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      饋入結(jié)構(gòu)、上電極組件以及物理氣相沉積腔室和設(shè)備的制作方法

      文檔序號:11455860閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本公開提供了一種饋入結(jié)構(gòu)、上電極組件以及物理氣相沉積腔室和設(shè)備。射頻功率經(jīng)饋入結(jié)構(gòu)的引入桿中心饋入,并由多個(gè)分配桿均勻分配到靶材。

      技術(shù)研發(fā)人員:鄧玉春;張超;陳鵬;邱國慶;趙夢欣
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:2017.06.29
      技術(shù)公布日:2017.08.25
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