1.一種制備單層二硫化鉬的化學(xué)氣相沉積法，其特征在于，(1)提供一種在二氧化硅/硅襯底上制備單層二硫化鉬的化學(xué)氣相沉積法；(2)提供一種簡(jiǎn)化的清洗襯底的方法；(3)采用常壓化學(xué)氣相沉積法，硫源為硫粉，鉬源為三氧化鉬粉末；3)簡(jiǎn)化了升溫過程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備單層二硫化鉬的簡(jiǎn)化的化學(xué)氣相沉積法，所述的簡(jiǎn)化的清洗襯底的方法是指(1)二氧化硅/硅襯襯底先在洗潔精溶液中超聲30-60min；(2)然后在去離子水中超聲5-20min(3次)；(3)在酒精中超聲5-20min(3次)；(4)清洗完的二氧化硅/硅襯底保存在酒精溶液中待用；(5)化學(xué)氣相沉積實(shí)驗(yàn)時(shí)取出，用氮?dú)鈿鈽尨蹈珊螅儆醚醯入x子清洗機(jī)清洗1-5min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備單層二硫化鉬的簡(jiǎn)化的化學(xué)氣相沉積法，其特征在于，包括：(1)采用常壓化學(xué)氣相沉積法；(2)稱取一定質(zhì)量的硫粉和三氧化鉬粉末，并放在兩個(gè)石英舟中；(3)將清洗好的二氧化硅/硅襯底面朝下放在盛有三氧化鉬粉末的石英舟中(在鉬源下游一定距離處)，并將其放在管式爐中間的高溫區(qū)，將盛放硫粉的石英舟放在管式爐前部的低溫區(qū)；(4)加熱前，先通氮?dú)?5-45min，流速為50-500sccm，將管式爐中的空氣排出，之后持續(xù)通入流速為75-150sccm的氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)氣氛；(5)開始加熱，15-45min內(nèi)將管式爐加熱到生長(zhǎng)所需的溫度，然后保持此溫度40-80min來生長(zhǎng)二硫化鉬；(6)，生長(zhǎng)結(jié)束后，繼續(xù)通入50-200sccm的氮?dú)?，等待管式爐自然降至室溫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
采用控制變量法研究不同生長(zhǎng)條件對(duì)所述單層二硫化鉬生長(zhǎng)的影響，確定所述單層二硫化鉬的最佳生長(zhǎng)條件；所述不同生長(zhǎng)條件包括襯底的種類、所述鉬源的用量以及所述襯底與所述鉬源的距離。