磁控濺射磁鐵系統(tǒng)及其控制方法和磁控濺射裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了磁控濺射磁鐵系統(tǒng)及其控制方法和磁控濺射裝置，所述磁控濺射磁鐵系統(tǒng)包括驅(qū)動(dòng)單元、連接單元和至少一個(gè)磁單元，磁單元通過(guò)連接單元與驅(qū)動(dòng)單元連接；磁單元包括第一磁鐵和第二磁鐵，第一磁鐵和第二磁鐵呈中心對(duì)稱，第一磁鐵的磁感應(yīng)線軌跡與第二磁鐵的磁感應(yīng)線軌跡相反；驅(qū)動(dòng)單元分別驅(qū)動(dòng)第一磁鐵和第二磁鐵在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，第一磁鐵的運(yùn)動(dòng)軌跡和第二磁鐵的運(yùn)動(dòng)軌跡重合，運(yùn)動(dòng)軌跡為閉合軌跡。靶材表面的磁感應(yīng)強(qiáng)度也周期性地發(fā)生變動(dòng)，使靶材上的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布更加均勻，其被消耗的程度更加均勻，提高靶材利用率。上述磁控濺射磁鐵系統(tǒng)的控制方法，操作簡(jiǎn)單，易推廣。本發(fā)明還提供了具有上述磁鐵系統(tǒng)的磁控濺射裝置。
【專利說(shuō)明】磁控濺射磁鐵系統(tǒng)及其控制方法和磁控濺射裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁控濺射領(lǐng)域，特別是涉及磁控濺射磁鐵系統(tǒng)及其控制方法和磁控濺射裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在平板顯示器(Flat Panel Display，F(xiàn)PD)領(lǐng)域中，常使用磁控濺射裝置形成各種薄膜。磁控濺射是在靶材背后放置鐵磁單元，以磁場(chǎng)輔助的形式增強(qiáng)濺射過(guò)程。
[0003]一般地，磁鐵系統(tǒng)是由幾塊平行的條形磁鐵間隔組成。這幾塊條形磁鐵用一組馬達(dá)帶動(dòng)，在濺射過(guò)程中使條形磁鐵在平行靶材的平面上進(jìn)行左右移動(dòng)，進(jìn)而在一定程度上提高磁場(chǎng)強(qiáng)度的均勻性。
[0004]但是，由于磁鐵間距的存在，條形磁鐵的強(qiáng)磁區(qū)域和弱磁區(qū)域?qū)Π胁牡挠绊懖灰恢拢率拱胁脑诓痪鶆虼艌?chǎng)強(qiáng)度影響下被濺射和消耗的程度不一致，降低了靶材的利用率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要提供一種能夠在靶材上形成強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)、提高靶材利用率的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)及其控制方法和磁控濺射裝置。
[0006]一種磁控濺射磁鐵系統(tǒng)，包括驅(qū)動(dòng)單元、連接單元和至少一個(gè)磁單元，所述磁單元通過(guò)所述連接單元與所述驅(qū)動(dòng)單元連接；
[0007]所述磁單元包括第一磁鐵和第二磁鐵，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵呈中心對(duì)稱，所述第一磁鐵的磁感應(yīng)線軌跡與所述第二磁鐵的磁感應(yīng)線軌跡相反；
[0008]所述驅(qū)動(dòng)單元分別驅(qū)動(dòng)所述第一磁鐵和所述第二磁鐵在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，所述第一磁鐵的運(yùn)動(dòng)軌跡和所述第二磁鐵的運(yùn)動(dòng)軌跡重合，所述運(yùn)動(dòng)軌跡為閉合軌跡。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵的形狀均為正方體。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述磁單元的個(gè)數(shù)為多個(gè)，每4個(gè)第一磁鐵包圍一個(gè)第二磁鐵。
[0011]上述磁控濺射磁鐵系統(tǒng)的控制方法，包括以下步驟:
[0012]驅(qū)動(dòng)磁單元中的第一磁鐵在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，形成第一閉合運(yùn)動(dòng)軌跡；
[0013]驅(qū)動(dòng)所述磁單元中的第二磁鐵在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，形成第二閉合運(yùn)動(dòng)軌跡，所述第一閉合運(yùn)動(dòng)軌跡和所述第二閉合運(yùn)動(dòng)軌跡重疊；
[0014]其中，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵中心對(duì)稱，所述第一磁鐵的磁感應(yīng)線軌跡與所述第二磁鐵的磁感應(yīng)線軌跡相反，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵的運(yùn)動(dòng)方向相反。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述閉合軌跡的形狀為矩形。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所述第一磁鐵在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)的次數(shù)至少為兩次時(shí)，相鄰兩次所述循環(huán)運(yùn)動(dòng)的閉合軌跡不重疊。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵同步運(yùn)動(dòng)。
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述閉合軌跡的形狀為正方形，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵勻速同步運(yùn)動(dòng)。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述磁單元中，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵呈對(duì)角排列。
[0020]本發(fā)明還提供了具有上述磁控濺射磁鐵系統(tǒng)的磁控濺射裝置。
[0021]上述磁控濺射磁鐵系統(tǒng)，驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)第一磁鐵和第二磁鐵在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，使得靶材表面的磁感應(yīng)強(qiáng)度也周期性地發(fā)生變動(dòng)，進(jìn)而使得靶材上的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布更加均勻。均勻分布的磁感應(yīng)強(qiáng)度可以使整個(gè)靶材平面在磁控濺射過(guò)程中受到均勻的刻蝕，靶材被消耗的程度更加均勻，進(jìn)而提高靶材的利用率。上述磁控濺射磁鐵系統(tǒng)的控制方法，操作簡(jiǎn)單，易于推廣。具有上述磁控濺射磁鐵系統(tǒng)的磁控濺射裝置靶材利用率高。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明一實(shí)施方式的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)中磁單元排布圖；
[0024]圖3為本發(fā)明一實(shí)施方式的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)控制方法的流程圖；
[0025]圖4為本發(fā)明一實(shí)施方式的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)中磁單元的運(yùn)動(dòng)軌跡圖；
[0026]圖5為本發(fā)明一實(shí)施方式的初始位置時(shí)磁控濺射磁鐵系統(tǒng)分布圖；
[0027]圖6為圖5中鐵磁系統(tǒng)模擬磁感應(yīng)線分布圖；
[0028]圖7為本發(fā)明中四分之一周期時(shí)磁鐵系統(tǒng)排布圖；
[0029]圖8為圖7中磁鐵系統(tǒng)模擬磁感應(yīng)線分布圖；
[0030]圖9為圖5中四分之二周期時(shí)磁鐵系統(tǒng)排布圖；
[0031]圖10為圖9中磁鐵系統(tǒng)模擬磁感應(yīng)線分布圖；
[0032]圖11為圖5中四分之三周期時(shí)磁鐵系統(tǒng)排布圖；
[0033]圖12為圖11中磁鐵系統(tǒng)模擬磁感應(yīng)線分布圖；
[0034]圖13為磁控濺射方法中，現(xiàn)有的磁鐵系統(tǒng)的靶材蝕刻中心圖；
[0035]圖14為采用本發(fā)明一實(shí)施方式的磁鐵系統(tǒng)的靶材蝕刻中心圖。

【具體實(shí)施方式】
[0036]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳的實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0037]需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說(shuō)明的目的。
[0038]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0039]如圖1所示，一種磁控濺射磁鐵系統(tǒng)，包括至少一個(gè)磁單元100、連接單元20和驅(qū)動(dòng)單元30,磁單元100通過(guò)連接單元20與驅(qū)動(dòng)單元30連接。其中驅(qū)動(dòng)單元30可以是電機(jī)，連接單元20可以是連接桿或者其它可以將磁單元100和驅(qū)動(dòng)單元30連接起來(lái)的連接
>j-U ρ?α裝直。
[0040]磁單元100包括第一磁鐵110和第二磁鐵120，第一磁鐵110和第二磁鐵120中心對(duì)稱。由圖2所示,在本實(shí)施例中，磁鐵系統(tǒng)10包括四個(gè)磁單元100,并且第一磁鐵110和第二磁鐵120呈對(duì)角排布，形成每四個(gè)第一磁鐵110包圍一個(gè)第二磁鐵120以及每四個(gè)第二磁鐵120包圍一個(gè)第一磁鐵110的結(jié)構(gòu)。這樣排布可以使得磁單元100的擺放更加緊湊，并使得磁感應(yīng)線的分布更加均勻。其中，第一磁鐵110和第二磁鐵120中的“第一”和“第二”只是為了便于區(qū)分，在其他實(shí)施例中，第一磁鐵110和第二磁鐵120可以互換。
[0041]所述第一磁鐵110的磁感應(yīng)線軌跡與所述第二磁鐵120的磁感應(yīng)線軌跡相反。即第一磁鐵I1和第二磁鐵120靠近靶材的端部的極性不同。以圖2為例，假設(shè)其所示的磁鐵系統(tǒng)為靠近祀材的一側(cè)，此時(shí)，第一磁鐵110靠近祀材的端部為N極,第二磁鐵120靠近靶材的端部為S極。經(jīng)過(guò)第一磁鐵110的磁感應(yīng)線的方向是向左，而經(jīng)過(guò)第二磁鐵120的磁感應(yīng)方向是向右。在其他實(shí)施例中，第一磁鐵110的N極和S極以及第二磁鐵120的N極和S極均靠近靶材，此時(shí)，第一磁鐵110靠近第二磁鐵120端部的極性與第二磁鐵120靠近第一磁鐵110端部的極性相同。
[0042]驅(qū)動(dòng)單元30分別驅(qū)動(dòng)第一磁鐵110和第二磁鐵120在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，第一磁鐵110的運(yùn)動(dòng)軌跡和所述第二磁鐵120的運(yùn)動(dòng)軌跡重合，所述運(yùn)動(dòng)軌跡為閉合軌跡。第一磁鐵110和第二磁鐵120可以在驅(qū)動(dòng)單元30的驅(qū)動(dòng)下按照預(yù)設(shè)軌跡運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中磁感應(yīng)線的分布會(huì)發(fā)生改變，進(jìn)而使得靶材上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布更加均勻。
[0043]磁單元100的個(gè)數(shù)可以為多個(gè)，驅(qū)動(dòng)單元30驅(qū)動(dòng)多個(gè)磁單元100中的第一磁鐵110和第二磁鐵120循環(huán)運(yùn)動(dòng)。其中，磁鐵系統(tǒng)10既可以是靜止的，也可以沿著預(yù)定軌運(yùn)動(dòng)。
[0044]如圖3所示，控制上述磁控濺射磁鐵系統(tǒng)的方法，包括以下步驟:
[0045]步驟S310:驅(qū)動(dòng)磁單元100中的第一磁鐵110在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，形成第一閉合運(yùn)動(dòng)軌跡。磁鐵系統(tǒng)至少包括一個(gè)磁單元100，磁單元100包括第一磁鐵110和第二磁鐵120，第一磁鐵110和第二磁鐵120中心對(duì)稱，第一磁鐵110的磁感應(yīng)線軌跡與第二磁鐵120的磁感應(yīng)線軌跡相反。如圖2所示,在本實(shí)施例中,磁單元100的個(gè)數(shù)為4個(gè)。在其他實(shí)施例中，也可以根據(jù)靶材的形狀和大小調(diào)整磁單元100的個(gè)數(shù)。第一磁鐵110可以沿水平方向或者豎直方向移動(dòng)，形成閉合的運(yùn)動(dòng)軌跡。
[0046]步驟S320:驅(qū)動(dòng)磁單元100中的第二磁鐵120在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，形成第二閉合運(yùn)動(dòng)軌跡，第一閉合運(yùn)動(dòng)軌跡和第二閉合運(yùn)動(dòng)軌跡重疊。第二磁鐵120也可以沿水平方向或者豎直方向移動(dòng)，形成閉合的運(yùn)動(dòng)軌跡。在同一時(shí)間，第一磁鐵110和第二磁鐵120的運(yùn)動(dòng)方向相反。此處的“S110”和“S120”只是便于描述，并不代表第一磁鐵110和第二磁鐵120循環(huán)運(yùn)動(dòng)的先后順序。在本實(shí)施例中，第一磁鐵110和第二磁鐵120是同步運(yùn)動(dòng)的。
[0047]在本實(shí)施例中，閉合軌跡的形狀為矩形。此時(shí)，第一磁鐵110和第二磁鐵120的運(yùn)動(dòng)是有序的，進(jìn)而使得磁單元100產(chǎn)生的磁感應(yīng)線強(qiáng)度是均勻的。
[0048]當(dāng)?shù)谝淮盆F110在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)的次數(shù)至少為兩次時(shí)，相鄰兩次循環(huán)運(yùn)動(dòng)的閉合軌跡不重疊?？梢岳斫獾氖?，第二磁鐵120在平行于靶材的平面的循環(huán)運(yùn)動(dòng)次數(shù)與第一磁鐵110在平行于靶材的平面的循環(huán)運(yùn)動(dòng)次數(shù)相同。當(dāng)?shù)谝淮盆F110和第二磁鐵120經(jīng)過(guò)一個(gè)周期的運(yùn)動(dòng)回到初始狀態(tài)時(shí)，可以變化第一磁鐵110和第二磁鐵120的運(yùn)動(dòng)軌跡，使得兩次循環(huán)運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)軌跡不一樣，從而使得整個(gè)靶材平面的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布更加均勻，使得靶材的侵蝕更加均勻。例如，當(dāng)一次循環(huán)運(yùn)動(dòng)完成后，可以調(diào)整第一磁鐵110和第二磁鐵120的間距，使得第二次循環(huán)運(yùn)動(dòng)時(shí)，與上一次循環(huán)運(yùn)動(dòng)形成的閉合軌跡不一致。在其他實(shí)施例中，也可以設(shè)置相鄰兩次的循環(huán)運(yùn)動(dòng)的閉合軌跡重疊。
[0049]第一磁鐵110和第二磁鐵120同步運(yùn)動(dòng)，即第一磁鐵110和第二磁鐵120的運(yùn)動(dòng)時(shí)間和運(yùn)動(dòng)距離是一樣的。例如，當(dāng)?shù)谝淮盆F110向左運(yùn)動(dòng)一定的距離時(shí)，在相同的時(shí)間段內(nèi)，第二磁鐵120向右運(yùn)動(dòng)相同的距離。
[0050]如圖4所示，本實(shí)施例中，第一磁鐵110的和第二磁鐵120的運(yùn)動(dòng)軌跡的形狀為正方形，第一磁鐵110和第二磁鐵120勻速同步運(yùn)動(dòng)。其中，正方形運(yùn)動(dòng)軌跡的形成具體步驟為:
[0051]以圖2所示的位置為初始位置，以左上方的磁單元100為例，其他三個(gè)磁單元100的運(yùn)動(dòng)與左上方磁單元100的運(yùn)動(dòng)同步。
[0052]在初始位置時(shí)，磁鐵系統(tǒng)10中的磁單元100的排布如圖5所示，部分第一磁鐵110和部分第二磁鐵120 (圖5中虛框內(nèi)的第一磁鐵110和第二磁鐵120)的模擬磁感應(yīng)線分布圖如圖6所示；
[0053]將第一磁鐵110向右移動(dòng)，第二磁鐵120向左移動(dòng)相同的距離，完成四分之一周期的運(yùn)動(dòng)。此時(shí)，磁鐵系統(tǒng)10中的磁單元100排布如圖7所示，部分第一磁鐵110和部分第二磁鐵120(圖7中虛框內(nèi)的第一磁鐵110和第二磁鐵120)的模擬磁感應(yīng)線分布圖如圖8所示；
[0054]以四分之一周期的終點(diǎn)為起點(diǎn)，將第一磁鐵110向下移動(dòng)，第二磁鐵120向上移動(dòng)相同的距離，完成四分之二周期的運(yùn)動(dòng)。此時(shí)，磁鐵系統(tǒng)10中的磁單元100排布如圖9所不，部分第一磁鐵110和部分第二磁鐵120 (圖9中虛框內(nèi)的第一磁鐵110和第二磁鐵120)的模擬磁感應(yīng)線分布圖如圖10所示；
[0055]以四分之二周期的終點(diǎn)為起點(diǎn)，將第一磁鐵110向左移動(dòng)，第二磁鐵120向右移動(dòng)相同的距離，完成四分之三周期的運(yùn)動(dòng)。此時(shí),磁鐵系統(tǒng)10中的磁單元100排布如圖11所不，部分第一磁鐵110和部分第二磁鐵120 (圖11中虛框內(nèi)的第一磁鐵110和第二磁鐵120)的模擬磁感應(yīng)線分布圖如圖12所示；
[0056]以四分之三周期的終點(diǎn)為起點(diǎn)，將第一磁鐵110向上移動(dòng)，第二磁鐵120向下移動(dòng)相同的距離，完成四分之四周期的運(yùn)動(dòng)，回到初始位置，形成第一磁鐵110運(yùn)動(dòng)的正方形軌跡以及第二磁鐵120運(yùn)動(dòng)的正方形軌跡。此時(shí)，磁鐵系統(tǒng)10中的磁單元100排布如圖4所不，部分第一磁鐵110和部分第二磁鐵120 (圖5中虛框內(nèi)的第一磁鐵110和第二磁鐵120)的模擬磁感應(yīng)線分布圖如圖6所示。
[0057]由圖6、8、10和12可見(jiàn)，當(dāng)四個(gè)磁單元100中的第一磁鐵110和第二磁鐵120周期性變動(dòng)時(shí)，磁感應(yīng)線也周期性地變動(dòng)，并且在周期內(nèi)，磁感應(yīng)線分布均勻。
[0058]圖13為在磁控濺射方法中，采用傳統(tǒng)的磁鐵排布，磁控濺射后，靶材蝕刻中心排布的結(jié)構(gòu)圖。
[0059]圖14為采用本發(fā)明一實(shí)施例中磁控濺射磁鐵系統(tǒng)分布方法，磁控濺射后，靶材蝕刻中心排布的結(jié)構(gòu)圖。
[0060]由圖13和圖14可知,米用本發(fā)明一實(shí)施例中的磁控派射磁鐵系統(tǒng)分布方法，革巴材刻蝕中心分布均勻，提高了靶材的利用率。
[0061]此外，具有上述磁控濺射磁鐵系統(tǒng)的磁控濺射裝置，靶材刻蝕均勻，利用率高。
[0062]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射磁鐵系統(tǒng)，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)單元、連接單元和至少一個(gè)磁單元，所述磁單元通過(guò)所述連接單元與所述驅(qū)動(dòng)單元連接； 所述磁單元包括第一磁鐵和第二磁鐵，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵呈中心對(duì)稱，所述第一磁鐵的磁感應(yīng)線軌跡與所述第二磁鐵的磁感應(yīng)線軌跡相反； 所述驅(qū)動(dòng)單元分別驅(qū)動(dòng)所述第一磁鐵和所述第二磁鐵在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，所述第一磁鐵的運(yùn)動(dòng)軌跡和所述第二磁鐵的運(yùn)動(dòng)軌跡重合，所述運(yùn)動(dòng)軌跡為閉合軌跡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)，其特征在于，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵的形狀均為正方體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)，其特征在于，所述磁單元的個(gè)數(shù)為多個(gè)，每四個(gè)所述第一磁鐵包圍一個(gè)所述第二磁鐵。
4.一種如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)的控制方法，其特征在于，包括以下步驟: 驅(qū)動(dòng)磁單元中的第一磁鐵在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，形成第一閉合運(yùn)動(dòng)軌跡； 驅(qū)動(dòng)所述磁單元中的第二磁鐵在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)，形成第二閉合運(yùn)動(dòng)軌跡，所述第一閉合運(yùn)動(dòng)軌跡和所述第二閉合運(yùn)動(dòng)軌跡重疊； 其中，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵中心對(duì)稱，所述第一磁鐵的磁感應(yīng)線軌跡與所述第二磁鐵的磁感應(yīng)線軌跡相反，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵的運(yùn)動(dòng)方向相反。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)控制方法，其特征在于，所述閉合軌跡的形狀為矩形。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)控制方法，其特征在于，當(dāng)所述第一磁鐵在平行于靶材的平面循環(huán)運(yùn)動(dòng)的次數(shù)至少為兩次時(shí)，相鄰兩次所述循環(huán)運(yùn)動(dòng)的閉合軌跡不重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)控制方法，其特征在于，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵同步運(yùn)動(dòng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)控制方法，其特征在于，所述閉合軌跡的形狀為正方形，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵勻速同步運(yùn)動(dòng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)控制方法，其特征在于，所述磁單元中，所述第一磁鐵和所述第二磁鐵呈對(duì)角排列。
10.一種具有如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的磁控濺射磁鐵系統(tǒng)的磁控濺射裝置。
【文檔編號(hào)】C23C14/54GK104357803SQ201410668376
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2014年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月20日
【發(fā)明者】張楊 申請(qǐng)人:昆山國(guó)顯光電有限公司