半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。具體地，該方法包括：(1)提供襯底，所述襯底是由玻璃形成的；以及(2)在所述襯底的上表面通過濺射沉積，形成第一氮化物半導(dǎo)體層，以便獲得所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一氮化物半導(dǎo)體層具有晶體擇優(yōu)取向。由此，可以降低制備成本，簡化制備工藝，并在玻璃襯底上獲得具有晶體擇優(yōu)取向的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。具有晶體擇優(yōu)取向的氮化物半導(dǎo)體層有利于誘導(dǎo)后續(xù)在其上形成的其他氮化物結(jié)構(gòu)，使其也具有晶體擇尤取向。
【專利說明】
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)以及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體而言，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，氮化鋁、氮化鎵等氮化物半導(dǎo)體材料由于具有較為優(yōu)異的性能，被廣泛應(yīng)用于光電器件的制備。對于太陽能電池或者發(fā)光二極管(LED)等器件而言，如利用玻璃作為襯底材料，既可利用玻璃的透光性，又可利用玻璃襯底的低成本特征，因此具有良好的應(yīng)用前景。然而，對于性能較好的太陽能電池或者LED來說，其中的氮化物半導(dǎo)體材料一般要求為單晶或者晶體取向一致性好的多晶，即其中的晶體具有擇優(yōu)取向。
[0003]然而，目前基于玻璃襯底制備氮化物半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體技術(shù)仍有待改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]發(fā)明人經(jīng)過深入研究發(fā)現(xiàn)，對于含有氮化鋁或氮化鎵等氮化物半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，為了使氮化物半導(dǎo)體材料形成一定的晶體擇優(yōu)取向，通常需要采用具有一定晶體擇優(yōu)取向的襯底，如硅襯底。而硅襯底不能兼顧太陽能電池或者發(fā)光二極管對于透光性的要求，且與玻璃相比，成本較高。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，通過合適的濺射沉積工藝，可以在玻璃上制備出具有晶體擇優(yōu)取向的氮化物半導(dǎo)體薄膜。從而可以降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備成本，并將其用于制備高性能的太陽能電池、發(fā)光二極管等半導(dǎo)體器件。
[0005]本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，該方法采用濺射沉積的方法，通過對濺射條件的控制，能夠形成具有晶體擇優(yōu)取向的氮化物半導(dǎo)體層。與利用分子束外延生長技術(shù)以及金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積技術(shù)相比，濺射沉積具有成本低廉、操作簡單等優(yōu)點。
[0006]在本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提出了一種制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括:
(I)提供襯底，所述襯底是由玻璃形成的；以及(2)在所述襯底的上表面通過濺射沉積，形成第一氮化物半導(dǎo)體層，以便獲得所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一氮化物半導(dǎo)體層具有晶體擇優(yōu)取向。由此，可以降低制備成本，簡化制備工藝，并在玻璃襯底上獲得具有晶體擇優(yōu)取向的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。具有晶體擇優(yōu)取向的氮化物半導(dǎo)體層有利于誘導(dǎo)后續(xù)在其上形成的其他氮化物結(jié)構(gòu)，使其也具有晶體擇優(yōu)取向。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的實施例，步驟(2)進(jìn)一步包括:通過濺射沉積在所述襯底的上表面形成氮化物混合體，對所述氮化物混合體進(jìn)行第一退火處理，以便獲得所述第一氮化物半導(dǎo)體層。由此，可以進(jìn)一步簡化濺射沉積過程的制備工藝，降低對沉積設(shè)備的要求，從而可以進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的實施例，該方法進(jìn)一步包括:(3)在所述第一氮化物半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成的第二氮化物半導(dǎo)體層，所述第二氮化物半導(dǎo)體層具有晶體擇優(yōu)取向。由此，可以利用第一氮化物半導(dǎo)體層的晶體擇優(yōu)取向，提高第二氮化物半導(dǎo)體層的質(zhì)量。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的實施例，(4)對所述襯底、所述第一氮化物半導(dǎo)體層以及所述第二氮化物半導(dǎo)體層進(jìn)行第二退火處理。由此，可以通過第二退火處理，進(jìn)一步提高第一氮化物半導(dǎo)體層和/或第二氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一氮化物半導(dǎo)體層含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際需求選擇上述材料形成第一氮化物半導(dǎo)體層，由此，可以進(jìn)一步提高該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
[0011 ]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二氮化物半導(dǎo)體層含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一，所述第二氮化物半導(dǎo)體層組成與所述第一氮化物半導(dǎo)體層的組成不相同。由此，可以進(jìn)一步提高該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述濺射沉積為磁控濺射沉積或離子束濺射沉積。利用磁控濺射或者離子束濺射可以較好地控制沉積速率以及沉積的第一氮化物半導(dǎo)體層的晶體結(jié)構(gòu)，從而有利于形成具有晶體擇優(yōu)取向的氮化物半導(dǎo)體層。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述濺射沉積為脈沖式濺射沉積或離子束輔助濺射沉積。由此，可以利用脈沖式濺射沉積或離子束輔助濺射沉積控制沉積的速率，提高獲得的第一氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述濺射沉積的濺射速率小于10nm/小時。當(dāng)濺射速率小于上述數(shù)值時，能夠顯著提高濺射沉積獲得的第一氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量，進(jìn)而可以進(jìn)一步提高該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一退火處理以及第二退火處理的溫度分別獨立地為600?1200攝氏度。由此，可以進(jìn)一步提高第一氮化物半導(dǎo)體層以及第二氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的實施例，步驟(2)中，所述濺射沉積時襯底溫度不小于300攝氏度。由此，可以簡便地通過對襯底進(jìn)行加熱，獲得具有晶體擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層，從而可以降低沉積步驟對設(shè)備的要求，簡化制備工藝，降低生產(chǎn)成本。
[0017]在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底，所述襯底是由玻璃形成的；和第一氮化物半導(dǎo)體層，所述第一氮化物半導(dǎo)體層形成在所述襯底的上表面且具有晶體擇優(yōu)取向。具有晶體擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層有利于提高該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能，并且能夠誘導(dǎo)其上形成的結(jié)構(gòu)的結(jié)晶情況，使其也具有晶體的擇優(yōu)取向，從而有利于后續(xù)利用該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)構(gòu)成太陽能電池或發(fā)光二極管等結(jié)構(gòu)。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一氮化物半導(dǎo)體層(0002)晶面的XRD衍射峰的半高寬小于5度。控制XRD衍射峰的半高寬有利于提高該第一氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一氮化物半導(dǎo)體層含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際需求選擇第一氮化物半導(dǎo)體層的具體材料，由此，可以進(jìn)一步提高該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:第二氮化物半導(dǎo)體層，所述第二氮化物半導(dǎo)體層形成在所述第一氮化物半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。由此，可以利用具有晶體擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層誘導(dǎo)第二氮化物半導(dǎo)體層的形成，從而可以提高第二氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二氮化物半導(dǎo)體層含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一，所述第二氮化物半導(dǎo)體層組成與所述第一氮化物半導(dǎo)體層的組成不相同。由此，可以進(jìn)一步提高該半導(dǎo)體器件的性能。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一氮化物半導(dǎo)體層是通過濺射沉積形成的。由此，可以在保證第一氮化物半導(dǎo)體層質(zhì)量的同時，降低制備成本，簡化制備工藝。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一氮化物半導(dǎo)體層以及第二氮化物半導(dǎo)體層的至少之一是通過濺射沉積和退火處理形成的。由此，可以進(jìn)一步簡化濺射沉積過程的制備工藝，降低對沉積設(shè)備的要求，從而可以進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述濺射沉積為磁控濺射沉積或離子束濺射沉積。利用磁控濺射或者離子束濺射可以較好地控制沉積速率以及沉積形成的晶體結(jié)構(gòu)，從而有利于形成具有晶體擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述濺射沉積為脈沖式濺射沉積或離子束輔助濺射沉積。由此，可以利用脈沖式濺射沉積或者離子束輔助濺射沉積控制沉積的速率，提高獲得的第一氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述濺射沉積時襯底溫度大于300攝氏度。由此，可以提高第一氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述濺射沉積的濺射速率小于10nm/小時。當(dāng)濺射速率小于上述數(shù)值時，能夠顯著提高濺射沉積獲得的第一氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量，進(jìn)而可以進(jìn)一步提高該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
【附圖說明】
[0028]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；
[0029]圖2是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；
[0030]圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0031]圖4是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0032]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0033]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0034]在本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提出了一種制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。通常，采用濺射的方法很難形成晶體擇優(yōu)取向，尤其是在玻璃襯底上，一般多形成多晶或無定形結(jié)構(gòu)。發(fā)明人經(jīng)過深入研究以及大量實驗發(fā)現(xiàn)，通過降低濺射速率、提高濺射時襯底溫度等方式，或者通過后續(xù)退火處理，可以有效改善濺射形成的氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶質(zhì)量，從而實現(xiàn)利用濺射獲得晶體擇優(yōu)取向。此過程中利用了氮化物半導(dǎo)體晶體在外延生長時生長速度的各向異性，即氮化物半導(dǎo)體薄膜在沉積時，某些晶向的沉積生長速度明顯快于其它晶面，且在高溫濺射沉積和退火過程中氮化物半導(dǎo)體材料有明顯的晶體再結(jié)晶作用，具有擇優(yōu)取向的大晶粒不斷長大，使得非擇優(yōu)取向的小晶粒越來越少甚至完全消失。本發(fā)明中，“晶體的擇優(yōu)取向”是指晶體具有擇優(yōu)取向性，即第一氮化物半導(dǎo)體層以及第二氮化物半導(dǎo)體層中一定范圍內(nèi)的晶體取向趨于一致，其中也包括單晶(晶體中各處取向完全一致)。具體地，根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考圖1，該方法包括:
[0035]SlOO:提供襯底
[0036]根據(jù)本發(fā)明的實施例，襯底可以是由玻璃形成的。例如，根據(jù)本發(fā)明的實施例，襯底可以由常規(guī)的非石英玻璃形成，也可以由石英玻璃形成。由玻璃形成的襯底加工方便，材料來源廣泛且成本低廉，有利于降低利用該方法制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的成本，并且，玻璃襯底具有透光性，在玻璃襯底上制備太陽能電池或者發(fā)光二極管等半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有利于光的傳輸。例如，襯底可以為康寧玻璃或者石英玻璃，并切割成適當(dāng)?shù)某叽?。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，為了提高制備的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的質(zhì)量，在進(jìn)行后續(xù)步驟之前，可以對襯底進(jìn)行清洗，以便除去襯底表面的油脂、灰塵等雜質(zhì)，從而可以提高后續(xù)步驟的沉積效果。
[0037]S200:形成第一氮化物半導(dǎo)體層
[0038]根據(jù)本發(fā)明的實施例，在該步驟中，在襯底的上表面通過濺射沉積，形成第一氮化物半導(dǎo)體層。由此，可以降低制備成本，簡化制備工藝，并獲得具有晶體擇優(yōu)取向的氮化物半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)。
[0039]下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例對濺射沉積過程進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一氮化物半導(dǎo)體層可以含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一。上述氮化物半導(dǎo)體材料具有良好的物化性能，適于制備半導(dǎo)體光電器件。例如，根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以采用AlN形成第一氮化物半導(dǎo)體層。采用AlN形成的第一氮化物半導(dǎo)體層，不僅可以利用AlN材料具有的寬帶隙、良好的紫外光透過率以及高擊穿場強(qiáng)等性能，提高形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能，還可以作為后續(xù)生長其他氮化物半導(dǎo)體材料(第二氮化物半導(dǎo)體層)的良好基底，因為與玻璃等材料的襯底相比，AlN與其余氮化物半導(dǎo)體材料具有很好的晶格匹配特性。
[0041]具體地，根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以采用磁控濺射沉積或離子束濺射沉積形成第一氮化物半導(dǎo)體層。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，濺射沉積的速率對形成的第一氮化物半導(dǎo)體層的晶體結(jié)構(gòu)具有重要影響。濺射沉積速度慢有利于形成具有晶體擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層。利用磁控濺射或者離子束濺射可以較好地控制沉積速率，從而可以控制沉積的氮化物半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，形成具有晶體擇優(yōu)取向而非混亂排布的多晶的第一氮化物半導(dǎo)體層。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的實施例，濺射沉積還可以為脈沖式濺射沉積或離子束輔助濺射沉積。脈沖式濺射沉積由于采用了脈沖電源代替直流電源進(jìn)行濺射沉積，可以有效控制沉積速度，增強(qiáng)沉積原子的迀移，促進(jìn)晶體擇優(yōu)取向的形成;采用離子束輔助濺射沉積，利用離子束輔助轟擊沉積基片(即康寧玻璃或者石英襯底)，可以提高沉積凝聚粒子的能量以及穩(wěn)定性，同時消除沉積表面的缺陷及非擇優(yōu)取向的晶粒，有利于提高沉積形成的氮化物半導(dǎo)體層的質(zhì)量，形成具有擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層。具體地，根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以控制濺射沉積的濺射速率小于10nm/小時，優(yōu)選地，控制濺射沉積的濺射速率小于30nm/小時。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，當(dāng)濺射速率小于上述數(shù)值時，能夠形成結(jié)晶質(zhì)量較高的第一氮化物半導(dǎo)體層，沉積速率越低，則獲得的晶體的擇優(yōu)取向越好。在上述條件下形成的第一氮化物半導(dǎo)體層(0002)晶面的XRD衍射峰的半高寬可以小于5度。由此，可以利用脈沖式濺射沉積或者離子束輔助濺射沉積提高獲得的氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，對于常規(guī)的磁控濺射來說，沉積第一氮化物半導(dǎo)體時其沉積速率很容易達(dá)到100nm/小時甚至更高，此時很難獲得具有擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層，往往需要利用脈沖磁控濺射或者離子束輔助濺射沉積工藝，將其沉積速率大幅度降低至10nm/小時以下，則能夠獲得具有擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層。
[0042]根據(jù)本發(fā)明的實施例，在該步驟中，可以通過在濺射過程中對襯底進(jìn)行加熱，形成具有晶體擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，濺射沉積的襯底溫度對形成的第一氮化物半導(dǎo)體層的晶體結(jié)構(gòu)具有重要影響，襯底溫度越高，則晶體的擇優(yōu)取向性越好。具體地，可以通過加熱使濺射沉積時襯底溫度不小于300攝氏度。發(fā)明人經(jīng)過深入研究以及大量實驗發(fā)現(xiàn)，對于氮化物半導(dǎo)體材料形成的第一氮化物半導(dǎo)體層，當(dāng)沉積時襯底溫度低于300攝氏度時，形成的第一氮化物半導(dǎo)體層多為多晶結(jié)構(gòu)。當(dāng)襯底溫度升高至300?500攝氏度時，有利于使形成的晶體具有擇優(yōu)取向。并且，在上述加熱溫度下進(jìn)行濺射沉積，也不會對玻璃襯底造成影響。由此，可以簡便地通過對襯底進(jìn)行加熱，獲得氮化物半導(dǎo)體層，從而可以降低沉積步驟對設(shè)備的要求，簡化制備工藝，降低生產(chǎn)成本。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，在該步驟中，也可以通過在常溫下對靶材進(jìn)行濺射沉積，例如，進(jìn)行磁控濺射，襯底不加熱，在襯底的上表面沉積形成具有多晶或非晶結(jié)構(gòu)的氮化物混合體。需要說明的是，在本發(fā)明中，術(shù)語“氮化物混合體”特指常溫或低溫下對靶材進(jìn)行濺射沉積形成的、具有多晶結(jié)構(gòu)，但無較好的擇優(yōu)取向，即晶格取向不趨于一致的結(jié)構(gòu)。然后，對形成的氮化物混合體進(jìn)行第一退火處理，使其轉(zhuǎn)化為具有擇優(yōu)取向的晶體結(jié)構(gòu)，從而可以提高氮化物混合體的結(jié)晶質(zhì)量，獲得氮化物半導(dǎo)體層。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，退火的時間越長，則氮化物半導(dǎo)體層的晶體質(zhì)量越好。由此，可以簡便地通過退火獲得氮化物半導(dǎo)體層，有利于進(jìn)一步降低沉積步驟對設(shè)備的要求，簡化制備工藝，降低生產(chǎn)成本。根據(jù)本發(fā)明的再一些實施例，在該步驟中，還可以通過在高溫下對靶材進(jìn)行濺射沉積，例如，在磁控濺射的過程中對襯底加熱，可以使襯底溫度為300-500攝氏度左右，在襯底的上表面沉積形成具有晶體擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層，隨后對形成的第一氮化物半導(dǎo)體層進(jìn)行第一退火處理，從而可以進(jìn)一步改善第一氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量，獲得高質(zhì)量的具有晶體擇優(yōu)取向甚至高質(zhì)量的單晶結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，第一退火處理的溫度可以為600?1200攝氏度。根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，第一退火處理的溫度還可以為800?1000攝氏度。由此，可以進(jìn)一步提高第一氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，當(dāng)需要對第一氮化物半導(dǎo)體層進(jìn)行退火處理時，需要使用耐高溫的玻璃作為襯底。
[0044]根據(jù)本發(fā)明的實施例，為了進(jìn)一步提高利用上述方法制備的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能，根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考圖2，該方法還可以進(jìn)一步包括:
[0045]S300:形成第二氮化物半導(dǎo)體層
[0046]根據(jù)本發(fā)明的實施例，在該步驟中，在第一氮化物半導(dǎo)體層的上表面形成第二氮化物半導(dǎo)體層。也即是說，在第一氮化物半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)形成第二氮化物半導(dǎo)體層。具體的，第二氮化物半導(dǎo)體層可以含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一。第二氮化物半導(dǎo)體層組成與第一氮化物半導(dǎo)體層的組成不相同。由于第一氮化物半導(dǎo)體層具有較好的晶體擇優(yōu)取向，因此在第一氮化物半導(dǎo)體層上形成第二氮化物半導(dǎo)體層時，能夠?qū)Φ诙锇雽?dǎo)體層起到誘導(dǎo)作用，使形成的第二氮化物半導(dǎo)體層中的晶格排列也具有擇優(yōu)取向性。并且，由于第一氮化物半導(dǎo)體層與第二氮化物半導(dǎo)體層均為氮化物半導(dǎo)體材料形成的，因此在第一氮化物半導(dǎo)體層之上形成第二氮化物半導(dǎo)體層，與直接在玻璃襯底上形成第二氮化物半導(dǎo)體層相比，兩層結(jié)構(gòu)之間的晶格匹配程度更好，由此，可以優(yōu)化該方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
[0047]需要說明的是，在該步驟中，形成第二氮化物半導(dǎo)體層的具體方法不受特別限制。例如，可以采用濺射沉積以及退火形成具有擇優(yōu)取向的第二氮化物半導(dǎo)體層，或直接通過高溫濺射沉積形成，也可以利用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積工藝形成。
[0048]為了進(jìn)一步改善該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中各層的晶體擇優(yōu)取向，參考圖2，該方法可以進(jìn)一步包括:
[0049]S400:第二退火
[0050]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，還可以在形成第二氮化物半導(dǎo)體層之后，對襯底、第一氮化物半導(dǎo)體層以及第二氮化物半導(dǎo)體層進(jìn)行第二退火處理。具體地，根據(jù)本發(fā)明的實施例，第二退火處理的溫度可以為600?1200攝氏度。根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，第二退火處理的溫度還可以為800?1000攝氏度。由此，可以進(jìn)一步提高第一氮化物半導(dǎo)體層和第二氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量，改善其晶體擇優(yōu)取向。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，當(dāng)需要進(jìn)行上述第二退火處理時，需要使用耐高溫的玻璃作為襯底。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，長時間的退火處理可以使第一氮化物半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層再結(jié)晶，形成晶體的擇優(yōu)取向。因此，對上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二退火處理有利于提高氮化物半導(dǎo)體材料的結(jié)晶質(zhì)量。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，也可以利用濺射的方法首先在玻璃襯底上形成不具有擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層以及第二氮化物半導(dǎo)體層，再利用長時間的第二退火處理來使第一氮化物半導(dǎo)體層和第二氮化物半導(dǎo)體層形成晶體的擇優(yōu)取向，此種情況也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。需要說明的是，在本發(fā)明中，“長時間的第二退火處理”中，第二退火處理的具體時間不受特別限制，只要能夠形成具有晶體擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層和第二氮化物半導(dǎo)體層，或者能夠提高上述結(jié)構(gòu)的晶體結(jié)晶質(zhì)量即可。根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，第二退火處理的具體時間可以為I?20小時。退火溫度越高，則退火時間可適當(dāng)縮短。
[0051]在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考圖3，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底100以及第一氮化物半導(dǎo)體層200，第一氮化物半導(dǎo)體層200形成在襯底100的上表面上且具有晶體擇尤取向。其中，襯底100可以為玻璃。具有晶體擇優(yōu)取向的氮化物半導(dǎo)體層能夠提高該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能，且可以為后續(xù)在其上形成的其他氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)提供具有較好晶格匹配程度的基底，從而有利于后續(xù)利用該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)構(gòu)成太陽能電池、發(fā)光二極管等電子器件。
[0052]具體地，襯底100可以由常規(guī)的非石英玻璃形成，也可以由石英玻璃形成。上述材料構(gòu)成的襯底100加工方便且成本低廉，有利于降低該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)成本。例如，襯底可以為康寧玻璃或者石英玻璃，并切割成適當(dāng)?shù)某叽纭?br>[0053]根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一氮化物半導(dǎo)體層200是通過濺射沉積形成的。第一氮化物半導(dǎo)體層200的具體組成可以具有與前面描述的制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法中的第一氮化物半導(dǎo)體層相同的特征以及優(yōu)點，在此不再贅述。例如，第一氮化物半導(dǎo)體層200可以含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一。根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，可以采用AlN形成第一氮化物半導(dǎo)體層。通常，采用濺射的方法很難形成晶體擇優(yōu)取向結(jié)構(gòu)，一般多形成多晶或無定形結(jié)構(gòu)。發(fā)明人經(jīng)過深入研究以及大量實驗發(fā)現(xiàn)，通過降低濺射速率、提高濺射時襯底溫度等方式，或者通過后續(xù)退火處理，改善濺射形成的氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶質(zhì)量，可以實現(xiàn)利用濺射沉積在玻璃襯底上獲得晶體擇優(yōu)取向結(jié)構(gòu)。由此，可以在保證氮化物半導(dǎo)體層質(zhì)量的同時，降低制備成本，簡化制備工藝。具體地，可以通過脈沖式濺射沉積形成第一氮化物半導(dǎo)體層200。具體地，可以采用磁控濺射沉積或離子束濺射沉積形成第一氮化物半導(dǎo)體層200。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，濺射沉積的速率對形成的氮化物半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)具有重要影響。濺射沉積速度慢有利于形成第一氮化物半導(dǎo)體層200。利用磁控濺射或者離子束濺射可以較好地控制沉積速率，從而可以控制沉積的氮化物半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，形成第一氮化物半導(dǎo)體層。具體地，根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以控制濺射沉積的濺射速率小于10nm/小時，優(yōu)選地，控制濺射沉積的濺射速率小于30nm/小時。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，當(dāng)濺射速率小于上述數(shù)值時，能夠形成結(jié)晶質(zhì)量較高的第一氮化物半導(dǎo)體層，沉積速率越低，則獲得的晶體的擇優(yōu)取向越好。根據(jù)本發(fā)明的實施例，濺射沉積還可以為脈沖式濺射沉積或離子束輔助濺射沉積。脈沖式濺射沉積由于采用了脈沖電源代替直流電源進(jìn)行濺射沉積，可以有效控制沉積速度，增強(qiáng)沉積原子的迀移，促進(jìn)晶體擇優(yōu)取向的形成;采用離子束輔助濺射沉積，利用離子束輔助轟擊沉積基片(即襯底100)，可以提高沉積凝聚粒子的能量以及穩(wěn)定性，同時消除沉積表面的缺陷及非擇優(yōu)取向的晶粒，有利于提高沉積形成的第一氮化物半導(dǎo)體層200的質(zhì)量。由此，可以利用脈沖式濺射沉積或者離子束輔助濺射沉積提高獲得的第一氮化物半導(dǎo)體層200的結(jié)晶質(zhì)量。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，對于常規(guī)的磁控濺射來說，沉積第一氮化物半導(dǎo)體時其沉積速率很容易達(dá)到100nm/小時甚至更高，此時很難獲得具有擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層，往往需要利用脈沖磁控濺射或者離子束輔助濺射沉積工藝，將其沉積速率大幅度降低至10nm/小時以下，則能夠獲得具有擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層。
[0054]根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以在濺射沉積時對襯底進(jìn)行加熱，使襯底100的溫度大于300攝氏度。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，濺射沉積的襯底溫度對形成的第一氮化物半導(dǎo)體層的晶體結(jié)構(gòu)具有重要影響，襯底溫度越高，則晶體的擇優(yōu)取向性越好。由此，可以提高第一氮化物半導(dǎo)體層200的結(jié)晶質(zhì)量。此處襯底100的溫度與前面描述的制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法中對襯底進(jìn)行加熱的溫度相同，關(guān)于濺射沉積時對襯底進(jìn)行加熱的溫度，前面已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)的描述，在此不再贅述?；蛘撸鶕?jù)本發(fā)明的另一些實施例，第一氮化物半導(dǎo)體層200可以通過濺射沉積和退火處理形成的。具體地，可以在室溫下完成濺射過程，形成氮化物混合體，然后通過第一退火處理，改善氮化物混合體的結(jié)晶質(zhì)量，從而可以獲得具有晶體擇尤取向的第一氮化物半導(dǎo)體層200。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，第一退火處理的溫度可以為600?1200攝氏度。根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，第一退火處理的溫度還可以為800?1000攝氏度。由此，可以進(jìn)一步提高第一氮化物半導(dǎo)體層的結(jié)晶質(zhì)量。
[0055]根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一氮化物半導(dǎo)體層200的(0002)晶面的XRD衍射峰的半高寬小于5度。由此，可以保證第一氮化物半導(dǎo)體層200具有較好的結(jié)晶質(zhì)量，從而可以降低氮化物半導(dǎo)體材料形成的第一氮化物半導(dǎo)體層200中的缺陷，有利于提高利用該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備的各類半導(dǎo)體器件的使用功能。
[0056]根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考圖4，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還可以進(jìn)一步包括:第二氮化物半導(dǎo)體層300。具體地，第二氮化物半導(dǎo)體層300形成在第一氮化物半導(dǎo)體層200的上表面。也即是說，在第一氮化物半導(dǎo)體層200遠(yuǎn)離襯底100的一側(cè)形成第二氮化物半導(dǎo)體層300。根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，第二氮化物半導(dǎo)體層300可以含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一。第二氮化物半導(dǎo)體層組成與第一氮化物半導(dǎo)體層的組成不相同。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具體應(yīng)用需求，選擇適當(dāng)?shù)牡锇雽?dǎo)體材料形成第二氮化物半導(dǎo)體層300，只要第二氮化物半導(dǎo)體層組成與第一氮化物半導(dǎo)體層的組成不相同即可。由于第一氮化物半導(dǎo)體層200具有較好的晶體擇優(yōu)取向，因此在第一氮化物半導(dǎo)體層200上形成第二氮化物半導(dǎo)體層300時，能夠利用第一氮化物半導(dǎo)體層200的擇優(yōu)取向誘導(dǎo)第二氮化物半導(dǎo)體層300的形成，使形成的第二氮化物半導(dǎo)體層300中的晶格排列也具有擇優(yōu)取向性。此夕卜，與玻璃襯底相比較，第二氮化物半導(dǎo)體層300與第一氮化物半導(dǎo)體層200之間的晶格匹配程度更好，因此在第一氮化物半導(dǎo)體層200之上形成第二氮化物半導(dǎo)體層，有利于提高第二氮化物半導(dǎo)體層300的結(jié)晶質(zhì)量。由此，可以獲得具有擇優(yōu)取向的第二氮化物半導(dǎo)體層300。第二氮化物半導(dǎo)體層300的具體形成方法與前面描述的制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法中形成第二氮化物半導(dǎo)體層300的方法具有相同的特征以及優(yōu)點，在此不再贅述。
[0057]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，第二氮化物半導(dǎo)體層300也可以是通過濺射沉積和退火處理形成的。發(fā)明人經(jīng)過大量實驗發(fā)現(xiàn)，長時間的退火處理可以使氮化物半導(dǎo)體材料再結(jié)晶，形成晶體的擇優(yōu)取向。因此，可以在形成第二氮化物半導(dǎo)體層300之后，對上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二退火處理，以便提高第二氮化物半導(dǎo)體層300以及第一氮化物半導(dǎo)體層200的結(jié)晶質(zhì)量。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，在本發(fā)明中，也可以利用濺射的方法首先在玻璃襯底上形成不具有擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層以及第二氮化物半導(dǎo)體層，再利用長時間的第二退火處理，改善氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶質(zhì)量，形成根據(jù)本發(fā)明實施例的第一氮化物半導(dǎo)體層200和第二氮化物半導(dǎo)體層300。需要說明的是，在本發(fā)明中，“長時間的第二退火處理”中，第二退火處理的具體時間不受特別限制，只要能夠形成具有晶體擇優(yōu)取向的第一氮化物半導(dǎo)體層和第二氮化物半導(dǎo)體層，或者能夠提高其晶體的結(jié)晶質(zhì)量即可。根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，第二退火處理的具體時間可以為I?20小時。退火溫度越高，則退火時間可適當(dāng)縮短。
[0058]需要說明的是，本發(fā)明前面描述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于制備電子器件。由于該電子器件中含有前面描述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，因此該電子器件具有前面描述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的全部特征以及優(yōu)點，在此不再贅述。簡單來說，該電子器件具有制備方法簡便、成本低廉、無需高昂的設(shè)備等優(yōu)點。并且，該電子器件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中具有含有晶體擇優(yōu)取向的氮化物半導(dǎo)體層，從而可以提高該電子器件的整體器件性能。需要說明的是，在本發(fā)明中，電子器件的具體種類不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的具體組成進(jìn)行選擇。例如，第二氮化物半導(dǎo)體層中含有多層氮化物量子阱(包括GaN/InGaN/GaN、AlGaN/InGaN/AlGaN等)時，既可以作為發(fā)光材料應(yīng)用于LED結(jié)構(gòu)也可以作為光吸收層應(yīng)用于太陽能電池。
[0059]下面通過具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行說明，需要說明的是，下面的具體實施例僅僅是用于說明的目的，而不以任何方式限制本發(fā)明的范圍，另外，如無特殊說明，則未具體記載條件或者步驟的方法均為常規(guī)方法，所采用的試劑和材料均可從商業(yè)途徑獲得。其中，生長設(shè)備使用為LAB18磁控濺射儀。
[0060]實施例1:石英玻璃襯底上生長AlN第一氮化物半導(dǎo)體層
[0061]采用石英玻璃作為襯底，Al為濺射靶材，在氮氣氣氛下進(jìn)行沉積。沉積之前預(yù)先對襯底進(jìn)行清洗。
[0062 ]選擇脈沖磁控濺射，濺射功率300W，脈沖電源的占空比為0.05，真空度IE—7torr，濺射氬氣壓1mtorr，襯底溫度450攝氏度，控制生長速度30nm/h左右。獲得氮化物半導(dǎo)體層厚度為30nm。隨后，對濺射獲得的薄膜進(jìn)行氮氣氛下退火處理，退火溫度1000攝氏度，退火時間2小時。
[0063]通過對獲得的AlN的XRD分析表明，其(0002)峰的半高寬為0.5度，說明AlN具有較好的晶體擇優(yōu)取向。
[0064]實施例2:石英玻璃襯底上生長AlN第一氮化物半導(dǎo)體層以及GaN第二氮化物半導(dǎo)體層
[0065]生長AlN第一氮化物半導(dǎo)體層的步驟同實施例1，所不同的是，在利用濺射獲得第一氮化物半導(dǎo)體層之后，繼續(xù)利用脈沖式磁控濺射工藝，GaN為濺射靶材，在氮氣氣氛下進(jìn)行沉積。濺射功率300W，脈沖電源的占空比為0.05，真空度IE—7torr，濺射氬氣壓1mtorr，襯底溫度600攝氏度，控制生長速度30nm/h左右。獲得氮化物半導(dǎo)體層厚度為30nm。隨后，對濺射獲得的薄膜進(jìn)行氮氣氛下退火處理，退火溫度800攝氏度，退火時間2小時。
[0066]通過對獲得的GaN的XRD分析表明，其(0002)峰的半高寬為1.2度，說明GaN具有較好的晶體擇優(yōu)取向。
[0067]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。
[0068]此外，在本發(fā)明中，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。
[0069]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【主權(quán)項】
1.一種制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括: (1)提供襯底，所述襯底是由玻璃形成的；以及 (2)在所述襯底的上表面通過濺射沉積，形成第一氮化物半導(dǎo)體層，以便獲得所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)， 其中，所述第一氮化物半導(dǎo)體層具有晶體擇優(yōu)取向。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)進(jìn)一步包括: 通過濺射沉積在所述襯底的上表面形成氮化物混合體，對所述氮化物混合體進(jìn)行第一退火處理，以便獲得所述第一氮化物半導(dǎo)體層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括； (3)在所述第一氮化物半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成的第二氮化物半導(dǎo)體層，所述第二氮化物半導(dǎo)體層具有晶體擇優(yōu)取向。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括； (4)對所述襯底、所述第一氮化物半導(dǎo)體層以及所述第二氮化物半導(dǎo)體層進(jìn)行第二退火處理。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氮化物半導(dǎo)體層含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二氮化物半導(dǎo)體層含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一，所述第二氮化物半導(dǎo)體層組成與所述第一氮化物半導(dǎo)體層的組成不相同。7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述濺射沉積為磁控濺射沉積或離子束濺射沉積； 任選地，所述濺射沉積為脈沖式濺射沉積或離子束輔助濺射沉積； 任選地，所述濺射沉積的濺射速率小于10nm/小時。8.根據(jù)權(quán)利要求4述的方法，其特征在于，所述第一退火處理以及所述第二退火處理的溫度分別獨立地為600?1200攝氏度。9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，步驟(2)中，所述濺射沉積時襯底溫度不小于300攝氏度。10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 襯底，所述襯底是由玻璃形成的;和 第一氮化物半導(dǎo)體層，所述第一氮化物半導(dǎo)體層形成在所述襯底的上表面且具有晶體擇優(yōu)取向。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一氮化物半導(dǎo)體層(0002)晶面的XRD衍射峰的半高寬小于5度。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一氮化物半導(dǎo)體層含有AlN、GaN、AlGaN 以及 InGaN 的至少之一。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:第二氮化物半導(dǎo)體層，所述第二氮化物半導(dǎo)體層形成在所述第一氮化物半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)； 任選地，所述第二氮化物半導(dǎo)體層含有AlN、GaN、AlGaN以及InGaN的至少之一，所述第二氮化物半導(dǎo)體層組成與所述第一氮化物半導(dǎo)體層的組成不相同。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一氮化物半導(dǎo)體層是通過濺射沉積形成的。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一氮化物半導(dǎo)體層以及第二氮化物半導(dǎo)體層的至少之一是通過濺射沉積和退火處理形成的。16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述濺射沉積為磁控濺射沉積或離子束濺射沉積； 任選地，所述濺射沉積為脈沖式濺射沉積或離子束輔助濺射沉積； 任選地，所述濺射沉積時襯底溫度大于300攝氏度； 任選地，所述濺射沉積的濺射速率小于10nm/小時。
【文檔編號】H01L29/04GK105977136SQ201610366326
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年5月27日
【發(fā)明人】王子巍, 肖磊, 王敬, 梁仁榮
【申請人】清華大學(xué)