便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備，尤其涉及一種便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤。
【背景技術(shù)】
[0002]金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備(簡稱M0CVD)主要用于:在襯底上，以化學(xué)沉積反應(yīng)方式外延生長各種化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體合金薄膜材料(包括:GaN、GaAs、InP等)。石墨盤是金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備里的襯底承載部件，在襯底上進(jìn)行上述化學(xué)沉積反應(yīng)的同時，石墨盤上也會沉積相應(yīng)的較為疏松的半導(dǎo)體材料。隨著時間推移，石墨盤上沉積的材料會越來越厚。這些沉積的材料達(dá)到一定厚度后，會對金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備反應(yīng)室內(nèi)的溫度控制，氣流分布，外延片摻雜濃度和表面顆粒產(chǎn)生不良影響，并最終影響外延片的性能和生產(chǎn)的重復(fù)性，惡化產(chǎn)品成品率。所以必須定期對石墨盤表面沉積的材料進(jìn)行清除處理。
[0003]目前，業(yè)內(nèi)通常采取的石墨盤清潔方法是長時間高溫烘烤以分解表面材料干式清潔法，烘烤溫度一般在1000°C以上，同時，通入氮?dú)?、氫氣混合氣和一些帶有腐蝕性的氣體。但是，由于石墨盤整體為盤狀結(jié)構(gòu)，為了充分清潔石墨盤表面沉積物，烘烤時間一般都在10小時以上，有時烘烤完后發(fā)現(xiàn)石墨盤表面并不夠干凈，往往還有進(jìn)行二次烘烤。因此，不僅消耗大量電能;而且，還會對環(huán)境污染造成更大的壓力。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺點(diǎn)，而提供一種便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤，其能夠?qū)⒔饘儆袡C(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤進(jìn)行干濕法處理，使處理后的石墨盤不僅表面更為干凈，而且，大大縮短了高溫烘烤時間，節(jié)省了大量電能。
[0005]本實(shí)用新型的目的是由以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0006]—種便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤，設(shè)有:石墨盤，其特征在于:該石墨盤的表面設(shè)有數(shù)個凹槽，凹槽之外的地方覆蓋有預(yù)埋層，預(yù)埋層上覆蓋有沉積層。
[0007]所述石墨盤為:用于承載外延襯底圓盤狀容器。
[0008]所述凹槽為:石墨盤表面用于放置外延片襯底的圓形凹槽。
[0009]所述預(yù)埋層為:由鋁(Al)、砷(As)和磷(P)元素組成的絡(luò)合物;厚度為:1-20微米。
[0010]所述沉積層為:由鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、砷(As)、磷(P)元素組成的絡(luò)合物;厚度為:10-300微米。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型由于采用上述技術(shù)方案，便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤，其能夠?qū)⒔饘儆袡C(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤進(jìn)行干濕法處理，使處理后的石墨盤不僅表面更為干凈，而且，大大縮短了高溫烘烤時間，節(jié)省了大量電能。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型待處理的石墨盤截面示意圖。
[0013]圖2為本實(shí)用新型清潔完成的石墨盤截面示意圖。
[0014]圖中主要標(biāo)號說明:
[0015]1.石墨盤、2.凹槽、3.預(yù)埋層、4.沉積層。
【具體實(shí)施方式】
[0016]如圖1，圖2所示，本實(shí)用新型設(shè)有:石墨盤I，石墨盤I的表面設(shè)有數(shù)個凹槽2，凹槽2之外的地方覆蓋有沉積層4，石墨盤I和沉積層4之間有一層預(yù)沉埋層3。
[0017]上述石墨盤I為:用于承載外延襯底圓盤狀容器。
[0018]上述凹槽2為石墨盤I表面用于放置外延片襯底的圓形凹槽。
[0019]上述沉積層4為:金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備外延生長過程中沉積的材料，主要是由鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、砷(As)、磷(P)元素組成的絡(luò)合物;厚度為:10-300微米。
[0020]上述預(yù)埋層3為:正式使用前，在石墨盤I上預(yù)先沉積的材料，主要是由鋁(Al)、砷(As)和磷(P)等元素組成的絡(luò)合物;厚度為:1-20微米。
[0021 ]在高溫烘烤前，先將金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤I浸泡在鹽酸、雙氧水等化學(xué)試劑和水組成的混合溶液中。由于沉積物4為疏松結(jié)構(gòu)薄層絡(luò)合物，化學(xué)試劑很容易透過此層到達(dá)預(yù)埋層3位置。且由于鋁(Al)元素化學(xué)性質(zhì)活潑，預(yù)埋層3很容易被化學(xué)試劑腐蝕去除，從而使附著在預(yù)埋層3上的沉積層4脫落。在室溫下對石墨盤I表面沉積物進(jìn)行化學(xué)腐蝕。經(jīng)過2-10個小時后，石墨盤表面基本腐蝕干凈，并使石墨盤表面的凹槽2恢復(fù)原有深度。
[0022]經(jīng)過腐蝕后的石墨盤I，雖然表面已經(jīng)基本腐蝕干凈，但由于石墨的疏松結(jié)構(gòu)，往往會有一些殘余雜質(zhì)，甚至?xí)艿绞PI的內(nèi)部，這對LED外延生長是致命的。因此，需要對石墨盤I進(jìn)行烘烤，將其中的雜質(zhì)趕出來。
[0023]烘烤時，使用馬弗爐，將溫度升高到1000°C，對石墨盤I進(jìn)行3個小時的短時間高溫烘烤，將其中的雜質(zhì)烘烤出來。烘烤結(jié)束后，石墨盤I達(dá)到使用標(biāo)準(zhǔn)。
[0024]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對本實(shí)用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤，設(shè)有:石墨盤，其特征在于:該石墨盤的表面設(shè)有數(shù)個凹槽，凹槽之外的地方覆蓋有預(yù)埋層，預(yù)埋層上覆蓋有沉積層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤，其特征在于:所述石墨盤為:用于承載外延襯底圓盤狀容器。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤，其特征在于:所述凹槽為:石墨盤表面用于放置外延片襯底的圓形凹槽。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤，其特征在于:所述預(yù)埋層厚度為:1-20微米。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤，其特征在于:所述沉積層厚度為:10-300微米。
【專利摘要】一種便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤，設(shè)有：石墨盤，該石墨盤的表面設(shè)有數(shù)個凹槽，凹槽之外的地方覆蓋有預(yù)埋層，預(yù)埋層上覆蓋有沉積層。本實(shí)用新型便于清潔的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤，其能夠?qū)⒔饘儆袡C(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的石墨盤進(jìn)行干濕法處理，使處理后的石墨盤不僅表面更為干凈，而且，大大縮短了高溫烘烤時間，節(jié)省了大量電能。
【IPC分類】C23C16/44, C23C16/18
【公開號】CN205223345
【申請?zhí)枴緾N201520931104
【發(fā)明人】丁國建, 張業(yè)民, 劉佩, 陳宇, 張榮勤, 宋京
【申請人】天津中環(huán)新光科技有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年11月20日