一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種真空離子鍍膜設(shè)備，具體涉及一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，屬于金屬材料表面熱處理領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在使用微細金屬絲的行業(yè)，由于金線的價格昂貴，成本高，所以需要用成本更低的金屬進行替代，但替代材料大都需要對絲材的表面進行鍍覆，目的是用鍍覆的膜層提高絲材的抗氧化能力，如:典型的半導(dǎo)體器件及LED芯片鍵合用銀線、銅線都極易氧化，需要進行表面鍍覆處理；在光伏電池行業(yè)，可以用銅絲替代印刷銀漿作柵線極，但因銅與電池用多晶硅片會發(fā)生侵害反應(yīng)，也需要鍍鎳或鍍銀加以保護。在真空狀態(tài)下對塊狀物體進行一次一次的處理相對容易，對連續(xù)的微細絲進行大規(guī)模連續(xù)處理，目前國內(nèi)尚沒有這樣的設(shè)備。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型用于解決的技術(shù)問題為設(shè)計一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，該設(shè)備可以實現(xiàn)對極微細金屬絲材進行直接大規(guī)模連續(xù)真空鍍覆成品，可以避免先鍍后拔時，由于內(nèi)外成分硬度、塑性不同而致拉拔后膜層不均、線材不勻及表面皸裂，影響使用性能。
[0004]本實用新型解決技術(shù)問題采用如下技術(shù)方案:
[0005]一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，它包括四組或者四組以上的真空室，這些真空室依次連接在一起，且，位于最右端的真空室內(nèi)設(shè)有同步放線系統(tǒng)，最左端的真空室內(nèi)設(shè)有同步收線系統(tǒng)，而中間的真空室內(nèi)分別設(shè)有若干組多源靶點。
[0006]作為優(yōu)選實例，真空室最佳組數(shù)為四組。
[0007]作為優(yōu)選實例，所述真空室內(nèi)的多源靶點的最佳組數(shù)分別為12組。
[0008]作為優(yōu)選實例，所述12組多源靶點分別設(shè)置在真空室內(nèi)的四個內(nèi)壁上，且，每組真空室內(nèi)壁分別設(shè)置三組，這三組多源靶點交錯設(shè)置。使各多源靶點上的靶源在工作時全方位多角度對工件施以均勻的離子源。
[0009]作為優(yōu)選實例，所述設(shè)有同步放線系統(tǒng)的真空室內(nèi)還設(shè)有若干個放線軸；而設(shè)有同步收線系統(tǒng)的真空室內(nèi)設(shè)有若干個收線軸。
[0010]作為優(yōu)選實例，所述四組真空室之間的連接處還開有絲線穿移的微孔。作為優(yōu)選實例，所述的多源靶點為多弧離子源。
[0011]作為優(yōu)選實例，所述的多源靶點的靶材料為金、鈀、鎳、鈦、錫其中的任意一種。
[0012]本實用新型的有益效果:本實用新型可以實現(xiàn)對極微細金屬絲材進行直接大規(guī)模連續(xù)真空鍍覆成品，可以避免先鍍后拔時，由于內(nèi)外成分硬度、塑性不同而致拉拔后膜層不均、線材不勻及表面皸裂，影響使用性能。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為本實用新型裝有多源靶點的真空室展開結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖3為本實用新型裝有多源靶點的真空室截面示意圖；
[0016]圖4為本實用新型真空室之間的連接處結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖，對本實用新型具體實施說明。
[0018]如圖1-4所示，一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，它包括四組或者四組以上的真空室1、2、3、4，這些真空室1、2、3、4依次連接在一起，且，位于最右端的真空室I內(nèi)設(shè)有同步放線系統(tǒng)100，最左端的真空室4內(nèi)設(shè)有同步收線系統(tǒng)400，而中間的真空室2、3內(nèi)分別設(shè)有若干組多源革巴點5。
[0019]作為優(yōu)選實例，真空室最佳組數(shù)為四組。
[0020]作為優(yōu)選實例，真空室2、3內(nèi)的多源靶點5的最佳組數(shù)分別為12組。
[0021]作為優(yōu)選實例，12組多源靶點5分別設(shè)置在真空室2、3內(nèi)的四個內(nèi)壁200、300上，且，每組真空室2、3內(nèi)壁200、300分別設(shè)置三組，這三組多源靶點5交錯設(shè)置，使空間變大，便于工件絲材穿移，使絲材得到均勻鍍膜。
[0022]作為優(yōu)選實例，設(shè)有同步放線系統(tǒng)100的真空室I內(nèi)還設(shè)有若干個放線軸6 ;而設(shè)有同步收線系統(tǒng)400的真空室4內(nèi)設(shè)有若干個收線軸7。
[0023]作為優(yōu)選實例，四組真空室1、2、3、4之間的連接處9還開有絲線11穿移的微孔10。對于0.0lOmm-0.030mm極微細金屬絲線，收/放線系統(tǒng)還可以配備一個張力控制系統(tǒng)，且，張力大小在0.1-6克之間調(diào)整。
[0024]作為優(yōu)選實例，多源靶點5為多弧離子源。
[0025]作為優(yōu)選實例，多源靶點5的靶材料為金、鈀、鎳、鈦、錫其中的任意一種。
[0026]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項】
1.一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，其特征在于:它包括四組或者四組以上的真空室，這些真空室依次連接在一起，且，位于最右端的真空室內(nèi)設(shè)有同步放線系統(tǒng)，最左端的真空室內(nèi)設(shè)有同步收線系統(tǒng)，而中間的真空室內(nèi)分別設(shè)有若干組多源靶點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述真空室最佳組數(shù)為四組。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述真空室內(nèi)的多源靶點的最佳組數(shù)分別為12組。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述12組多源靶點分別設(shè)置在真空室內(nèi)的四個內(nèi)壁上，且，每組真空室內(nèi)壁分別設(shè)置三組，這三組多源靶點交錯設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述設(shè)有同步放線系統(tǒng)的真空室內(nèi)還設(shè)有若干個放線軸；而設(shè)有同步收線系統(tǒng)的真空室內(nèi)設(shè)有若干個收線軸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述四組真空室之間的連接處還開有絲線穿移的微孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的多源靶點為多弧離子源。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的多源靶點的靶材料為金、鈀、鎳、鈦、錫其中的任意一種。
【專利摘要】本實用新型公開了一種極微細金屬絲連續(xù)真空離子鍍膜設(shè)備，它包括四組或者四組以上的真空室，這些真空室依次連接在一起，且，位于最右端的真空室內(nèi)設(shè)有同步放線系統(tǒng)，最左端的真空室內(nèi)設(shè)有同步收線系統(tǒng)，而中間的真空室內(nèi)分別設(shè)有若干組多源靶點。該設(shè)備可以實現(xiàn)對極微細金屬絲材進行直接大規(guī)模連續(xù)真空鍍覆成品，可以避免先鍍后拔時，由于內(nèi)外成分硬度、塑性不同而致拉拔后膜層不均、線材不勻及表面皸裂，影響使用性能。
【IPC分類】C23C14-16, C23C14-56
【公開號】CN204298455
【申請?zhí)枴緾N201420743125
【發(fā)明人】程平, 李明, 鄭東風(fēng)
【申請人】安徽華晶微電子材料科技有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月3日