電池隔膜的表面改性處理方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于材料表面改性處理技術(shù)，特別是對電池隔膜進(jìn)行表面改性處理的方法。其原理為在離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置中，無機氧化物原料被加熱蒸發(fā)、沉積至電池隔膜表面形成氧化物涂層的過程中，硅氧烷類有機單體被離子源電離活化并摻雜至無機氧化物涂層中。由于無機氧化物涂層的引入，提高了聚烯烴隔膜的親水性和耐熱性。且由于硅氧烷類有機單體的離化摻雜效應(yīng)，明顯降低無機氧化物涂層的內(nèi)應(yīng)力和阻隔性，從而使聚烯烴隔膜可以較好地保持原有的柔韌性和孔隙。從而，改善聚烯烴電池隔膜的親水性、耐熱性，并保持較好的柔韌性和孔隙率。
【專利說明】電池隔膜的表面改性處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種材料表面改性處理技術(shù)，特別是電池隔膜的一種表面改性處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在很多化學(xué)電池，特別是鋰離子電池當(dāng)中，都需要用到隔膜材料。電池隔膜是鋰離子電池的四大關(guān)鍵材料之一(正極、負(fù)極、隔膜、電解液)，是電池中非常關(guān)鍵的部分，對電池安全性和成本有直接影響。隔膜的性能決定了電池的界面結(jié)構(gòu)、內(nèi)阻等，直接影響電池的容量、循環(huán)能力及安全性等特性，特別對鋰電池的安全起著至關(guān)重要的作用。
[0003]目前，商品化的鋰離子電池隔膜主要是經(jīng)過精密雙向拉伸的多孔聚烯烴材料，如:聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚乙烯和聚丙烯復(fù)合層(PP/PE/PP)等，厚度25-40um，孔徑30-100nm，孔隙率30% -50%。多孔聚烯烴具有較高的強度和較好的化學(xué)穩(wěn)定性，在高于玻璃化溫度的條件下具有收縮孔隙的自閉合功能，能夠限制電流，可防止過熱而引起爆炸。但聚烯烴隔膜存在的問題之一是親水性較差，無法完全滿足電池快速充放電的要求，還影響電池的循環(huán)使用壽命。存在的另一個問題是耐熱性差，在大功率放電時會受熱變形，當(dāng)電池局部溫度超過170°C時會迅速融化，導(dǎo)致電池正負(fù)極迅速接觸而短路，造成安全事故。
[0004]為了追求電池的大功率輸出、快速充放電，同時又能保持電池容量、循環(huán)性能以及安全性能等功能，除了要探索新型的隔膜材料(玻璃纖維無紡布、陶瓷纖維無紡布、多功能復(fù)合薄膜等)，還有一條重要的途徑是對聚烯烴隔膜進(jìn)行表面改性處理。比如，在電池隔膜表面接枝極性基團(tuán)，或者涂覆聚偏氟乙烯(PVDF)、聚酰亞胺(PI)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiOx)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化鋯(ZrO2)等有機或無機材料。
[0005]為了改善聚烯烴隔膜的性能，人們使用或開發(fā)了很多技術(shù)手段，比如:溶膠-凝膠、磺化、氟化、等離子體接枝、高能輻射與紫外照射、真空沉積涂層等等，以改善電池隔膜的表面性能。比如，有的學(xué)者通過化學(xué)接枝法，將耐熱的有機-無機硅氧雜化體系引入到聚烯烴隔膜表面，在電化學(xué)性能改變不大的情況下極大地改善了隔膜的熱收縮性，從而提高了鋰離子電池的熱穩(wěn)定性；有的公司按照“陶瓷隔膜”的概念，在隔膜材料上復(fù)合三氧化二鋁或其他無機物，具有較高的熱穩(wěn)定性，在200°C下不易發(fā)生收縮或熔融；有的采用真空氣相沉積的方法，利用化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積技術(shù)，在隔膜表面沉積一層無機的氧化物涂層，可以提高隔膜的表面親水極性，增加隔膜的吸液率。但是，在聚烯烴隔膜表面沉積無機氧化物涂層之后，這些無機類氧化物涂層一般都有較大的內(nèi)應(yīng)力，容易導(dǎo)致隔膜卷曲或涂層脫落，并容易阻塞聚烯烴隔膜本身原有的孔隙從而降低離子通過性。
[0006]目前，電池隔膜的各種表面處理技術(shù)方法正在開發(fā)之中。各種技術(shù)方法都有自己的特點，但尚難以兼顧電池隔膜各種性能指標(biāo)，只能在保證鋰電池安全的前提下進(jìn)行適當(dāng)取舍、平衡。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本發(fā)明針對聚烯烴電池隔膜親水性和耐熱性不足的問題以及表面沉積無機氧化物涂層導(dǎo)致的高應(yīng)力和孔隙堵塞問題，提供了一種有機單體離化摻雜無機氧化物涂層對電池隔膜進(jìn)行表面改性處理的方法，經(jīng)該方法處理后的電池隔膜兼具親水性、耐熱性、低涂層應(yīng)力，并能保持較高的孔隙率。
[0008]為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明給出一種電池隔膜的表面改性處理方法，該方法的特殊之處在于:在離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置中，無機氧化物原料被加熱蒸發(fā)并沉積至電池隔膜表面形成氧化物涂層；在氧化物涂層沉積過程中，硅氧烷類的有機單體被離子源離化并摻雜至無機氧化物涂層中。 [0009]所述電池隔膜的表面改性處理方法，包括以下具體步驟:
[0010]在無機氧化物原料被加熱蒸發(fā)并沉積至電池隔膜表面形成氧化物涂層步驟中:
[0011]①放置電池隔膜3和無機氧化物原料:將電池隔膜3和無機氧化物原料分別置入離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置中的鍍膜真空腔室I的頂部和加熱坩堝2內(nèi)，抽本底真空至壓力低于5 X KT3Pa ；
[0012]②對電池隔膜3進(jìn)行鍍膜前的表面清洗與活化:通過氣路系統(tǒng)5向離子源供應(yīng)純度不低于99.99 %的放電氬氣，使鍍膜真空腔室I的絕對壓力處于KT2Pa量級，開啟離子源，離子束轟擊電池隔膜表面，對電池隔膜3進(jìn)行鍍膜前的表面清洗與活化；
[0013]③使無機氧化物原料向電池隔膜3表面沉積:開啟電子束加熱蒸發(fā)系統(tǒng)的電源，使無機氧化物原料加熱氣化，并向電池隔膜3表面沉積；
[0014]在將硅氧烷類的有機單體被離子源離化并摻雜至無機氧化物涂層步驟中:
[0015]④硅氧烷類有機單體與無機氧化物分子一起沉積:沉積成膜過程中，通過氣路系統(tǒng)5將計量后的硅氧烷類有機單體摻入放電氬氣中，隨放電氬氣被離子源電離活化，與無機氧化物分子一起沉積在電池隔膜3表面；
[0016]⑤薄膜達(dá)到工藝厚度，關(guān)閉設(shè)備:待所沉積的薄膜達(dá)到工藝厚度，依次關(guān)閉電子束蒸發(fā)、硅氧烷類有機單體進(jìn)氣、放電氬氣進(jìn)氣，關(guān)閉相關(guān)電源，對電池隔膜的單面鍍膜完畢；
[0017]⑥重復(fù)上述步驟處理電池隔膜3的另一面:將電池隔膜3換面，重復(fù)上述步驟，對另一面進(jìn)行鍍膜處理。
[0018]所述無機氧化物原料為化學(xué)穩(wěn)定性高的二氧化硅、一氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鋯中的任意一種或任意兩種或任意三種或四種組合，其純度不低于99.99%。
[0019]為了實現(xiàn)上述對電池隔膜的表面改性處理方法，需要使用離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置，該裝置包括真空系統(tǒng)、電子束加熱蒸發(fā)系統(tǒng)、離子源系統(tǒng)及氣路系統(tǒng)。
[0020]其中，真空系統(tǒng)包括調(diào)節(jié)真空壓力的鍍膜真空腔室1、真空獲得組件、真空測量組件、真空抽速調(diào)節(jié)組件及放置電池隔膜的旋轉(zhuǎn)架，能夠在真空腔室內(nèi)獲得絕對壓力低于5 X 10?的本底真空，并能夠保持10_2Pa量級的鍍膜真空。
[0021]電子束加熱蒸發(fā)系統(tǒng)為e型電子槍加熱蒸發(fā)系統(tǒng)或皮爾斯電子槍加熱蒸發(fā)系統(tǒng)，系統(tǒng)的加熱坩堝2置于鍍膜真空腔室I的底部。加熱坩堝內(nèi)放入所需的無機氧化物原料，這些無機氧化物原料能被電子束加熱變成蒸汽狀態(tài)。
[0022]離子源系統(tǒng)，主要包括置于鍍膜真空腔室I內(nèi)的離子源4。它能把加入離子源的氣體電離，把其中的正離子引出、加速、部分中和，形成高速束流，可以高速轟擊到聚烯烴電池隔膜3的表面，對聚烯烴隔膜進(jìn)行鍍膜前的表面清洗與活化、鍍膜過程中的離子輔助或摻雜。
[0023]在本發(fā)明的技術(shù)方案當(dāng)中，離子源系統(tǒng)承擔(dān)了有機單體離化摻雜的特殊任務(wù)。即:除了向離子源供應(yīng)氬氣作為放電氣體之外，還隨同氬氣摻入硅氧烷類有機單體。硅氧烷類有機單體被離子源系統(tǒng)離化并產(chǎn)生活性基團(tuán)，隨同離子束一同轟擊到正在沉積的無機氧化物薄膜，并摻雜到無機氧化物薄膜當(dāng)中。
[0024]氣路系統(tǒng)，至少包括兩路進(jìn)氣管，進(jìn)氣管上設(shè)有流量控制組件，所述流量控制組件優(yōu)選采用氣體質(zhì)量流量計或微調(diào)閥，以控制精度達(dá)到sccm量級。放電氬氣和硅氧烷類有機單體按所需流量分別通過兩路進(jìn)氣管進(jìn)入氣路系統(tǒng)，經(jīng)充分混合向離子源4供氣。
[0025]所述離子源4為霍爾離子源、考夫曼離子源、感應(yīng)耦合離子源中的任意一種，以和電子束加熱蒸發(fā)系統(tǒng)的工作真空度相匹配，且該離子源能夠在KT2Pa量級的壓力范圍內(nèi)正常工作。
[0026]所述的硅氧烷類有機單體純度不低于化學(xué)純，為氣態(tài)或容易氣化的液體硅氧烷類化學(xué)品，優(yōu)先選用六甲基二硅氧烷或八甲基環(huán)四硅氧烷。
[0027]本發(fā)明的原理及帶來的積極效果。該有機單體離化摻雜無機氧化物涂層對電池隔膜進(jìn)行表面改性處理的方法，是利用離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)在聚烯烴隔膜表面沉積有機單體摻雜的無機氧化物涂層，而無機氧化物涂層可以提高聚烯烴隔膜的親水性和耐熱性。且有機單體的離化摻雜效應(yīng)明顯降低無機氧化物涂層的內(nèi)應(yīng)力和阻隔性，從而使聚烯烴隔膜可以較好地保持原有的柔韌性和孔隙。本發(fā)明所述的有機單體離化摻雜效應(yīng)，是指硅氧烷類的有機單體在離子源的電離腔內(nèi)被等離子體活化，一部分會變成帶電離子，另有一部分會變成高反應(yīng)活性的有機自由基。這些成分隨離子束流一起轟擊到聚烯烴電池隔膜表面，并與無機氧化物一起沉積在電池隔膜表面。在沉積時，由于沉積粒子具有高的活化狀態(tài)，有機自由基與無機氧化物分子之間將發(fā)生反應(yīng)交聯(lián)。由于這些有機成分的存在，其化學(xué)鍵的柔軟性可以降低無機氧化物涂層的脆性，降低無機氧化物涂層的內(nèi)應(yīng)力。同時，在高真空狀態(tài)下，由于電子束加熱蒸發(fā)系統(tǒng)的熱輻射和離子源系統(tǒng)熱輻射作用，進(jìn)入涂層當(dāng)中的氬離子(或粒子)以及部分有機成分可能從正在沉積的涂層當(dāng)中揮發(fā)出來，使涂層內(nèi)部產(chǎn)生極細(xì)微的孔隙或裂紋，這些孔隙或裂紋可以釋放無機氧化物涂層的一部分內(nèi)應(yīng)力，并有利于保持電池隔膜的孔隙率和透過率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1:離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
【具體實施方式】
[0029]以下參照附圖，給出本發(fā)明的【具體實施方式】，用來對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明。
[0030]實施例1
[0031]采用配有e型電子槍蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)和霍爾離子源系統(tǒng)的離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置對某市售聚烯烴電池隔膜進(jìn)行表面改性處理。為了監(jiān)控涂層的厚度和沉積速率，該離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置配有晶振膜厚監(jiān)控儀。本實施例以純度不低于99.99%的二氧化硅顆粒作為無機氧化物涂層的原料，以純度不低于99.99%的氬氣作為放電氣體，以純度不低于化學(xué)純的六甲基二硅氧烷作為有機單體，具體包括以下步驟:
[0032]在無機氧化物原料被加熱蒸發(fā)并沉積至電池隔膜表面形成氧化物涂層步驟中:
[0033]①將電池隔膜3和二氧化硅分別置入離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置中的鍍膜真空腔室I的頂部和加熱坩堝2內(nèi)，對鍍膜真空腔室抽本底真空至絕對壓力低于5 X KT3Pa ；
[0034]②對電池隔膜3進(jìn)行鍍膜前的表面清洗與活化:通過氣路系統(tǒng)5向霍爾離子源供應(yīng)放電氬氣，調(diào)節(jié)放電氬氣的流量，并調(diào)節(jié)真空系統(tǒng)的真空抽速調(diào)節(jié)組件，使鍍膜真空腔室I的壓力處于(2±l)X10_2Pa，然后開啟離子源，利用離子束對電池隔膜3進(jìn)行鍍膜前的表面清洗與活化。鍍膜前的表面清洗與活化時間約5-10分鐘。在后續(xù)的鍍膜過程中，保持離子源一直工作；
[0035]③使無機氧化物原料向電池隔膜3表面沉積:開啟電子束加熱蒸發(fā)系統(tǒng)，使二氧化硅受熱氣化，蒸汽將冷凝沉積在電池隔膜的表面，形成氧化硅(SiOx)涂層；調(diào)節(jié)電子束加熱蒸發(fā)系統(tǒng)的加熱功率，使氧化硅的沉積速率控制在20-40nm/sec范圍內(nèi)；
[0036]在將硅氧烷類的有機單體被離子源離化并摻雜至無機氧化物涂層步驟中:
[0037]④硅氧烷類有機單體與無機氧化物分子一起沉積:通過氣路系統(tǒng)5將六甲基二硅氧烷摻入放電氬氣中，隨氬氣一起被離子源電離活化，產(chǎn)生高活性基團(tuán)，隨同高能離子束一同轟擊到正在沉積的氧化硅涂層表面，并摻雜到氧化硅涂層中；為了保證離子源的工作穩(wěn)定性和電離效果，需控制六甲基二硅氧烷的進(jìn)氣流量不得高于放電氬氣的進(jìn)氣流量，還需利用真空抽速調(diào)節(jié)組件的調(diào)節(jié)功能使真空室的真空度盡量穩(wěn)定在絕對壓力處于(2-4) X KT2Pa 范圍內(nèi)；
[0038]⑤薄膜達(dá)到工藝厚度，關(guān)閉設(shè)備:待所沉積的無機氧化物涂層達(dá)到60-160納米的工藝厚度時，依次關(guān)閉電子束蒸發(fā)、六甲基二硅氧烷供氣、放電氬氣供氣，關(guān)閉電子槍和離子源的供電電源。對電池隔膜的單面鍍膜完畢；
[0039]⑥重復(fù)上述步驟處理電池隔膜3的另一面:將電池隔膜3換面，重復(fù)上述步驟，對另一面進(jìn)行鍍膜操作。
[0040]本實施例的電池隔膜的表面改性處理方法，采用了離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，具有以下優(yōu)點:
[0041]I)鍍膜之前，即尚未加熱蒸發(fā)無機氧化物時，先用一定能量的離子束轟擊電池隔膜表面，在真空狀態(tài)下對電池隔膜表面進(jìn)行清洗，去除表面吸附的氣體和污物，徹底暴露出真實的表面原子，達(dá)到原子級潔凈表面；同時使電池隔膜表面的溫度略微升高，從而有利于無機氧化物涂層的成核生長以及結(jié)合牢度。
[0042]2)離子束轟擊可以使電池隔膜表面的原子活化，提高表面原子的極化率，從而縮短沉積原子與電池隔膜表面原子之間的距離，改善兩種原子的結(jié)合能，增強無機氧化物涂層對電池隔膜的附著牢度。
[0043]3)成膜過程中不斷轟擊沉積表面，使所沉積原子的遷移率加大，容易到達(dá)最佳的結(jié)合位置，膜層易排列為緊密的、穩(wěn)定的分子結(jié)構(gòu)，并趨于晶格化，從而改善所沉積涂層的特性。
[0044]4)可以明顯地降低涂層沉積所需的溫度，可以避免高溫對聚烯烴電池隔膜的熱損傷。
[0045]5)無機氧化物涂層的沉積與有機單體離化摻雜是在同一道生產(chǎn)工序里同步完成的，不增加額外的生產(chǎn)工序,也不明顯增加額外的生產(chǎn)時間。
[0046]實施例2
[0047]本實施例的電池隔膜的表面改性處理方法與實施例1的處理步驟基本一致，其區(qū)別僅在于無機氧化物原料采用三氧化二鋁原料，硅氧烷類有機單體為八甲基環(huán)四硅氧烷。
[0048]由于三氧化二鋁的蒸發(fā)氣化穩(wěn)定性要優(yōu)于二氧化硅的，并且不容易受熱失氧，可以采用比氧化硅更高的沉積速率。但三氧化二鋁涂層的硬度要高于氧化硅涂層的，所以，三氧化二鋁涂層的總厚度不宜超過120nm。
[0049]八甲基環(huán)四硅氧烷的的進(jìn)氣流量要低于六甲基二硅氧烷的進(jìn)氣流量，且要加大離子源的離化電壓以保證較好的離化效果。
[0050]實施例3
[0051]本實施例的電池隔膜的表面改性處理方法與實施例1的處理步驟基本一致，其區(qū)別僅在于無機氧化物原料采用一氧化硅、二氧化鋯原料，離子源4為考夫曼離子源。
[0052]由于同時采用一氧化硅及二氧化鋯，故無機氧化物原料的蒸發(fā)氣化穩(wěn)定性要優(yōu)于實施例1，不容易受熱失氧，采用較高的沉積速率，但二者涂層的硬度則要高于實施例1。
[0053]以上實施例不是窮舉，其保護(hù)范圍不限于所給出的實施例。如離子源還可以是感應(yīng)耦合離子源，加熱蒸發(fā)系統(tǒng)還可以選用皮爾斯電子槍蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)，無機氧化物原料還可以二氧化硅、一氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鋯任意兩種組合或三種組合或四種組合，只是具體的制備工藝參數(shù)稍有差異，但電池隔膜的表面改性效果基本一致。凡是根據(jù)本發(fā)明的思路所能實現(xiàn)的所有的技術(shù)方案，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.電池隔膜的表面改性處理方法，其特征在于:在離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置中，無機氧化物原料被加熱蒸發(fā)并沉積至電池隔膜表面形成氧化物涂層；在氧化物涂層沉積過程中，硅氧烷類的有機單體被離子源離化并摻雜至無機氧化物涂層中。
2.如權(quán)利要求1所述電池隔膜的表面改性處理方法，其特征在于包括以下具體步驟: 在無機氧化物原料被加熱蒸發(fā)并沉積至電池隔膜表面形成氧化物涂層步驟中: ①放置電池隔膜(3)和無機氧化物原料:將電池隔膜(3)和無機氧化物原料分別置入離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置中的鍍膜真空腔室(I)的頂部和加熱坩堝(2)內(nèi)，抽本底真空至壓力低于5 X KT3Pa; ②對電池隔膜(3)進(jìn)行鍍膜前的表面清洗與活化:通過氣路系統(tǒng)(5)向離子源供應(yīng)純度不低于99.99%的放電氬氣，使鍍膜真空腔室(I)的絕對壓力處于KT2Pa量級，開啟離子源，離子束轟擊電池隔膜表面，對電池隔膜(3)進(jìn)行鍍膜前的表面清洗與活化； ③使無機氧化物原料向電池隔膜(3)表面沉積:開啟電子束加熱蒸發(fā)系統(tǒng)的電源，使無機氧化物原料加熱氣化，并向電池隔膜(3)表面沉積； 在將硅氧烷類的有機單體被離子源離化并摻雜至無機氧化物涂層步驟中: ④硅氧烷類有機 單體與無機氧化物分子一起沉積:沉積成膜過程中，通過氣路系統(tǒng)(5)將計量后的硅氧烷類有機單體摻入放電氬氣中，隨放電氬氣被離子源電離活化，與無機氧化物分子一起沉積在電池隔膜(3)表面； ⑤薄膜達(dá)到工藝厚度，關(guān)閉設(shè)備:待所沉積的薄膜達(dá)到工藝厚度，依次關(guān)閉電子束蒸發(fā)、硅氧烷類有機單體進(jìn)氣、放電氬氣進(jìn)氣，關(guān)閉相關(guān)電源，對電池隔膜的單面鍍膜完畢； ⑥重復(fù)上述步驟處理電池隔膜⑶的另一面:將電池隔膜⑶換面，重復(fù)上述步驟，對另一面進(jìn)行鍍膜處理。
3.如權(quán)利要求1或2所述電池隔膜的表面改性處理方法，其特征在于所述無機氧化物原料為化學(xué)穩(wěn)定性高的二氧化硅、一氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鋯中的任意一種或任意兩種或任意三種或四種組合，其純度不低于99.99%。
4.如權(quán)利要求3所述電池隔膜的表面改性處理方法，其特征在于所述離子輔助電子束蒸發(fā)鍍膜裝置包括真空系統(tǒng)、電子束加熱蒸發(fā)系統(tǒng)、離子源系統(tǒng)及氣路系統(tǒng)。
5.如權(quán)利要求4所述電池隔膜的表面改性處理方法，其特征在于所述真空系統(tǒng)包括調(diào)節(jié)真空壓力的鍍膜真空腔室(I)、真空獲得組件、真空測量組件、真空抽速調(diào)節(jié)組件及放置電池隔膜的旋轉(zhuǎn)架。
6.如權(quán)利要求5所述電池隔膜的表面改性處理方法，其特征在于所述電子束加熱蒸發(fā)系統(tǒng)為e型電子槍加熱蒸發(fā)系統(tǒng)或皮爾斯電子槍加熱蒸發(fā)系統(tǒng)，該系統(tǒng)的加熱坩堝(2)置于鍍膜真空腔室(I)的底部。
7.如權(quán)利要求6所述電池隔膜的表面改性處理方法，其特征在于所述離子源系統(tǒng)為置于鍍膜真空腔室(I)內(nèi)的離子源(4)。
8.如權(quán)利要求7所述電池隔膜的表面改性處理方法，其特征在于所述氣路系統(tǒng)，至少包括兩路進(jìn)氣管，進(jìn)氣管上設(shè)有流量控制組件，所述流量控制組件優(yōu)選采用氣體質(zhì)量流量計或微調(diào)閥。
9.如權(quán)利要求1或2所述電池隔膜的表面改性處理方法，其特征在于所述所述離子源4為霍爾離子源、考夫曼離子源、感應(yīng)耦合離子源中的任意一種。
10.如權(quán)利要求1或2所述電池隔膜的表面改性處理方法，其特征在于所述硅氧烷類有機單體純度不低于化學(xué)純，為氣態(tài)或容易氣化的液體硅氧烷類化學(xué)品，優(yōu)先選用六甲基二硅氧烷或八甲基環(huán)四硅 氧烷。
【文檔編號】C23C14/08GK103972451SQ201410216920
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月21日
【發(fā)明者】王正鐸, 陳強, 朱惠欽, 原建松, 曹慶波 申請人:北京印刷學(xué)院, 煙臺鴻慶包裝材料有限公司