半導(dǎo)體em測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法及測(cè)試樣品制備方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于半導(dǎo)體金屬導(dǎo)線電子遷移測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法及其樣品的制備方法。測(cè)試樣品的制備方法包括步驟：1)預(yù)處理及減薄和減寬；2)FIB樣品制備。銅鉭形貌的獲得方法還包括步驟：3)第一次TEM觀察；4)去銅進(jìn)行第二次TEM觀測(cè)。通過(guò)本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法，可以一次制備多個(gè)TEM樣品，并且不需要進(jìn)行樣品提取。而通過(guò)本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法，可以快速得到鉭元素分布圖以及銅形貌來(lái)更好地失效分析，從而解決直接用EDS或者EELS做鉭面掃描不但占用機(jī)臺(tái)大量的時(shí)間，而且長(zhǎng)時(shí)間掃描內(nèi)樣品可能會(huì)發(fā)生一定的漂移，因而無(wú)法真實(shí)反映其形貌的技術(shù)問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】
半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法及測(cè)試樣品制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體金屬導(dǎo)線電子迀移測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法及其樣品的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電迀移(electromigrat1n)是一種由于導(dǎo)體中離子的逐步運(yùn)動(dòng)而導(dǎo)致的物質(zhì)轉(zhuǎn)移現(xiàn)象，其是由導(dǎo)電電子與擴(kuò)散的金屬原子之間的動(dòng)量轉(zhuǎn)移導(dǎo)致的。當(dāng)電迀移發(fā)生時(shí)，一個(gè)運(yùn)動(dòng)電子的部分動(dòng)量轉(zhuǎn)移到鄰近的激活離子，這會(huì)導(dǎo)致該離子離開(kāi)原始位置。當(dāng)電流密度較大時(shí)，電子在靜電場(chǎng)力的驅(qū)動(dòng)下從陰極向陽(yáng)極定向移動(dòng)形成電子風(fēng)(electron wind)，進(jìn)而會(huì)引起龐大數(shù)量的原子遠(yuǎn)離它們的原始位置。隨著時(shí)間推移，電迀移會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)體，尤其是狹窄的導(dǎo)線中出現(xiàn)斷裂或缺口進(jìn)而導(dǎo)致阻止電的流動(dòng)，這種缺陷被稱為空洞(void)或內(nèi)部失效，即開(kāi)路。電迀移還會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)體中的原子堆積并向鄰近導(dǎo)體漂移形成突起物(hillock)，產(chǎn)生意外的電連接，即短路。隨著半導(dǎo)體集成電路器件的特征尺寸不斷減小，金屬互連線的尺寸也不斷減小，從而導(dǎo)致電流密度不斷增加，由電迀移造成的器件失效更為顯著。
[0003]由于金屬鉭和鉭的化合物有高導(dǎo)電性、高熱穩(wěn)定性和對(duì)外來(lái)原子的阻擋作用，鉭和氮化鉭對(duì)銅的惰性，Cu和Ta以及Cu和N之間也不形成化合物，因此在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，用鉭和鉭基膜用來(lái)作為防止銅擴(kuò)散的阻擋層。
[0004]在半導(dǎo)體可靠性測(cè)試中，金屬導(dǎo)線電子迀移(EM)測(cè)試用來(lái)檢測(cè)金屬質(zhì)量可靠性好壞的方法之一，其中阻擋層鉭的厚度和形貌是影響該測(cè)試結(jié)果的重要因素之一，對(duì)失效分析來(lái)說(shuō)檢測(cè)鉭的形貌和厚度就是一個(gè)至關(guān)重要的手段。同時(shí)銅的形貌也是一個(gè)重要的目標(biāo)。利用制備好的透射樣品，進(jìn)行透射樣品觀測(cè)分析，因?yàn)殂~與鉭都為金屬材質(zhì)，在透射電鏡照片里二者襯度相似無(wú)法很好區(qū)分其界線，因而需要用EDS(能譜分析)or EELS(電子能量損失譜分析簡(jiǎn)稱)做銅鉭面掃描，從而可以得到銅鉭的形貌。然而用EDS或者EELS做鉭面掃描時(shí)，不但占用機(jī)臺(tái)大量的時(shí)間(少則1-2小時(shí)，多則6-7小時(shí))，而且這么長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)樣品可能會(huì)發(fā)生一定的漂移，因而無(wú)法真實(shí)反映其形貌。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法及其樣品的制備方法。
[0006]—種半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法，包括以下步驟:
[0007]I)對(duì)待測(cè)樣品的表面進(jìn)行研磨，至待測(cè)樣品的表面接近待觀察銅鉭形貌的金屬互連線所在的結(jié)構(gòu)層，得到層狀待測(cè)樣品，其中，所述的結(jié)構(gòu)層中至少包括一段待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段。
[0008]2)將步驟I)得到的層狀待測(cè)樣品的表面在聚焦離子束裝置中進(jìn)行Pt層沉積，沉積區(qū)域覆蓋各段待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段所在的區(qū)域，以保護(hù)和標(biāo)記需要進(jìn)行觀測(cè)的結(jié)構(gòu)區(qū)域。
[0009]步驟2)中，Pt層的沉積時(shí)間為50?70秒。
[0010]3)將經(jīng)過(guò)步驟2)處理的層狀待測(cè)樣品在金屬互連線走向的方向上進(jìn)行兩側(cè)寬度的整體磨減，并進(jìn)行金屬互連線段兩側(cè)硅基底的寬度的局部磨減，得到預(yù)處理及減寬后的樣品。
[0011]優(yōu)選的，步驟3)中，經(jīng)過(guò)整體磨減后，所述預(yù)處理及減寬后的樣品為沿金屬互連線走向方向的長(zhǎng)條，所述長(zhǎng)條的寬度為40?50微米，所述長(zhǎng)條的長(zhǎng)度為2.5?3.5毫米。
[0012]優(yōu)選的，步驟3)中，經(jīng)過(guò)局部磨減后，所述預(yù)處理及減寬后的樣品中:金屬互連線段兩側(cè)的硅基底的寬度(長(zhǎng)、寬的取向與所述長(zhǎng)條的各取向一致)分別為5?10微米和30?40微米。
[0013]4)通過(guò)聚焦離子束裝置將步驟3)得到的預(yù)處理及減薄后的樣品再次進(jìn)行Pt層沉積，并對(duì)樣品進(jìn)行粗挖和細(xì)切，制備得到至少一個(gè)TEM測(cè)試樣品。
[0014]具體的，步驟4)中，用熱熔膠涂聚焦離子束裝置的載臺(tái)至載臺(tái)側(cè)壁，并將樣品固定在聚焦離子束裝置的載臺(tái)上，并再對(duì)整個(gè)載臺(tái)表面進(jìn)行Pt層的再次沉積，其中，載臺(tái)側(cè)壁熱熔膠的高度高出載臺(tái)臺(tái)面熱熔膠高度的I?3毫米。
[0015]優(yōu)選的，步驟4)中，Pt層再次沉積的時(shí)間為25?35秒。
[0016]具體的，步驟4)中，對(duì)各待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段所在區(qū)域進(jìn)行觀測(cè)通孔的粗挖，所述觀測(cè)通孔穿過(guò)待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段。
[0017]通過(guò)觀測(cè)通孔可以觀察整個(gè)觀測(cè)通孔整體形貌，包括銅層部分。
[0018]本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法，包括以下步驟:
[0019]I)根據(jù)本發(fā)明所提供的上述半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法制備得到TEM測(cè)試樣品O
[0020]2)通過(guò)TEM對(duì)步驟I)得到TEM測(cè)試樣品進(jìn)行銅形貌觀察。
[0021]3)再對(duì)步驟I)得到的TEM測(cè)試樣品進(jìn)行銅層的減薄或去除，得到深度TEM測(cè)試樣品O
[0022]具體的，步驟3)中，用65?75%的硝酸進(jìn)行銅層的減薄或去除，優(yōu)選的用70%的硝酸，浸泡時(shí)間3?5秒。
[0023]4)通過(guò)TEM對(duì)步驟3)得到的深度TEM測(cè)試樣品進(jìn)行鉭形貌觀察。
[0024]通過(guò)本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法，可以一次制備多個(gè)TEM樣品，并且不需要進(jìn)行樣品提取。而通過(guò)本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法，可以快速得到鉭元素分布圖以及銅形貌來(lái)更好地失效分析，從而解決直接進(jìn)行電鏡觀測(cè)用EDS或者EELS做鉭面掃描不但占用機(jī)臺(tái)大量的時(shí)間(少則I?2小時(shí)，多則6?7小時(shí))，而且長(zhǎng)時(shí)間掃描內(nèi)樣品可能會(huì)發(fā)生一定的漂移，因而無(wú)法真實(shí)反映其形貌的技術(shù)問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1是本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法的流程示意圖。
[0026]附圖1中，各部分均為俯視，各標(biāo)號(hào)所代表的結(jié)構(gòu)如下:
[0027]1、層狀待測(cè)樣品，2、金屬互連線段，3、觀測(cè)通孔，4、TEM測(cè)試樣品，5、深度TEM測(cè)試樣品。
[0028]圖2是根據(jù)本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法觀測(cè)得到的銅形貌TEM圖。
[0029]圖3是根據(jù)本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法觀測(cè)得到的鉭形貌TEM圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)施例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0031]實(shí)施例1
[0032]一、預(yù)處理及減薄
[0033]I)對(duì)待測(cè)樣品的表面進(jìn)行研磨，至待測(cè)樣品的表面接近待觀察銅鉭形貌的金屬互連線所在的結(jié)構(gòu)層，得到層狀待測(cè)樣品I。結(jié)構(gòu)層中包括多段待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段2。研磨過(guò)程中，保持金屬互連線不外露。
[0034]2)將步驟I)得到的層狀待測(cè)樣品的表面在聚焦離子束裝置中進(jìn)行Pt層沉積，沉積區(qū)域覆蓋各段待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段所在的區(qū)域，以保護(hù)和標(biāo)記需要進(jìn)行觀測(cè)的結(jié)構(gòu)區(qū)域。Pt層的沉積時(shí)間為70秒。
[0035]3)將經(jīng)過(guò)步驟2)處理的層狀待測(cè)樣品在金屬互連線走向的方向上進(jìn)行兩側(cè)寬度的整體磨減，并進(jìn)行金屬互連線段兩側(cè)硅基底的寬度的局部磨減，使得金屬互連線段一側(cè)的硅基底的寬度達(dá)到5微米。
[0036]4)金屬互連線段的另一側(cè)的硅基底的寬度則磨減至40微米，整個(gè)待測(cè)樣品磨減后的長(zhǎng)度約為2.5毫米、寬度約為45微米。
[0037]二、FIB樣品制備
[0038]I)用熱熔膠涂聚焦離子束裝置的載臺(tái)至載臺(tái)側(cè)壁，載臺(tái)側(cè)壁熱熔膠的高度高出載臺(tái)臺(tái)面熱熔膠高度的3毫米。
[0039]2)將樣品固定在聚焦離子束裝置的載臺(tái)上，并再對(duì)整個(gè)載臺(tái)表面進(jìn)行Pt層的再次沉積，再次沉積的時(shí)間為25秒。
[0040]3)樣品進(jìn)入聚焦離子束裝置對(duì)各待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段所在區(qū)域進(jìn)行觀測(cè)通孔3的粗挖，之后細(xì)切。
[0041]4)完成一個(gè)TEM測(cè)試樣品4的制備，根據(jù)需要，可在載臺(tái)上其他位置進(jìn)行TEM測(cè)試樣品的制備。
[0042]三、第一次TEM觀察
[0043]I)通過(guò)TEM對(duì)TEM測(cè)試樣品進(jìn)行通孔整體形貌的觀察，包括銅形貌的觀察。
[0044]四、去銅進(jìn)行第二次TEM觀測(cè)
[0045]I)對(duì)TEM測(cè)試樣品用硝酸進(jìn)行銅層的減薄或去除，浸泡時(shí)間5秒，水中清洗樣品，自然晾干，得到深度TEM測(cè)試樣品5。
[0046]2)通過(guò)TEM對(duì)深度TEM測(cè)試樣品進(jìn)行鉭形貌觀察。
[0047]實(shí)施例2
[0048]一、預(yù)處理及減薄
[0049]I)對(duì)待測(cè)樣品的表面進(jìn)行研磨，至待測(cè)樣品的表面接近待觀察銅鉭形貌的金屬互連線所在的結(jié)構(gòu)層，得到層狀待測(cè)樣品I。結(jié)構(gòu)層中包括多段待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段2。研磨過(guò)程中，保持金屬互連線不外露。
[0050]2)將步驟I)得到的層狀待測(cè)樣品的表面在聚焦離子束裝置中進(jìn)行Pt層沉積，沉積區(qū)域覆蓋各段待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段所在的區(qū)域，以保護(hù)和標(biāo)記需要進(jìn)行觀測(cè)的結(jié)構(gòu)區(qū)域。Pt層的沉積時(shí)間為50秒。
[0051]3)將經(jīng)過(guò)步驟2)處理的層狀待測(cè)樣品在金屬互連線走向的方向上進(jìn)行兩側(cè)寬度的整體磨減，并進(jìn)行金屬互連線段兩側(cè)硅基底的寬度的局部磨減，使得金屬互連線段一側(cè)的硅基底的寬度達(dá)到1微米。
[0052]4)金屬互連線段的另一側(cè)的硅基底的寬度則磨減至30微米，整個(gè)待測(cè)樣品磨減后的長(zhǎng)度約為3.5毫米、寬度約為40微米。
[0053]二、FIB樣品制備
[0054]I)用熱熔膠涂聚焦離子束裝置的載臺(tái)至載臺(tái)側(cè)壁，載臺(tái)側(cè)壁熱熔膠的高度高出載臺(tái)臺(tái)面熱熔膠高度的I毫米。
[0055]2)將樣品固定在聚焦離子束裝置的載臺(tái)上，并再對(duì)整個(gè)載臺(tái)表面進(jìn)行Pt層的再次沉積，再次沉積的時(shí)間為35秒。
[0056]3)樣品進(jìn)入聚焦離子束裝置對(duì)各待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段所在區(qū)域進(jìn)行觀測(cè)通孔3的粗挖，之后細(xì)切。
[0057]4)完成一個(gè)TEM測(cè)試樣品4的制備，根據(jù)需要，可在載臺(tái)上其他位置進(jìn)行TEM測(cè)試樣品的制備。
[0058]三、第一次TEM觀察
[0059]I)通過(guò)TEM對(duì)TEM測(cè)試樣品進(jìn)行通孔整體形貌的觀察，包括銅形貌的觀察。
[0060]四、去銅進(jìn)行第二次TEM觀測(cè)
[0061]I)對(duì)TEM測(cè)試樣品用硝酸進(jìn)行銅層的減薄或去除，浸泡時(shí)間3秒，水中清洗樣品，自然晾干，得到深度TEM測(cè)試樣品5。
[0062 ] 2)通過(guò)TEM對(duì)深度TEM測(cè)試樣品進(jìn)行鉭形貌觀察。
[0063]實(shí)施例3
[0064]一、預(yù)處理及減薄
[0065]I)對(duì)待測(cè)樣品的表面進(jìn)行研磨，至待測(cè)樣品的表面接近待觀察銅鉭形貌的金屬互連線所在的結(jié)構(gòu)層，得到層狀待測(cè)樣品I。結(jié)構(gòu)層中包括多段待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段2。研磨過(guò)程中，保持金屬互連線不外露。
[0066]2)將步驟I)得到的層狀待測(cè)樣品的表面在聚焦離子束裝置中進(jìn)行Pt層沉積，沉積區(qū)域覆蓋各段待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段所在的區(qū)域，以保護(hù)和標(biāo)記需要進(jìn)行觀測(cè)的結(jié)構(gòu)區(qū)域。Pt層的沉積時(shí)間為60秒。
[0067]3)將經(jīng)過(guò)步驟2)處理的層狀待測(cè)樣品在金屬互連線走向的方向上進(jìn)行兩側(cè)寬度的整體磨減，并進(jìn)行金屬互連線段兩側(cè)硅基底的寬度的局部磨減，使得金屬互連線段一側(cè)的硅基底的寬度達(dá)到8微米。
[0068]4)金屬互連線段的另一側(cè)的硅基底的寬度則磨減至35微米，整個(gè)待測(cè)樣品磨減后的長(zhǎng)度約為3毫米、寬度約為43微米。
[0069]二、FIB樣品制備
[0070]I)用熱熔膠涂聚焦離子束裝置的載臺(tái)至載臺(tái)側(cè)壁，載臺(tái)側(cè)壁熱熔膠的高度高出載臺(tái)臺(tái)面熱熔膠高度的2毫米。
[0071]2)將樣品固定在聚焦離子束裝置的載臺(tái)上，并再對(duì)整個(gè)載臺(tái)表面進(jìn)行Pt層的再次沉積，再次沉積的時(shí)間為30秒。
[0072]3)樣品進(jìn)入聚焦離子束裝置對(duì)各待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段所在區(qū)域進(jìn)行觀測(cè)通孔3的粗挖，之后細(xì)切。
[0073]4)完成一個(gè)TEM測(cè)試樣品4的制備，根據(jù)需要，可在載臺(tái)上其他位置進(jìn)行TEM測(cè)試樣品的制備。
[0074]三、第一次TEM觀察
[0075]I)通過(guò)TEM對(duì)TEM測(cè)試樣品進(jìn)行通孔整體形貌的觀察，包括銅形貌的觀察。
[0076]四、去銅進(jìn)行第二次TEM觀測(cè)
[0077]I)對(duì)TEM測(cè)試樣品用硝酸進(jìn)行銅層的減薄或去除，浸泡時(shí)間4秒，水中清洗樣品，自然晾干，得到深度TEM測(cè)試樣品5。
[0078]2)通過(guò)TEM對(duì)深度TEM測(cè)試樣品進(jìn)行鉭形貌觀察。
[0079]效果例
[0080]如圖2所示，為一個(gè)實(shí)施例中獲得的銅形貌TEM圖。
[0081 ]如圖3所示，為該實(shí)施例繼而獲得的鉭形貌TEM圖。
[0082]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 1)對(duì)待測(cè)樣品的表面進(jìn)行研磨，至待測(cè)樣品的表面接近待觀察銅鉭形貌的金屬互連線所在的結(jié)構(gòu)層，得到層狀待測(cè)樣品，其中，所述的結(jié)構(gòu)層中至少包括一段待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段； 2)將步驟I)得到的層狀待測(cè)樣品的表面在聚焦離子束裝置中進(jìn)行Pt層沉積，沉積區(qū)域覆蓋各段待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段所在的區(qū)域； 3)將經(jīng)過(guò)步驟2)處理的層狀待測(cè)樣品在金屬互連線走向的方向上進(jìn)行兩側(cè)寬度的整體磨減，并進(jìn)行金屬互連線段兩側(cè)硅基底寬度的局部磨減，得到預(yù)處理及減寬后的樣品； 4)通過(guò)聚焦離子束裝置將步驟3)得到的預(yù)處理及減寬后的樣品再次進(jìn)行Pt層沉積，并對(duì)樣品進(jìn)行粗挖和細(xì)切，制備得到至少一個(gè)TEM測(cè)試樣品。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法，其特征在于:步驟2)中，Pt層的沉積時(shí)間為50?70秒。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法，其特征在于:步驟3)中，經(jīng)過(guò)整體磨減后，所述預(yù)處理及減寬后的樣品為沿金屬互連線走向方向的長(zhǎng)條，所述長(zhǎng)條的寬度為40?50微米，所述長(zhǎng)條的長(zhǎng)度為2.5?3.5毫米。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法，其特征在于，步驟3)中，經(jīng)過(guò)局部磨減后，所述預(yù)處理及減寬后的樣品中金屬互連線段兩側(cè)的硅基底的寬度分別為5?10微米和30?40微米。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法，其特征在于:步驟4)中，用熱熔膠涂聚焦離子束裝置的載臺(tái)側(cè)壁，并將樣品固定在聚焦離子束裝置的載臺(tái)上，并再對(duì)整個(gè)載臺(tái)表面進(jìn)行Pt層的再次沉積，其中，載臺(tái)側(cè)壁熱熔膠的高度高出載臺(tái)臺(tái)面熱熔膠高度的I?3毫米。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法，其特征在于:步驟4)中，Pt層再次沉積的時(shí)間為25?35秒。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法，其特征在于:步驟4)中，對(duì)各待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段所在區(qū)域進(jìn)行觀測(cè)通孔的粗挖，所述觀測(cè)通孔穿過(guò)待觀察銅鉭形貌的金屬互連線段。8.一種半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法，其特征在于，包括以下步驟: 1)根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法制備得到TEM測(cè)試樣品; 2)通過(guò)TEM對(duì)步驟I)得到TEM測(cè)試樣品進(jìn)行銅形貌觀察； 3)再對(duì)步驟I)得到的TEM測(cè)試樣品進(jìn)行銅層的減薄或去除，得到深度TEM測(cè)試樣品； 4)通過(guò)TEM對(duì)步驟3)得到的深度TEM測(cè)試樣品進(jìn)行鉭形貌觀察。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法，其特征在于:步驟3)中，用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為65?75%的硝酸進(jìn)行銅層的減薄或去除，浸泡時(shí)間3?5秒。
【文檔編號(hào)】G01N23/04GK105891239SQ201610206041
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年4月5日
【發(fā)明人】劉君芳, 仝金雨, 李桂花, 郭偉, 謝淵
【申請(qǐng)人】武漢新芯集成電路制造有限公司