本發(fā)明涉及顯示器密封技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于oled器件的復(fù)合封裝薄膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

由于oled對水汽和氧氣非常敏感，所以有效的封裝技術(shù)對oled器件的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展尤為關(guān)鍵。薄膜封裝可以對剛性或柔性基板的oled器件進(jìn)行封裝，從而使器件向更薄化方向發(fā)展，并可以實(shí)現(xiàn)柔性oled的可曲折性及可卷繞行的特性，為柔性顯示技術(shù)帶來突破性的進(jìn)展。

在薄膜封裝技術(shù)中，采用原子層沉積(ald)可以制備出高密度、無針孔及均勻性好的薄膜，被認(rèn)為是最有應(yīng)用前景的薄膜封裝技術(shù)。但是單層al2o3薄膜是非晶態(tài)的，隨著薄膜厚度的增加很容易產(chǎn)生一些細(xì)小的裂紋，導(dǎo)致薄膜對h2o和o2的阻隔性變差，從而影響器件的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，提供一種克服單層薄膜由于厚度增加產(chǎn)生細(xì)小裂紋的復(fù)合封裝薄膜及其制備方法。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：提供一種復(fù)合封裝薄膜的制備方法，包括以下步驟：

s1、將待密封器件放置在反應(yīng)腔體內(nèi)；

s2、采用原子層沉積法在所述待密封器件的表面形成非晶態(tài)的第一氧化薄膜層；

s3、采用原子層沉積法在所述第一氧化薄膜層上形成非晶態(tài)的第二氧化薄膜層；

s4、依次重復(fù)上述步驟s2和s3多次，在所述待密封器件表面形成多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層；

多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層交替疊合，形成復(fù)合封裝薄膜。

優(yōu)選地，步驟s2中，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度為50-100℃，壓力為2×10^-3-2×10^-5mbar；

步驟s3中，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度為50-100℃，壓力為2×10^-3-2×10^-5mbar。

優(yōu)選地，步驟s2包括：

s2.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入三甲基鋁0.25s，載氣量為50-300sccm，氮?dú)獯祾?0s；

s2.2、通入水汽0.25s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟s2.1和s2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度為1-30nm的所述第一氧化薄膜層；該第一氧化薄膜層為氧化鋁薄膜層。

優(yōu)選地，步驟s3包括：

s3.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入四氯化鈦0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

s3.2、通入水汽0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟s3.1和s3.2多次，在所述第一氧化薄膜層上形成厚度為1-50nm的所述第二氧化薄膜層；該第二氧化薄膜層為氧化鈦薄膜層。

優(yōu)選地，步驟s2包括：

s2.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入四氯化鈦0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

s2.2、通入水汽0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟s2.1和s2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度為1-50nm的所述第一氧化薄膜層；該第一氧化薄膜層為氧化鈦薄膜層。

優(yōu)選地，步驟s3包括：

s3.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入三甲基鋁0.25s，載氣量為50-300sccm，氮?dú)獯祾?0s；

s3.2、通入水汽0.25s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟s3.1和s3.2多次，在所述第一氧化薄膜層上形成厚度為1-30nm的所述第二氧化薄膜層；該第二氧化薄膜層為氧化鋁薄膜層。

優(yōu)選地，步驟s4中、依次重復(fù)上述步驟s2和s3八次，在所述待密封器件表面形成具有八層所述第一氧化薄膜層和八層所述第二氧化薄膜層的復(fù)合封裝薄膜。

優(yōu)選地，所述待密封器件包括oled器件。

本發(fā)明還提供一種復(fù)合封裝薄膜，設(shè)置在待密封器件表面，所述復(fù)合封裝薄膜包括多層非晶態(tài)的第一氧化薄膜層和多層非晶態(tài)的第二氧化薄膜層，多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層交替疊合。

優(yōu)選地，所述第一氧化薄膜層和第二氧化薄膜層二者中，一者為氧化鋁薄膜層，另一者為氧化鈦薄膜層。

本發(fā)明的復(fù)合封裝薄膜，由兩種無機(jī)薄膜交替層疊構(gòu)成，克服單層薄膜由于厚度增加產(chǎn)生細(xì)小裂紋的問題，具有更好的密封性，可作為oled器件的密封結(jié)構(gòu)，延長oled器件的使用壽命。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中：

圖1是本發(fā)明制得的一實(shí)施例復(fù)合封裝薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。

參考圖1，本發(fā)明的復(fù)合封裝薄膜的制備方法，可包括以下步驟：

s1、將待密封器件10放置在反應(yīng)腔體內(nèi)。反應(yīng)腔體為原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)腔體，內(nèi)部溫度、壓力等可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置。

待密封器件10可包括oled器件。

s2、采用原子層沉積法在待密封器件10的表面形成非晶態(tài)的第一氧化薄膜層20。

在該步驟s2中，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度為50-100℃，可優(yōu)選80℃；壓力為2×10^-3-2×10^-5mbar，可優(yōu)選2×10^-4mbar。

s3、采用原子層沉積法在第一氧化薄膜層20上形成非晶態(tài)的第二氧化薄膜層30。

在該步驟s3中，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度為50-100℃，可優(yōu)選80℃；壓力為2×10^-3-2×10^-5mbar，可優(yōu)選2×10^-4mbar。

s4、依次重復(fù)上述步驟s2和s3多次，在待密封器件10表面形成多層第一氧化薄膜層20和多層第二氧化薄膜層30。重復(fù)次數(shù)根據(jù)所要設(shè)置的薄膜層數(shù)而定。

多層第一氧化薄膜層20和多層第二氧化薄膜層30交替疊合，形成復(fù)合封裝薄膜。

在第一種選擇性實(shí)施方式中，步驟s2可包括：

s2.1、向反應(yīng)腔體內(nèi)通入三甲基鋁0.25s(秒)，載氣量為50-300sccm，氮?dú)獯祾?0s；

s2.2、通入水汽0.25s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟s2.1和s2.2多次，在待密封器件10的表面形成厚度為1-30nm的第一氧化薄膜層20；該第一氧化薄膜層20為氧化鋁薄膜層。

循環(huán)次數(shù)根據(jù)所要形成的第一氧化薄膜層20的厚度而定。例如，循環(huán)步驟s2.1和s2.2六十次，可在待密封器件10的表面形成一層厚度5nm的氧化鋁薄膜層(al2o3)。

步驟s3包括：

s3.1、向反應(yīng)腔體內(nèi)通入四氯化鈦0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

s3.2、通入水汽0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟s3.1和s3.2多次，在第一氧化薄膜層20上形成厚度為1-50nm的第二氧化薄膜層30；該第二氧化薄膜層30為氧化鈦薄膜層。

循環(huán)次數(shù)根據(jù)所要形成的第二氧化薄膜層30的厚度而定。例如，循環(huán)步驟s3.1和s3.2一百次，可在第一氧化薄膜層20上形成一層厚度5nm的氧化鈦薄膜層(tio2)。

在第二種選擇性實(shí)施方式中，步驟s2可包括：

s2.1、向反應(yīng)腔體內(nèi)通入四氯化鈦0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

s2.2、通入水汽0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟s2.1和s2.2多次，在待密封器件10的表面形成厚度為1-50nm的第一氧化薄膜層20；該第一氧化薄膜層20為氧化鈦薄膜層。

步驟s3可包括：

s3.1、向反應(yīng)腔體內(nèi)通入三甲基鋁0.25s，載氣量為50-300sccm，氮?dú)獯祾?0s；

s3.2、通入水汽0.25s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟s3.1和s3.2多次，在第一氧化薄膜層20上形成厚度為1-30nm的第二氧化薄膜層30；該第二氧化薄膜層30為氧化鋁薄膜層。

該第二種實(shí)施方式與第一種實(shí)施方式的主要區(qū)別是：氧化鋁薄膜層和氧化鈦薄膜層位置互換，整體形成的復(fù)合封裝薄膜均為兩種薄膜層的交替層疊。

具體地，在一些實(shí)施例中，可依次重復(fù)上述步驟s2和s3八次，在待密封器件10表面形成交替層疊的八層第一氧化薄膜層20和八層第二氧化薄膜層30；八層第一氧化薄膜層20和八層第二氧化薄膜層30構(gòu)成al2o3/tio2復(fù)合封裝薄膜。對于厚度分別為5nm的氧化鋁薄膜層和氧化鈦薄膜層，獲得的al2o3/tio2復(fù)合封裝薄膜厚度為80nm。

參考圖1，本發(fā)明的復(fù)合封裝薄膜，設(shè)置在待密封器件10表面，可通過上述的制備方法制得；待密封器件10oled器件，從而復(fù)合封裝薄膜可作為oled器件的密封結(jié)構(gòu)，起到水氧阻隔作用。

該復(fù)合封裝薄膜包括多層非晶態(tài)的第一氧化薄膜層20和多層非晶態(tài)的第二氧化薄膜層30，多層第一氧化薄膜層20和多層第二氧化薄膜層30交替疊合。第一氧化薄膜層20和第二氧化薄膜層30二者中，一者為氧化鋁薄膜層，另一者為氧化鈦薄膜層。

本發(fā)明中，復(fù)合封裝薄膜的多層設(shè)置，可減少薄膜的氣孔率，提高薄膜連續(xù)性，降低薄膜應(yīng)力。單層的氧化鋁薄膜層或者單層的氧化鈦薄膜層的水氧阻隔能力是有限的，通過兩者的交替層疊，借助氧化鈦薄膜層在疊層結(jié)構(gòu)中的界面特性改性作用，提高水氧阻隔能力。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。