電極(ground select gate electrode) 162、控制柵電極(control gate electrode) 164 以及線選擇柵電極(string select gateelectrode)166。
[0042]一方面，與本實施例不同地，可以與硅烷(SiH4) —起供給基于乙基的氣體(例如，C2H4)或者基于甲基的氣體(例如，CH3),由此，絕緣層115可以是SiCO(氧化碳硅:SiliconCarbon Oxide)薄膜。由SiCO薄膜形成的絕緣層115與如上所述的犧牲層120相比具有更大的刻蝕選擇比，因此在去除犧牲層120的同時可以使受損傷的絕緣層115的量達到最小。圖7是表示基于乙基的氣體的供給量和蒸鍍的薄膜的、蝕刻率關(guān)系的圖表。如圖7所示，隨著基于乙基的氣體的供給，蒸鍍的薄膜的蝕刻率減小，由此可以根據(jù)需求調(diào)整相對犧牲層120的刻蝕選擇比。
[0043]圖8是概略性地表示本發(fā)明一實施例的存儲元件制造裝置的圖。如圖8所示，存儲元件制造裝置10具有用于導入源氣體或者反應氣體的導入部12，源氣體或者反應氣體通過導入部12而被導入，并通過噴頭13向腔室11內(nèi)部噴射。在進行加工時，硅烷可以以1-1OOOsccm供給，反應氣體(例如，N2O或者NH3)可以以100-50000sccm供給。一方面，如上所述，當供給基于乙基的氣體(例如，C2H4)或者基于甲基的氣體(例如，CH3)時，可以以50 至 lOOOOsccm 供給。
[0044]作為加工對象的基底15被置于基底支撐臺14的上部，基底支撐臺14被支撐臺16支撐。進行加工的過程中，加熱器14能夠?qū)⒒椎臏囟缺３衷?00至790度，此時腔室11內(nèi)部的壓力可以保持在1mTorr至250Torr。完成加工的基底15通過排出部17被排出于外部。
[0045]圖9是概略性地表示本發(fā)明其他實施例的存儲元件制造裝置的圖，圖10是概略性地表示圖9所示的環(huán)形邊的立體圖。以下僅對與圖8不同的部分進行說明，可以用圖8的說明代替省略的說明。
[0046]如圖9所示，存儲元件制造裝置210具備設(shè)置于腔室211的內(nèi)部的基底支撐臺214，基底支撐臺214由支撐臺216支撐。如后文所述，基底支撐臺214通過另行設(shè)置的驅(qū)動部(未圖示)與支撐臺216 —起升降，由此，轉(zhuǎn)換至基底215可以出入于腔室211內(nèi)部的解除位置(參照圖9)和對基底215進行加工的加工位置(參照圖11)。
[0047]基底215通過形成于腔室211的側(cè)壁的排出部217出入于腔室211的內(nèi)部，通過排出部217向腔室211內(nèi)部移動的基底215位于基底支撐臺214的上部?；字闻_214具有大于基底215的直徑，基底215位于基底支撐臺214的中央。此時，基底215由貫通基底支撐臺214的頂桿(lift pin) 220支撐，由此保持從基底支撐臺214上升分離的狀態(tài)。并且，噴頭213設(shè)置于基底支撐臺214的上部，源氣體或者反應氣體通過噴頭213向腔室211的內(nèi)部噴射。
[0048]—方面，腔室211進一步包括真空導向部(vacuum guide) 212和環(huán)形邊230。真空導向部212呈圓筒狀，其設(shè)置于腔室211的內(nèi)部。如圖10所示，環(huán)形邊230呈與腔室211的內(nèi)部形狀相對應的環(huán)狀，環(huán)形邊230具備支撐部232、水平支撐部234、垂直支撐部236、以及具有施壓面238a的施壓部238。環(huán)形邊230位于基底支撐臺214和噴頭213之間并置于從真空導向部212的內(nèi)側(cè)壁突出的固定突起212a上。如圖9所示，當基底支撐臺214處于解除位置時，環(huán)形邊230位于固定突起212a上，如下文所述，當基底支撐臺214轉(zhuǎn)換至加工位置時，環(huán)形邊230離開固定突起212a而置于基底支撐臺214的上部。
[0049]圖11和圖12是表示圖9所示的環(huán)形邊的動作的圖。如上所述，基底支撐臺214通過驅(qū)動部(未圖示)與支撐臺216 —起升降，由此，可以轉(zhuǎn)換至解除位置和加工位置。
[0050]如圖12所示，水平支撐部234從支撐部232向腔室211的側(cè)壁延伸，垂直支撐部236從支撐部232向下部延伸。施壓部238從支撐部232向腔室211的內(nèi)側(cè)向下傾斜延伸。
[0051]如圖9所示，當基底支撐臺214處于解除位置時，可以通過水平支撐部234和垂直支撐部236使環(huán)形邊230位于固定突起212a上，水平支撐部234與固定突起212a的上面相接觸，垂直支撐部236與固定突起212a的側(cè)面相接觸。此時，支撐部232和施壓部238保持向腔室211的內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)。
[0052]如圖11所示，當基底支撐臺214轉(zhuǎn)換至加工位置時，基底支撐臺214通過位于基底215外側(cè)的環(huán)狀邊緣部來提升環(huán)形邊230，由此，環(huán)形邊230離開固定突起212a而上升。此時，如圖12所示，支撐部232鄰接于基底支撐臺214的邊緣部，施壓部238與置于基底支撐臺214的基底215的邊緣部相接觸，從而對基底215的邊緣部施壓。S卩，環(huán)形邊230在置于基底支撐臺214的狀態(tài)下，通過自身重量對基底215的邊緣部施壓，施壓部238具有與基底215的邊緣部相接觸的施壓面238a。
[0053]如先前通過圖1進行的說明，當在基底上交替層疊氧化硅和氮化膜時，由加工導致在氧化硅膜的應力和氮化膜的應力之間產(chǎn)生應力差，由此，引發(fā)基底變形(warpage，彎曲或者扭曲)。這種基底變形導致基底的邊緣部從基底支撐臺離開，從而基底變形成基底中心部凹陷的“U”字形。這將影響基底內(nèi)的溫度分布(基底中心與邊緣之間)等，因此對加工均勻度(例如，蒸鍍率)產(chǎn)生較大影響。實際可知:在完成如上所述的加工后，在基底邊緣部測量的蒸鍍率明顯低于在基底中心部測量的蒸鍍率。因此，為防止基底邊緣部從基底支撐臺離開而導致基底變形的現(xiàn)象，可以通過環(huán)形邊230的施壓部238對基底215的邊緣部施壓。
[0054]另一方面，如圖12所示，被環(huán)形邊230的施壓部238施壓的基底215的邊緣部的寬度(w)可以是，從基底215的邊緣向該基底215內(nèi)側(cè)約0.5mm至3mm的距離，由于該部分在實際半導體加工中并非是用于半導體器件的部分，因此不會影響半導體器件的收益率。另夕卜，先前說明的施壓面238a可以具有與邊緣部相對應的寬度(w)。
[0055]如圖12所示，環(huán)形邊230可以只通過施壓部238來保持被支撐在基底支撐臺214上的狀態(tài)，并且支撐部232可以保持從基底支撐臺214的邊緣部離開的狀態(tài)(d)。在該情況下，環(huán)形邊230的整體重量通過施壓部238的施壓面238a傳遞至基底215的邊緣部，因此可以使環(huán)形邊230的重量達到最小的同時將高的壓力傳遞至基底215的邊緣部。該原理可通過壓力大小與接觸面積的大小成反比的事實來理解。
[0056]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0057]本發(fā)明可應用于各種形狀的存儲元件的制造方法和裝置。
【主權(quán)項】
1.一種三維結(jié)構(gòu)存儲元件的制造裝置，其特征在于，所述裝置包括: 用于實行基底加工的腔室； 基底支撐臺，其設(shè)置于所述腔室內(nèi)并用于放置所述基底，并通過升降而轉(zhuǎn)換至所述基底出入于所述腔室內(nèi)部的解除位置和對所述基底進行加工的加工位置； 環(huán)形邊，當所述基底支撐臺處于所述解除位置時，所述環(huán)形邊位于所述基底的上部，并且所述環(huán)形邊具有當所述基底支撐臺轉(zhuǎn)換至所述加工位置時，對位于所述基底支撐臺上部的所述基底的邊緣部施壓的施壓面。
2.權(quán)利要求1所述的三維結(jié)構(gòu)存儲元件的制造裝置，其特征在于，所述基底的邊緣部相當于從所述基底的邊緣向所述基底的內(nèi)側(cè)0.5mm-3mm的范圍。
3.權(quán)利要求1或2所述的三維結(jié)構(gòu)存儲元件的制造裝置，其特征在于，所述環(huán)形邊為陶瓷材料。
4.權(quán)利要求1或2所述的三維結(jié)構(gòu)存儲元件的制造裝置，其特征在于， 所述基底支撐臺具有位于所述基底外側(cè)的環(huán)狀邊緣部， 所述環(huán)形邊具備:位于所述基底支撐臺的邊緣部上部的支撐部；從所述支撐部向所述基底的邊緣部延伸且具有所述施壓面的施壓部；水平支撐部，其從所述支撐部向所述腔室的側(cè)壁延伸，當所述基底支撐臺處于解除位置時，所述水平支撐部置在設(shè)置于所述腔室側(cè)壁的固定突起的上面；以及垂直支撐部，其從所述支撐部向所述下部延伸，當所述基底支撐臺處于解除位置時，與設(shè)置于所述腔室側(cè)壁的固定突起的側(cè)面相接觸。
5.權(quán)利要求1或2所述的三維結(jié)構(gòu)存儲元件的制造裝置，其特征在于，還包括噴頭，當在所述基底上層疊所述絕緣層時，所述噴頭向所述基底供給選自基于乙基的氣體、基于甲基的氣體群中的一種以上氣體以及選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4Hltl群中的一種以上氣體而蒸鍍SiCO膜，并且，當在所述基底上層疊所述犧牲層時，所述噴頭向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4H10, SiCl2H2群中的一種以上氣體和基于氨的氣體而蒸鍍氮化膜。
6.權(quán)利要求1或2所述的三維結(jié)構(gòu)存儲元件的制造裝置，其特征在于，還包括噴頭，當在所述基底上層疊所述絕緣層時，所述噴頭向所述基底供給選自基于乙基的氣體、基于甲基的氣體群中的一種以上氣體以及選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4Hltl群中的一種以上氣體而蒸鍍SiCO膜，并且，當在所述基底上層疊所述犧牲層時，所述噴頭向所述基底供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H1Q、SiCl2H2群中的一種以上氣體和基于氨的氣體、以及選自B2H6、PH3群中的一種以上氣體而蒸鍍氮化膜。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種三維結(jié)構(gòu)存儲元件的制造裝置，所述裝置包括：用于實行基底加工的腔室；基底支撐臺，其設(shè)置于所述腔室內(nèi)并用于放置所述基底，并通過升降而轉(zhuǎn)換至所述基底出入于所述腔室內(nèi)部的解除位置和對所述基底進行加工的加工位置；環(huán)形邊，當所述基底支撐臺處于所述解除位置時，所述環(huán)形邊位于所述基底的上部，并且所述環(huán)形邊具有當所述基底支撐臺轉(zhuǎn)換至所述加工位置時，對位于所述基底支撐臺上部的所述基底的邊緣部施壓的施壓面。
【IPC分類】C23C16-458, H01L21-311, H01L27-115, H01L29-792, H01L21-336, H01L21-8247, H01L21-02
【公開號】CN104674192
【申請?zhí)枴緾N201510007521
【發(fā)明人】趙星吉, 金海元, 禹相浩, 申承祐, 張吉淳, 吳完錫
【申請人】株式會社Eugene科技
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2011年10月6日
【公告號】CN103155138A, CN103155138B, US20130178066, WO2012050322A2, WO2012050322A3