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      一種晶須選擇法生產(chǎn)高純氧化鎂的制備方法

      文檔序號(hào):3462867閱讀:267來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種晶須選擇法生產(chǎn)高純氧化鎂的制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種以晶須選擇法生產(chǎn)高純氧化鎂的制備方法,屬于無(wú)機(jī)化工合成技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      高純氧化鎂涉及應(yīng)用的領(lǐng)域許多,如耐火材料、熱電偶及家用電器的熱絕緣材料、高檔陶瓷的原料及燒結(jié)助劑,航空、航天及國(guó)防領(lǐng)域中耐高溫材料、電子磁性材料及高檔潤(rùn)滑油品的抑釩劑等等,以上領(lǐng)域中要求氧化鎂的純度高達(dá)98%以上。
      在以前的技術(shù)生產(chǎn)中,生產(chǎn)高純氧化鎂的生產(chǎn)技術(shù)一般有以下幾種方法1、氣相法以鎂蒸氣和氧氣劇烈反應(yīng)而得反應(yīng)原理如下;優(yōu)點(diǎn)產(chǎn)品純度高,可達(dá)99.99%,缺點(diǎn)成本高。
      2、金屬醇鹽水解法利用鎂的無(wú)機(jī)鹽或鎂的有機(jī)醇鹽,水解生成沉淀物即氫氧化鎂,經(jīng)過(guò)濾、干燥、鍛燒而得。
      優(yōu)點(diǎn)產(chǎn)品純度高,質(zhì)量好,缺點(diǎn)因生產(chǎn)的氫氧化鎂粒子很小,易集聚,分離非常困難,原料成本高,工藝復(fù)雜。
      3、液相沉淀法是生產(chǎn)高純氧化鎂的重要方法是在氯化鎂鹽溶液中加入NH3·H2O或NaOH等堿性物作為沉淀劑形成氫氧化鎂,再經(jīng)鍛燒而得氧化鎂。
      優(yōu)點(diǎn)原料易得,成本低,工藝簡(jiǎn)單。缺點(diǎn)由于MgCl2有嚴(yán)重的腐蝕性,給設(shè)備帶來(lái)了一定的腐蝕,同時(shí)氫氧化鎂同樣存在分離困難,制造成本高,產(chǎn)品純度上不來(lái)。
      4、鹵水一碳酸銨法原理;優(yōu)點(diǎn)原料易得,工藝簡(jiǎn)單。缺點(diǎn)同樣存在MgCl2的腐蝕問(wèn)題和MgCO3的分離問(wèn)題,產(chǎn)品純度不高。
      4、同時(shí)還有鹵水一氨水法、氨水一石灰法;優(yōu)點(diǎn)原料易得,工藝簡(jiǎn)單。缺點(diǎn)腐蝕設(shè)備,分離困難,收率低,生產(chǎn)成本高,產(chǎn)品純度達(dá)不到要求。

      發(fā)明內(nèi)容
      1、發(fā)明目的本發(fā)明提供一種晶須選擇法生產(chǎn)高純氧化鎂的制備方法,其目的在于解決現(xiàn)有的技術(shù)中生產(chǎn)高純氧化鎂存在純度不高或生產(chǎn)成本高、腐蝕設(shè)備、分離困難等方面存在的問(wèn)題。
      2、技術(shù)方案本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的一種高純氧化鎂的制備方法,其特征在于以氧化鎂的輕燒粉和硫酸、純水反應(yīng)生成含結(jié)晶水的硫酸鎂,硫酸鎂與堿性物在一定條件下反應(yīng)生成堿式硫酸鎂晶須,分離后再通過(guò)與堿性反應(yīng)經(jīng)純水洗滌生成高純氫氧化鎂,再經(jīng)煅燒獲得高純氧化鎂。
      堿性物為堿金屬、堿土金屬或氨水,堿金屬或堿土金屬如氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化氨。
      使用的氨水、堿性物為化學(xué)純級(jí)別以上。
      反應(yīng)過(guò)程中溫度范圍可選取100~200℃。
      氫氧化鎂的鍛燒過(guò)程中的溫度范圍可選取600~1000℃。
      原料中使用輕燒粉的級(jí)別為60%~95%的高級(jí)別,使用的硫酸濃度為85%~98%。
      本發(fā)明在堿式硫酸鎂晶須與堿性物反應(yīng)過(guò)程中需加攪拌,每分鐘20~80轉(zhuǎn)。
      硫酸鎂與堿性物是在壓力范圍0.2~0.8Mpa下反應(yīng)生成堿式硫酸鎂晶須。
      3、優(yōu)點(diǎn)及效果本發(fā)明制備的優(yōu)點(diǎn)在于
      ①合成原料使用了我國(guó)豐富的鎂礦資源,成本低廉。
      ②在合成中使用純水,引入的雜質(zhì)量少,純度高達(dá)99.9%以上。
      ③在合成中先合成堿式硫酸鎂晶須,在加堿反應(yīng)生產(chǎn)纖維狀高純氫氧化鎂時(shí),易過(guò)濾、分離、洗滌,制造成本低,產(chǎn)品純度高。
      ④在氫化鎂煅燒過(guò)程中,溫度最好在600~1000℃。
      具體實(shí)施例方式本發(fā)明是采用以下方案實(shí)施的本發(fā)明以氧化鎂的輕燒粉和硫酸、堿性物(包括氨水和氫氧化鈉等)反應(yīng)生成堿式硫酸鎂晶須,再經(jīng)堿性物水熱反應(yīng),經(jīng)純水洗滌生成纖維狀高純氫氧化鎂,最后經(jīng)高溫煅燒得到高純氧化鎂的方法,產(chǎn)品純度達(dá)99.9%。具體反應(yīng)式如下
      MgSO4·7H2O+堿金屬或堿土金屬、氨——堿式硫酸鎂晶須;堿式硫酸鎂晶須+堿金屬或堿土金屬、氨——纖維狀高純氫氧化鎂;
      本發(fā)明所用的原料輕燒粉的含量在60%~95%;硫酸的濃度在85%~98%;硫酸鎂可以是工業(yè)級(jí)或化學(xué)純級(jí)的1~7含結(jié)晶水的硫酸鎂。本發(fā)明所使用的堿金屬或堿土金屬最好是氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化氨。本發(fā)明在高純氫氧化鎂制備中的反應(yīng)須一定溫度下生產(chǎn),溫度在20~200℃,最好在100~200℃。本發(fā)明在反應(yīng)過(guò)程中需加攪拌,每分鐘10~100轉(zhuǎn),最好每分鐘20~80轉(zhuǎn)。本發(fā)明在氫氧化鎂鍛燒中的溫度為200~1500℃,最好是600~1000℃。原料在使用前需精制,即在原料的水溶液中加0.1%-1.0%堿分離除去雜質(zhì)后使用。硫酸鎂與堿性物是在壓力范圍0.2~0.8MPa下反應(yīng)生成堿式硫酸鎂晶須。
      權(quán)利要求
      1.一種高純氧化鎂的制備方法,其特征在于以氧化鎂的輕燒粉和硫酸、純水反應(yīng)生成含結(jié)晶水的硫酸鎂,硫酸鎂與堿性物在一定條件下反應(yīng)生成堿式硫酸鎂晶須,分離后再通過(guò)與堿性物反應(yīng)經(jīng)純水洗滌生成高純氫氧化鎂,再經(jīng)煅燒獲得高純氧化鎂。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純氧化鎂的制備方法,其特征在于堿性物為堿金屬、堿土金屬或氨水,堿金屬或堿土金屬如氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化氨。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純氧化鎂的制備方法,其特征在于使用的氨水、堿性物為化學(xué)純級(jí)別以上。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純氧化鎂的制備方法,其特征在于反應(yīng)過(guò)程中溫度范圍可選取100~200℃。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純氧化鎂的制備方法,其特征在于氫氧化鎂的鍛燒過(guò)程中的溫度范圍可選取600~1000℃。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純氧化鎂的制備方法,其特征在于原料中使用輕燒粉的級(jí)別為60%~95%的高級(jí)別,使用的硫酸濃度為85%~98%。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純氧化鎂的制備方法,其特征在于本發(fā)明在堿式硫酸鎂晶須與堿性物反應(yīng)過(guò)程中需加攪拌,每分鐘20~80轉(zhuǎn)。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純氧化鎂的制備方法,其特征在于硫酸鎂與堿性物是在壓力范圍0.2~0.8Mpa下反應(yīng)生成堿式硫酸鎂晶須。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種以晶須選擇法生產(chǎn)高純氧化鎂的制備方法,屬于無(wú)機(jī)化工合成技術(shù)領(lǐng)域。它以氧化鎂的輕燒粉和硫酸、水反應(yīng)生成硫酸鎂,硫酸鎂再經(jīng)精制后與堿性物在一定條件下反應(yīng)生成堿式硫酸鎂晶須,分離后再通過(guò)與堿性物反應(yīng)經(jīng)純水洗滌生成高純氫氧化鎂,再經(jīng)煅燒獲得高純氧化鎂。本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有的技術(shù)中生產(chǎn)高純氧化鎂存在純度不高或生產(chǎn)成本高、腐蝕設(shè)備、分離困難等方面存在的問(wèn)題。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是合成原料使用了我國(guó)豐富的鎂礦資源,成本低廉。在合成中使用純水,引入的雜質(zhì)量少,純度高達(dá)99.9%以上。在合成中先合成堿式硫酸鎂晶須,在加堿反應(yīng)生產(chǎn)纖維狀高純氫氧化鎂時(shí),易過(guò)濾、分離、洗滌,制造成本低,產(chǎn)品純度高。
      文檔編號(hào)C01F5/00GK1644505SQ200410100458
      公開(kāi)日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2004年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日
      發(fā)明者趙興利, 孫貴楠, 于蘭, 姚道森, 趙展 申請(qǐng)人:趙興利
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