基板支撐裝置及基板處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明作為涉及基板支撐裝置及基板處理裝置，更詳細(xì)的說為了在基板邊緣位置 領(lǐng)域均勻的供給凈化氣體的基板支撐裝置及基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 制造了層疊多種薄膜的半導(dǎo)體存儲器等各種電子元件。即，在基板上形成各種薄 膜，并且使用照片蝕刻工序圖形化如同其形成的薄膜，形成元件構(gòu)造。
[0003] 薄膜根據(jù)材料具有導(dǎo)電膜、電介質(zhì)膜、絕緣膜等，制造薄膜的方法也是多種多樣， 制造薄膜的方法大致有物理性方法及化學(xué)性方法等。最近為了制造半導(dǎo)體元件，主要使 用的是根據(jù)氣體的化學(xué)反應(yīng)在基板上形成金屬、電介質(zhì)、或絕緣體薄膜的化學(xué)氣相沉積 (CVD:Chemicalvapordeposition)。
[0004] 以CVD方法在基板制造薄膜的情況，使基板配置在CVD裝置的腔室內(nèi)部的基板支 撐臺上，向腔室內(nèi)部供給工序氣體，以其氣體反應(yīng)制造薄膜。這種CVD方式為，在基板上的 薄膜以所有方向形成的等向性沉積，在供給工序氣體的所有領(lǐng)域制造薄膜。若基板加載在 CVD腔室內(nèi)，基板的后面被支撐在基板支撐臺，則基板的前面及側(cè)面露出，因此在基板的前 面及側(cè)面形成薄膜。另外，就算基板的后面接觸基板支撐臺，由于向基板的后面與基板支撐 臺之間的縫隙滲透工序氣體，可在基板后面形成薄膜。
[0005] 另一方面，半導(dǎo)體元件在基板前面的有效領(lǐng)域制造，在這種有效領(lǐng)域形成高品質(zhì) 的均勻的薄膜為最佳。另外，在基板的邊緣位置及后面形成的薄膜不僅不能運(yùn)用為元件，附 著在基板引起使基板整體或一部分不可用的污染物質(zhì)，在基板的邊緣位置及在后面沉積的 材料被剝離，引起粒子（particle)污染。即，剝離的材料發(fā)生為不希望的粒子，不當(dāng)?shù)母街?在基板或使污染在腔室內(nèi)部的多個(gè)位置引起。
[0006] 就此，在基板支撐臺安裝基板，設(shè)置具有基板邊緣位置領(lǐng)域且屏蔽的遮蔽環(huán)，或在 基板的下面?zhèn)然蜻吘壩恢霉┙o凈化氣體，抑制或防止在這部分的薄膜沉積。
[0007] 但是，就算設(shè)置遮蔽環(huán)，向基板與遮蔽環(huán)縫隙之間滲透工序氣體，存在不能有效抑 制在基板的邊緣位置或后面形成薄膜的問題。另外，就算供給凈化氣體，基板的下面或邊緣 位置凈化氣體不能均勻的供給，仍然存在在一部分領(lǐng)域形成薄膜的問題。
[0008] (先行技術(shù)文獻(xiàn)）
[0009] (專利文獻(xiàn)）
[0010] (專利文獻(xiàn) 1)KR852〇98B

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] (要解決的課題）
[0012] 本發(fā)明提供的基板支撐裝置及基板處理裝置為，可使凈化氣體在基板的邊緣位置 領(lǐng)域均勻的供給。
[0013] 本發(fā)明提供的基板支撐裝置及基板處理裝置為，可防止在基板的邊緣位置及后面 沉積薄膜。
[0014](課題的解決方法）
[0015]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的基板支撐裝置，包括：基板支撐體，安裝基板；及保護(hù)環(huán)， 設(shè)置在所述基板支撐體上，形成在高于所述基板支撐體的上面的位置，使氣體向所述基板 噴射的流通渠道。
[0016]所述保護(hù)環(huán)，也可包括：環(huán)形態(tài)的第1機(jī)體；第2機(jī)體，從所述第1機(jī)體向內(nèi)側(cè)方向 延長形成；第1流通渠道，一端與所述第2機(jī)體的下面連接，由此向上部方向延長形成；及 第2流通渠道，與所述第1流通渠道的其他端連接，向內(nèi)側(cè)方向延長形成。
[0017] 另外，所述保護(hù)環(huán)的特征在于，包括：下部環(huán)，具有環(huán)形態(tài)的機(jī)體且與所述機(jī)體的 下面連接，由此向上部方向延長形成的第1流通渠道，及與所述第1流通渠道的其他端連 接，向內(nèi)側(cè)方向延長形成的第2流通渠道；及上部環(huán)，設(shè)置在所述下部環(huán)上，在與所述下部 環(huán)的內(nèi)側(cè)面之間，形成與所述第2流通渠道連接的第3流通渠道，所述流通渠道，包括所述 第1流通渠道、所述第2流通渠道、所述第3流通渠道。
[0018] 所述第1及第2流通渠道，根據(jù)所述下部環(huán)的圓周方向也可形成多個(gè)。
[0019] 所述第1流通渠道，垂直貫通所述下部環(huán)的機(jī)體形成，所述第2流通渠道，也可在 所述機(jī)體的上面形成為凹陷的槽。
[0020] 所述第2機(jī)體，在內(nèi)側(cè)面的至少一部分形成，也可具有向下傾斜的傾斜面。
[0021]所述傾斜面，也可具有45°至80°的傾斜。
[0022] 所述第1機(jī)體，也可具有在其上面凹陷形成的至少一個(gè)以上的結(jié)合槽。
[0023]所述保護(hù)環(huán)與所述基板支撐體之間，形成通過氣體的主渠道，并且所述主渠道也 可與所述流通渠道連接。
[0024]所述主渠道，也可與在所述第1流通渠道及所述保護(hù)環(huán)的下面邊緣位置領(lǐng)域，與 所述基板支撐體的側(cè)面之間形成的第4流通渠道連接。
[0025]所述基板支撐體，具有在內(nèi)部通過氣體的氣體通道，所述氣體通道也可與所述主 渠道連接。
[0026]所述下部環(huán)，具有在上面凹陷形成的結(jié)合槽。所述上部環(huán)，也可具有在下面對應(yīng)所 述結(jié)合槽的結(jié)合凸起。
[0027]所述結(jié)合槽具有多個(gè)，并且其中一部分結(jié)合所述結(jié)合凸起時(shí)，使其具有與所述結(jié) 合凸起隔離的間隔，所述結(jié)合槽的直徑形成為也可大于所述結(jié)合凸起的直徑。
[0028]所述結(jié)合槽，也可形成所述第1機(jī)體向所述第1機(jī)體的外側(cè)方向垂直貫通的貫通 孔。
[0029]在所述上部環(huán)的內(nèi)側(cè)端部具有向下方彎曲的彎曲部。在所述下部環(huán)的內(nèi)側(cè)面至 少一部分，具有向下傾斜的傾斜面，并且在所述彎曲部與所述傾斜面之間也可形成所述第3 流通渠道。
[0030]所述下部環(huán)，在上面具有階梯部，所述上部環(huán)也可在下面具有對應(yīng)所述階梯部的 凸出部。
[0031]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的特征在于，包括：腔室，形成處理空間；氣 體噴射器，在所述腔室的內(nèi)部供給處理氣體；及基板支撐臺，配置在所述腔室的內(nèi)部且支撐 基板。所述基板支撐臺，具有通過分別的流通渠道，向所述基板的上部邊緣及下部邊緣供給 凈化氣體的流通渠道。
[0032] 所述基板支撐臺，包括：基板支撐體，安裝基板；及保護(hù)環(huán)，設(shè)置在所述基板支撐 體上。所述流通渠道，也可包括：上部流通渠道，通過所述保護(hù)環(huán)；與下部流通渠道，在所述 基板支撐體與所述保護(hù)環(huán)之間形成。
[0033] 所述保護(hù)環(huán)，也可包括：環(huán)形態(tài)的第1機(jī)體；第2機(jī)體，從所述第1機(jī)體向內(nèi)側(cè)方 向延長形成；第1流通渠道，一端與所述第2機(jī)體的下面連接，從其向上部方向延長形；第2 流通渠道，與所述第1流通渠道的其他端連接，向內(nèi)側(cè)方向延長形成。
[0034] 所述保護(hù)環(huán)，包括下部環(huán)及上部環(huán)。在所述下部環(huán)，具有：第1流通渠道，一端與所 述下部環(huán)的下面連接，向上部方向延長形成；及第2流通渠道，與所述第1流通渠道的其他 端連接，向內(nèi)側(cè)方向延長形成，所述下部環(huán)的內(nèi)側(cè)面與所述上部環(huán)之間，形成與所述第2流 通渠道連接的第3流通渠道。所述上部流通渠道，也可包括所述第1流通渠道、所述第2流 通渠道及所述第3流通渠道。
[0035](發(fā)明的效果）
[0036] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施形態(tài)，可在基板的邊緣位置領(lǐng)域均勻的供給凈化氣體，可有效抑 制或防止在基板的邊緣位置及后面沉積薄