一種真空濺射鍍膜裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于鍍膜裝置領(lǐng)域，具體涉及一種真空濺射鍍膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]濺射鍍膜被廣泛應(yīng)用在玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體等領(lǐng)域，濺射鍍膜是指在真空環(huán)境中利用粒子轟擊靶材產(chǎn)生的濺射效應(yīng)，使得靶材原子或分子從固體表面射出，在基片上沉積形成薄膜的過程，屬于物理氣相沉積(PVD)制備薄膜技術(shù)的一種，但是現(xiàn)有的真空濺射鍍膜裝置的腔體與擋板之間存在導(dǎo)電性，而且濺射腔的上半部分的不銹鋼擋板吸附濺射物質(zhì)的能力有限，導(dǎo)致濺射物質(zhì)掉落，若落在產(chǎn)品的表面導(dǎo)致后面的膜層濺射不能完全附著在產(chǎn)品上，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種真空濺射鍍膜裝置，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種技術(shù)方案:一種真空濺射鍍膜裝置，包括真空腔、陽極、進氣口、傳遞輥、陰極靶材和陰極，所述真空腔由上半部的U形陰極蓋板和下半部的U形陽極板框連接而成，且連接處設(shè)有密封件，所述陰極蓋板的內(nèi)側(cè)通過螺栓安裝有連接鋼板，連接鋼板的內(nèi)側(cè)焊接有不銹鋼網(wǎng)，所述陰極蓋板內(nèi)設(shè)有陰極，所述陰極與陰極電源連接，所述陰極的的下方設(shè)有陰極靶材，所述陽極板框的兩側(cè)分別設(shè)有入料口與出料口，入料口與出料口的上方各設(shè)有一個陽極，所述陽極連有陽極電源，所述真空腔的底部安裝有多個傳遞輥，傳遞輥之間固定有固定板，固定板通過固定板上的固定孔固定在陽極板框的底部，所述固定板上通過緊固件固定有絕緣塊，所述絕緣塊的兩側(cè)通過緊固件固定有側(cè)板，絕緣塊的上方通過緊固件固定有基板，所述真空腔的內(nèi)部設(shè)有多組左右對稱的進氣口。
[0005]優(yōu)選的，所述基板的高度低于傳遞輥的高度。
[0006]優(yōu)選的，所述基板與側(cè)板為一體結(jié)構(gòu)，且側(cè)板與固定板之間設(shè)有間隙。
[0007]優(yōu)選的，所述進氣口的大小形狀各不相同，且進氣口處安裝有氣體流量控制器。
[0008]本實用新型的技術(shù)效果和優(yōu)點:一種真空濺射鍍膜裝置的陰極蓋板的內(nèi)側(cè)通過螺栓安裝有連接鋼板，連接鋼板的內(nèi)側(cè)焊接有不銹鋼網(wǎng)，增加了對濺射物質(zhì)的吸附力，減少了濺射物質(zhì)的掉落，而且清潔方便，固定板上通過緊固件固定有絕緣塊，絕緣塊的兩側(cè)通過緊固件固定有側(cè)板，絕緣塊的上方通過緊固件固定有基板，保證了基板與真空腔的絕緣性，同時方便基板與側(cè)板的更換，真空腔的內(nèi)部設(shè)有多組左右對稱的進氣口，進氣口的大小形狀各不相同，且進氣口處安裝有氣體流量控制器，通過氣體流量控制裝置調(diào)整各個進氣口的氣體流量，從而適應(yīng)不同的工藝要求。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖中:1、真空腔；101、陰極蓋板；102、陽極板框；2、連接鋼板；3、不銹鋼網(wǎng)；4、密封件；5、陽極電源；6、陽極；7、入料口 ；8、進氣口 ；9、傳遞輥；10、固定板；11、緊固件；12、固定孔；13、側(cè)板；14、絕緣塊；15、基板；16、出料口 ；17、陰極靶材；18、陰極；19、陰極電源。
【具體實施方式】
[0011]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0012]本實用新型提供了如圖1所示的一種真空濺射鍍膜裝置，包括真空腔1、陽極6、進氣口 8、傳遞輥9、陰極靶材17和陰極18，真空腔I由上半部的U形陰極蓋板101和下半部的U形陽極板框102連接而成，且連接處設(shè)有密封件4，陰極蓋板101的內(nèi)側(cè)通過螺栓安裝有連接鋼板2，連接鋼板2的內(nèi)側(cè)焊接有不銹鋼網(wǎng)3，陰極蓋板101內(nèi)設(shè)有陰極18，所述陰極18與陰極電源19連接，陰極18的的下方設(shè)有陰極靶材17，陽極板框102的兩側(cè)分別設(shè)有入料口 7與出料口 16，入料口 7與出料口 16的上方各設(shè)有一個陽極6，陽極6連有陽極電源5，真空腔I的底部安裝有多個傳遞輥9，傳遞輥9之間固定有固定板10，固定板10通過固定板上的固定孔12固定在陽極板框102的底部，固定板10上通過緊固件11固定有絕緣塊14，絕緣塊14的兩側(cè)通過緊固件11固定有側(cè)板13，絕緣塊14的上方通過緊固件11固定有基板15，基板15與側(cè)板13為一體結(jié)構(gòu)，且側(cè)板13與固定板10之間設(shè)有間隙，基板15的高度低于傳遞輥9的高度，真空腔I的內(nèi)部設(shè)有多組左右對稱的進氣口 8，進氣口 8的大小形狀各不相同，且進氣口 8處安裝有氣體流量控制器。
[0013]工作原理，陰極蓋板101的內(nèi)側(cè)通過螺栓安裝有連接鋼板2，連接鋼板2上焊接有不銹鋼網(wǎng)3，增加了吸附能力，當濺射物質(zhì)吸附在不銹鋼網(wǎng)3上時，可以卸下連接鋼板2，對不銹鋼網(wǎng)3進行清潔處理，根據(jù)不同的工藝要求，通過氣體流量控制裝置調(diào)整各個進氣口 8的氣體流量。
[0014]最后應(yīng)說明的是:以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種真空濺射鍍膜裝置，包括真空腔(1)、陽極￠)、進氣口(8)、傳遞輥(9)、陰極靶材(17)和陰極(18)，其特征在于:所述真空腔(I)由上半部的U形陰極蓋板(101)和下半部的U形陽極板框(102)連接而成，且連接處設(shè)有密封件(4)，所述陰極蓋板(101)的內(nèi)側(cè)通過螺栓安裝有連接鋼板(2)，連接鋼板(2)的內(nèi)側(cè)焊接有不銹鋼網(wǎng)(3)，所述陰極蓋板(101)內(nèi)設(shè)有陰極(18)，所述陰極(18)與陰極電源(19)連接，所述陰極(18)的的下方設(shè)有陰極靶材(17)，所述陽極板框(102)的兩側(cè)分別設(shè)有入料口(7)與出料口(16)，入料口(7)與出料口(16)的上方各設(shè)有一個陽極(6)，所述陽極(6)連有陽極電源(5)，所述真空腔(I)的底部安裝有多個傳遞輥(9)，傳遞輥(9)之間固定有固定板(10)，固定板(10)通過固定板上的固定孔(12)固定在陽極板框(102)的底部，所述固定板(10)上通過緊固件(11)固定有絕緣塊(14)，所述絕緣塊(14)的兩側(cè)通過緊固件(11)固定有側(cè)板(13)，絕緣塊(14)的上方通過緊固件(11)固定有基板(15)，所述真空腔(I)的內(nèi)部設(shè)有多個進氣口2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空濺射鍍膜裝置，其特征在于:所述基板(15)的高度低于傳遞輥(9)的高度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空濺射鍍膜裝置，其特征在于:所述基板(15)與側(cè)板(13)為一體結(jié)構(gòu)，且側(cè)板(13)與固定板(10)之間設(shè)有間隙。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空濺射鍍膜裝置，其特征在于:所述進氣口(8)的大小形狀各不相同，且進氣口(8)處安裝有氣體流量控制器。
【專利摘要】本實用新型公開了一種真空濺射鍍膜裝置，包括真空腔、陽極、進氣口、傳遞輥、陰極靶材和陰極，所述真空腔由上半部的U形陰極蓋板和下半部的U形陽極板框連接而成，所述陰極蓋板的內(nèi)側(cè)通過螺栓安裝有連接鋼板，連接鋼板的內(nèi)側(cè)焊接有不銹鋼網(wǎng)，所述真空腔的底部安裝有多個傳遞輥，傳遞輥之間固定有固定板，固定板通過固定板上的固定孔固定在陽極板框的底部，所述固定板上通過緊固件固定有絕緣塊，所述絕緣塊的兩側(cè)通過緊固件固定有側(cè)板，絕緣塊的上方通過緊固件固定有基板，所述真空腔的內(nèi)部設(shè)有多組左右對稱的進氣口。該真空鍍膜裝置不僅減少了濺射物質(zhì)的掉落，保證了絕緣性，而且可以適應(yīng)不同的工藝要求。
【IPC分類】C23C14/34, C23C14/54
【公開號】CN204803396
【申請?zhí)枴緾N201520489263
【發(fā)明人】閆都倫, 王克斌, 吳細標, 唐貴民
【申請人】深圳新南亞技術(shù)開發(fā)有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年7月9日