本發(fā)明涉及一種氧化銦錫膜加工制造技術領域，特別涉及一種濺射機。

背景技術：

目前，常見氧化銦錫(ito)濺射機臺上，條形靶中間使用是一根鋁(al)合金材質的中央防著板(gs)，濺射過程中顆粒(particle)容易飄高，所以顆粒物(pm)周期較短。在t3物理氣相沉積(pvd)使用g6代氧化銦錫濺射機臺上，但噴射腔室(sputteringchamber)內存在顆粒，導致污染了ito膜層。

為解決現(xiàn)用的問題，有必要提出一種新的液晶顯示模組。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的濺射機結構簡單，能夠防止噴射腔室內存在顆粒，還能有效防止側邊防著板與中央防著板之間的間距變小而導致異常放電的發(fā)生，異常放電將側邊防著板表面的鋁熔射層濺出，而污染氧化銦錫膜層，即本發(fā)明的濺射機可以有效地防止污染氧化銦錫膜層。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種濺射機，本發(fā)明的濺射機的腔體內設有：

中央防著板，其兩側分別設有側邊防著板，所述側邊防著板設置在所述中央防著板上；

條形靶，其設置在所述側邊防著板遠離所述中央防著板的一側，

所述側邊防著板靠近所述條形靶的側面上開有凹槽。

如上所述的濺射機，其中，所述凹槽的深度為1mm～2mm。如上所述的濺射機，其中，所述條形靶設置在基座上。

如上所述的濺射機，其中，所述基座為銅背板。

如上所述的濺射機，其中，所述條形靶的長度小于所述基座的長度。

如上所述的濺射機，其中，所述中央防著板包括中央防著板本體和設于所述中央防著板本體的下端的支架，所述支架包括豎直部和凸設在所述豎直部上的水平部，所述豎直部靠近所述側邊防著板的一側設有所述水平部，所述側邊防著板與所述豎直部之間間隔設置。

如上所述的濺射機，其中，所述水平部和所述側邊防著板均位于所述基座的上方。

如上所述的濺射機，其中，所述側邊防著板靠近所述豎直部的一側設有內槽，所述水平部伸入所述內槽內。

如上所述的濺射機，其中，所述銅背板內設有冷卻管路。

如上所述的濺射機，其中，所述側邊防著板與所述中央防著板之間的間隙的寬度為1mm。

本發(fā)明的濺射機結構簡單，能夠防止噴射腔室內存在顆粒，本發(fā)明的側邊防著板與中央防著板之間的間距小，通過在側邊防著板上設置凹槽，可以防止側邊防著板的側邊緣上產生毛刺，從而實現(xiàn)有效防止側邊防著板與中央防著板之間的間距變小而導致的異常放電發(fā)生，異常放電將側邊防著板表面的鋁熔射層濺出，而污染氧化銦錫膜層，即本發(fā)明的濺射機可以有效地防止污染氧化銦錫膜層。

附圖說明

在此描述的附圖僅用于解釋目的，而不意圖以任何方式來限制本發(fā)明公開的范圍。另外，圖中的各部件的形狀和比例尺寸等僅為示意性的，用于幫助對本發(fā)明的理解，并不是具體限定本發(fā)明各部件的形狀和比例尺寸。本領域的技術人員在本發(fā)明的教導下，可以根據具體情況選擇各種可能的形狀和比例尺寸來實施本發(fā)明。

圖1為本發(fā)明的濺射機的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明的側邊防著板的結構示意圖。

具體實施方式

結合附圖和本發(fā)明具體實施方式的描述，能夠更加清楚地了解本發(fā)明的細節(jié)。但是，在此描述的本發(fā)明的具體實施方式，僅用于解釋本發(fā)明的目的，而不能以任何方式理解成是對本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的教導下，技術人員可以構想基于本發(fā)明的任意可能的變形，這些都應被視為屬于本發(fā)明的范圍，下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步說明。

本發(fā)明的濺射機的腔體內設有中央防著板1、側邊防著板2和條形靶3，其中，中央防著板1的兩側分別設有側邊防著板2，側邊防著板2設置在中央防著板1上；條形靶3設置在側邊防著板2遠離中央防著板1的一側，側邊防著板2靠近條形靶3的側面21上開有凹槽22。

具體的，中央防著板1包括中央防著板本體11和設于中央防著板本體11的下端的支架12，支架12包括豎直部121和凸設在豎直部121上的水平部122，水平部122位于豎直部121靠近側邊防著板2的一側，側邊防著板2與豎直部121之間間隔設置，在一實施例中，中央防著板1由鋁合金制成，側邊防著板2由陶瓷(ceramic)材料制成，當然也可采用其他材料制成，在此不做具體限制。

具體的，條形靶3設置在基座4上，在本實施例中，水平部122和側邊防著板2均位于基座4的上方，在一實施例中，條形靶3的長度l1小于基座4的長度l2。

在一具體實施例中，側邊防著板2設于水平部122上，具體地，側邊防著板2靠近中央防著板1的一側設有內槽23，水平部122伸入內槽23內，從而實現(xiàn)穩(wěn)定地將側邊防著板2設置在水平部122上。

具體的，中央防著板1的豎直部121和側邊防著板2之間的間距較小，在一實施例中，側邊防著板2與豎直部121之間的間隙的寬度w為1mm。在本發(fā)明中，條形靶3與凹槽22相對設置，條形靶3正對凹槽22溶射出鋁顆粒，從而通過溶射加工技術在凹槽22的內表面形成鋁溶射層，而不會在側邊防著板2的側邊緣26上不產生鋁毛刺，也即保證鋁溶射層能夠在側邊防著板2的凹槽22內形成，并不會在側邊防著板2的側邊緣26上不產生鋁毛刺，即達到從物理上防止側邊防著板2與中央防著板1之間間距變短的情況發(fā)生，鋁溶射層能夠增加側邊防著板2的粗糙度，更利于ito膜附著。

在本發(fā)明中，凹槽22的深度d為1mm～2mm之間，若凹槽22的深度d過小，則不能起到防止側邊防著板2與中央防著板1之間間距變短的情況發(fā)生的效果，另外，若凹槽22的深度d過大，則會導致凹槽22的加工難度增加，還會造成溶射層的厚度增加，從而造成消耗大量的鋁的缺陷。

在一具體實施例中，基座4為銅背板，由于銅背板具有較好地導熱性能，可以很好地對條形靶3進行冷卻；進一步地，銅背板內設有冷卻管路(圖中未示出)，從而進一步地增加基座4對條形靶3進行冷卻。

本發(fā)明的濺射機結構簡單，能夠防止噴射腔室內存在顆粒，側邊防著板2與中央防著板1之間的間距小，通過在側邊防著板2上設置凹槽22，可以防止側邊防著板2的側邊緣26上產生毛刺，從而實現(xiàn)有效防止側邊防著板2與中央防著板1之間的間距變小而導致的異常放電發(fā)生，異常放電將側邊防著板表面的鋁熔射層濺出，而污染氧化銦錫膜層，即本發(fā)明的濺射機可以有效地防止污染氧化銦錫膜層。

上述技術方案只是本發(fā)明的一種實施方式，對于本領域內的技術人員而言，在本發(fā)明公開了應用方法和原理的基礎上，很容易做出各種類型的改進或變形，而不僅限于本發(fā)明上述具體實施方式所描述的方法。雖然已經參考優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進行各種改進并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結構沖突，各個實施例中所提到的各項技術特征均可以任意方式組合起來。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實施例，而是包括落入權利要求的范圍內的所有技術方案。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開一種濺射機，其中，所述濺射機的腔體內設有：中央防著板，其兩側分別設有側邊防著板，所述側邊防著板與所述中央防著板間隔設置；條形靶，其設置在所述側邊防著板遠離所述中央防著板的一側，所述側邊防著板靠近所述條形靶的側面上開有凹槽。本發(fā)明的濺射機結構簡單，能夠防止噴射腔室內存在顆粒，通過在側邊防著板上開有凹槽，還能有效防止側邊防著板與中央防著板之間的間距變小而導致異常放電的發(fā)生，異常放電將側邊防著板表面的鋁熔射層濺出，而污染氧化銦錫膜層，即本發(fā)明的濺射機可以有效地防止污染氧化銦錫膜層。

技術研發(fā)人員：張毅
受保護的技術使用者：武漢華星光電技術有限公司
技術研發(fā)日：2016.12.30
技術公布日：2017.08.18