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      一種用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液及其制備方法

      文檔序號(hào):10467962閱讀:560來源:國(guó)知局
      一種用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液及其制備方法
      【專利摘要】本發(fā)明屬于退鍍液技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液及其制備方法,其中用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液的組分和重量百分比為:硝酸10?17%、硝酸鐵5?15%、甲基磺酸5?20%、緩蝕劑1?5%,其余為去離子水。本發(fā)明的化學(xué)退鍍液對(duì)錫有良好的腐蝕效果而對(duì)基材不會(huì)有很大的破壞,硝酸濃度低,不產(chǎn)生黃煙,對(duì)環(huán)境比較友好。
      【專利說明】
      一種用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001] 本發(fā)明涉及退鍍液技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種退鍍過程快而不損傷基材的用于半導(dǎo) 體制程的化學(xué)退鍍液及其制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 半導(dǎo)體封裝后電鍍錫后檢測(cè)往往會(huì)發(fā)現(xiàn)電鍍錫漏銅、溢料殘留、清洗不凈導(dǎo)致鍍 錫變色等。這些異常產(chǎn)生的原因往往是由于前制程或清洗出現(xiàn)異常導(dǎo)致的。當(dāng)出現(xiàn)此類問 題時(shí)就需要使用化學(xué)退鍍液來進(jìn)行退鍍。傳統(tǒng)的化學(xué)退鍍液一般有兩個(gè)體系:
      [0003] -、氫氟酸-雙氧水體系,由于氫氟酸屬于高度危害毒物,所以這類配方基本被淘 汰;
      [0004] 二、硝酸體系,一般采取硝酸(68% )質(zhì)量百分比在35-60 %,也存在問題,在退鍍過 程中容易產(chǎn)黃煙對(duì)生產(chǎn)工人的健康嚴(yán)重影響,退鍍的進(jìn)行過程中溶液溫度快速升高退鍍過 程難以控制,對(duì)銅以及和銅合金、FeNi合金基材會(huì)造成嚴(yán)重?fù)p傷,溶錫量低易產(chǎn)生沉淀。
      [0005] 因此,有必要提供一種新的化學(xué)退鍍液來解決上述問題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種退鍍過程快而不損傷基材的用于半導(dǎo)體制程的 化學(xué)退鍍液及其制備方法。
      [0007] 本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)上述目的:一種用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液,包 括硝酸、硝酸鐵、甲基磺酸、緩蝕劑以及去離子水,其各組分質(zhì)量百分比為:硝酸10-17%、硝 酸鐵5-15%、甲基磺酸5-20%、緩蝕劑1-5%,其余為去離子水。
      [0008] 具體的,所述硝酸鐵的質(zhì)量百分比為8-12%。
      [0009] 具體的,所述甲基磺酸的質(zhì)量百分比為10-17 %。
      [0010] 具體的,所述緩蝕劑的質(zhì)量百分比為2-4%。
      [0011] 具體的,所述化學(xué)退鍍液還包括質(zhì)量百分比0-5%的硝酸穩(wěn)定劑。
      [0012] -種用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液的制備方法,包括如下步驟:
      [0013] ①在容器中加入30%的去離子水;
      [0014]②按配比加入緩蝕劑,加熱至50°C,恒溫?cái)嚢?0min;
      [0015]③按配比加入硝酸穩(wěn)定劑,攪拌30min;
      [0016] ④待溫度降低至室溫后,按配比依次加入硝酸鐵、甲基磺酸和硝酸,繼續(xù)攪拌至回 到室溫;
      [0017] ⑤補(bǔ)水至所需量,完成后攪拌60min,即可。
      [0018] 采用上述技術(shù)方案,本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是:
      [0019] 1、本發(fā)明的化學(xué)退鍍液對(duì)錫有良好的腐蝕效果而對(duì)基材不會(huì)有很大的破壞;
      [0020] 2、硝酸濃度低,不產(chǎn)生黃煙,對(duì)環(huán)境比較友好;
      [0021] 3、加入了硝酸穩(wěn)定劑后,硝酸不易分解損失,使用壽命久。
      【具體實(shí)施方式】
      [0022] -種用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液的制備方法,包括如下步驟:
      [0023]①在容器中加入30%的去離子水;
      [0024]②按配比加入緩蝕劑,加熱至50°C,恒溫?cái)嚢?0min;
      [0025]③按配比加入硝酸穩(wěn)定劑,攪拌30min;
      [0026]④待溫度降低至室溫后,按配比依次加入硝酸鐵、甲基磺酸和硝酸,繼續(xù)攪拌至回 到室溫;
      [0027]⑤補(bǔ)水至所需量,完成后攪拌60min,即可。
      [0028] 下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
      [0029] 實(shí)施例1
      [0030] ①在容器中加入30%的去離子水;
      [0031]②加入1%緩蝕劑,加熱至50°C,恒溫?cái)嚢?0min;
      [003 2 ]③加入5 %硝酸穩(wěn)定劑,攪拌3 0m i n;
      [0033]④待溫度降低至室溫后,依次加入硝酸鐵5%、甲基磺酸5%和含硝酸68%的濃硝 酸15%,繼續(xù)攪拌至回到室溫;
      [0034]⑤補(bǔ)水至所需量,完成后攪拌60min,即可。
      [0035] 實(shí)施例2-6
      [0036] 按表1中指定的各組分質(zhì)量百分比重復(fù)實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1的方法,得到不同配比的化學(xué) 退鍍液(略去去離子水)。
      [0037] 表1:
      [0040]實(shí)施例1-6制得的化學(xué)鍍銅劑分別對(duì)鍍錫產(chǎn)品進(jìn)行退鍍,并用普通硝酸系化學(xué)退 鍍液作為對(duì)照例,進(jìn)行測(cè)試。
      [0041 ]檢測(cè)方法為:
      [0042] ①基材腐蝕率:將未鍍錫基板浸入化學(xué)退鍍液60min,稱量前后基材質(zhì)量損失;
      [0043] ②溶錫量:取1L化學(xué)退鍍液,將純錫完全浸入直到反應(yīng)完全,稱量前后純錫質(zhì)量損 失;
      [0044] ④穩(wěn)定性:將化學(xué)退鍍液置于40°C環(huán)境下靜置,測(cè)量硝酸有效濃度降低到1 %的天 數(shù)。
      [0045] 表2:
      [0047] 由表2可知,相比于對(duì)照例,本發(fā)明對(duì)錫有良好的腐蝕效果而對(duì)基材不會(huì)有很大的 破壞,而在硝酸穩(wěn)定劑的保護(hù)下可以久置而硝酸不易分解,使用壽命久。
      [0048] 因?yàn)橄跛釢舛容^低,因此在退鍍過程中不會(huì)產(chǎn)生黃煙,對(duì)環(huán)境比較友好。
      [0049] 以上所述的僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不 脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范 圍。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 一種用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液,其特征在于:包括硝酸、硝酸鐵、甲基磺酸、緩蝕 劑以及去離子水,其各組分質(zhì)量百分比為:硝酸10-17%、硝酸鐵5-15%、甲基磺酸5-20%、 緩蝕劑1-5%,其余為去離子水。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液,其特征在于:所述硝酸鐵的質(zhì) 量百分比為8-12%。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液,其特征在于:所述甲基磺酸的 質(zhì)量百分比為10-17%。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液,其特征在于:所述緩蝕劑的質(zhì) 量百分比為。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液,其特征在于:還包括質(zhì)量百分 比0-5 %的硝酸穩(wěn)定劑。6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5所述的任意一種用于半導(dǎo)體制程的化學(xué)退鍍液的制備方法,其特 征在于包括以下步驟: ① 在容器中加入30 %的去離子水; ② 按配比加入緩蝕劑,加熱至50°C,恒溫?cái)嚢?0min; ③ 按配比加入硝酸穩(wěn)定劑,攪拌30min; ④ 待溫度降低至室溫后,按配比依次加入硝酸鐵、甲基磺酸和硝酸,繼續(xù)攪拌至回到室 溫; ⑤ 補(bǔ)水至所需量,完成后攪拌60min,即可。
      【文檔編號(hào)】C23F1/16GK105821411SQ201610286324
      【公開日】2016年8月3日
      【申請(qǐng)日】2016年5月4日
      【發(fā)明人】胡青華
      【申請(qǐng)人】昆山艾森半導(dǎo)體材料有限公司
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