技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種二次電子發(fā)射薄膜的簡易制備方法，屬于二次電子發(fā)射陰極材料的制備技術(shù)領(lǐng)域。以純金屬銀/鋁/鈦作為基體，純金屬鎂充當濺射源物質(zhì)，以純氬為工作氣體，純氧為反應氣體，在對基體采用電阻加熱的條件下，通過直流反應磁控濺射法，在銀/鋁/鈦基體上制備得到MgO薄膜，次級發(fā)射系數(shù)δ高達4.88。采用所述方法制備MgO薄膜陰極具有制備工藝簡單、膜厚可控、成分均勻、結(jié)晶性好、次級發(fā)射系數(shù)高、發(fā)射性能穩(wěn)定且耐電子轟擊等優(yōu)點。有望應用于光電倍增管、銫原子鐘、磁控管等領(lǐng)域。

技術(shù)研發(fā)人員：王金淑;王飛飛;周帆;李洪義;張權(quán);殷俏
受保護的技術(shù)使用者：北京工業(yè)大學
文檔號碼：201611166493
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.16
技術(shù)公布日：2017.05.10