專利名稱：一種燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法
技術領域：
本發(fā)明屬于精細化工技術領域，涉及到高純氧化物粉體的雜質(zhì)控制技術，特別涉及到一種燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法。
背景技術：
氧化鎂材料具備由離子濺射引起的變化少；二次電子發(fā)射系數(shù)高；放電起始電壓(著火電壓)和放電維持電壓低；透過性高；絕緣性高等一系列優(yōu)越特性作為保護材料被廣泛使用。而降低PDP屏的著火電壓一直是PDP行業(yè)的一項重要課題。燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)是影響著火電壓的一項重要參數(shù)，摻入靶材的難揮發(fā)微量金屬雜質(zhì)0. 005%)如鐵、鋁、錳、銅等，會大大提高PDP屏的著火電壓和放電維持電壓， 嚴重影響氧化鎂保護膜的質(zhì)量，而且增加等離子電視機的能耗，還會減小其使用壽命，所以要嚴格控制燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)含量。因此，燒結(jié)體氧化鎂靶材雜質(zhì)不僅要在工藝過程中進行控制，還要在源頭加以嚴格控制。目前使用的源頭控制方法主要有磁選法和酸洗法，但單獨使用磁選法不能達到理想的處理效果；而酸洗法，不僅工作量大而且工藝復雜。針對這些問題，本發(fā)明提出一種實用的燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法，采用混合低溫燒結(jié)的方法，去除原料粉體中微量的難揮發(fā)金屬雜質(zhì)，而這種技術未見報道。這種方法工藝簡單，而雜質(zhì)的含量可以降低一個數(shù)量級，具有很高的經(jīng)濟技術價值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法，通過該方法可得到燒結(jié)體氧化鎂靶材的純凈原料，在源頭控制燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)含量，保證靶材的純度。此外凈化后的粉體可以直接作為產(chǎn)品在市場銷售，而且該純度的粉體是市場上的稀缺資源。本發(fā)明的技術方案是，以氧化鎂、氫氧化鎂、堿式碳酸鎂或碳酸鎂為原料，與含鈉或鉀的化合物進行混合后，在低溫下進行燒結(jié)，伴隨著易揮發(fā)金屬元素鉀或鈉的揮發(fā)，難揮發(fā)金屬元素會被從粉體中帶出，以此作為制作燒結(jié)體氧化鎂靶材工藝的第一步，達到提純的目的。本發(fā)明提供的一種燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法，以氧化鎂、氫氧化鎂、堿式碳酸鎂或碳酸鎂中的一種或幾種為原料，并將原料與含鈉或鉀的化合物進行混合后，在低溫下進行燒結(jié)，得到氧化鎂靶材。其中，所述含鈉或鉀的化合物為含鈉和/或鉀碳酸鹽、氫氧化物及有機鹽。其中，原料與鈉或鉀的化合物的混合比例是將原料與鈉或鉀的化合物折算成相應氧化物，范圍在0. 5至2重量％。其中，所述燒結(jié)溫度范圍在1000至1400°C之間。其中，恒溫時間在1. 5至8小時之間。
本發(fā)明的效果和益處是，通過雜質(zhì)的控制，在高純的基礎上進一步提高粉體純度， 提升了靶材的品質(zhì)，又因為氧化鎂保護膜質(zhì)量是決定等離子電視機能耗和使用壽命的重要參數(shù)，該雜質(zhì)控制方法又間接提高了等離子電視機的質(zhì)量。本發(fā)明具有很好的經(jīng)濟價值和社會價值。
具體實施例方式以下結(jié)合技術方案詳細敘述本發(fā)明的具體實施方式
。本發(fā)明中的一種燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法，在于所用原料、含易揮發(fā)金屬元素的物質(zhì)的種類與配方比例，燒結(jié)溫度和恒溫時間。本發(fā)明處理的原料在氧化鎂、氫氧化鎂、堿式碳酸鎂或碳酸鎂中選取，也可以是他們中的兩種或兩種以上的混合物；易揮發(fā)元素為鉀和鈉，物質(zhì)為其碳酸鹽、氫氧化物及有機鹽；計算混合比例均應折算成相應氧化物，范圍在0. 5至2重量％ ；燒結(jié)溫度范圍在1000至 1400°C之間變化，恒溫時間在1. 5至8小時之間變化。其制作方法的工藝流程如下步驟1 將上述鎂質(zhì)化合物與所選擇物質(zhì)按比例混合均勻；步驟2 混合后的物質(zhì)放在坩堝中，燒結(jié)溫度和恒溫時間在上面范圍內(nèi)選取，冷卻后簡單研磨篩分，得到燒結(jié)體靶材的純凈原料。實例1
以氧化鎂(其中氧化鎂質(zhì)量比99. 95%)，分別取0. 96kg氧化鎂、0. 05kg十二烷基苯磺酸鈉均勻混合；將混合后的物質(zhì)在1200°C下，恒溫2小時，即可得到99. 995%的高純度氧化鎂。以上內(nèi)容是結(jié)合優(yōu)選技術方案對本發(fā)明所做的進一步詳細說明，不能認定發(fā)明的具體實施僅限于這些說明。對本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明的構思的前提下，還可以做出簡單的推演及替換，都應當視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法，其特征在于，以氧化鎂、氫氧化鎂、堿式碳酸鎂或碳酸鎂中的一種或幾種為原料，并將原料與含鈉或鉀的化合物進行混合后，在低溫下進行燒結(jié)，得到氧化鎂靶材。
2.根據(jù)權利要求1所述的燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法，其特征在于，所述含鈉或鉀的化合物為含鈉和/或鉀碳酸鹽、氫氧化物及有機鹽。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法，其特征在于，原料與鈉或鉀的化合物的混合比例是將原料與鈉或鉀的化合物折算成相應氧化物，范圍在0. 5 至2重量％。
4.根據(jù)權利要求3所述的燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法，其特征在于，所述燒結(jié)溫度范圍在1000至1400°C之間。
5.根據(jù)權利要求3所述的燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法，其特征在于，恒溫時間在1.5至8小時之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種燒結(jié)體氧化鎂靶材的雜質(zhì)控制方法。該方法以氧化鎂、氫氧化鎂、堿式碳酸鎂或碳酸鎂中的一種或幾種為原料，并將原料與含鈉或鉀的化合物進行混合后，在低溫下進行燒結(jié)，得到氧化鎂靶材。本發(fā)明的效果和益處是，通過雜質(zhì)的控制，在高純的基礎上進一步提高粉體純度，提升了靶材的品質(zhì)，又因為氧化鎂保護膜質(zhì)量是決定等離子電視機能耗和使用壽命的重要參數(shù)，該雜質(zhì)控制方法又間接提高了等離子電視機的質(zhì)量。本發(fā)明具有很好的經(jīng)濟價值和社會價值。
文檔編號C01F5/02GK102198954SQ20111010147
公開日2011年9月28日 申請日期2011年4月22日 優(yōu)先權日2011年4月22日
發(fā)明者張百平, 林宇, 潘忠藝, 王寧會, 穆卓藝 申請人:遼寧中大超導材料有限公司