一種真空濺射鍍膜靶材的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種真空濺射鍍膜靶材，包括濺鍍面，所述濺鍍面包括第一水平面（2）和與第一水平面（2）依次連接的第一斜坡面（3）、增高濺鍍面（4）、第二斜坡面（5）及第二水平面（6）；第一斜坡面（3）與第一水平面（2）組成第一斜坡角，所述第二斜坡面（5）與第二水平面（6）構(gòu)成第二斜坡角。本發(fā)明通過改變靶材的濺鍍面形狀及厚度，來調(diào)整靶材與基材之間的磁場，使電壓平穩(wěn)，從而使靶材的預(yù)濺鍍時間縮短，提高了靶材的使用率，薄膜質(zhì)量提高。
【專利說明】一種真空濺射鍍膜靶材
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種真空濺射鍍膜靶材，屬于靶材【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]真空濺射鍍膜靶材通過在真空磁控環(huán)境中，利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中加速聚集成高速離子流，轟擊靶材表面，使靶材表面的原子離開靶材并沉積在基材表面。
[0003]現(xiàn)有靶材的形態(tài)如圖1所示，即濺鍍面I為平面，對應(yīng)的機(jī)臺為恒定電流控制，靶材預(yù)濺鍍1.5小時后導(dǎo)入生產(chǎn)。在濺鍍過程中，發(fā)現(xiàn)機(jī)臺的電壓隨著時間的進(jìn)行而升高，導(dǎo)致膜層變厚、回濺物沉積較多，測試電壓升高，陷入惡性循環(huán)，且縮短了靶材的使用壽命，降低了靶材的使用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明目的是提供一種電壓穩(wěn)定、預(yù)濺鍍時間短、使用率高的真空濺射鍍膜靶材。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明是通過如下的技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0006]本發(fā)明包括濺鍍面，其特征在于，所述濺鍍面包括第一水平面和與第一水平面依次連接的第一斜坡面、增高濺鍍面、第二斜坡面及第二水平面；第一斜坡面與第一水平面組成第一斜坡角，所述第二斜坡面與第二水平面構(gòu)成第二斜坡角。
[0007]上述第一斜坡角的角度為120。~140。，所述第二斜坡角的角度為130。~150
[0008]上述增高濺鍍面距離第一水平面或第二水平面的垂直高度為5.0~12.0mm。
[0009]上述第一斜坡面、增高濺鍍面和第二斜坡面表面的粗糙度小于0.8 μ m。
[0010]革巴材總厚度為32±5.0mm。
[0011]本發(fā)明通過改變靶材的濺鍍面形狀及厚度，來調(diào)整靶材與基材之間的磁場，使電壓平穩(wěn)，從而使靶材的預(yù)濺鍍時間縮短，提高了靶材的使用率，薄膜質(zhì)量提高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的真空濺射鍍膜靶材側(cè)視圖；
[0013]圖2為本發(fā)明的真空濺射鍍膜靶材側(cè)視圖。
【具體實施方式】
[0014]為使本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合【具體實施方式】，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
[0015]參見圖2，本發(fā)明的真空濺射鍍膜靶材，包括濺鍍面，濺鍍面包括第一水平面2和與第一水平面2依次連接的第一斜坡面3、增高濺鍍面4、第二斜坡面5及第二水平面6。
[0016]用精度較高的銑床加工靶材斜坡面，第一斜坡面3與第一水平面2組成第一斜坡角，第二斜坡面5與第二水平面6構(gòu)成第二斜坡角。
[0017]根據(jù)靶材的濺射軌道、機(jī)臺的特性及成本，設(shè)定第一斜坡角180。-ZA(40。~60 °)及第二斜坡角180。- Z B (30。~50。)的大小。
[0018]第一斜坡角的角度為120。~140。，第二斜坡角的角度為130。~150。。相對位置根據(jù)相應(yīng)機(jī)臺的濺射軌跡，通過3D掃描殘靶較精確的計算到靶材的濺射區(qū)域。
[0019]增高濺鍍面4距離第一水平面2或第二水平面6的垂直高度為5.0~12.0mm.靶材的斜坡高度根據(jù)對應(yīng)電鍍設(shè)備磁場中的最優(yōu)位置。
[0020]圖2中，X、Y值為靶材寬度的5%~50%。
[0021]斜坡面加工采用球形銑刀，研磨拋光斜坡及濺鍍面，確保第一斜坡面3、增高濺鍍面4和第二斜坡面5表面的粗糙度小于0.8 μ m。
[0022]靶材總厚度為32 ±5.0mm。
[0023]本發(fā)明能使真空環(huán)境下的磁場穩(wěn)定，靶材預(yù)濺鍍0.5小時后，濺鍍電壓表面穩(wěn)定，提升濺鍍質(zhì)量。
[0024]本發(fā)明靶材導(dǎo)入濺鍍時，靶材表面的沉積物較少，靶材異常放電現(xiàn)象也未發(fā)生，電壓也已穩(wěn)定，現(xiàn)有技術(shù)的組合靶材重量為203.0KG，本發(fā)明組后后重量為212.0KG，靶材的厚度增加6.0mm,重量僅增加9.0KG,但使用率從30%增加到45%。
[0025]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種真空濺射鍍膜靶材，包括濺鍍面，其特征在于，所述濺鍍面包括第一水平面(2)和與第一水平面(2)依次連接的第一斜坡面(3)、增高濺鍍面(4)、第二斜坡面(5)及第二水平面(6)； 所述第一斜坡面(3 )與第一水平面(2 )組成第一斜坡角，所述第二斜坡面(5 )與第二水平面(6)構(gòu)成第二斜坡角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空濺射鍍膜靶材，其特征在于， 所述第一斜坡角的角度為120。~140。，所述第二斜坡角的角度為130。~150 °。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空濺射鍍膜靶材，其特征在于， 所述增高濺鍍面(4)距離第一水平面(2)或第二水平面(6)的垂直高度為5.0~12.0mm0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空濺射鍍膜靶材，其特征在于， 所述第一斜坡面(3)、增高濺鍍面(4)和第二斜坡面(5)表面的粗糙度小于0.m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的真空濺射鍍膜靶材，其特征在于，靶材總厚度為32±5.0mm。
【文檔編號】C23C14/34GK103668090SQ201410001405
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2014年1月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月2日
【發(fā)明者】陳春玲, 黃威智, 方家芳 申請人:昆山全亞冠環(huán)保科技有限公司