本發(fā)明涉及等離子體CVD裝置。

背景技術(shù)：

以往，例如在半導體元件的制造中，從精細化、薄膜化等觀點來看，采用使用了等離子體的等離子體成膜工序或者等離子體蝕刻工序。這些工序使用等離子體處理裝置來進行。

等離子體處理裝置的等離子體處理一般在真空處理室(腔室)內(nèi)產(chǎn)生等離子體來進行。為了產(chǎn)生該等離子體，在等離子體處理裝置設有用于向腔室內(nèi)導入電力(電流)的電力導入端子(電流導入端子)。經(jīng)由該電力導入端子從外部電源向腔室內(nèi)導入電力(電流)，能夠使腔室內(nèi)的氣體等離子體化。

以往的等離子體處理裝置中，作為電力導入端子的例子，例如有下述專利文獻1所公開的例子。下述專利文獻1所公開的電力導入端子具備：絕緣件，其具有安裝于貫通腔室的壁而形成的端子導入孔的一端部以及與該一端部相反一側(cè)的另一端部；以及棒狀導電體，其插通于貫通該絕緣件的貫通孔。

專利文獻1：日本特開2012-004495號公報

在上述專利文獻1所公開的具備電力導入端子的等離子體CVD裝置中，存在電子在構(gòu)成電力導入端子的絕緣件進行充電的情況，因該被充電了的電子而放電變得容易，從而有產(chǎn)生異常放電(電弧放電)的問題。這樣的電子的充電特別容易在絕緣件與棒狀導電體接觸的接點處產(chǎn)生，從而有若電子在該接點充電則特別容易引起異常放電的問題。上述專利文獻1中，公開了與高溫環(huán)境、大電力化對應的電力導入端子，但并未公開抑制異常放電(電弧放電)那樣的技術(shù)思想。

因此，發(fā)明人意圖解決這樣的異常放電的問題，發(fā)現(xiàn)了將絕緣件與棒狀導電體的接點、即特別容易充電的部分配置為遠離腔室內(nèi)的產(chǎn)生等離子體的等離子體空間。

然而，近年來，為了提高生產(chǎn)率而要求等離子體處理裝置的大型化以及等離子體處理的高速化，伴隨所需要的電力的大電力化(高電壓化)的發(fā)展，即使將容易充電的部分配置為遠離等離子體空間，也有可能產(chǎn)生異常放電。這樣，在要求高電壓的近年些來，僅將容易充電的部分配置為遠離等離子體空間的話是不夠的，從抑制異常放電的觀點來看依然留有應改善的課題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于這樣的課題而完成的，其目的在于提供即使在使用了高電壓的情況下也能夠抑制異常放電的產(chǎn)生的等離子體CVD裝置。

為了解決上述課題，本發(fā)明的等離子體CVD裝置的特征在于，具備：腔室，其形成等離子體空間；以及電力導入端子，其配置于貫通上述腔室的壁的端子導入孔，上述電力導入端子具有絕緣部件和導電體，上述絕緣部件具有貫通孔，上述導電體插通于上述貫通孔，上述導電體的一端配置在上述腔室內(nèi)，上述導電體的另一端與向上述腔室內(nèi)供給電力的電源電連接，上述絕緣部件的內(nèi)壁與上述導電體之間的間隙小于2mm，從上述絕緣部件的配置于上述腔室內(nèi)的上述等離子體空間的一端至上述絕緣部件與上述導電體的接點為止的距離大于10mm。

對于本發(fā)明的等離子體CVD裝置所使用的電力導入端子，由于使絕緣部件的內(nèi)壁與導電體的間隙比某個定值小，所以能夠抑制電場(電力線)從該間隙侵入。由于等離子體在電場所存在的場所產(chǎn)生，所以抑制電場從間隙侵入是與抑制等離子體在絕緣部件與導電體的接點附近產(chǎn)生相關(guān)聯(lián)的。其結(jié)果是，能夠抑制因電子在接點充電而引起的異常放電的產(chǎn)生。并且，在本發(fā)明中，由于從絕緣部件的配置于腔室內(nèi)的等離子體空間的一端至絕緣部件與導電體的接點為止的距離被設定為比另一個定值大，所以能夠使該接點遠離腔室內(nèi)的等離子體空間。這樣，能夠使接點難以暴露在腔室內(nèi)的等離子體空間，從而即使在使用了高電壓的情況下，也能夠抑制電子在接點充電。其結(jié)果是，能夠抑制異常放電的產(chǎn)生。

并且，在本發(fā)明的等離子體CVD裝置中，也優(yōu)選為，上述接點設于從與上述等離子體空間對置的區(qū)域偏離的位置。

并且，在本發(fā)明的等離子體CVD裝置中，也優(yōu)選為，上述導電體具備突出部，該突出部以突出于上述導電體的表面的方式設置，且與上述絕緣部件的內(nèi)壁抵接，在上述絕緣部件的內(nèi)壁形成有使該內(nèi)壁的一部分凹陷而形成的凹部，在上述突出部與上述絕緣部件的內(nèi)壁抵接的部分，上述絕緣部件與形成于上述腔室內(nèi)側(cè)的上述突出部的接點位于上述凹部內(nèi)。

并且，在本發(fā)明的等離子體CVD裝置中，也優(yōu)選為，通過以彎曲的方式形成上述導電體以及上述絕緣部件，由此將上述接點設于從與上述等離子體空間對置的區(qū)域偏離的位置。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供即使在使用了高電壓的情況下也能夠抑制異常放電的產(chǎn)生的等離子體CVD裝置。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明的實施方式中的等離子體CVD裝置的簡要結(jié)構(gòu)圖。

圖2是示出電力導入端子的簡要結(jié)構(gòu)圖。

圖3是示出電力導入端子的簡要結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖4是示出第一變形例中的電力導入端子的簡要結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖5是示出第二變形例中的電力導入端子的簡要結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖6是示出對等離子體CVD處理后的異常放電產(chǎn)生的有無進行了實驗的結(jié)果的圖表。

圖7是用于對直至產(chǎn)生等離子體CVD處理后的異常放電為止的循環(huán)數(shù)進行說明的表。

具體實施方式

以下參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。為了容易理解，對于在各附圖中相同的構(gòu)成要素，盡量標注相同的符號，并省略重復的說明。

首先，參照圖1，對本發(fā)明的實施方式中的等離子體CVD裝置100進行說明。圖1是示出等離子體CVD裝置100的簡要結(jié)構(gòu)圖。等離子體CVD裝置100是通過施加電壓來使原料氣體等離子體化從而在載置于真空處理室內(nèi)的基板的表面形成薄膜的裝置。此外，本發(fā)明并不限定于該實施方式中的等離子體CVD裝置100。

如圖1所示，等離子體CVD裝置100具備：能夠封閉的腔室61；向腔室61導入反應氣體的氣體導入部91；從腔室61排出反應氣體的泵P；配置在腔室61內(nèi)并由在之間進行等離子體放電的陰極81與陽極82(以下，也簡稱為“電極”)的組合構(gòu)成的放電部83；向放電部83供給電力的電源E；與各電極81、82電連接的電力導入端子10(電流導入端子)；以及將電源E與電力導入端子10電連接的電力導入線121(電流導入線)。在陰極81載置基板71。

腔室61例如是由鋁或者鋁合金構(gòu)成的箱型的氣密的容器。在腔室61，設有用于相對于內(nèi)部對基板71進行搬入、搬出的具有閘門機構(gòu)的搬入搬出口(未圖示)。并且，在腔室61，設有將陰極81與陽極82以隔開規(guī)定間隔的方式進行支承的支承臺(未圖示)，且在腔室61的壁61a連接有將腔室61內(nèi)真空排氣為規(guī)定的真空度的泵P。

陽極82由不銹鋼、鋁合金等金屬材料制成。陽極82的內(nèi)部是空穴，并且在面向與其對置的陰極81的等離子體放電面形成有與該空穴部導通的多個貫通孔(未圖示)。此外，陽極82的尺寸對應于成膜的基板71的尺寸而被設定為適當?shù)闹担⒁耘c陰極81大致相同的尺寸被設計。此外，陽極82接地。

并且，陽極82的一端面經(jīng)由氣體導入管131與氣體導入部91連接，且該氣體導入部91與氣體供給源G連接。因此，從氣體供給源G供給的反應氣體經(jīng)由氣體導入部91以及氣體導入管131向陽極82的內(nèi)部供給，并且反應氣體從形成于陽極82的上述多個貫通孔朝向由陰極81保持的基板71的表面均勻地噴出。

作為向基板71供給的成膜用的反應氣體(原料氣體)，優(yōu)選使用將具有導電性的膜成膜于基板71的反應氣體，例如能夠使用烴類的氣體。

陰極81在內(nèi)部具有加熱器，并且在面向成對的陽極82的一側(cè)的側(cè)面上載置基板71，在等離子體放電下的成膜時對基板71進行加熱。陰極81由不銹鋼、鋁合金、碳等具有導電性以及耐熱性的材料制作而成。并且，在本實施方式中，在陰極81內(nèi)置有加熱器，但并不限定于此，也可以是加熱器與陰極81分離設置的結(jié)構(gòu)。此外，作為基板71，一般是玻璃基板、半導體基板等，但并不特別限定于此。

此外，圖1中，陽極82與陰極81一對一地對應，但本實施方式的能夠應用電力導入端子的等離子體處理裝置并不限定于此，例如，作為圖1的變形，也能夠獲得相對于一個陽極82而設置有兩個陰極81的裝置結(jié)構(gòu)。并且，陽極82與陰極81并不限定于水平方向的設置，本發(fā)明也能夠應用于沿垂直方向設置的等離子體處理裝置。

泵P是與腔室61連接并能夠?qū)η皇?1內(nèi)進行減壓的真空泵。調(diào)節(jié)通過該真空泵所進行的排氣，能夠?qū)⑶皇?1內(nèi)調(diào)節(jié)為規(guī)定的壓力。本實施方式中，設想將成膜工序中的腔室61內(nèi)的壓力例如調(diào)整為10Pa。

電源E例如使用偏壓電源，作為偏壓電源的種類，有直流電源、交流電源、高頻電源或者微波電源等。電源E與安裝于腔室61的壁61a的電力導入端子10電連接，并能夠經(jīng)由該電力導入端子10向腔室61內(nèi)供給高偏壓等。作為偏壓電源，例如是能夠向腔室61內(nèi)供給1000V以上的高偏壓的電源即可。并且，作為偏壓電源，是能夠向腔室61內(nèi)供給規(guī)定的直流電流或者以直流電流為主而將交流、高頻、微波等重疊起來進行供給的電源即可。

電力導入線121將從電力導入端子10的腔室61向外部突出的端部(后述的另一端11b)與電源E電連接，從電源E供給的電力經(jīng)由電力導入線121以及電力導入端子10向配置在腔室61內(nèi)的放電部83供給。此外，電力導入線121優(yōu)選被收納在具有遮蔽功能的收容殼體(未圖示)內(nèi)，以便電力不會向外部漏出。

接下來，參照圖2以及圖3進一步對設于等離子體CVD裝置100的電力導入端子10進行說明。圖2是示出電力導入端子10的簡要結(jié)構(gòu)圖。圖3是圖2的簡要剖視圖。圖2以及圖3所示的電力導入端子10如圖1所示地在貫通腔室61的壁61a的端子導入孔62固定配置。

如圖2所示，電力導入端子10具備用于向腔室61導入電力的棒狀導電體11、以及覆蓋該棒狀導電體11的絕緣件21(絕緣部件)。

棒狀導電體11為圓柱棒(電極)，其具有插通于絕緣件21的貫通孔22的一端11a、以及經(jīng)由電力導入線121與圖1所示的電源E電連接的另一端11b。并且，棒狀導電體11例如由含有銅、鋁、鎳、銀、金等的金屬材料形成。由于像這樣設有棒狀導電體11，所以從電源E供給的電力經(jīng)由電力導入線121以及棒狀導電體11向腔室61內(nèi)的放電部83供給。

如圖2以及圖3所示，絕緣件21是以覆蓋棒狀導電體11的周圍的方式設置的大致圓筒形的部件。絕緣件21例如由陶瓷等絕緣材料形成，固定于圖1所示的貫通腔室的壁61a的端子導入孔62(例如使用耐熱粘合劑等)。因此，利用該絕緣件21，棒狀導電體11與腔室61的壁61a之間絕緣。此外，在本實施方式中，絕緣件21大致形成為圓筒形，但并不限定于此，只要是具有將棒狀導電體11與腔室61的壁61a之間絕緣的功能，則其形狀、大小能夠進行多種選擇。

對絕緣件21的位于腔室61內(nèi)的端面21a(面對等離子體空間的一端)進行說明。如上所述，絕緣件21固定于圖1所示的貫通腔室61的壁61a的端子導入孔62。更詳細而言，絕緣件21以絕緣件21的位于腔室61(圖3中未圖示)內(nèi)的端面21a從貫通腔室61的壁61a的端子導入孔62向腔室61內(nèi)突出的狀態(tài)固定于該端子導入孔62。因此，絕緣件21中，至少上述端面21a在等離子體CVD處理中暴露于腔室61內(nèi)產(chǎn)生的等離子體。

此外，在本實施方式中，電力導入端子10以氣密的方式固定于圖3中以實線示出的壁61a(圖1中的腔室61的壁)的端子導入孔62。然而，并不限定于此，例如電力導入端子10也可以以氣密的方式固定于圖3中以虛線示出的壁61aa的端子導入孔62aa，其能夠適當?shù)剡x擇。

接下來，進一步對絕緣件21的構(gòu)造進行說明。如圖2以及圖3所示，在絕緣件21的中央側(cè)形成有供棒狀導電體11插入的帶臺階的貫通孔22，該貫通孔22由如下部分構(gòu)成，即：以與棒狀導電體11具有間隙d的方式供該棒狀導電體11插通的大徑的貫通孔22a；以及與棒狀導電體11抵接來對棒狀導電體11進行保持的小徑的貫通孔22b。

進一步對上述間隙d進行說明。如上所述，大徑的貫通孔22a形成于絕緣件21的中央側(cè)，其以具有規(guī)定的間隙d的方式供棒狀導電體11進行插通。換言之，在大徑的貫通孔22a的內(nèi)周面(絕緣件21的內(nèi)壁面211)與棒狀導電體11之間形成有間隙d。在本實施方式中，該間隙d被設定為比0.2mm大且比2.0mm小的值。此外，在間隙d的值為0.2mm以下時，存在大徑的貫通孔22a因堆積于內(nèi)壁面211的膜而堵塞的可能性，從而優(yōu)選像這樣對間隙d設定下限值。

對絕緣件21與棒狀導電體11接觸的接點221進行說明。如上所述，在小徑的貫通孔22b插通有棒狀導電體11，并在小徑的貫通孔22b的內(nèi)周面抵接有棒狀導電體11。該小徑的貫通孔22b與棒狀導電體11抵接的面中位于腔室61內(nèi)側(cè)(圖3中上側(cè))的一端，換言之，絕緣件21與棒狀導電體11接觸的部分中位于腔室61內(nèi)側(cè)的一端被稱作接點221。

接下來，對從上述接點221至絕緣件21的端面21a的距離L進行說明。從接點221至絕緣件21的位于腔室61內(nèi)的端面21a(圖3中絕緣件21的上端面)的距離L的尺寸被設定為比10mm大的值。優(yōu)選為，距離L的尺寸被設定為比10mm大且比1000mm小的值。此外，在距離L的值為1000mm以上時，電力導入端子10大型化，或者需要較高的加工精度，從而優(yōu)選像這樣對距離L設定上限值。

如上所述，在絕緣件21形成有對棒狀導電體11的周圍進行覆蓋的帶臺階的貫通孔22(大徑的貫通孔22a以及小徑的貫通孔22b)。在本實施方式中，從接點221向腔室61內(nèi)側(cè)的方向(圖3中上方)設置的絕緣件21在與棒狀導電體11之間隔開間隙d，并且從接點221起延伸距離L。

參照圖3對絕緣件21的緣面距離進行說明。絕緣件21的緣面距離由將以下所有長度相加所得的距離來表示，即：截面觀察絕緣件21時絕緣件21的側(cè)面21c的長度、絕緣件21的端面21a的長度、絕緣件21的內(nèi)壁面211的長度、以及絕緣件21的大徑的貫通孔的底面21d的長度。在進行了等離子體CVD處理的情況下，有可能會在絕緣件21表面附著成膜于基板71的導電性的膜。若該導電性的膜附著于絕緣件21表面，則絕緣件21的絕緣性受到阻礙，從而電流有可能會沿絕緣件21表面泄漏。為了抑制該電流的泄漏，需要充分確保上述絕緣件21的緣面距離。在本實施方式中，由于充分確保絕緣件21的緣面距離，所以能夠抑制電流經(jīng)由絕緣件21表面泄漏。

接下來，參照圖4以及圖5對變形例中的電力導入端子10進行說明。圖4是示出第一變形例中的電力導入端子10的簡要結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖5是示出第二變形例中的電力導入端子10的簡要結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖4以及圖5所示的電力導入端子10是使上述的電力導入端子10的棒狀導電體11以及絕緣件21的形狀變化后的部件，除此以外的結(jié)構(gòu)以及功能與上述的電力導入端子10相同。因此，對于與上述的電力導入端子10相同的部分使用與電力導入端子10的部分相同的附圖標記，并省略它們的說明。

對圖4所示的第一變形例中的電力導入端子10的構(gòu)造進行說明。在第一變形例中的絕緣件21的內(nèi)壁面211(大徑的貫通孔22a的內(nèi)周面)，設有從其一端側(cè)朝向另一端側(cè)直角地彎曲兩次的彎曲部。具體而言，在第一變形例中，在絕緣件21的內(nèi)壁面211，形成有使該內(nèi)壁面211中遠離等離子體空間的一側(cè)(圖4中內(nèi)壁面211的下方側(cè))凹陷而成的凹部321。并且，在第一變形例中，棒狀導電體11具備從其表面向內(nèi)壁面211側(cè)(圖4中左右方向)突出地設置的突出部311，且該突出部311的外緣側(cè)311b與內(nèi)壁面211抵接。該接觸的部分中形成于腔室61(參照圖1)內(nèi)側(cè)的、突出部311的外緣側(cè)311b與絕緣件21的接點221位于凹部321內(nèi)。這樣，在圖4所示的電力導入端子10中，接點221設于從與腔室61內(nèi)的等離子體空間對置的區(qū)域(圖4中突出部311的區(qū)域β)偏離的位置。此外，突出部311優(yōu)選由與棒狀導電體11相同的材料形成，但其材料、形狀、大小等能夠進行多種選擇。

這樣，由于接點221位于絕緣件21的內(nèi)壁面211的具有凹陷的形狀的凹部321，換言之，接點221設于從與腔室61內(nèi)的等離子體空間對置的區(qū)域β偏離的位置，所以能夠更進一步抑制經(jīng)由棒狀導電體11與絕緣件21的間隙d而侵入的電場。其結(jié)果是，能夠更進一步抑制經(jīng)由間隙d而到達接點221的等離子體，從而能夠更加抑制因電子在接點221充電而引起的異常放電。并且，在圖3所示的電力導入端子10中，通過進行等離子體處理，導電性膜的堆積在與腔室61內(nèi)的等離子體空間對置的區(qū)域(圖3的包括底面21d的區(qū)域)發(fā)展，但對于圖4所示的電力導入端子10，導電性膜的堆積在突出部311中的與等離子體空間對置的區(qū)域β發(fā)展。另一方面，至少在形成于內(nèi)壁面211的凹部321內(nèi)抑制導電性膜的堆積發(fā)展。其結(jié)果是，與圖3所示的電力導入端子10相比，圖4所示的電力導入端子10能夠抑制電流經(jīng)由堆積于絕緣件21表面的導電性膜而從接點221泄漏。

對圖5所示的第二變形例中的電力導入端子10的構(gòu)造進行說明。在第二變形例中的棒狀導電體11以及絕緣件21的內(nèi)壁面211(大徑的貫通孔22a的內(nèi)周面)，設有從其一端側(cè)朝向另一端側(cè)直角地彎曲一次的彎曲部。更詳細而言，在棒狀導電體11設有棒狀導電體11的位于腔室61內(nèi)側(cè)的方向(圖5中左側(cè))的部分彎曲而成的彎曲部411。并且，在絕緣件21設有絕緣件21的位于腔室61內(nèi)側(cè)的方向(圖5中左側(cè))的部分彎曲而成的彎曲部421。如圖5所示那樣，以彎曲的方式形成棒狀導電體11以及絕緣件21，能夠?qū)魻顚щ婓w11與絕緣件21的接點221設置于從與腔室61(參照圖1)內(nèi)的等離子體空間對置的區(qū)域γ偏離的位置。

此外，參照圖3進行說明的距離L(從接點221至絕緣件21的端面21a的距離)的大小在第二變形例中以圖5所示的L1與L2的和來表示。即，在第二變形例中，以從接點221至棒狀導電體11的彎曲部411位置的距離(L1)、與從棒狀導電體11的彎曲點411a至絕緣件21的位于腔室61內(nèi)的端面21a(與等離子體空間相對的一端)為止的距離(L2)之和來表示。

通過如圖5所示那樣，以彎曲的方式形成棒狀導電體11以及絕緣件21，從而將接點221設置于從與等離子體空間對置的區(qū)域γ偏離的位置，因此能夠更進一步抑制經(jīng)由棒狀導電體11與絕緣件21的間隙到達接點221的電場。由于等離子體在電場存在的場所產(chǎn)生，所以通過像這樣抑制電場的侵入，能夠抑制等離子體在接點221附近產(chǎn)生。其結(jié)果是，能夠更加抑制因電子在接點221充電而引起的異常放電的產(chǎn)生。并且，如上所述，導電性膜的堆積在與等離子體空間對置的區(qū)域γ發(fā)展，但由于接點221設于從與等離子體空間對置的區(qū)域γ偏離的位置，所以至少在接點221附近抑制導電性膜的堆積。其結(jié)果是，能夠抑制電流經(jīng)由堆積于絕緣件21表面的導電性膜從接點221泄漏。

上述圖4、圖5中，對以橫向設置棒狀導電體11與絕緣件21的間隙的方式來設置電力導入端子10的例子進行了說明，但在像這樣橫向設置間隙的情況下，存在產(chǎn)生以下的問題的可能性。即，由等離子體處理而在腔室61內(nèi)產(chǎn)生的成膜殘渣(圖示省略)有可能因向電力導入端子10落下而產(chǎn)生棒狀導電體11與絕緣件21的短路。作為產(chǎn)生該短路的理由，則如以下那樣。

在來自腔室61內(nèi)的成膜殘渣的尺寸例如比棒狀導電體11與絕緣件21之間的間隙d大的情況下，則在棒狀導電體11與絕緣件21之間成膜殘渣以橫跨的狀態(tài)堆積。當該堆積的成膜殘渣具有導電性的情況下，通過棒狀導電體11向成膜殘渣施加偏置電壓，而在該成膜殘渣與絕緣件21的接點處產(chǎn)生短路。即便假設成膜殘渣為絕緣系的情況下，由于成膜殘渣與被施加了偏置電壓的棒狀導電體11接觸，所以該棒狀導電體11與絕緣系的成膜殘渣的接點暴露在等離子體中，從而也產(chǎn)生短路。

因此，為了防止上述那樣的短路的產(chǎn)生，優(yōu)選以使棒狀導電體11與絕緣件21的間隙朝下的方式來設置電力導入端子10。通過像這樣設置電力導入端子10，能夠防止在腔室61內(nèi)產(chǎn)生的成膜殘渣例如向棒狀導電體11與絕緣件21之間的間隙落下。其結(jié)果是，能夠防止因在腔室61內(nèi)產(chǎn)生的成膜殘渣的落下等而引起的棒狀導電體11與絕緣件21的短路。

接下來，為了對使用高電壓執(zhí)行等離子體CVD處理后有無產(chǎn)生異常放電進行調(diào)查，則進行了以下所示的實驗。圖6是表示對等離子體CVD處理后的有無產(chǎn)生異常放電進行了實驗的結(jié)果的圖表。圖6的橫軸示出從接點221至絕緣件21的端面21a為止的距離L，圖6的縱軸示出棒狀導電體11與絕緣件21的內(nèi)壁面211之間的間隙d。

此外，在本實驗中，在如下狀態(tài)下，即：作為原料氣體而使用烴類氣體，使腔室61內(nèi)為10Pa，作為偏置電壓而施加了1000V～3000V的狀態(tài)下，對1萬循環(huán)后的有無產(chǎn)生異常放電進行了驗證。并且，本實驗中的異常放電是指：穩(wěn)定的輝光放電完全不產(chǎn)生的情況或者不產(chǎn)生輝光放電的時間持續(xù)1秒以上的情況。并且，在圖6所示的實驗中，不使用圖4或者圖5所示的電力導入端子10的構(gòu)造。

并且，圖6的圖表所示的◎表示即使是3000V也未產(chǎn)生異常放電的情況，○表示在1000V時未產(chǎn)生異常放電，但在3000V時產(chǎn)生了異常放電的情況，×表示在1000V時產(chǎn)生了異常放電的情況。

如圖6所示，在導入了偏置電壓1000V的情況下，在L＝4.0mm以下時產(chǎn)生了異常放電。并且，即使L＝6.0mm或者8.0mm，在d＝2.0mm以上時也產(chǎn)生了異常放電。

并且，在導入了偏置電壓1000V的情況下，例如L＝6.0mm、且d＝1.0mm時，未產(chǎn)生異常放電。但是，對于該L和d的值，在導入了偏置電壓3000V的情況下產(chǎn)生了異常放電。

接下來，在導入了偏置電壓3000V的情況下，在L＝10mm，12mm或者14mm、且d＝1.5mm以內(nèi)時，未產(chǎn)生異常放電。并且，在L＝14mm，且d＝2.0mm的情況下也未產(chǎn)生異常放電。

如以上的實驗結(jié)果所示，確認得出根據(jù)距離L與間隙d的值而能夠抑制等離子體CVD處理后的異常放電的產(chǎn)生。如圖6所示，作為電力導入端子10的構(gòu)造尺寸，優(yōu)選被設定為比L＝10mm大且比d＝2.0mm小，更優(yōu)選被設定為比L＝14mm大且比d＝2.0mm小。

接下來，為了對使用圖5所示的電力導入端子10而直至產(chǎn)生異常放電為止的循環(huán)數(shù)進行調(diào)查，則進行了以下所示的實驗。圖7是表示使用圖5所示的電力導入端子10和圖3所示的電力導入端子10來對直至產(chǎn)生等離子體CVD處理后的異常放電為止的循環(huán)數(shù)進行了實驗的結(jié)果的表。在圖7所示的實驗中，作為偏置電壓使用3000V，使腔室61內(nèi)的壓力為10Pa，且以L＝10mm(L1＝8.0mm，L2＝2.0mm)，d＝2.0mm進行了驗證。

如圖7所示，當在圖3所示那樣的電力導入端子10未設置彎曲部的情況下，換言之，在接點221設于與等離子體空間對置的區(qū)域的情況下，直至產(chǎn)生異常放電為止的循環(huán)數(shù)是8000循環(huán)，與此相對，當在圖5所示那樣的電力導入端子10設有彎曲部的情況下，換言之，在接點221設于從與等離子體空間對置的區(qū)域(圖5的區(qū)域γ)偏離的位置的情況下，直至產(chǎn)生異常放電為止的循環(huán)數(shù)是2萬循環(huán)以上。這樣，確認得出將接點221設于從與等離子體空間對置的區(qū)域偏離的位置能夠抑制異常放電的產(chǎn)生。

以上，參照具體例對本發(fā)明的實施方式進行了說明。但是，本發(fā)明并不限定于這些具體例。即，本領域技術(shù)人員對這些具體例適當?shù)貙嵤┰O計變更后的實施例，只要是具備本發(fā)明的特征，則其就包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。上述的各具體例所具備的各要素及其配置、材料、條件、形狀等并不限定于示例出的例子，它們能夠適當?shù)剡M行變更。

附圖標記的說明：

10…電力導入端子；11…棒狀導電體(導電體)；21…絕緣件(絕緣部件)；21a…端面；22…貫通孔；61…腔室；61a…壁；62…端子導入孔；71…基板；81…陰極；82…陽極；91…氣體導入部；100…等離子體CVD裝置；121…電力導入線；131…氣體導入管；211…內(nèi)壁面(內(nèi)壁)；221…接點；311…突出部；321…凹部；411、421…彎曲部。