本實用新型涉及勻氣裝置的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種勻氣桶。

背景技術(shù)：

薄膜制備工藝是半導(dǎo)體制造工藝中的重要組成部分，一般分為物理成膜、化學(xué)成膜，以及物理與化學(xué)復(fù)合的制膜技術(shù)。其中，化學(xué)成膜方法中的原子層沉積(Atomic layer deposition，簡稱ALD)技術(shù)，以及化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition，簡稱CVD)技術(shù)，都需要向反應(yīng)系統(tǒng)中通入相應(yīng)的反應(yīng)氣體。

目前，對于大腔體的CVD系統(tǒng)和ALD系統(tǒng)來說，膜層厚度的均勻性是一項非常重要的指標，而膜層厚度的均勻性常常受到進氣方式、氣體的流動速率等因素的影響。但是，現(xiàn)有的大腔體的CVD系統(tǒng)和ALD系統(tǒng)中的膜層厚度均勻性差，因此，如何提出一種能夠有效控制進氣方式、氣體的流動速率，從而實現(xiàn)控制膜層厚度均勻性的勻氣裝置，是業(yè)內(nèi)亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種勻氣桶，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中，化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)或原子層沉積系統(tǒng)的腔體內(nèi)不同位置的氣流速度和氣流均勻性不同，導(dǎo)致形成膜的膜層厚度均勻性差的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的技術(shù)方案是：提供一種勻氣桶，安裝于化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)或原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔內(nèi)，所述勻氣桶包括用于勻氣的第一勻氣盤組、桶體及第二勻氣盤組，所述第一勻氣盤組和所述第二勻氣盤組分別封蓋于所述桶體兩端的開口上。

進一步地，所述第一勻氣盤組包括圓盤，以及設(shè)置于所述圓盤一側(cè)面上的多個同心圓環(huán)，所述圓盤上開設(shè)有多個第一通孔，所述同心圓環(huán)上開設(shè)有對應(yīng)于所述多個第一通孔的多個第二通孔，且所述第一通孔和所述第二通孔重疊或交錯形成通氣孔。

進一步地，各所述同心圓環(huán)上的多個第二通孔沿其圓周均勻間隔分布，且所述圓盤上各第一通孔對應(yīng)于所述同心圓環(huán)上各所述第二通孔呈均勻間隔分布。

進一步地，所述第一勻氣盤組還包括多個連接件，所述圓盤和所述多個同心圓環(huán)通過所述多個連接件連接。

進一步地，所述同心圓環(huán)上還設(shè)有至少一用于調(diào)整所述圓盤與所述同心圓環(huán)相對位置的定位柱。

進一步地，所述第一勻氣盤組還包括至少一把手，所述把手固設(shè)于所述圓盤的邊沿并自所述圓盤的表面向外延伸。

進一步地，所述第二勻氣盤組的結(jié)構(gòu)與所述第一勻氣盤組的結(jié)構(gòu)相同。

進一步地，所述桶體包括主圓筒，以及套設(shè)于所述主圓筒的外壁上的多個同軸圓筒，所述主圓筒上開設(shè)有多個第三通孔，所述同軸圓筒上開設(shè)有對應(yīng)于所述多個第三通孔的多個第四通孔，且所述第三通孔和所述第四通孔重疊或交錯形成通氣孔。

進一步地，各所述同軸圓筒上的多個第四通孔均勻間隔分布，且所述主圓筒上各第三通孔對應(yīng)于所述同軸圓筒上各所述第四通孔呈均勻間隔分布。

進一步地，所述同軸圓筒上還設(shè)有至少一用于調(diào)整所述主圓筒與所述同軸圓筒相對位置的凸塊。

本實用新型提出的勻氣桶相對于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果是：通過在反應(yīng)腔中設(shè)置勻氣桶，將勻氣桶的第一勻氣盤組、桶體和第二勻氣盤組設(shè)置在反應(yīng)腔內(nèi)，并通過調(diào)整第一勻氣盤組、桶體和第二勻氣盤組來控制不同位置的氣體的流量和流速，從而解決了化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)或原子層沉積系統(tǒng)的腔體內(nèi)不同位置的氣流速度和氣流均勻性不同，導(dǎo)致形成膜的膜層厚度均勻性差的問題，實現(xiàn)了調(diào)節(jié)進入勻氣桶的氣體的均勻性，有效地保證了膜層厚度的均勻性。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例提供的勻氣桶的總裝配示意圖；

圖2是本實用新型實施例提供的勻氣桶的分解示意圖；

圖3是本實用新型實施例提供的勻氣桶中第一勻氣盤組的立體示意圖；

圖4是本實用新型實施例提供的勻氣桶中第一勻氣盤組的分解示意圖。

上述附圖所涉及的標號明細如下：1—勻氣桶、11—第一勻氣盤組、12—桶體、13—第二勻氣盤組、14—把手、121—主圓筒、122—同軸圓筒、111—圓盤、112—同心圓環(huán)、113—連接件、1221—凸塊、1121—定位柱、1122—定位孔、a—第一通孔、b—第二通孔、c—第三通孔、d—第四通孔。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個元件上，它可以直接在另一個元件上或者它可能通過第三部件間接固定于或設(shè)置于另一個元件上。當一個元件被稱為“連接于”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者它可能通過第三部件間接連接于另一個元件上。

還需要說明的是，本實施例中的前、后、左、右、上、下等方位用語，僅是互為相對概念或是以產(chǎn)品的正常使用狀態(tài)為參考的，而不應(yīng)該認為是具有限制性的。

請同時參閱圖1至圖2，本實用新型提供一種勻氣桶1，其安裝在化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)或原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔(未圖示)內(nèi)，此處，勻氣桶1包括第一勻氣盤組11、桶體12以及第二勻氣盤組13，其中，第一勻氣盤組11和第二勻氣盤組13分別封蓋在桶體12的兩端的開口處。當進行薄膜制備時，鍍膜基體(未圖示)放置在桶體12內(nèi)，接著第一勻氣盤組11和第二勻氣盤組13封蓋桶體12的兩端的開口，然后勻氣桶1整體放進反應(yīng)腔內(nèi)，接著向反應(yīng)腔內(nèi)通氣，氣體穿過第一勻氣盤組11、桶體12以及第二勻氣盤組13進入勻氣桶1內(nèi)，此處，第一勻氣盤組11、桶體12以及第二勻氣盤組13均可通過改變其上通氣孔的大小來控制不同位置的氣體的流量和流速，從而實現(xiàn)調(diào)節(jié)進入勻氣桶1的氣體的均勻性。

本實用新型實施例提供的勻氣桶相對現(xiàn)有技術(shù)的有益效果如下:

通過在反應(yīng)腔中設(shè)置勻氣桶1，具體將勻氣桶1的第一勻氣盤組11、桶體12和第二勻氣盤組13設(shè)置在反應(yīng)腔內(nèi)，并通過調(diào)整第一勻氣盤組11、桶體12和第二勻氣盤組13來控制不同位置的氣體的流量和流速，從而實現(xiàn)調(diào)節(jié)進入勻氣桶1的氣體的均勻性，如此，提高了勻氣桶1進氣的均勻性，有效地保證了膜層厚度的均勻性。

進一步地，如圖3和圖4所示，在本實用新型的實施例中，上述第一勻氣盤組11包括圓盤111和多個同心圓環(huán)112，多個同心圓環(huán)112圈圈相套形成平面盤狀，此處，多個同心圓環(huán)112設(shè)置在圓盤111的一側(cè)表面上。這里，圓盤111上開設(shè)有多個第一通孔a，同心圓環(huán)112上開設(shè)有對應(yīng)多個第一通孔a的多個第二通孔b。當多個同心圓環(huán)112套設(shè)成盤狀，并且貼置在圓盤111的一側(cè)表面上時，圓盤111上的第一通孔a與同心圓環(huán)112上的第二通孔b相重疊或交錯形成通氣孔，該通氣孔為第一通孔a和第二通孔b的重疊或交錯部分，此處，通過調(diào)節(jié)同心圓環(huán)112與圓盤111的相對位置，即可調(diào)節(jié)通氣孔大小，進而實現(xiàn)進氣的均勻性調(diào)節(jié)。

進一步地，在本實用新型的實施例中，上述各個同心圓環(huán)112上的多個第二通孔b沿其圓周均勻間隔分布，即多個第二通孔b均勻間隔形成圓周形，當多個同心圓環(huán)112套設(shè)成盤狀時，其上的多個第二通孔b形成圓形陣列；并且上述圓盤111上的各個第一通孔a與同心圓環(huán)112上的各個第二通孔b一一對應(yīng)，也就是說，該圓盤111上的多個第一通孔a均勻間隔分布呈圓形陣列，由內(nèi)到外布滿整個圓盤111。當然，根據(jù)實際情況和需求，在本實用新型的其他實施例中，上述各個同心圓環(huán)112上的多個第二通孔b，以及上述圓盤111上的多個第一通孔a還可為其他的分布形式，比如矩形陣列、三角形陣列等。

進一步地，如圖4所示，在本實用新型的實施例中，上述第一勻氣盤組11還包括多個連接件113，上述圓盤111和上述多個同心圓環(huán)112通過多個連接件113連接形成可拆卸固定。當圓盤111和同心圓環(huán)112之間需要調(diào)節(jié)相對位置時，只需松開連接件113，即可調(diào)節(jié)圓盤111和同心圓環(huán)112之間的相對位置。本實施例中，連接件113優(yōu)選為螺釘，另外，對于通氣孔較小的勻氣盤，可以將螺釘換成磁鐵對同心圓環(huán)進行固定。當然，根據(jù)實際情況和需求，在本發(fā)明的其他實施例中，上述連接件113還可為其他連接構(gòu)件，此處不作唯一限定。如此，通過多個連接件113連接圓盤111和多個同心圓環(huán)112，避免了放置或調(diào)整勻氣盤時引起上下盤的相對運動，保證了第一勻氣盤組11整體的穩(wěn)定性。

進一步地，在本實用新型的實施例中，在同心圓環(huán)112上還設(shè)有至少一個定位柱1121，具體地，定位柱1121設(shè)置在同心圓環(huán)112背向上述圓盤111的一側(cè)，在圓盤111和同心圓環(huán)112之間需要調(diào)節(jié)相對位置時，提供抓手的地方，便于借力，提高調(diào)節(jié)的效率；另外，如果上述連接件113優(yōu)選為螺釘時，在同心圓環(huán)112上還設(shè)有與連接件113相配合的定位孔1122，此處，定位孔1122為長圓弧形孔，其中心線是以圓盤111的中心為圓心的弧線，其寬度大于螺釘?shù)穆輻U的直徑而小于螺釘?shù)念^部的直徑，此時，當連接件113穿過定位孔1122固定在圓盤111上，同心圓環(huán)112可沿定位孔1122的長度方向轉(zhuǎn)動，進而與定位柱1121配合完成對圓盤111和同心圓環(huán)112之間的相對位置的調(diào)整。

進一步地，如圖3所示，在本實用新型的實施例中，第一勻氣盤組11還包括至少一個把手14，把手14固定設(shè)置在圓盤111的邊沿，并且自圓盤111的表面向外延伸，當反應(yīng)腔需要裝配或拆卸勻氣桶1時，提供了抓手借力的位置，提高了裝配和拆卸的效率。

進一步地，在本實用新型的實施例中，第二勻氣盤組13的結(jié)構(gòu)與上述第一勻氣盤組11的結(jié)構(gòu)相同。此處，第二勻氣盤組13的結(jié)構(gòu)不再贅述，其具體結(jié)構(gòu)可參照上述關(guān)于第一勻氣盤組11結(jié)構(gòu)的敘述。當然，在本實用新型的其他實施例中，根據(jù)鍍膜基體、所需氣體的流量及流速的不同，第二勻氣盤組13也可以與第一勻氣盤組11的結(jié)構(gòu)有所不同。

進一步地，如圖1和圖2所示，在本實用新型的實施例中，桶體12包括主圓筒121和多個同軸圓筒122，主圓筒121優(yōu)選為一個兩端開口且貫通的圓柱形圓筒，此處，多個同軸圓筒122套設(shè)在主圓筒121的外壁上并依次抵靠呈立體筒狀，這里，各同軸圓筒122均與主圓筒121同軸。其中，主圓筒121上開設(shè)有多個第三通孔c，同軸圓筒122上開設(shè)有對應(yīng)多個第三通孔c的多個第四通孔d，當多個同軸圓筒122套設(shè)成筒狀并且貼置在主圓筒121的外壁上時，主圓筒121上的第三通孔c與同軸圓筒122上的第四通孔d重疊或交錯形成通氣孔，該通氣孔為第三通孔c和第四通孔d的重疊或交錯部分，此處，通過調(diào)節(jié)同軸圓筒122與主圓筒121的相對位置，來調(diào)節(jié)通氣孔的大小，進而實現(xiàn)進氣的均勻性調(diào)節(jié)。

進一步地，在本實用新型的實施例中，上述各個同軸圓筒122上的多個第四通孔d均勻間隔分布，即各第四通孔d均勻間隔形成圓環(huán)形，當多個同軸圓筒122依次抵靠呈筒狀時，其上的多個第四通孔d形成圓筒形陣列，并且上述主圓筒121上的各個第三通孔c與同軸圓筒122上各個第四通孔d一一對應(yīng)，即主圓筒121上的多個第三通孔c均勻間隔分布成圓筒形陣列，由上到下布滿整個主圓筒121外壁。當然，根據(jù)實際情況和需求，在本實用新型的其他實施例中，上述主圓筒121上的多個第三通孔c，以及上述各個同軸圓筒122上的多個第四通孔d還可為其他的分布形式，比如矩形陣列、三角形陣列等。

進一步地，在本實用新型的實施例中，在同軸圓筒122上還設(shè)有至少一個凸塊1221，具體地，凸塊1221設(shè)置在同軸圓筒122背向上述主圓筒121的一側(cè)，此處，同軸圓筒122可繞主圓筒121的中心軸轉(zhuǎn)動。在需要調(diào)節(jié)主圓筒121和同軸圓筒122之間的相對位置時，凸塊1221提供了抓手的地方，便于借力，提高了調(diào)整的效率。

以上所述實施例，僅為本實用新型具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到各種等效的修改、替換和改進等等，這些修改、替換和改進都應(yīng)該涵蓋在實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護范圍為準。