一種復(fù)合掩膜板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種掩膜板，特別是指一種強(qiáng)度高、開口率高的復(fù)合掩膜板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在OLED (Organic Light-Emitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)制作工藝中，蒸鍍使用的掩膜板(Mask)是在磁性材質(zhì)上涂覆有機(jī)膠I (即非磁性材質(zhì))，通過刻蝕方式對磁性材質(zhì)進(jìn)行開口，使磁性材質(zhì)成為條狀結(jié)構(gòu)支撐條2，其僅作為強(qiáng)度支撐及磁鐵吸附作用；通過激光在Mask開口區(qū)域?qū)τ袡C(jī)膠I進(jìn)行開口，形成Mask開口 10，該開口用于材料蒸鍍，以滿足ppi (pixel per inch，每英寸像素個數(shù))的要求(如圖1與圖2所示)。磁性材質(zhì)可為Invar材質(zhì)(殷瓦合金，也稱為殷鋼)，有機(jī)膠可為PI (聚酰亞胺)膜層。
[0003]隨著Mask開口越來越小，由于殷瓦合金具有陰影(shadow)效應(yīng)，若要滿足高ppi的要求，需要板材的厚度越來越薄，但板材變薄后其強(qiáng)度相應(yīng)變小，不能承受日常的使用和維護(hù)強(qiáng)度需求。同時涂有有機(jī)膠的掩膜板在使用和清洗過程中，有機(jī)膠會不斷磨損，進(jìn)一步降低掩膜板的強(qiáng)度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種板材薄、且強(qiáng)度高的兩種金屬復(fù)合而成的復(fù)合掩膜板及其制作方法。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種復(fù)合掩膜板，其包括有非磁性金屬層及設(shè)置于所述非磁性金屬層上的多個磁性金屬塊，所述非磁性金屬層上還設(shè)置有掩膜板開口區(qū)域，所述掩膜板開口區(qū)域中設(shè)有掩膜板開口。
[0006]多個所述磁性金屬塊呈多行多列分布于所述非磁性金屬層上。
[0007]相鄰兩行的各所述磁性金屬塊錯位排列，每行中的相鄰兩個所述磁性金屬塊之間設(shè)有至少一個所述掩膜板開口。
[0008]相鄰兩列的各所述磁性金屬塊錯位排列，每列中的相鄰兩個所述磁性金屬塊之間設(shè)有至少一個所述掩膜板開口。
[0009]相鄰兩行或相鄰兩列中錯位排列的兩個所述磁性金屬塊之間通過磁性金屬條連接，各所述磁性金屬塊與所述磁性金屬條在所述非磁性金屬層上呈網(wǎng)狀分布。
[0010]本發(fā)明還提供一種復(fù)合掩膜板的制作方法，該方法包括:
在磁性金屬層上沉積非磁性金屬層；
對磁性金屬層進(jìn)行刻蝕，形成多個分布于所述非磁性金屬層上的磁性金屬塊；
使用激光刻蝕方式對所述非磁性金屬層上的掩膜板開口區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成多個掩膜板開口，制作所需的掩膜板。
[0011]在磁性金屬層上沉積非磁性金屬層的步驟中，是通過電鑄或者磁控濺射的方式在所述磁性金屬層上沉積非磁性金屬層。
[0012]對磁性金屬層進(jìn)行刻蝕，形成多個分布于所述非磁性金屬層上的磁性金屬塊的步驟包括:形成多行多列的磁性金屬塊分布于所述非磁性金屬層上，相鄰兩行的各所述磁性金屬塊錯位排列，相鄰兩列的各所述磁性金屬塊錯位排列。
[0013]使用激光刻蝕方式對所述非磁性金屬層上的掩膜板開口區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成多個掩膜板開口，制作所需的掩膜板的步驟包括:使每行中相鄰兩個所述磁性金屬塊之間設(shè)有至少一個掩膜板開口，使每列中相鄰兩個所述磁性金屬塊之間設(shè)有至少一個掩膜板開口。
[0014]將相鄰兩行或相鄰兩列中錯位排列的兩個所述磁性金屬塊之間通過磁性金屬條連接，所述磁性金屬塊與所述磁性金屬條在所述非磁性金屬層上呈網(wǎng)狀分布。
[0015]本發(fā)明中采用磁性金屬與非磁性金屬兩種金屬復(fù)合而成，掩膜板具有很高的強(qiáng)度，同時由于本發(fā)明中的磁性金屬塊呈島狀或者網(wǎng)狀，相較于傳統(tǒng)條狀的磁性金屬材質(zhì)具有更大的支撐強(qiáng)度，且大大提高了掩膜板的開口率及ppi。
【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板主視圖；
圖2為圖1中沿A-A線的截面圖；
圖3為本發(fā)明復(fù)合掩膜板的實施例一的主視圖；
圖4為本發(fā)明復(fù)合掩膜板的實施例二的主視圖；
圖5為本發(fā)明復(fù)合掩膜板制作方法的步驟流程圖。
【具體實施方式】
[0017]為便于對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及達(dá)到的效果有進(jìn)一步的了解，現(xiàn)結(jié)合附圖并舉較佳實施例詳細(xì)說明如下。
[0018]如圖3所示，本發(fā)明的復(fù)合掩膜板包括有非磁性金屬層3及設(shè)置于該非磁性金屬層3上的多個磁性金屬塊4，該非磁性金屬層3上海設(shè)置有掩膜板開口區(qū)域，在該掩膜板開口區(qū)域中設(shè)有多個掩膜板開口 30。
[0019]如圖3所示，本發(fā)明中的多個磁性金屬塊4呈多行多列分布于非磁性金屬層3上，每行中的相鄰兩個磁性金屬塊4之間設(shè)有至少一個掩膜板開口 30，每列中的相鄰兩個磁性金屬塊4之間也設(shè)有至少一個掩膜板開口 30，因此掩膜板開口 30也呈多行和多列間隔分布。本發(fā)明中的相鄰兩行的各磁性金屬塊4錯位排列，相鄰兩列的各磁性金屬塊4呈錯位排列，即各磁性金屬塊4呈島狀分布于非磁性金屬層3上。本發(fā)明中的磁性金屬塊4用于起支撐作用，由于其呈島狀分布于非磁性金屬層3上，相較于傳統(tǒng)條狀的磁性金屬材質(zhì)，本發(fā)明的磁性金屬塊4可以增大支撐強(qiáng)度；同時由于本發(fā)明中采用磁性金屬塊4與非磁性金屬層3兩種金屬復(fù)合而成，可解決傳統(tǒng)技術(shù)中使用金屬復(fù)合有機(jī)膠方式在使用和清洗過程中出現(xiàn)的強(qiáng)度問題。
[0020]如圖4所示，本發(fā)明中的多個磁性金屬塊4呈多行多列分布于非磁性金屬層3上，每行中的相鄰兩個磁性金屬塊4之間設(shè)有至少一個掩膜板開口 30，每列中的相鄰兩個磁性金屬塊4之間也設(shè)有至少一個掩膜板開口 30，因此掩膜板開口 30也呈多行和多列間隔分布。本發(fā)明中的相鄰兩行的各磁性金屬塊4錯位排列，相鄰兩列的各磁性金屬塊4呈錯位排列，同時相鄰兩行或相鄰兩列中錯位排列的兩個磁性金屬塊4之間可通過磁性金屬條5連接，該磁性金屬條5與磁性金屬塊4為同一材質(zhì)同一厚度，因此形成圖4中磁性金屬塊4與磁性金屬條5在非磁性金屬層3上呈網(wǎng)狀分布。本發(fā)明中起支撐作用的磁性金屬塊4，相較于上述呈島狀分布于非磁性金屬層3上，磁性金屬塊4與相同材質(zhì)的磁性金屬條5呈網(wǎng)狀分布在非磁性金屬層3上，更能增大支撐強(qiáng)度；同時本發(fā)明中