一種電子封裝材料的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及一種封裝材料，具體設及侶合金基體，氧化石墨締和SiC顆粒為增強體 的電子封裝材料。
【背景技術】
[0002] 電子封裝材料是指集成電路的密封體，它不僅對忍片具有機械支撐和環(huán)境保護作 用，使其避免大氣中的水汽、雜質及各種化學氣氛的污染和侵蝕，從而使集成電路忍片能穩(wěn) 定地發(fā)揮正常電氣功能，封裝材料對電子器件和電路的熱性能乃至可靠性起著舉足輕重的 作用?，F(xiàn)在，電了封裝材料行業(yè)已成為半導體行業(yè)中的一個重要分支，它已經廣泛設及到化 學、電學、熱力學、機械和工藝設備等多種學科。
[0003] 作為金屬基復合材料的增強物，SiC顆粒具有高模量、高硬度、低熱膨脹、高熱導 率、來源廣泛和成本低廉等優(yōu)點。A1合金具有低密度、高熱導率（170-220W/m · K)價格低廉 W及熱加工容易等優(yōu)點。綜合W上因素，并考慮到電子封裝材料必須具備很低的且與基板 匹配的熱膨脹系數(shù)(CTE)，高的熱導率，高剛度，低密度，及低成本等特性，將二者復合而成 顆粒增強侶基復合材料后，材料具有了A1和SiC二者的優(yōu)點，幾乎代表了理想封裝材料的所 有性能要求，運使得SiC/Al復合材料成為電子封裝用金屬基復合材料中最倍受矚目，潛在 應用最廣的復合材料。
[0004] 石墨締是世界上最堅固的材料(楊氏模量1.7TTa)，理論比表面積高達2630mVg， 具有良好的導熱性(5000W/(m.k))和室溫下高速的電子遷移率(200000cmV(V.s))。同時， 其獨特的結構使其具有完美的量子霍爾效應、獨特的量子隧道效應、雙極電場效應等特殊 的性質。由于石墨締優(yōu)異的性能，極大的比表面積和較低的生產成本(相對于碳納米管）；石 墨締各碳原子之間的連接非常柔初，當施加外部機械力時，碳原子面就會彎曲變形來適應 外力，而不必使碳原子重新排列，運樣就保持了結構的穩(wěn)定。基于石墨締運些優(yōu)良的性能， 如果將其添加在金屬侶或銅中制成電子封裝材料，將大大提高材料的電導率;石墨締密度 小，得到的復合材料的密度比金屬基體低;熱膨脹系數(shù)??；同時解決電子封裝復合材料中的 界面潤濕問題，有利于降低界面熱阻；易于加工。因此，石墨締金屬基復合材料對于電子封 裝領域有廣闊的應用前景。
[0005] 現(xiàn)有的SiC/Al復合材料電子封裝材料主要采用滲浸法制造，其在導熱性能，制造 工藝和焊接性能上均存問題，特別是難W采用我國現(xiàn)有封裝焊接進行焊接，限制了該類材 料在我國有源相控陣雷達上的應用，需要一種新型的封裝材料彌補傳統(tǒng)材料的不足。石墨 締具備極佳的導熱性，由石墨締和Al/SiC復合形成的電子封裝材料，不僅保持各自的性能 優(yōu)勢，大幅度提高了材料的導熱性能，而且在制造工藝和焊接性能有了明顯改善，將有望成 為新一代電子封裝材料。

【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明提供一種線膨脹系數(shù)可控高導熱可焊電子封裝材料，是通過將一定比例氧 化石墨締、SiC和侶合金粉末的進行混合，再經過熱物理燒結制備而成。采用本發(fā)明可制備 出密度低于3.1g/cm3,導熱率大于180W/(m-K)的輕質電子封裝材料，從而大幅度提高我國 有源相控陣雷達等軍用電子設備的綜合性能。
[0007] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用W下技術方案：
[0008] -種電子封裝材料，由基體和增強體組成，所述基體包括侶和侶合金粉末，所述增 強體包括氧化石墨締和SiC顆粒，按照質量百分比計，所述氧化石墨締為0.5 %~3%，所述 SiC顆粒為35%~65 %，余量為侶合金粉末，所述侶合金粉末含50%Al-Si和50%A1合金粉 〇
[0009] -種電子封裝材料的第一優(yōu)選方案，A^Si合金粉末中Si的含量為30%~50%。
[0010] 一種電子封裝材料的第二優(yōu)選方案，A^Si合金粉末中Si的含量為35%~45%。
[0011] 一種電子封裝材料的第Ξ優(yōu)選方案，A^Si合金粉末中Si的含量為40%。
[0012] -種電子封裝材料的第四優(yōu)選方案，氧化石墨締為1%~2%，所述SiC顆粒為40% ~60%。
[0013] -種電子封裝材料的第五優(yōu)選方案，氧化石墨締為1.5%，所述SiC顆粒為50%。
[0014] -種電子封裝材料的制備方法包括如下步驟：
[0015] (1)制備混合粉末；
[0016] (2)制備包套；
[0017] (3)物理燒結。
[0018] -種電子封裝材料的制備方法的第一優(yōu)選方案，步驟（1)依次采用濕法混合和干 法混合。
[0019] -種電子封裝材料的制備方法的第二優(yōu)選方案，濕法混合時間為4~14h，攬拌速 度為10~30轉/分鐘;所述干法混合時間為4~14h，攬拌速度為10~30轉/分鐘。
[0020] 一種電子封裝材料的制備方法的第Ξ優(yōu)選方案，濕法混合時間為lOh，攬拌速度為 20轉/分鐘;所述干法混合時間為化，攬拌速度為20轉/分鐘。
[0021] -種電子封裝材料的制備方法的第四優(yōu)選方案，步驟(2)的材料為LF21侶合金。
[0022] -種電子封裝材料的制備方法的第五優(yōu)選方案，步驟（3)中物理燒結的壓力為 90MPa~300MPa，溫度為400°C~500°C，時間為30分鐘~2小時。
[0023] 一種電子封裝材料的制備方法的第六優(yōu)選方案，壓力為200M化，溫度為470°C，時 間為1.5小時。
[0024] 與最接近的現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)異效果如下：
[0025] 1、材料設計性強，可根據(jù)需要制備系列產品。本發(fā)明采用粉末冶金方式，可實現(xiàn)材 料各項物理性能，特別是線膨脹系數(shù)可根據(jù)材料組成進行設計。
[0026] 2、焊接性能好。本發(fā)明制備的電子封裝材料，通過調節(jié)SiC顆粒尺寸，侶合金粉末 成分，W及在材料加入石墨締材料，使得采用本發(fā)明所述制備方法獲得的電子封裝材料不 僅具備SiC/Al基復合電子封裝材料導熱系數(shù)高和成本低廉的優(yōu)點，同時改變了 W往SiC/Al 基復合電子封裝材料機加工困難、難W焊接的缺點，使其特別適合目前我國電子工業(yè)工藝 現(xiàn)狀，對改善我國有源相控陣雷達等軍用電子器件的可靠性及集成化程度有重要意義，達 到國際領先水平
[0027] 3、生產成本低，容易實現(xiàn)工業(yè)化制備，同時操作工藝簡便，利于生產控制。因此，本 發(fā)明采用低成本的碳化娃顆粒侶基電子封裝復合材料用于航空航天微波等電子器件及模 塊的封裝殼體或底座，不僅會產生顯著的軍事效益，還將帶來可觀的經濟效益和社會效益。
【具體實施方式】
[0028]下面將結合實施例，對本發(fā)明的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的 實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普 通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的 范圍。
[00巧]按質量分數(shù)計，氧化石墨締為0.5%~3%，SiC顆粒為35%~65%，余量為侶合金 粉末，侶合金粉末含50 % Al-Si和50 % A1合金粉末。制備步驟如下：
[0030] (1)制備氧化石墨締的乙醇溶液:將1體積的氧化石墨締和10體積的乙醇混合并用 超聲分散；
[0031] (2)將制備的氧化石墨締乙醇溶液，SiC顆粒，Al-Si侶合金粉末加入V型混料設備 中進行濕法混合，混合10小時，轉速20轉/分鐘；
[0032] (3)將上述獲得的混合粉末進行烘干，烘干后倒入V型混料設備中進行干法混合， 混合8小時，轉速20轉/分鐘。
[0033] (4)采用2mm厚侶合金制備〇230mmX 200mm包套，總裝粉重量控制在14公斤~15公 斤。
[0034] (5)將混合好的粉末裝入包套中，要求粉末振實密度達到大于1.7g/cm3。
[0035] (6)將裝好包套的粉末進行物理燒結，壓力為200MPa，溫度470°C，時間1.5小時。
[0036] 不同成分電子封裝材料主要性能見表1，表中的百分含量均為質量分數(shù)。
[0037] 表1不同成分電子封裝材料主要性能對比 [00；3 引
[0039] 表1的數(shù)據(jù)說明本發(fā)明方法制備的電子封裝材料低密度、高散熱系數(shù)，線膨脹系數(shù) 可控和易于焊接。
[0040] W上實施例僅用W說明本發(fā)明的技術方案而非對其限制，所屬領域的普通技術人 員應當理解，參照上述實施例可W對本發(fā)明的【具體實施方式】進行修改或者等同替換，運些 未脫離本發(fā)明精神和范圍的任何修改或者等同替換均在申請待批的權利要求保護范圍之 內。
【主權項】
1. 一種電子封裝材料，由基體和增強體組成，所述基體包括鋁和鋁合金粉末，所述增強 體包括氧化石墨稀和SiC顆粒，其特征在于，按照質量百分比計，所述氧化石墨稀為0.5 %~ 3%，所述SiC顆粒為35%~65 %，余量為鋁合金粉末，所述鋁合金粉末含50%Al-Si和50% A1合金粉末。2. 根據(jù)權利要求1所述的一種電子封裝材料，其特征在于，所述Al-Si合金粉末中Si的 含量為30%~50%。3. 根據(jù)權利要求2所述的一種電子封裝材料，其特征在于，所述Al-Si合金粉末中Si的 含量為35%~45%。4. 根據(jù)權利要求3所述的一種電子封裝材料，其特征在于，所述所述Al-Si合金粉末中 Si的含量為40 %。5. 根據(jù)權利要求1所述的一種電子封裝材料，其特征在于，所述氧化石墨烯為1 %~ 2%，所述SiC顆粒為40%~60%。6. 根據(jù)權利要求5所述的一種電子封裝材料，其特征在于，所述氧化石墨烯為1.5%，所 述3丨(：顆粒為50%。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子封裝材料，由基體和增強體組成，基體包括鋁合金，增強體包括氧化石墨烯和SiC顆粒，按照質量百分比計，氧化石墨烯為0.5％～3％，SiC顆粒為35％～65％，余量為鋁合金粉末；鋁合金粉末為50％Al-Si合金粉末和50％Al合金粉末。采用本發(fā)明可制備出密度低于3.1g/cm3，導熱率大于180W/(m·K)的輕質電子封裝材料，從而大幅度提高軍用電子設備的綜合性能，適用于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領域的軍用功率混合電路，微波管的載體、多芯片組件的熱沉和超大功率模塊封裝材料的生產制備。
【IPC分類】H01L23/373, C22C1/10, C22C30/00, C22C1/05, C22C29/06, C22C21/00, C22C32/00
【公開號】CN105506402
【申請?zhí)枴緾N201510971835
【發(fā)明人】李炯利, 王旭東, 王勝強, 羅傳彪, 武岳
【申請人】中國航空工業(yè)集團公司北京航空材料研究院
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年12月22日