Ag合金膜形成用濺射靶及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金導(dǎo)電膜、Ag合金半透明膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于形成Ag合金膜（Ag合金反射膜、Ag合金導(dǎo)電膜、Ag合金半透 明膜）的Ag合金膜形成用派射革E及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金導(dǎo)電膜、Ag合金半 透明膜，所述Ag合金膜用于在顯示器或照明中使用的發(fā)光元件及光記錄用光盤等的光反 射層、觸摸面板等的配線、紅外線阻隔膜和透明導(dǎo)電膜等。
[0002] 本申請主張基于2013年1月23日于日本申請的日本專利申請2013-010070號及 2014年1月14日于日本申請的日本專利申請2014-004584號的優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援用于 此。
【背景技術(shù)】
[0003] 通常，出于提高出光效率的目的，在有機(jī)EL或反射型液晶等顯示器、LED等發(fā)光元 件或光記錄用光盤等上形成有光反射層。其中，由Ag及Ag合金構(gòu)成的Ag膜及Ag合金膜 的反射率高，因此被廣泛用作上述光反射層。
[0004] 例如，專利文獻(xiàn)1中公開有作為有機(jī)EL元件的反射電極的構(gòu)成材料而使用Ag合 金的內(nèi)容。
[0005] 專利文獻(xiàn)2公開有作為半導(dǎo)體發(fā)光元件的電極的構(gòu)成材料而使用以高效率反射 光的Ag或Ag合金的內(nèi)容。
[0006] 專利文獻(xiàn)3中公開有作為光存儲介質(zhì)的反射層的構(gòu)成材料而使用Ag或Ag合金的 內(nèi)容。
[0007] 并且，Ag膜及Ag合金膜除上述用途之外，還用于光學(xué)儀器用反射鏡、太陽電能池 用反射膜、照明裝置的反射器等中。
[0008] 另一方面，上述Ag膜及Ag合金膜的導(dǎo)電性也很優(yōu)異，因此例如專利文獻(xiàn)4中所公 開的，也被用作觸摸面板的引出配線。此外，如同專利文獻(xiàn)5中所記載，膜厚較薄的Ag膜也 被用作半透明膜。由Ag構(gòu)成的半透明膜也被用作顯示器用透明導(dǎo)電膜或底部發(fā)射方式的 有機(jī)EL的陰極。
[0009] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利公開2012-059576號公報
[0010] 專利文獻(xiàn)2 :日本專利公開2006-245230號公報
[0011] 專利文獻(xiàn)3 :日本專利公開2004-322556號公報
[0012] 專利文獻(xiàn)4 :日本專利公開2009-031705號公報
[0013] 專利文獻(xiàn)5 :日本專利第4395844號公報
[0014] 然而，雖然由純Ag構(gòu)成的Ag膜的反射率或透射率等光學(xué)特性優(yōu)異，但耐環(huán)境性 (對于耐濕環(huán)境的耐性）不夠充分，因此在使用環(huán)境下反射率或透射率等光學(xué)特性下降，因 此在長期使用中存在可靠性問題。
[0015] 并且，上述發(fā)光元件或顯示器中，在其制造過程中進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，因此有可能?經(jīng)熱處理之后Ag膜或Ag合金膜的反射率下降，而無法發(fā)揮充分的特性。因此要求在盡可 能維持接近純Ag膜的高反射率的同時，反射率在熱處理之后也不下降的Ag合金膜。
[0016] 此外，將由純Ag構(gòu)成的Ag膜用作配線時，存在導(dǎo)致在濕熱環(huán)境下產(chǎn)生粒子生長并 使比電阻值變動的問題。并且，純Ag的耐鹽水性、耐熱性、耐濕性等各種耐性不夠充分，因 此有可能導(dǎo)致Ag膜在使用環(huán)境下或制造工藝中變質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017] 該發(fā)明鑒于上述情況而完成，其目的在于提供一種能夠形成如下Ag合金膜的Ag 合金膜形成用派射革E、Ag合金膜、由該Ag合金膜構(gòu)成的Ag合金導(dǎo)電膜、Ag合金反射膜及 Ag合金半透明膜，即所述Ag合金膜的反射率或透射率等光學(xué)特性優(yōu)異且具有較低的比電 阻值，并且耐熱性、耐環(huán)境性等各種耐性優(yōu)異，反射率在熱處理之后也不會產(chǎn)生大的變化， 反射率或透射率等光學(xué)特性及比電阻值在使用環(huán)境下也不會產(chǎn)生大的變化。
[0018] 為了解決上述課題，本發(fā)明的Ag合金膜形成用濺射靶，其中，其具有如下組成，即 0. 2原子％以上2. 0原子％以下的Sb、0. 05原子％以上1. 00原子％以下的Mg，余量由Ag 和不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。
[0019] 如此構(gòu)成的本發(fā)明的Ag合金膜形成用濺射靶中，Sb的含量為0. 2原子％以上，因 此能夠提高耐熱性及耐環(huán)境性，并且在成膜后的制造過程中即便進(jìn)行熱處理等也能夠抑制 反射率產(chǎn)生大的變化，并且即便長期使用反射率或透射率等光學(xué)特性及比電阻值也不會產(chǎn) 生大的變化。并且，Sb的含量為2.0原子％以下，因此在剛成膜之后也能夠確保優(yōu)異的光 學(xué)特性和較低的比電阻值。
[0020] 并且，Mg的含量為0. 05原子％以上，因此能夠抑制Ag的粒子生長，且通過與Sb的 協(xié)同效應(yīng)能夠大幅提尚耐熱性，并且也能夠提尚耐鹽水性。并且，Mg的含量為1. 00原子％ 以下，因此能夠確保優(yōu)異的光學(xué)特性和較低的比電阻值，并且在濕熱環(huán)境下能夠抑制反射 率或透射率等光學(xué)特性及比電阻值產(chǎn)生較大變化。
[0021] 鑒于以上幾點能夠形成如下Ag合金膜，即剛成膜之后的光學(xué)特性優(yōu)異且具有較 低的比電阻值，并且，即便在成膜后的制造過程經(jīng)歷熱處理等，反射率也不會產(chǎn)生大的變 化，反射率或透射率等光學(xué)特性及比電阻值在使用環(huán)境下也不會產(chǎn)生大的變化。
[0022] 在此，本發(fā)明的Ag合金膜形成用濺射靶中所含有的Sb與Mg的原子比優(yōu)選為 1. 0 彡 Sb/Mg 彡 40. 0。
[0023] 此時，能夠形成在濕熱環(huán)境下的反射率及電阻值的變化較少的Ag合金膜。
[0024] 本發(fā)明的Ag合金膜，使用上述Ag合金膜形成用濺射靶來成膜。
[0025] 如此構(gòu)成的本發(fā)明的Ag合金反射膜，耐熱性、耐環(huán)境性等各種耐性優(yōu)異，即便成 膜后的制造過程中經(jīng)歷熱處理等，反射率也不會產(chǎn)生大的變化，反射率或透射率等光學(xué)特 性及比電阻值在使用環(huán)境下不會產(chǎn)生大的變化。
[0026] 本發(fā)明的Ag合金反射膜，使用上述Ag合金膜形成用濺射靶來成膜。
[0027] 如此構(gòu)成的本發(fā)明的Ag合金反射膜，耐熱性、耐環(huán)境性等各種耐性優(yōu)異，即便在 成膜后的制造過程中經(jīng)歷熱處理等，反射率也不會下降，反射率在使用環(huán)境下也不會產(chǎn)生 大的變化，因此作為LED等發(fā)光元件或有機(jī)EL或反射型液晶等顯示器、或光記錄用光盤等 的光反射膜尤為適合。
[0028] 本發(fā)明的Ag合金導(dǎo)電膜，使用上述Ag合金膜形成用濺射靶來成膜。
[0029] 這樣構(gòu)成的Ag合金導(dǎo)電膜，耐環(huán)境性、耐鹽水性等各種耐性優(yōu)異，在使用環(huán)境下 不會因腐蝕而產(chǎn)生外觀變化，因此作為導(dǎo)電膜尤為優(yōu)異。
[0030] 本發(fā)明的Ag合金半透明膜，使用上述Ag合金膜形成用濺射靶來成膜。
[0031] 這樣構(gòu)成的Ag合金半透明膜，耐環(huán)境性優(yōu)異，透射率在使用環(huán)境下不會產(chǎn)生大的 變化，因此作為半透明膜尤為優(yōu)異。
[0032] 在此，本發(fā)明的Ag合金反射膜，波長405~550nm的反射率優(yōu)選為85%以上。
[0033] 并且，本發(fā)明的Ag合金導(dǎo)電膜，比電阻優(yōu)選為10μ Ω · cm以下。
[0034] 此外，本發(fā)明的Ag合金半透明膜，膜厚15nm以下且波長350~850nm下的平均透 射率優(yōu)選為35%以上。
[0035] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明能夠提供一種能夠形成如下Ag合金膜的Ag合金膜形成用 濺射靶、Ag合金膜、由該Ag合金膜構(gòu)成的Ag合金導(dǎo)電膜、Ag合金反射膜及Ag合金半透明 膜，即所述Ag合金膜的反射率或透射率等光學(xué)特性優(yōu)異且具有較低的比電阻值，并且耐熱 性、耐環(huán)境性等各種耐性優(yōu)異，反射率在熱處理后也不會產(chǎn)生大的變化，反射率或透射率等 光學(xué)特性及比電阻值在使用環(huán)境下也不會產(chǎn)生大的變化。
【附圖說明】
[0036] 圖1為表示實施例2中恒溫恒濕試驗后的外觀觀察結(jié)果被評為"B"的例子的照片。
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