一種磁控濺射靶槍的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及到磁控濺射鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及到一種磁控濺射靶槍。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人機交互液晶顯示設(shè)備和觸控面板設(shè)備技術(shù)的不斷發(fā)展，對液晶顯示設(shè)備和觸控面板設(shè)備的制造生產(chǎn)的效率以及工藝良率提出了更高的要求，特別是對薄膜沉積工藝的要求也越來越高。
[0003]磁控濺射鍍膜是目前常采用的一種薄膜沉積的方法，可進行金屬薄膜或者金屬氧化物透明電極薄膜的沉積。濺射鍍膜是指電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。而磁控濺射鍍膜是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，可以提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現(xiàn)大面積鍍膜。
[0004]而在磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中，磁控濺射靶槍是其核心部件，磁控濺射靶槍的結(jié)構(gòu)和長期運轉(zhuǎn)時的穩(wěn)定性對濺射速率、靶材利用率以及薄膜沉積速率和成膜效果都起到關(guān)鍵性的作用。磁控濺射靶槍其在結(jié)構(gòu)上一般分為平面磁控濺射靶和圓柱磁控濺射靶。但不管是平面磁控濺射靶和圓柱磁控濺射靶一般都需要在磁控濺射靶上形成磁場方向一致的封閉的環(huán)狀磁靶用以增強等離子放電以及氣相沉積。然而這種環(huán)狀的磁靶會使被電離的離子約束在該環(huán)形磁靶內(nèi)轟擊靶材從而使靶材的離子飛出沉積在陽極上，這樣只能使位于所述環(huán)形磁靶內(nèi)的靶材得到利用，而其他的部位的靶材便被浪費。再者環(huán)形磁靶在高速運轉(zhuǎn)時會產(chǎn)生大量的熱量，如果沒有及時散發(fā)出去，很可能會毀壞正在工作的磁靶，影響其運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性，導(dǎo)致濺射不均勻，影響成膜質(zhì)量，不利于生產(chǎn)效率和薄膜良率的提高。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的在于提供一種磁控濺射靶槍，具有高的靶材利用率，濺射均勻，
成膜質(zhì)量高。
[0006]為此，本實用新型采用以下技術(shù)方案:
[0007]—種磁控濺射靶槍，所述磁控濺射靶槍為圓柱形磁控濺射靶槍，包括基座、磁靶和靶材，所述磁靶固定于基座之上，所述靶材通過旋轉(zhuǎn)軸固定在磁靶上；所述磁靶包括磁芯和環(huán)狀磁鐵座，所述環(huán)狀磁鐵座上設(shè)有均勻排列的磁鐵塊，形成中心-外環(huán)的環(huán)狀磁靶設(shè)計；所述磁芯和環(huán)狀磁鐵之間設(shè)有冷卻裝置，所述冷卻裝置包括上下兩個無氧銅水冷以及位于上下兩個無氧銅水冷之間的導(dǎo)熱板。
[0008]優(yōu)選的，所述旋轉(zhuǎn)軸位于磁芯之上。
[0009]優(yōu)選的，所述磁控濺射靶槍還包括絕緣座和真空電極，所述絕緣座和真空電極位于基座下面。
[0010]優(yōu)選的，所述絕緣座上設(shè)有銅管電極引入，引入電極與真空電極相連接。
[0011]優(yōu)選的，所述絕緣座為鐵氟龍絕緣座。
[0012]優(yōu)選的，所述導(dǎo)熱板為氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱板。
[0013]優(yōu)選的，所述磁控濺射靶槍還包括外殼。
[0014]優(yōu)選的，所述基座的材料為430不銹鋼。
[0015]本實用新型采用以上技術(shù)方案，采用獨特中心-外環(huán)的環(huán)狀磁靶設(shè)計，使磁場全面覆蓋靶材，提高靶材的利用率；同時采用上下兩個無氧銅水冷之間設(shè)置導(dǎo)熱板形成冷卻裝置，能夠及時有效的將磁靶運轉(zhuǎn)過程中產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，保證磁靶長期運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性，以達到濺射均勻，沉積得到質(zhì)量優(yōu)良的薄膜的目的。
【附圖說明】
[0016]圖1為本實用新型磁控濺射靶槍的結(jié)構(gòu)外部示意圖。
[0017]圖2為本實用新型磁控濺射靶槍的結(jié)構(gòu)剖視示意圖。
[0018]圖3為本實用新型磁控濺射靶槍的磁靶部分的斷面示意圖。
【具體實施方式】
[0019]為了使本實用新型的目的、特征和優(yōu)點更加的清晰，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型的【具體實施方式】做出更為詳細的說明，在下面的描述中，闡述了很多具體的細節(jié)以便于充分的理解本實用新型，但是本實用新型能夠以很多不同于描述的其他方式來實施。因此，本實用新型不受以下公開的具體實施的限制。
[0020]一種磁控濺射靶槍，如圖1、圖2、圖3所示，所述磁控濺射靶槍為圓柱形磁控濺射靶槍，包括基座1、磁靶2和靶材3，所述磁靶2固定于基座I之上，所述靶材3通過旋轉(zhuǎn)軸4固定在磁靶2上；所述磁靶2包括磁芯21和環(huán)狀磁鐵座22，所述環(huán)狀磁鐵座22上設(shè)有均勻排列的磁鐵塊23，形成中心-外環(huán)的環(huán)狀磁靶設(shè)計；所述磁芯21和環(huán)狀磁鐵座22之間設(shè)有冷卻裝置5，所述冷卻裝置5包括上下兩個無氧銅水冷51以及位于上下兩個無氧銅水冷51之間的導(dǎo)熱板52。
[0021]其中，所述旋轉(zhuǎn)軸4位于磁芯21之上。
[0022]其中，所述磁控濺射靶槍還包括絕緣座6和真空電極7，所述絕緣座6和真空電極7位于基座I下面。
[0023]其中，所述絕緣座6上設(shè)有銅管電極引入8，用于引入電極與真空電極7相連接。
[0024]其中，所述絕緣座6為鐵氟龍絕緣座。
[0025]其中，所述導(dǎo)熱板52為氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱板。
[0026]其中，所述磁控濺射靶槍還包括外殼0，用以保護磁靶和冷卻裝置，避免被濺射。。
[0027]其中，所述基座I的材料為430不銹鋼。
[0028]本實用新型所述的磁控濺射靶槍，采用獨特的中心-外環(huán)的環(huán)狀磁靶設(shè)計，使磁場全面覆蓋靶材，均衡各個方向的磁場，提高了鍍膜區(qū)域的等離子體濃度，提高靶材的利用率；同時采用上下兩個無氧銅水冷之間設(shè)置導(dǎo)熱板形成冷卻裝置，并采用具有高導(dǎo)熱性能的氮化鋁陶瓷作為導(dǎo)熱板，能夠及時有效的將磁靶運轉(zhuǎn)過程中產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，保證磁靶長期運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性，以達到濺射均勻，沉積得到質(zhì)量優(yōu)良的薄膜的目的。
[0029]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種磁控濺射靶槍，其特征在于:所述磁控濺射靶槍為圓柱形磁控濺射靶槍，包括基座、磁革El和革El材，所述磁革El固定于基座之上，所述革El材通過旋轉(zhuǎn)軸固定在磁革El上；所述磁靶包括磁芯和環(huán)狀磁鐵座，所述環(huán)狀磁鐵座上設(shè)有均勻排列的磁鐵塊，形成中心-外環(huán)的環(huán)狀磁靶設(shè)計；所述磁芯和環(huán)狀磁鐵之間設(shè)有冷卻裝置，所述冷卻裝置包括上下兩個無氧銅水冷以及位于上下兩個無氧銅水冷之間的導(dǎo)熱板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射靶槍，其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)軸位于磁芯之上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射靶槍，其特征在于:所述磁控濺射靶槍還包括絕緣座和真空電極，所述絕緣座和真空電極位于基座下面。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種磁控濺射靶槍，其特征在于:所述絕緣座上設(shè)有銅管電極引入，引入電極與真空電極相連接。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的一種磁控濺射靶槍，其特征在于:所述絕緣座為鐵氟龍絕緣座。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射靶槍，其特征在于:所述導(dǎo)熱板為氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱板。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射靶槍，其特征在于:所述磁控濺射靶槍還包括外殼。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射靶槍，其特征在于:所述基座的材料為430不銹鋼。
【專利摘要】本實用新型公開了一種磁控濺射靶槍，所述磁控濺射靶槍為圓柱形磁控濺射靶槍，包括基座、磁靶和靶材，所述磁靶固定于基座之上，所述靶材通過旋轉(zhuǎn)軸固定在磁靶上；所述磁靶包括磁芯和環(huán)狀磁鐵座，所述環(huán)狀磁鐵座上設(shè)有均勻排列的磁鐵塊，形成中心-外環(huán)的環(huán)狀磁靶設(shè)計；所述磁芯和磁鐵座環(huán)之間設(shè)有冷卻裝置，所述冷卻裝置包括上下兩個無氧銅水冷以及位于上下兩個無氧銅水冷之間的導(dǎo)熱板。所述的磁控濺射靶槍采用的獨特的中心-外環(huán)的環(huán)狀磁靶設(shè)計，使磁場全面覆蓋靶材，提高靶材的利用率；采用上下兩個無氧銅水冷之間設(shè)置導(dǎo)熱板形成冷卻裝置，及時有效的將磁靶運轉(zhuǎn)中產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，保證其長期運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性，濺射均勻，以得到質(zhì)量優(yōu)良的薄膜。
【IPC分類】C23C14/35
【公開號】CN204779787
【申請?zhí)枴緾N201520477129
【發(fā)明人】王振中
【申請人】廈門烯成新材料科技有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年7月4日