技術(shù)特征：

1.一種波長(zhǎng)可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)清洗襯底；

(2)在真空度為1×10^-5～1×10^-2Pa下，通入高純Ar和高純O₂混合氣體，利用射頻濺射對(duì)硅靶和硼靶進(jìn)行反應(yīng)共濺射，在襯底上沉積薄膜；

(3)惰性氣氛下，對(duì)步驟(2)得到的薄膜進(jìn)行熱處理，即得到摻硼的熒光涂層；

所述熒光涂層的硼含量為1～15.1at.％；所述熒光涂層在激發(fā)下會(huì)產(chǎn)生650nm～410nm的熒光，最大發(fā)射熒光波長(zhǎng)隨硼含量的變化而變化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，所述熒光涂層的硼含量為1.5～4.5at.％時(shí)，在325nm激發(fā)波長(zhǎng)下，所述熒光涂層的最大發(fā)射波長(zhǎng)隨硼含量的增加從650nm逐漸移動(dòng)到410nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，所所述熒光涂層的硼含量為2.17～3.58at.％時(shí)，在325nm激發(fā)波長(zhǎng)下，所述熒光涂層的最大發(fā)射波長(zhǎng)隨硼含量的增加從520nm逐漸移動(dòng)到459nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中高純Ar和高純O₂混合氣體中高純O₂的質(zhì)量百分含量為0.01％～10％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中共濺射時(shí)，硅靶的濺射功率為60～200W，硼靶的濺射功率為20～200W。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中共濺射時(shí)，濺射腔室的壓強(qiáng)為0～10Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中共濺射時(shí)，硅靶的濺射功率為120～150W，硼靶的濺射功率為30～120W，濺射腔室的壓強(qiáng)為1～5Pa。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)可調(diào)的熒光涂層的制備方法，其特征在于，步驟(3)中熱處理的條件為：在600～1200℃下熱處理0～6小時(shí)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的制備方法得到的熒光涂層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的制備方法得到的熒光涂層在熒光粉以及光電子器件中的應(yīng)用。