專利名稱：一種用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，本實(shí)用新型涉及一種用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置。
背景技術(shù)：
我國現(xiàn)階段多晶硅項(xiàng)目工藝技術(shù)85%以上都屬于西門子工藝技術(shù)，該工藝過程中，有眾多系統(tǒng)需要進(jìn)行氣體過濾。具體有:四氯化娃氫化生產(chǎn)三氯氫娃系統(tǒng)、三氯氫娃合成系統(tǒng)、還原尾氣干法回收系統(tǒng)等。目前一般采用的過濾器均為布袋過濾器，而在生產(chǎn)過程中，發(fā)現(xiàn)布袋過濾器存在如下幾個缺點(diǎn):1、布袋過濾器耐高溫性能差。尤其是在三氯氫硅合成系統(tǒng)、以及四氯化硅氫化生產(chǎn)三氯氫硅系統(tǒng)中，發(fā)現(xiàn)布袋過濾器非常容易出現(xiàn)破損，導(dǎo)致過濾效果嚴(yán)重下降，最終造成后續(xù)系統(tǒng)堵塞；2、布袋過濾器容易破損，就造成氣體中的粉塵量大量增加，最終造成產(chǎn)品質(zhì)量出現(xiàn)大幅下降；3、布袋過濾器價格昂貴，目前進(jìn)口的濾材折算到成品濾袋上，每平方米價格達(dá)到1000元以上；4、布袋過濾器的濾材耐腐蝕性能差，同時支撐件在檢修過程中容易腐蝕，造成檢修困難，且檢修成本高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問題之一或至少提供一種有用的商業(yè)選擇。為此，本實(shí)用新型的一個目的在于提出一種過濾性能好、成本低、檢修方便的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置。根據(jù)本實(shí)用新型示例的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，包括從上至下依次連接的上封頭、直筒部和下封頭，其中，所述過濾裝置的上部設(shè)有用于排出過濾后的氣體的出氣口且下部設(shè)有用于排出廢渣的排渣口，所述直筒部的下部設(shè)有用于向所述直筒內(nèi)導(dǎo)入待過濾氣體的進(jìn)氣口，且所述進(jìn)氣口的上方設(shè)有過濾部，所述過濾部包括設(shè)有通孔的花盤以及設(shè)在所述通孔中的陶瓷濾芯。根據(jù)本實(shí)用新型示例的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，由于采用設(shè)置有陶瓷濾芯的氣體過濾裝置，該過濾裝置具有耐高溫，耐腐蝕的優(yōu)良特性，而且材質(zhì)穩(wěn)定，不會對多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量造成影響；陶瓷濾芯可以根據(jù)過濾精度的要求，生產(chǎn)不同精度的濾芯，且陶瓷濾芯成型簡單，大規(guī)模生產(chǎn)容易，價格低廉。另外，根據(jù)本實(shí)用新型上述示例的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，還可以具有如下附加的技術(shù)特征:[0013]所述通孔為多個，所述多個通孔沿所述花盤的徑向和軸向均勻分布，每個所述通孔內(nèi)均設(shè)有所述陶瓷濾芯。所述通孔和所述陶瓷濾芯的個數(shù)被設(shè)置成能夠?qū)⑺鰵怏w的流速控制在0.01
0.2m/s。所述陶瓷濾芯通過緊固件固定在所述花盤上，所述緊固件包括固定環(huán)和壓蓋，所述固定環(huán)焊接在所述花盤上且所述固定環(huán)的內(nèi)孔與所述通孔相對應(yīng)，所述壓蓋扣接在所述陶瓷濾芯的頂端且與所述固定環(huán)相連接以將所述陶瓷濾芯固定在所述通孔內(nèi)。所述陶瓷濾芯為氧化鋁濾芯。所述氧化鋁濾芯的過濾精度為800 1500目。所述直筒部上設(shè)有檢修口，所述檢修口位于所述過濾部的上方。所述出氣口設(shè)在所述上封頭的頂端且所述排渣口設(shè)在所述下封頭的底端。本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對示例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:圖1是根據(jù)本實(shí)用新型示例的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是根據(jù)本實(shí)用新型示例的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置陶瓷濾芯分布示意圖；圖3是根據(jù)本實(shí)用新型示例的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置陶瓷濾芯緊固件示意圖；圖4是根據(jù)本實(shí)用新型示例的還原尾氣干法回收系統(tǒng)示意圖；圖5是根據(jù)本實(shí)用新型示例的多晶硅生產(chǎn)工藝中產(chǎn)生的還原尾氣的干法回收方法的流程示意圖；圖6是根據(jù)本實(shí)用新型示例的還原尾氣干法回收系統(tǒng)的回收流程示意圖。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的示例，所述示例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的示例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對本實(shí)用新型的限制。在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本實(shí)用新型的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面首先結(jié)合附圖具體描述根據(jù)本實(shí)用新型示例的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置。如圖1所示，根據(jù)本實(shí)用新型示例的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置包括:從上至下依次連接的上封頭10、直筒部20和下封頭30。其中，所述過濾裝置的上部設(shè)有用于排出過濾后的氣體的出氣口 11且下部設(shè)有用于排出廢渣的排渣口 31，直筒部20的下部設(shè)有用于向所述直筒內(nèi)導(dǎo)入待過濾氣體的進(jìn)氣口 21，且進(jìn)氣口 21的上方設(shè)有過濾部，過濾部包括設(shè)有通孔的花盤22以及設(shè)在通孔中的陶瓷濾芯23。由此，根據(jù)本實(shí)用新型示例的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，由于采用了陶瓷濾芯，使得過濾裝置具有耐高溫，耐腐蝕的優(yōu)良特性，而且材質(zhì)穩(wěn)定，不會對多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量造成影響；陶瓷濾芯23可以根據(jù)過濾精度的要求，生產(chǎn)不同精度的濾芯，且陶瓷濾芯23成型簡單，大規(guī)模生產(chǎn)容易，價格低廉。進(jìn)一步考慮到成本及大規(guī)模生產(chǎn)問題，在一個示例中，優(yōu)選地，陶瓷濾芯23為氧化鋁濾芯。由此,該材質(zhì)的陶瓷濾芯23既可以滿足耐高溫、耐腐蝕的要求，而且容易大規(guī)模生產(chǎn)，可以進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。在一個示例中，如圖2所示，通孔為多個，多個通孔沿花盤22的徑向和軸向均勻分布，每個通孔內(nèi)均設(shè)有陶瓷濾芯23。由此，通過設(shè)置多個通孔，可以將過濾孔道分開，根據(jù)換熱面積以及花盤22的尺寸布置陶瓷濾芯23達(dá)到過濾效果，避免出現(xiàn)過濾孔道堵塞即整體不能使用的情況，提高過濾裝置的實(shí)用性?？紤]到氣體體積及過濾面積的問題，在一個示例中，通孔和陶瓷濾芯23的個數(shù)被設(shè)置成能夠?qū)⑺鰵怏w的流速控制在0.01 0.2m/s。由此，在該流速下可以使氣體得到更充分的過濾。在一個示例中，如圖3所示，陶瓷濾芯23通過緊固件固定在花盤22上,所述緊固件包括固定環(huán)241和壓蓋242，固定環(huán)241焊接在花盤22上且固定環(huán)241的內(nèi)孔與通孔相對應(yīng)，壓蓋242扣接在陶瓷濾芯23的頂端且與固定環(huán)241相連接以將陶瓷濾芯23固定在通孔內(nèi)。由此,可以將陶瓷濾芯23固定于花盤22上，并且固定方式合理，方便進(jìn)行拆卸、安裝，降低檢修難度。[0041]在一個示例中，所述氧化鋁濾芯的過濾精度為800 1500目。由此，可以根據(jù)需要過濾掉目數(shù)較大的粉塵。有利地，在一個示例中，直筒部20上設(shè)有檢修口 25，檢修口 25位于所述過濾部的上方。由此，通過設(shè)置檢修口 25，可以方便進(jìn)行故障檢修，不需要拆卸設(shè)備。在一個示例中，出氣口 11設(shè)在上封頭10的頂端且排渣口 31設(shè)在下封頭30的底端。由此，可以便于過濾裝置的排洛，省去了拆卸設(shè)備的過程。下面結(jié)合圖4描述根據(jù)本實(shí)用新型的氣體過濾裝置在還原尾氣干法回收系統(tǒng)中的應(yīng)用。如圖4所示,優(yōu)選地,所述還原尾氣干法回收系統(tǒng)包括:淋洗塔40、吸收系統(tǒng)50、吸附裝置60及第一過濾裝置70。淋洗塔40用于對還原尾氣進(jìn)行淋洗以除去其中的高氯硅烷和固體雜質(zhì)。吸收系統(tǒng)50用于對淋洗后的還原尾氣進(jìn)行吸收處理，以除去其中的氯硅烷和氯化氫，得到氫氣。此處，需要說明的是，吸收系統(tǒng)50內(nèi)還可以設(shè)置有脫吸裝置，以對吸收劑進(jìn)行脫吸處理，從而實(shí)現(xiàn)循環(huán)再利用的同時，還可以對從吸收劑中脫吸所得到的氯硅烷和氯化氫進(jìn)行分離后加以應(yīng)用。此外，需要說明的是，吸收系統(tǒng)50只能夠除去還原尾氣中的大部分的氯硅烷和氯化氫，得到的氫氣中還殘存有微量的氯硅烷和氯化氫，還需要進(jìn)一步進(jìn)行處理以達(dá)到應(yīng)用于多晶硅生產(chǎn)中的使用目的。吸附裝置60內(nèi)設(shè)有用于對所述氫氣進(jìn)行吸附處理的吸附劑，以進(jìn)一步吸附掉氫氣中所殘存的氯硅烷和氯化氫。第一過濾裝置70用于對所述氫氣進(jìn)行過濾，以得到高純氫氣，其中，第一過濾裝置70為根據(jù)上述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置。在一個示例中，吸附裝置60還可以被設(shè)置成能夠?qū)ξ搅寺裙柰楹吐然瘹涞奈絼┻M(jìn)行再生，從而恢復(fù)吸附劑的吸附能力的同時得到從吸附劑中所釋放出的再生氣，且還原尾氣干法回收系統(tǒng)還包括:第二過濾裝置80，其中，第二過濾裝置80為根據(jù)上述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置。第二過濾裝置80用于對所述再生氣進(jìn)行過濾，以除去其中的高氯硅烷和固體雜質(zhì)并重新返回淋洗塔40進(jìn)行鼓泡淋洗。由于根據(jù)本實(shí)用新型上述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置具有上述的技術(shù)效果，因此，上述還原尾氣干法回收系統(tǒng)也具有相應(yīng)的技術(shù)效果，并且根據(jù)該系統(tǒng)可以得到高純氫氣和高純再生氣。下面進(jìn)一步結(jié)合圖5描述根據(jù)本實(shí)用新型的氣體過濾裝置在多晶硅生產(chǎn)工藝中產(chǎn)生的還原尾氣的干法回收中的應(yīng)用。具體地，所述多晶硅生產(chǎn)工藝中產(chǎn)生的還原尾氣的干法回收方法可以包括以下步驟:a)對所述還原尾氣進(jìn)行鼓泡淋洗，以除去其中的高氯硅烷和固體雜質(zhì)。b)將經(jīng)過鼓泡淋洗的還原尾氣進(jìn)行吸收處理，以除去其中的氯硅烷和氯化氫，得到氫氣。c)將所述氫氣通過吸附劑進(jìn)行吸附以去除氫氣中所殘存的氯硅烷和氯化氫，并通過第一過濾裝置70進(jìn)行過濾，得到高純氫氣，其中，第一過濾裝置70為根據(jù)上述示例所述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾>J-U ρ α裝直。由于根據(jù)上述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置具有上述的技術(shù)效果，因此，上述多晶硅生產(chǎn)工藝中產(chǎn)生的還原尾氣的干法回收方法也具有相應(yīng)的技術(shù)效果。由此，通過該干法回收方法可以得到高純氫氣。在一個示例中，所述多晶硅生產(chǎn)工藝中產(chǎn)生的還原尾氣的干法回收方法還包括以下步驟:d)對吸附了氯硅烷和氯化氫的吸附劑進(jìn)行再生，恢復(fù)吸附劑的吸附能力的同時得到從吸附劑中所釋放出的再生氣。其中，再生氣的成分為氫氣、氯化氫、以及微量氯硅烷。e)對所述再生氣通過第二過濾裝置進(jìn)行過濾，得到高純再生氣并返回進(jìn)行鼓泡淋洗。第二過濾裝置80為根據(jù)上述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置。由于根據(jù)上述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置具有上述的技術(shù)效果，因此，上述多晶硅生產(chǎn)工藝中產(chǎn)生的還原尾氣的干法回收方法也具有相應(yīng)的技術(shù)效果。由此，可以得到高純再生氣。為了保證過濾裝置的正常運(yùn)行，提高過濾效率，優(yōu)選地，可以控制第一過濾裝置70的進(jìn)氣溫度為25 40°C，進(jìn)氣壓力為0.05 0.5MPa，進(jìn)氣流量為5000 10000Nm3/h ;第二過濾裝置80的進(jìn)氣溫度為80 150°C，進(jìn)氣壓力為0.05 0.2MPa，進(jìn)氣流量為500 2000Nm3/h。 下面結(jié)合實(shí)施例和附圖具體描述上述還原尾氣干法回收方法的流程。實(shí)施例1如圖6所示，首先將還原尾氣通過淋洗塔40進(jìn)行鼓泡淋洗，用于對還原尾氣進(jìn)行淋洗以除去其中的高氯硅烷和固體雜質(zhì)，還原尾氣組分為氯硅烷、氫氣和少量氯化氫。將淋洗后的還原尾氣通入吸收系統(tǒng)50進(jìn)行吸收脫吸，以對淋洗后的還原尾氣進(jìn)行吸收處理，除去其中的氯硅烷和氯化氫，得到氫氣(其中含有微量氯化氫以及微量氯硅烷)。被吸收的氯硅烷和氯化氫可以進(jìn)一步進(jìn)行分離，從而分別得到氯硅烷和氯化氫。分離得到的氯硅烷經(jīng)過提純后可重新參與還原反應(yīng)，反應(yīng)后的還原尾氣再次經(jīng)過干法回收系統(tǒng)進(jìn)行回收，形成循環(huán)利用。分離得到的氯化氫可送入三氯氫硅合成系統(tǒng)制備三氯氫硅，制備出三氯氫硅經(jīng)過提純后也可重新參與還原反應(yīng)，反應(yīng)后的還原尾氣再次經(jīng)過干法回收系統(tǒng)進(jìn)行回收，形成循環(huán)利用。將氫氣、微量氯化氫以及微量氯硅烷的混合物通入設(shè)有用于對所述氫氣進(jìn)行吸附處理的吸附劑的吸附裝置60內(nèi)進(jìn)行吸附以吸附掉其中的微量氯化氫以及微量氯硅烷，得到氫氣。將氫氣通入第一過濾裝置70進(jìn)行過濾，控制進(jìn)氣溫度為25 40°C，進(jìn)氣壓力為
0.05 0.5MPa，進(jìn)氣流量為5000 10000Nm3/h，過濾精度為800 1500目，得到高純氫氣。獲得的高純氫氣可重新參與還原反應(yīng)，反應(yīng)后的還原尾氣再次經(jīng)過干法回收系統(tǒng)進(jìn)行回收，形成循環(huán)利用。將吸附裝置60內(nèi)的吸附了氯硅烷和氯化氫的吸附劑進(jìn)行再生，恢復(fù)吸附劑的吸附能力，同時得到成分為氫氣、氯化氫、以及微量氯硅烷氣體的再生氣。將再生氣通入第二過濾裝置80進(jìn)行過濾，控制進(jìn)氣溫度為80 150°C，進(jìn)氣壓力為0.05 0.2MPa，進(jìn)氣流量為500 2000Nm3/h，過濾精度為800 1500目，得到高純再生氣。獲得的高純再生氣可通過淋洗塔40進(jìn)行鼓泡淋洗，形成循環(huán)利用。在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該示例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個示例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的示例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個或多個示例或示例中以合適的方式結(jié)合。盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的示例，可以理解的是，上述示例是示例性的，不能理解為對本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的原理和宗旨的情況下在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對上述示例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
權(quán)利要求1.種用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，其特征在于，包括從上至下依次連接的上封頭、直筒部和下封頭，其中， 所述過濾裝置的上部設(shè)有用于排出過濾后的氣體的出氣口且下部設(shè)有用于排出廢渣的排渣口， 所述直筒部的下部設(shè)有用于向所述直筒內(nèi)導(dǎo)入待過濾氣體的進(jìn)氣口，且所述進(jìn)氣口的上方設(shè)有過濾部，所述過濾部包括設(shè)有通孔的花盤以及設(shè)在所述通孔中的陶瓷濾芯。
2.據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，其特征在于，所述通孔為多個，所述多個通孔沿所述花盤的徑向和軸向均勻分布，每個所述通孔內(nèi)均設(shè)有所述陶瓷濾芯。
3.據(jù)權(quán)利要求2所述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，其特征在于，所述通孔和所述陶瓷濾芯的個數(shù)被設(shè)置成能夠?qū)⑺鰵怏w的流速控制在0.0l 0.2m/s。
4.據(jù)權(quán)利要求2所述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，其特征在于，所述陶瓷濾芯通過緊固件固定在所述花盤上，所述緊固件包括固定環(huán)和壓蓋，所述固定環(huán)焊接在所述花盤上且所述固定環(huán)的內(nèi)孔與所述通孔相對應(yīng)，所述壓蓋扣接在所述陶瓷濾芯的頂端且與所述固定環(huán)相連接以將所述陶瓷濾芯固定在所述通孔內(nèi)。
5.據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，其特征在于，所述陶瓷濾芯為氧化鋁濾芯。
6.據(jù)權(quán)利要求5所述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，其特征在于，所述氧化鋁濾芯的過濾精度為800 1500目。
7.據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，其特征在于，所述直筒部上設(shè)有檢修口，所述檢修口位于所述過濾部的上方。
8.據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，其特征在于，所述出氣口設(shè)在所述上封頭的頂端且所述排渣口設(shè)在所述下封頭的底端。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于多晶硅生產(chǎn)工藝的氣體過濾裝置，所述氣體過濾裝置包括從上至下依次連接的上封頭、直筒部和下封頭，其中，所述過濾裝置的上部設(shè)有用于排出過濾后的氣體的出氣口且下部設(shè)有用于排出廢渣的排渣口，所述直筒部的下部設(shè)有用于向所述直筒內(nèi)導(dǎo)入待過濾氣體的進(jìn)氣口，且所述進(jìn)氣口的上方設(shè)有過濾部，所述過濾部包括設(shè)有通孔的花盤以及設(shè)在所述通孔中的陶瓷濾芯。根據(jù)本實(shí)用新型的氣體過濾裝置，由于采用設(shè)置有陶瓷濾芯的氣體過濾裝置，該過濾裝置具有耐高溫，耐腐蝕的優(yōu)良特性，不會對多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量造成影響；陶瓷濾芯可以根據(jù)過濾精度的要求，生產(chǎn)不同精度的濾芯，且陶瓷濾芯成型簡單，價格低廉。
文檔編號C01B33/035GK202921106SQ201220398130
公開日2013年5月8日 申請日期2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月10日
發(fā)明者萬燁, 嚴(yán)大洲, 毋克力, 肖榮暉, 湯傳斌 申請人:中國恩菲工程技術(shù)有限公司