專利名稱：多晶硅氫化爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)中的配套設(shè)備，具體涉及一種多晶硅氫化爐。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的多晶硅氫化爐(即將四氯化硅轉(zhuǎn)為三氯氫硅轉(zhuǎn)化爐)多采用單噴頭加料方 式(將氫氣四氯化硅以一定比例混合后由一根噴頭進(jìn)入氫化爐)，這種單噴頭加料方式往 往會(huì)造成進(jìn)料擴(kuò)散面積小，使得加熱碳棒加熱不均勻不充分，從而導(dǎo)致收率較低。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述不足之處，本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，進(jìn)料均勻擴(kuò)散能 使加熱碳棒加熱均勻而充分，且氫化轉(zhuǎn)化率大大提高收率也大大提高的多晶硅氫化爐。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采取了以下技術(shù)方案一種多晶硅還原爐，包括有 爐罩、底盤、加熱碳棒、進(jìn)料管和出料管，其中所述爐罩安裝在底盤上，底盤上安裝有至少 三組的加熱碳棒，所述爐罩內(nèi)還設(shè)有進(jìn)料管相連通的噴頭，且噴頭至少為三個(gè)呈并列分布 在進(jìn)料管上，所述出料管安裝在底盤上。本實(shí)用新型的有益效果在于采用多噴頭進(jìn)料方式，使得進(jìn)料充分?jǐn)U散，再配合多 組加熱碳棒，使得加熱均勻而充分，大大提高氫化轉(zhuǎn)化率。

圖1本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖圖中1.爐罩；2.底盤；3.加熱碳棒；4.進(jìn)料管；5.出料管；6.噴頭。
具體實(shí)施方式
下面我們將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說(shuō)明如圖1所示，一種多晶硅還原爐，包括有爐罩1、底盤2、加熱碳棒3、進(jìn)料管4和出 料管5，其中，爐罩1安裝在底盤2上，底盤2上安裝有至少三組的加熱碳棒3，爐罩1內(nèi)還 設(shè)有進(jìn)料管4相連通的噴頭6，且噴頭6至少為三個(gè)呈并列分布在進(jìn)料管4上，這樣便于由 噴頭6進(jìn)入爐內(nèi)的進(jìn)料能充分的擴(kuò)散開米，從而與加熱碳棒3有充分的接觸面，使得加熱更 加均勻而充分。出料管5安裝在底盤上。
權(quán)利要求一種多晶硅氫化爐，包括有爐罩(1)、底盤(2)、加熱碳棒(3)、進(jìn)料管(4)和出料管(5)，其特征在于所述爐罩(1)安裝在底盤(2)上，底盤(2)上安裝有至少三組的加熱碳棒(3)，所述爐罩(1)內(nèi)還設(shè)有與進(jìn)料管(4)相連通的噴頭(6)，且噴頭(6)至少為三個(gè)呈并列分布在進(jìn)料管(4)上，所述出料管(5)安裝在底盤(2)上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種多晶硅氫化爐，包括有爐罩、底盤、加熱碳棒、進(jìn)料管和出料管，其中，爐罩安裝在底盤上，底盤上安裝有至少三組的加熱碳棒，爐罩內(nèi)還設(shè)有進(jìn)料管相連通的噴頭，且噴頭至少為三個(gè)呈并列分布在進(jìn)料管上，這樣便于由噴頭進(jìn)入爐內(nèi)的進(jìn)料能充分的擴(kuò)散開來(lái)，從而與加熱碳棒有充分的接觸面，使得加熱更加均勻而充分，出料管安裝在底盤上。本實(shí)用新型采用多噴頭進(jìn)料方式，使得進(jìn)料充分?jǐn)U散，再配合多組加熱碳棒，使得加熱均勻而充分，大大提高氫化轉(zhuǎn)化率。
文檔編號(hào)C01B33/03GK201614287SQ20102011069
公開日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2010年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月9日
發(fā)明者余文, 劉勝春, 朱德江, 王明云, 羅明樹, 蔣玉梅, 趙振元 申請(qǐng)人:信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院有限公司