專(zhuān)利名稱(chēng)：氫化爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其涉及生產(chǎn)多晶硅的氫化爐的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在多晶的生產(chǎn)中，會(huì)產(chǎn)生大量的副產(chǎn)品四氯化硅。由于四氯化硅危害性很大，引發(fā)的環(huán)保壓力已成為嚴(yán)重的社會(huì)問(wèn)題?，F(xiàn)有的氫化爐在設(shè)計(jì)、制造中存在不足，易泄漏產(chǎn)生明火、造成爆炸，危險(xiǎn)性大，且四氯化硅的回收率很低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種安全且回收率高的氫化爐。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的氫化爐，包括底座，底座的上方連接外筒，外筒內(nèi)設(shè)置底盤(pán)和保溫筒，保溫筒設(shè)置在底盤(pán)的上方；所述底座上還設(shè)置底座中心孔，所述底盤(pán)上還設(shè)置底盤(pán)中心孔，底座中心孔和底盤(pán)中心孔內(nèi)穿置同一氣管，所述氣管包括內(nèi)管和外管，內(nèi)管穿置在外管內(nèi)，內(nèi)管的上端高于外管的上端；所述保溫筒內(nèi)設(shè)置至少十二組成對(duì)布置的加熱棒，底盤(pán)上還設(shè)置與加熱棒數(shù)量相等的通孔，每個(gè)通孔內(nèi)分別設(shè)置石墨電極，每個(gè)石墨電極分別螺紋連接電極座，每根加熱棒的下端分別插置在相應(yīng)的電極座內(nèi)，每根加熱棒與相應(yīng)的電極座外分別套置同一石英護(hù)罩，每個(gè)石英護(hù)罩分別穿置在相應(yīng)的通孔內(nèi)，每組的兩根加熱棒的上端分別通過(guò)連接塊連接。本發(fā)明通過(guò)以上設(shè)計(jì)，冷氣從內(nèi)管進(jìn)，加熱后從內(nèi)管與外管之間出，下一工序進(jìn)入還原爐，保溫筒內(nèi)配合多組加熱棒，使得加熱均勻而充分，大大提了高轉(zhuǎn)化率。本發(fā)明將四氯化硅在加氫條件下，在一定的溫度下進(jìn)行反應(yīng)，生成三氯氫硅，減少副產(chǎn)物生成、提高多晶硅產(chǎn)量、降低成產(chǎn)成本。本發(fā)明內(nèi)管的上端設(shè)置上蓋。


圖1為本發(fā)明的一種結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1底座，2底盤(pán)，3保溫筒，4外筒，5氣管，5-1內(nèi)管，5_2外管，6上蓋，7連接塊，8加熱棒，9石英護(hù)罩，10電極座，11石墨電極，12通孔，13底盤(pán)中心孔，14底座中心孔。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，為氫化爐，包括底座1，底座1的上方連接外筒4，外筒4內(nèi)設(shè)置底盤(pán)2 和保溫筒3，保溫筒3設(shè)置在底盤(pán)2的上方。底座1上還設(shè)置底座中心孔14，底盤(pán)2上還設(shè)置底盤(pán)中心孔13，底座中心孔14和底盤(pán)中心孔13內(nèi)穿置同一氣管5，氣管5包括內(nèi)管5-1 和外管5-2，內(nèi)管5-1穿置在外管5-2內(nèi)，內(nèi)管5-1的上端高于外管5_2的上端，內(nèi)管5_1的上端設(shè)置上蓋6。保溫筒3內(nèi)設(shè)置十二組成對(duì)布置的加熱棒8，底盤(pán)2上還設(shè)置二十四個(gè)的通孔12，每個(gè)通孔12內(nèi)分別設(shè)置石墨電極11，每個(gè)石墨電極11分別螺紋連接電極座10，每根加熱棒8的下端分別插置在相應(yīng)的電極座10內(nèi)，每根加熱棒8與相應(yīng)的電極座10外分別套置同一石英護(hù)罩9，每個(gè)石英護(hù)罩9分別穿置在相應(yīng)的通孔12內(nèi)，每組的兩根加熱棒8 的上端分別通過(guò)連接塊7連接。
權(quán)利要求
1.氫化爐，其特征在于包括底座，底座的上方連接外筒，外筒內(nèi)設(shè)置底盤(pán)和保溫筒， 保溫筒設(shè)置在底盤(pán)的上方；所述底座上還設(shè)置底座中心孔，所述底盤(pán)上還設(shè)置底盤(pán)中心孔， 底座中心孔和底盤(pán)中心孔內(nèi)穿置同一氣管，所述氣管包括內(nèi)管和外管，內(nèi)管穿置在外管內(nèi)， 內(nèi)管的上端高于外管的上端；所述保溫筒內(nèi)設(shè)置至少十二組成對(duì)布置的加熱棒，底盤(pán)上還設(shè)置與加熱棒數(shù)量相等的通孔，每個(gè)通孔內(nèi)分別設(shè)置石墨電極，每個(gè)石墨電極分別螺紋連接電極座，每根加熱棒的下端分別插置在相應(yīng)的電極座內(nèi)，每根加熱棒與相應(yīng)的電極座外分別套置同一石英護(hù)罩，每個(gè)石英護(hù)罩分別穿置在相應(yīng)的通孔內(nèi)，每組的兩根加熱棒的上端分別通過(guò)連接塊連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化爐，其特征在于所述內(nèi)管的上端設(shè)置上蓋。
全文摘要
氫化爐，涉及多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，包括底座，底座的上方連接外筒，外筒內(nèi)設(shè)置底盤(pán)和保溫筒，底座上還設(shè)置底座中心孔，底盤(pán)上還設(shè)置底盤(pán)中心孔，底座中心孔和底盤(pán)中心孔內(nèi)穿置同一氣管，氣管包括內(nèi)管和外管；保溫筒內(nèi)設(shè)置至少十二組成對(duì)布置的加熱棒，底盤(pán)上還設(shè)置與加熱棒數(shù)量相等的通孔，每個(gè)通孔內(nèi)分別設(shè)置石墨電極，每個(gè)石墨電極分別螺紋連接電極座，每根加熱棒的下端分別插置在相應(yīng)的電極座內(nèi)，每根加熱棒與相應(yīng)的電極座外分別套置同一石英護(hù)罩，每組的兩根加熱棒的上端分別通過(guò)連接塊連接。本發(fā)明通過(guò)以上設(shè)計(jì)，冷氣從內(nèi)管進(jìn)，加熱后從內(nèi)管與外管之間出，保溫筒內(nèi)配合多組加熱棒，使得加熱均勻而充分，大大提高了轉(zhuǎn)化率。
文檔編號(hào)C01B33/107GK102229431SQ20111013032
公開(kāi)日2011年11月2日 申請(qǐng)日期2011年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月19日
發(fā)明者倪寶達(dá) 申請(qǐng)人:儀征市榮昌炭素材料有限公司