本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種饋入結(jié)構(gòu)、上電極組件以及物理氣相沉積腔室和設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體14/16納米工藝的發(fā)展，tin高密度膜開(kāi)發(fā)已經(jīng)成為tin硬掩膜pvd設(shè)備研發(fā)的重點(diǎn)技術(shù)。為獲得質(zhì)量更好的tin薄膜，需要在耙材上同時(shí)加直流功率與甚高頻射頻功率，其中甚高頻(veryhighfrequency，vhf)是指由30mhz到300mhz的頻帶。耙材上的直流負(fù)壓能夠在磁場(chǎng)的輔助下，離化氣體產(chǎn)生等離子體，并吸引正離子轟擊耙材進(jìn)行濺射沉積，甚高頻射頻功率的引入能夠進(jìn)一步促進(jìn)氣體離化率，有利于生成更加致密的薄膜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供了一種饋入結(jié)構(gòu)，用于物理氣相沉積設(shè)備，包括：引入桿，接收功率；引入板，耦接至所述引入桿；以及多個(gè)分配桿，所述多個(gè)分配桿圍繞所述引入桿的軸線均勻分布，并且每個(gè)分配桿的一端耦接到所述引入板，另一端向靶材提供功率。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，所述引入桿、所述引入板和所述靶材同軸設(shè)置。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，所述引入板開(kāi)有關(guān)于其中心對(duì)稱(chēng)的多個(gè)孔。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，所述多個(gè)孔包括多圈圓孔，各圈圓孔數(shù)量相同，沿所述引入板中心至邊緣的方向，所述圓孔的半徑遞增。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，所述分配桿的直徑不小于10mm。

根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)方面，提供了一種上電極組件，包括：如任一上述饋入結(jié)構(gòu)；還包括：射頻電源和/或直流電源，耦接所述引入桿。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，還包括：支撐座，一端支撐所述引入板，另一端可固定所述靶材，所述多個(gè)分配桿設(shè)置在所述支撐座內(nèi)并可耦接所述靶材；磁控管軸承座，安裝于所述支撐座，用于將沿第一軸線的外部驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換為沿第二軸線的輸出驅(qū)動(dòng)，所述第一軸線偏離所述引入桿的軸線。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，所述支撐座包括：支撐壁以及設(shè)置于支撐壁內(nèi)部的隔段層；所述支撐壁的一端支撐所述引入板而形成第一腔體，另一端可固定到靶材而形成第二腔體；所述磁控管軸承座設(shè)置于所述第一腔體，包括：輸入軸，沿所述第一軸線接收所述外部驅(qū)動(dòng)；輸出軸，穿過(guò)所述隔段層伸入所述第二腔體，沿所述第二軸線輸出所述輸出驅(qū)動(dòng)，所述第二軸線與所述引入桿的軸線重合；所述上電極組件還包括：磁控管裝配體，設(shè)置于所述第二腔體，安裝于所述磁控管軸承座的輸出軸。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，還包括：電機(jī)，位于所述第一腔體外，連接所述磁控管軸承座的輸入軸；所述磁控管軸承座的輸入軸穿過(guò)所述引入板。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，還包括：電機(jī)，位于所述第一腔體，被屏蔽結(jié)構(gòu)包覆，連接所述磁控管軸承座的輸入軸。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，所述支撐座包括：支撐壁以及設(shè)置于支撐壁一端的支撐蓋；所述支撐蓋支撐所述引入板，支撐壁另一端可固定到靶材而形成一腔體；所述磁控管軸承座設(shè)置于所述腔體，被防水結(jié)構(gòu)包覆，包括：輸入軸，沿所述第一軸線接收所述外部驅(qū)動(dòng)；輸出軸，穿過(guò)所述隔段層伸入所述第二腔體，沿所述第二軸線輸出所述輸出驅(qū)動(dòng)，所述第二軸線與所述引入桿的軸線重合；所述上電極組件還包括：磁控管裝配體，設(shè)置于所述腔體，安裝于所述磁控管軸承座的輸出軸。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，還包括：電機(jī)，位于所述腔體外；所述磁控管軸承座的輸入軸依次穿過(guò)所述支撐蓋和引入板，所述電機(jī)連接所述磁控管軸承座的輸入軸。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，還包括：電機(jī)，位于所述腔體，被防水結(jié)構(gòu)包覆，連接所述磁控管軸承座的輸入軸。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，還包括：屏蔽罩，置于所述支撐座的外圍；屏蔽板，設(shè)置于所述屏蔽罩頂端，通過(guò)絕緣墊塊固定于所述引入板的頂面，所述引入桿從其穿過(guò)。

根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)方面，還提供了一種物理氣相沉積腔室，包括：腔室本體，上電極組件，設(shè)置于所述腔室本體頂部，所述上電極組件采用如任一上述上電極組件。

根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)方面，還提供了一種物理氣相沉積設(shè)備，包括上述物理氣相沉積腔室。

附圖說(shuō)明

通過(guò)以下參照附圖對(duì)本公開(kāi)實(shí)施例的描述，本公開(kāi)的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中：

圖1是本公開(kāi)實(shí)施例饋入結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本公開(kāi)實(shí)施例饋入結(jié)構(gòu)的引入板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本公開(kāi)實(shí)施例的上電極組件的簡(jiǎn)化示意圖。

圖4是本公開(kāi)實(shí)施例的上電極組件的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖5是本公開(kāi)實(shí)施例上電極組件的饋入結(jié)構(gòu)和支撐座的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖6是根據(jù)本公開(kāi)另一實(shí)施例的上電極組件的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖7是根據(jù)本公開(kāi)另一實(shí)施例的上電極組件的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖8是根據(jù)本公開(kāi)另一實(shí)施例的上電極組件的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖9是根據(jù)本公開(kāi)另一實(shí)施例的上電極組件的剖面結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

以下將參照附圖來(lái)描述本公開(kāi)的實(shí)施例。但是應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本公開(kāi)的范圍。此外，在以下說(shuō)明中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本公開(kāi)的概念。

射頻(rf)功率和/或直流(dc)功率一般通過(guò)饋入結(jié)構(gòu)提供給靶材。當(dāng)采用60mhz或40mhz甚高頻射頻電源及直流電源進(jìn)行工藝時(shí)，電源的電壓及電流的引入方式及其在靶材上分布的均勻性會(huì)直接影響濺射沉積出的薄膜的厚度均勻性?，F(xiàn)有的物理氣相沉積(pvd)設(shè)備的饋入結(jié)構(gòu)，由于靶材軸線的位置一般被上電極組件的磁控管軸承座所占據(jù)，導(dǎo)致電源功率的引入不得不偏置處理，電源功率只能從非靶材軸線位置輸入，影響了濺射出的薄膜厚度均勻性。同時(shí)，饋入結(jié)構(gòu)通常采用薄板狀零件，這種結(jié)構(gòu)阻抗較大，容易導(dǎo)致功率的浪費(fèi)。當(dāng)采用較高頻率的rf電源時(shí)，這種偏置和阻抗的影響更加突出，因此現(xiàn)有的偏置饋入的方式不再適合，需要進(jìn)行改進(jìn)。

為使本公開(kāi)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本公開(kāi)進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

圖1是根據(jù)本公開(kāi)一實(shí)施例的饋入結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，該饋入結(jié)構(gòu)作為上電極組件的一個(gè)部件，用于將電源功率均勻提供給靶材，以實(shí)現(xiàn)靶材的均勻?yàn)R射。

如圖1所示，饋入結(jié)構(gòu)包括引入桿301、引入板302和多個(gè)分配桿304。引入桿301的一端用于耦接電源，另一端耦接引入板302，多個(gè)分配桿304圍繞引入桿301的軸線均勻分布，并且每個(gè)分配桿的一端耦接引入板302，另一端用于耦接靶材100，優(yōu)選的：靶材的軸線101與引入桿301和引入板302的軸線重合，三者同軸設(shè)置。

本實(shí)施例饋入結(jié)構(gòu)的引入桿301沿引入板302的軸線耦接引入板302，當(dāng)進(jìn)行工藝時(shí)，電源功率沿引入桿301饋入引入板302的中心，并由引入板302的中心均勻分散至引入板302的邊緣。多個(gè)分配桿304圍繞引入桿301的軸線均勻分布，也就是圍繞引入板302的軸線均勻分布，則電源功率由引入板302的邊緣均勻分配給各個(gè)分配桿304。優(yōu)選的：各個(gè)分配桿同樣也是圍繞靶材的軸線101均勻分布的，則分配桿304將電源功率均勻分配給靶材100。

在圖1中，饋入結(jié)構(gòu)包括6個(gè)分配桿，但這只是示例性說(shuō)明，在其他示例中，分配桿的數(shù)量可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，例如但不限于8個(gè)、12個(gè)、16個(gè)、24個(gè)等。

在圖1中，引入板302的軸線與引入桿301和靶材的軸線101也是重合的。但本公開(kāi)實(shí)際上并不限于此，例如，引入板302與靶材100的形狀、尺寸有可能并不一致，二者位置有可能并不完全正對(duì)。在這種情況下，引入板302的軸線與引入桿301和靶材的軸線101可能并不重合，但引入桿301和靶材的軸線101保持重合，且多個(gè)分配桿304圍繞引入桿301和靶材的軸線101均勻分布，這樣同樣可以實(shí)現(xiàn)將電源功率均分分配至靶材100。

傳統(tǒng)的饋入結(jié)構(gòu)，當(dāng)組裝于上電極組件后，由于上電極組件的磁控管軸承座占據(jù)引入板和靶材的軸線位置，導(dǎo)致引入桿的位置不得不偏置處理，這種“偏置饋入、磁控中心”的結(jié)構(gòu)會(huì)影響濺射薄膜厚度的均勻性。而本實(shí)施例的饋入結(jié)構(gòu)，其引入桿中心饋入，分配桿圍繞引入桿的軸線均勻分布，實(shí)現(xiàn)功率的均勻分配。優(yōu)選的：靶材的軸線與引入桿的軸線相重合，可以將功率均勻傳輸至靶材。

圖2是本公開(kāi)實(shí)施例的引入板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，引入板包括沿引入板徑向同心排列的多圈圓孔309，每圈有相同數(shù)量的多個(gè)圓孔。沿引入板半徑增大方向，各圈圓孔的直徑漸增。每一圈上的圓孔沿著圓周方向均勻排列，各圈上的圓孔沿著徑向彼此對(duì)準(zhǔn)。

引入板的上述多個(gè)圓孔構(gòu)成的形狀類(lèi)似于“星系狀”，引入板可以稱(chēng)作“星系狀”圓板。在圖2中，引入板包括三圈圓孔，每圈圓孔包括六個(gè)圓孔，但這僅是示例性說(shuō)明，圓孔的圈數(shù)、每圈圓孔的個(gè)數(shù)、圓孔的大小可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。饋入結(jié)構(gòu)的外周一般會(huì)由屏蔽結(jié)構(gòu)包覆，以消除電源功率對(duì)外部的影響。開(kāi)有圓孔的引入板一方面可以減小引入板與屏蔽結(jié)構(gòu)之間的容抗，降低功率耗損，減小功率的浪費(fèi)；另一方面，便于對(duì)引入板的安裝且造型美觀。

圖2僅是給出了一種引入板的示例，但本實(shí)施例并不限于此。本實(shí)施例對(duì)孔的形狀和排列方式不做限定。實(shí)際上，只要引入板開(kāi)有關(guān)于其中心對(duì)稱(chēng)的多個(gè)孔，即可達(dá)到減小容抗，降低功耗的效果。

本公開(kāi)另一實(shí)施例的提供了一種上電極組件，圖3是該實(shí)施例的上電極組件的簡(jiǎn)化示意圖，圖4是該實(shí)施例的上電極組件的剖面結(jié)構(gòu)圖。該實(shí)施例的上電極組件包括上述實(shí)施例的饋入結(jié)構(gòu)，用以實(shí)現(xiàn)對(duì)靶材的均勻?yàn)R射。

參見(jiàn)圖3和圖4，該實(shí)施例的上電極組件包括：支撐座、饋入結(jié)構(gòu)、屏蔽組件、磁控管組件、驅(qū)動(dòng)組件和電源組件。

支撐座為整個(gè)上電極組件提供結(jié)構(gòu)支撐。支撐座可以采用絕緣材料制成，包括支撐壁200及其內(nèi)部設(shè)置的隔段層201，隔段層201將支撐壁分為上下兩段。當(dāng)進(jìn)行濺射沉積工藝時(shí)，將靶材100固定于支撐壁200的下端，靶材100與隔段層201、支撐壁200的下段形成下腔體。

饋入結(jié)構(gòu)安裝于支撐座，具體來(lái)說(shuō)，饋入結(jié)構(gòu)除包括引入桿301、引入板302和多個(gè)分配桿304外，還可以包括引入環(huán)303，和導(dǎo)出環(huán)305。

引入板302通過(guò)引入環(huán)303固定于支撐座200的上端，與隔段層201、支撐座200的上段形成上腔體。多個(gè)分配桿304設(shè)置于支撐壁200內(nèi)部，并且沿支撐壁周向均勻分布，其上端通過(guò)引入環(huán)303耦接引入板302。導(dǎo)出環(huán)305例如通過(guò)螺釘固定于支撐壁200的下端，并與分配桿304下端耦接，靶材100例如通過(guò)螺釘與導(dǎo)出環(huán)305固定，經(jīng)導(dǎo)出環(huán)305耦接分配桿304，從而耦接至整個(gè)饋入結(jié)構(gòu)。沿引入桿301饋入引入板302的電源功率經(jīng)引入環(huán)303、分配桿304和導(dǎo)出環(huán)305均勻分配至靶材100。導(dǎo)出環(huán)305與支撐壁200的下端之間、以及導(dǎo)出環(huán)305與和靶材100之間例如通過(guò)密封圈密封，使下腔體密封。

電源組件可以為上電極組件提供射頻功率。例如，電源組件包括射頻電源和射頻匹配器701，射頻匹配器701安裝于射頻匹配器安裝板702上，其連接射頻電源，射頻電源發(fā)出的射頻功率經(jīng)射頻匹配器701進(jìn)行阻抗匹配后引入饋入結(jié)構(gòu)的引入桿301。在一示例中，射頻匹配器701可以通過(guò)伸出的射頻引入板實(shí)現(xiàn)與引入桿301的即插即拔連接。

電源組件還可以包括直流電源。直流電源也耦接饋入結(jié)構(gòu)的引入桿301，從而直流功率也可經(jīng)饋入結(jié)構(gòu)引入靶材100。與射頻功率類(lèi)似，直流功率經(jīng)引入桿301引入至引入板302，并經(jīng)分配桿304均勻分配到靶材100上。本實(shí)施例的上電極組件，不僅可以實(shí)現(xiàn)射頻功率的均勻引入，還可以實(shí)現(xiàn)直流功率在靶材上分布的均勻性，可以進(jìn)一步提高濺射沉積出的薄膜的均勻性。

屏蔽組件用以進(jìn)行電磁屏蔽。屏蔽組件包括屏蔽罩401、屏蔽板402和射頻屏蔽罩403。屏蔽罩401置于支撐壁200的外圍，屏蔽板402例如通過(guò)螺釘固定于屏蔽罩401頂端，二者之間可以使用例如射頻墊片(rfgasket)增強(qiáng)導(dǎo)電連接，以限定一屏蔽空間。引入桿301穿過(guò)屏蔽板402耦接射頻匹配器701，并被射頻屏蔽罩403包覆。該屏蔽組件包覆整個(gè)饋入結(jié)構(gòu)，屏蔽射頻功率，避免影響其他部件工作。同時(shí)，屏蔽板402通過(guò)絕緣墊塊404固定于引入板302頂面，絕緣墊塊404具有一定厚度，使得引入板302與屏蔽板402之間相距一定距離。由于引入板302開(kāi)有多個(gè)圓孔，因而減小了引入板與屏蔽板之間的容抗，降低了功率耗損，減小了功率的浪費(fèi)。屏蔽板402頂面還對(duì)稱(chēng)安裝有四個(gè)開(kāi)蓋機(jī)構(gòu)連接件902，用于安裝開(kāi)蓋支架。

磁控管組件可以提供電磁場(chǎng)。例如，磁控管組件包括磁控管軸承座501和磁控管裝配體502。磁控管軸承座501相對(duì)于靶材的軸線101偏置于上腔體中。具體來(lái)說(shuō)，磁控管軸承座501位于上腔體中，例如通過(guò)螺釘固定于隔段層201上，其具有輸出軸和輸入軸，其輸出軸沿靶材的軸線101穿過(guò)隔段層201伸入下腔體，輸出軸與隔段層201例如通過(guò)密封圈密封。磁控管裝配體502位于下腔體，并安裝于磁控管軸承座501的輸出軸。磁控管軸承座501的輸入軸沿偏離靶材軸線101的軸線依次穿過(guò)引入板302和屏蔽板402，以便耦接驅(qū)動(dòng)組件。

驅(qū)動(dòng)組件可以驅(qū)動(dòng)磁控管組件。例如，驅(qū)動(dòng)組件包括電機(jī)601和濾波盒602。電機(jī)601置于濾波盒602中，并通過(guò)鍵連接磁控管軸承座501的輸入軸。濾波盒602、射頻匹配器701、射頻匹配器安裝板702和射頻屏蔽罩403之間例如通過(guò)螺釘安裝在一起，并通過(guò)例如彈性銅片增強(qiáng)導(dǎo)電連接，射頻屏蔽罩403安裝于屏蔽板402，并通過(guò)例如彈性銅片增強(qiáng)導(dǎo)電連接。

上電極組件還包括去離子水管路901。下腔體中充滿去離子水，去離子水管路901穿過(guò)屏蔽板402、引入板302與隔斷層201，將下腔體與外界連通，形成去離子水回路。

采用上述實(shí)施例饋入結(jié)構(gòu)的上電極組件，由于饋入結(jié)構(gòu)的引入桿占據(jù)了上電極組件的中心位置，因此將磁控管組件的位置偏置以避免對(duì)饋入結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。本實(shí)施例的支撐座采用雙層結(jié)構(gòu)，磁控管軸承座501的輸入軸和輸出軸不同軸，輸出軸仍位于靶材的軸線101，輸入軸偏離靶材的軸線101，電機(jī)601通過(guò)磁控管軸承座501帶動(dòng)磁控管裝配體502旋轉(zhuǎn)。這種“中心饋入、磁控偏置”的結(jié)構(gòu)即保證了電源功率在靶材上分布的均勻性，也不影響磁控管組件的正常工作。

在一個(gè)示例中，如圖4所示，磁控管軸承座501的輸入軸沿偏離靶材軸線的軸線連接電機(jī)601。在此，偏離靶材軸線的軸線是指沿靶材徑向與靶材軸線101相距一段距離、與靶材軸線101平行的軸線。但本公開(kāi)并不限于此，在其他示例中，偏離靶材軸線的軸線也可以是由靶材軸線延伸出的、與靶材軸線具有一定夾角的軸線。

同時(shí)，由于屏蔽板通過(guò)絕緣墊塊固定于引入板頂部，引入板與屏蔽板之間的距離較大，二者正對(duì)面積較小，因此可以降低射頻功率的耗損，減小功率的浪費(fèi)。

圖5是根據(jù)本實(shí)施例上電極組件的饋入結(jié)構(gòu)和支撐座的剖面結(jié)構(gòu)圖。參見(jiàn)圖5，引入桿301與引入板302之間通過(guò)螺釘安裝，二者之間還設(shè)置有射頻墊片以增強(qiáng)導(dǎo)電連接。引入板302開(kāi)有定位孔，絕緣墊塊404底面具有突起的定位銷(xiāo)釘，定位銷(xiāo)釘與定位孔配合定位，并通過(guò)螺釘固定。絕緣墊塊404頂面也具有突起的定位銷(xiāo)釘，定位銷(xiāo)釘用于定位和固定屏蔽板402。引入環(huán)303與引入板302之間通過(guò)螺釘安裝，并通過(guò)二者之間的射頻墊片306增強(qiáng)導(dǎo)電連接。分配桿304穿過(guò)支撐壁200的通孔，沿支撐壁200整周均勻布置，其上端開(kāi)有內(nèi)螺紋，通過(guò)引入螺釘307固定安裝在引入環(huán)303上，其下端開(kāi)有外螺紋，安裝在導(dǎo)出環(huán)305的螺紋孔中，導(dǎo)出環(huán)305與支撐壁200下端之間具有密封圈308。分配桿304中間部位加工有兩個(gè)平面槽，用于安裝時(shí)扳手夾持，方便對(duì)其組裝與拆卸。分配桿304為金屬螺桿，材料例如為銅，直徑為10mm或更大，大截面的金屬螺桿可以減小傳輸路徑的阻抗，降低功率耗損，減小功率浪費(fèi)。

支撐壁200底端還設(shè)置有合蓋定位銷(xiāo)202，其通過(guò)定位銷(xiāo)螺釘203固定安裝于支撐壁200上，合蓋定位銷(xiāo)202用于上電極組件合蓋于反應(yīng)腔室時(shí)的定位。

再參照?qǐng)D4，本實(shí)施例的上電極組件還包括光電檢測(cè)組件，用于檢測(cè)磁控管裝配體502的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。例如，光電檢測(cè)組件包括反射板801和光電傳感器802。

反射板801安裝于磁控管裝配體502朝向隔段層201的表面，光電傳感器802安裝于屏蔽板402，與反射板801位置對(duì)應(yīng)，在隔段層201和引入板302的對(duì)應(yīng)位置開(kāi)有透明石英窗803。反射板801、透明石英窗803、光電傳感器802形成光電傳感通路，檢測(cè)磁控管裝配體502的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。

圖6是根據(jù)本公開(kāi)另一實(shí)施例的上電極組件的剖面結(jié)構(gòu)圖。在以下描述中，為了達(dá)到簡(jiǎn)要說(shuō)明的目的，上述實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的技術(shù)特征敘述皆并于此，無(wú)需再重復(fù)相同敘述。

參見(jiàn)圖6，在該實(shí)施例中，電機(jī)601也設(shè)置于上腔體中，固定于隔段層201上。上腔體還設(shè)置一屏蔽結(jié)構(gòu)603，固定于隔段層201上，將電機(jī)601包覆，用于屏蔽射頻功率和直流功率對(duì)電機(jī)601的干擾。電機(jī)601連接磁控管軸承座的輸入軸。該實(shí)施例中，磁控管軸承座501和電機(jī)601均設(shè)置于上腔體，可以減少外置部件的數(shù)量，減小上電極組件的整體體積，節(jié)省空間。

圖7是根據(jù)本公開(kāi)另一實(shí)施例的上電極組件的剖面結(jié)構(gòu)圖。在以下描述中，為了達(dá)到簡(jiǎn)要說(shuō)明的目的，上述實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的技術(shù)特征敘述皆并于此，無(wú)需再重復(fù)相同敘述。

參見(jiàn)圖7，支撐座為單腔體結(jié)構(gòu)，包括支撐壁200、以及固定于支撐壁頂端的支撐蓋204。引入板302通過(guò)引入環(huán)303固定于支撐蓋204上，靶材100通過(guò)導(dǎo)出環(huán)305固定于支撐壁200底端，靶材100與支撐壁200、支撐蓋204形成密封的腔體。腔體中充滿去離子水，去離子水管路901穿過(guò)引入板302和屏蔽板402，連通外界與腔體，形成去離子水回路。

磁控管軸承座501設(shè)置于腔體中，固定于支撐蓋204。腔體還設(shè)置一防水結(jié)構(gòu)503，固定于支撐蓋204，將磁控管軸承座501包覆，用于防水。腔體中的磁控管裝配體502安裝于磁控管軸承座的輸出軸，磁控管軸承座的輸入軸沿偏離所述引入桿軸線的方向依次穿過(guò)支撐蓋204、引入板302和屏蔽板402，電機(jī)601連接磁控管軸承座的輸入軸，經(jīng)磁控管軸承座501驅(qū)動(dòng)磁控管裝配體502旋轉(zhuǎn)。該實(shí)施例中，支撐座采用單腔體結(jié)構(gòu)，支撐座的體積可以一定程度縮小，從而減小上電極組件的整體體積，結(jié)構(gòu)更緊湊，節(jié)省空間。

圖8是根據(jù)本公開(kāi)另一實(shí)施例的上電極組件的剖面結(jié)構(gòu)圖。在以下描述中，為了達(dá)到簡(jiǎn)要說(shuō)明的目的，上述實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的技術(shù)特征敘述皆并于此，無(wú)需再重復(fù)相同敘述。

參見(jiàn)圖8，與以上圖7描述的實(shí)施例不同之處在于，電機(jī)601也設(shè)置腔體中，固定于支撐蓋204，被防水結(jié)構(gòu)包覆，連接磁控管軸承座501的輸入軸。磁控管軸承座501和電機(jī)601均設(shè)置于腔體中，可以減少外置部件的數(shù)量，進(jìn)一步減小上電極組件的整體體積，節(jié)省空間。

圖9是根據(jù)本公開(kāi)另一實(shí)施例的上電極組件的剖面結(jié)構(gòu)圖。在以下描述中，為了達(dá)到簡(jiǎn)要說(shuō)明的目的，上述實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的技術(shù)特征敘述皆并于此，無(wú)需再重復(fù)相同敘述。

如圖9所示，本實(shí)施例的上電極組件還包括磁感應(yīng)式檢測(cè)組件，用以代替光電檢測(cè)組件，用于檢測(cè)磁控管裝配體502旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。例如，磁感應(yīng)式檢測(cè)組件包括磁鐵804和磁性接近開(kāi)關(guān)805。磁鐵804安裝于磁控管裝配體502的邊緣，磁性接近開(kāi)關(guān)805安裝于支撐壁200外側(cè)，當(dāng)磁控管裝配體502旋轉(zhuǎn)時(shí)，磁鐵804與磁性接近開(kāi)關(guān)805之間的距離隨磁鐵804的旋轉(zhuǎn)而發(fā)生周期改變，兩者接近時(shí)磁性接近開(kāi)關(guān)805發(fā)出信號(hào)，檢測(cè)磁控管裝配體502的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。

本公開(kāi)另一實(shí)施例還提供了一種物理氣相沉積腔室，包括反應(yīng)腔室和上述實(shí)施例的上電極組件，上電極組件設(shè)置于所述腔室本體頂部，反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)有基片支撐部件，用于放置基片，基片與靶材位置相對(duì)。上電極組件對(duì)靶材進(jìn)行濺射，濺射的材料沉積到基片，在基片上形成均勻薄膜。

本公開(kāi)另一實(shí)施例還提供了一種物理氣相沉積設(shè)備，包括上述物理氣相沉積腔室，以及載入/載出腔室和傳輸腔室。載入/載出腔室用于加載基片，傳輸腔室設(shè)置于物理氣相沉積腔室和載入/載出腔室之間，用于將載入/載出腔室的基片傳輸至物理氣相沉積腔室。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本公開(kāi)的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本公開(kāi)的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本公開(kāi)，凡在本公開(kāi)的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本公開(kāi)的保護(hù)范圍之內(nèi)。

還需要說(shuō)明的是，實(shí)施例中提到的方向用語(yǔ)，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向，并非用來(lái)限制本公開(kāi)的保護(hù)范圍。貫穿附圖，相同的元素由相同或相近的附圖標(biāo)記來(lái)表示。在可能導(dǎo)致對(duì)本公開(kāi)的理解造成混淆時(shí)，將省略常規(guī)結(jié)構(gòu)或構(gòu)造。

并且圖中各部件的形狀和尺寸不反映真實(shí)大小和比例，而僅示意本公開(kāi)實(shí)施例的內(nèi)容。另外，在權(quán)利要求中，不應(yīng)將位于括號(hào)之間的任何參考符號(hào)構(gòu)造成對(duì)權(quán)利要求的限制。

除非有所知名為相反之意，本說(shuō)明書(shū)及所附權(quán)利要求中的數(shù)值參數(shù)是近似值，能夠根據(jù)通過(guò)本公開(kāi)的內(nèi)容所得的所需特性改變。具體而言，所有使用于說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求中表示組成的含量、反應(yīng)條件等等的數(shù)字，應(yīng)理解為在所有情況中是受到「約」的用語(yǔ)所修飾。一般情況下，其表達(dá)的含義是指包含由特定數(shù)量在一些實(shí)施例中±10％的變化、在一些實(shí)施例中±5％的變化、在一些實(shí)施例中±1％的變化、在一些實(shí)施例中±0.5％的變化。

再者，單詞“包含”不排除存在未列在權(quán)利要求中的元件或步驟。位于元件之前的單詞“一”或“一個(gè)”不排除存在多個(gè)這樣的元件。

說(shuō)明書(shū)與權(quán)利要求中所使用的序數(shù)例如“第一”、“第二”、“第三”等的用詞，以修飾相應(yīng)的元件，其本身并不意含及代表該元件有任何的序數(shù)，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是制造方法上的順序，該些序數(shù)的使用僅用來(lái)使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能做出清楚區(qū)分。

類(lèi)似地，應(yīng)當(dāng)理解，為了精簡(jiǎn)本公開(kāi)并幫助理解各個(gè)公開(kāi)方面中的一個(gè)或多個(gè)，在上面對(duì)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的描述中，本公開(kāi)的各個(gè)特征有時(shí)被一起分組到單個(gè)實(shí)施例、圖、或者對(duì)其的描述中。然而，并不應(yīng)將該公開(kāi)的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護(hù)的本公開(kāi)要求比在每個(gè)權(quán)利要求中所明確記載的特征更多的特征。更確切地說(shuō)，如下面的權(quán)利要求書(shū)所反映的那樣，公開(kāi)方面在于少于前面公開(kāi)的單個(gè)實(shí)施例的所有特征。因此，遵循具體實(shí)施方式的權(quán)利要求書(shū)由此明確地并入該具體實(shí)施方式，其中每個(gè)權(quán)利要求本身都作為本公開(kāi)的單獨(dú)實(shí)施例。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本公開(kāi)的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本公開(kāi)的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本公開(kāi)，凡在本公開(kāi)的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本公開(kāi)的保護(hù)范圍之內(nèi)。