子數(shù)比N: 0=2: I。采用Accent HL5500PC型HalI效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試載流子濃度和HalI遷移率，載流子濃度較高，約為2.06X IO2W3,HalI遷移率為12cm2/Vs。薄膜中氧不足，薄膜呈多晶態(tài)，多晶ZnON薄膜的表面不平整。按照實(shí)施例1中的TFT結(jié)構(gòu)，場(chǎng)效應(yīng)遷移率達(dá)到8cm2/Vs。盡管載流子濃度高，但是散射作用也強(qiáng)，導(dǎo)致載流子遷移率并不高，且薄膜晶體管的漏電流也高，開關(guān)比為10_5。
[0046]實(shí)施例3
[0047]采用射頻磁控濺射，以99.99%的氮化鋅靶為濺射靶材，氮化鋅靶與襯底的距離為60mm，所用的射頻頻率13.56MHz，以99.999%的氬氣為濺射氣體，99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氣體的比例通過氣體流量計(jì)控制。樣品生長時(shí)襯底溫度保持在在25°C，濺射的功率密度為2.2W/cm2，濺射室的背景真空為0.7X 10_7托，預(yù)濺射lOmin。氧流量為25sCCm，不通入氮?dú)?，氬流量保持?0SCCm，濺射壓強(qiáng)為1.0Pa0
[0048]制備得到的薄膜的化學(xué)組成中，Zn原子數(shù)占51%，氮與氧的原子數(shù)比N: 0=1: 3，氮原子不足。采用Accent HL5500PC型Hall效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試載流子濃度和Hall遷移率，載流子濃度低于1017cm_3，Hall遷移率為llcmVVs。薄膜呈非晶和微晶的混合態(tài)。按照實(shí)施例1中的TFT結(jié)構(gòu)，場(chǎng)效應(yīng)遷移率達(dá)到10cm2/Vs。[0049]實(shí)施例4
[0050]采用射頻磁控濺射，以99.99%的氮化鋅靶為濺射靶材，氮化鋅靶與襯底的距離為60mm，所用的射頻頻率13.56MHz，以99.999%的氬氣為濺射氣體，99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氣體的比例通過氣體流量計(jì)控制。樣品生長時(shí)襯底溫度保持在25°C，濺射的功率密度為3.5W/cm2，濺射室的背景真空為0.8X 10_7托，預(yù)濺射lOmin。氧流量為20sCCm，氮?dú)饬髁縎Osccm,!!；!^量為 50sccm,派射壓強(qiáng)為 1.3Pa。
[0051]制備得到的薄膜的化學(xué)組成中，Zn原子數(shù)占59%，氮與氧的原子數(shù)比為N: 0=1: I。采用Accent HL5500PC型Hall效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試載流子濃度和Hall遷移率，載流子濃度較低~1017cnT3，Hall遷移率約為52cm2/Vs。薄膜呈非晶態(tài)，非晶ZnON薄膜的表面平整。按照實(shí)施例1中的TFT結(jié)構(gòu)，場(chǎng)效應(yīng)遷移率達(dá)到48cm2/Vs。
[0052]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干等同替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種氮氧鋅薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 采用射頻磁控濺射，以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮化鋅靶為濺射靶材，濺射靶材與襯底的距離為20-150mm，在一定的射頻頻率下，以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氬氣為濺射氣體，襯底溫度為25-150°C，在0.5-5ff/cm2的功率密度下實(shí)施濺射，濺射室的背景真空小于IX 10_7托，先以所述氬氣預(yù)濺射一段時(shí)間，再以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣流量為0.l-60sccm,氬氣流量為5-100sccm，濺射壓強(qiáng)控制在0.1-10.0Pa之間，獲得所述氮氧鋅薄膜，所述氮氧鋅薄膜中，Zn原子數(shù)占51-66%，N: 0=1: 3~2:1。
2.如權(quán)利要求1所述的氮氧鋅薄膜的制備方法，其特征在于:所述氧氣流量為4-10sccm,所述気氣流量為10_30sccm。
3.如權(quán)利要求1所述的氮氧鋅薄膜的制備方法，其特征在于:還通入體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，0sccm〈氮?dú)饬髁俊躀OOsccm0
4.如權(quán)利要求3所述的氮氧鋅薄膜的制備方法，其特征在于:所述氮?dú)饬髁繛?0_40sccm,氧氣流量為10-20sccm,気氣流量為40_80sccm。
5.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的氮氧鋅薄膜的制備方法，其特征在于:在l-3W/cm2的功率密度下實(shí)施濺射。
6.如權(quán)利要求1所述的氮氧鋅薄膜的制備方法，其特征在于:所述預(yù)濺射時(shí)間為IOmin0
7.如權(quán)利要求1所述的氮氧鋅薄膜的制備方法，其特征在于:所述濺射頻率為13.56MHz ο
8.一種氮氧鋅薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟:采用射頻磁控濺射，以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮化鋅靶為濺射靶材，濺射靶材與襯底的距離為20_150mm，射頻頻率13.56MHz，以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氬氣為濺射氣體，襯底溫度為.25-150°C，在l-3W/cm2的功率密度下實(shí)施濺射，濺射室的背景真空小于1X10_7托，先以所述氬氣預(yù)濺射lOmin，再以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣流量為.4-10sccm,氬氣流量為10-30sccm，濺射壓強(qiáng)控制在0.1-10.0Pa之間，獲得所述氮氧鋅薄膜；或者，再以體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氧氣和體積百分?jǐn)?shù)為99.9-99.999%的氮?dú)鉃榉磻?yīng)氣體，所述氮?dú)饬髁繛?0-40sccm,氧氣流量為10_20sccm,気氣流量為40_80sccm,濺射壓強(qiáng)控制在0.1-10.0Pa之間，獲得所述氮氧鋅薄膜，所述氮氧鋅薄膜中，Zn原子數(shù)占.55-65%,N: 0=1:1。
【文檔編號(hào)】C23C16/40GK103474356SQ201310426153
【公開日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月17日
【發(fā)明者】劉萍 申請(qǐng)人:深圳丹邦投資集團(tuán)有限公司