純化四氯化硅的系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種純化四氯化硅的系統(tǒng)，包括：精餾塔本體，所述精餾塔本體內(nèi)自上而下依次限定出吸附精餾段、輕組分脫除段和重組分脫除段；四氯化硅入口，所述四氯化硅入口設(shè)置在所述吸附精餾段與所述輕組分脫除段之間；四氯化硅出口，所述四氯化硅出口設(shè)置在所述輕組分脫除段與所述重組分脫除段之間；蒸汽出口，所述蒸汽出口設(shè)置在所述吸附精餾段頂部；以及重組分出口，所述重組分出口設(shè)置在所述重組分脫除段底部。該系統(tǒng)可以制備得到光纖用級(jí)別的四氯化硅，并且可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)。
【專利說明】純化四氯化硅的系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，具體而言，本實(shí)用新型涉及一種純化四氯化硅的系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著我國信息化建設(shè)的發(fā)展，市場對(duì)光纖產(chǎn)品的需求不斷增長，總需求突破I億芯公里，市場出現(xiàn)了光纖供應(yīng)不足的現(xiàn)象，而制約光纖產(chǎn)量增加的重要技術(shù)因素就是我國對(duì)進(jìn)口光纖預(yù)制棒及其重要原料之一光纖用超純四氯化硅(超低氫含量四氯化硅)的依賴程度過高。所以，為支持國家信息化建設(shè)的發(fā)展，研發(fā)制備光纖用超純四氯化硅的技術(shù)成為當(dāng)務(wù)之急。
[0003]制備光纖用超純四氯化硅的方法主要包括精餾法、吸收法、部分水解法、絡(luò)合法、光氯化法等。其中精餾塔和吸收法屬于物理法，僅可制備一定純度的四氯化硅，在制備光纖用超純四氯化硅時(shí)存在問題；部分水解法、絡(luò)合法和光氯化法屬于化學(xué)法，通過反應(yīng)去除四氯化硅中的雜質(zhì)，可以用于制備光纖用超純四氯化硅，但因部分水解法和絡(luò)合法具有操作困難和無法大規(guī)模生產(chǎn)的缺點(diǎn)，其應(yīng)用受到限制。
[0004]目前國內(nèi)在大規(guī)模制備光纖用超純四氯化硅方面還處于空白。北京有色研究總院公開了一種精餾式光氯化反應(yīng)裝置(專利申請(qǐng)?zhí)?200910260296.X)，此裝置僅適用于實(shí)驗(yàn)室研究，無法實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)和有效工業(yè)放大。武漢新硅科技有限公司公開了一種光纖用高純四氯化硅的連續(xù)精餾方法，雖解決了連續(xù)和大規(guī)模生產(chǎn)的問題，但四氯化硅的純度無法達(dá)到超純要求。
[0005]因此，現(xiàn)有的純化四氯化硅的技術(shù)還有待進(jìn)一步研究。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提出一種純化四氯化硅的系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以制備得到光纖用級(jí)別的四氯化硅，并且可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)。
[0007]在本實(shí)用新型的一個(gè)方面，本實(shí)用新型提出了一種純化四氯化硅的系統(tǒng)，包括:
[0008]精餾塔本體，所述精餾塔本體內(nèi)自上而下依次限定出吸附精餾段、輕組分脫除段和重組分脫除段；
[0009]四氯化硅入口，所述四氯化硅入口設(shè)置在所述吸附精餾段與所述輕組分脫除段之間；
[0010]四氯化硅出口，所述四氯化硅出口設(shè)置在所述輕組分脫除段與所述重組分脫除段之間；
[0011]蒸汽出口，所述蒸汽出口設(shè)置在所述吸附精餾段頂部；以及
[0012]重組分出口，所述重組分出口設(shè)置在所述重組分脫除段底部。
[0013]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的純化四氯化硅的系統(tǒng)通過在單塔中同時(shí)進(jìn)行吸附和精餾，有效解決了系統(tǒng)操作困難和無法大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)的問題，并且顯著提高了系統(tǒng)的運(yùn)行效率和運(yùn)行連續(xù)性，同時(shí)，將吸附與精餾相結(jié)合，在吸附的同時(shí)進(jìn)行傳熱傳質(zhì)，保證了四氯化硅產(chǎn)品的純度，從而可以制備得到光纖用級(jí)別的四氯化硅。
[0014]另外，根據(jù)本實(shí)用新型上述實(shí)施例的純化四氯化硅的系統(tǒng)還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0015]在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，所述的純化四氯化硅的系統(tǒng)進(jìn)一步包括:四氯化硅汽化裝置，所述四氯化硅汽化裝置具有液體四氯化硅入口、未汽化重組分出口和氣體四氯化硅出口 ；以及四氯化硅過熱裝置，所述四氯化硅過熱裝置具有氣體四氯化硅入口和過熱四氯化硅出口，并且所氣體四氯化硅入口與所述氣體四氯化硅出口相連，所述過熱四氯化硅出口與所述四氯化硅入口相連。由此，可以有效制備得到光纖用級(jí)別的四氯化硅。
[0016]在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，所述的純化四氯化硅的系統(tǒng)進(jìn)一步包括:第一冷卻裝置，所述第一冷卻裝置具有蒸汽入口和冷凝液出口，并且所述蒸汽入口與所述蒸汽出口相連，所述冷凝液出口與所述吸附精餾段相連；以及第二冷卻裝置，所述第二冷卻裝置具有輕組分入口和經(jīng)過冷卻的輕組分出口，并且所述輕組分入口與所述冷凝液出口相連。由此，可以有效回收系統(tǒng)中輕組分。
[0017]在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，所述的純化四氯化硅的系統(tǒng)進(jìn)一步包括:第三冷卻裝置，所述第三冷卻裝置具有精餾四氯化硅入口和純化的四氯化硅出口，并且所述精餾四氯化硅入口與所述四氯化硅出口相連；以及第四冷卻裝置，所述第四冷卻裝置與所述未汽化重組分出口和所述重組分出口相連。由此，可以有效回收系統(tǒng)中重組分。
[0018]在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，所述吸附精餾段的內(nèi)件為具有表面復(fù)合吸附劑的規(guī)整填料，并且理論板數(shù)為10?20塊。由此，可以顯著提高吸附精餾效率。
[0019]在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，所述輕組分脫除段的內(nèi)件為金屬絲網(wǎng)規(guī)整填料和板波紋規(guī)整填料，并且理論板數(shù)為20?40塊。由此，可以顯著提高輕組分脫除效率。
[0020]在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，所述重組分脫除段的內(nèi)件為金屬絲網(wǎng)規(guī)整填料和板波紋規(guī)整填料，并且理論板數(shù)為5?15塊。由此，可以顯著提高重組分脫除效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的純化四氯化硅的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型又一個(gè)實(shí)施例的純化四氯化硅的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0024]在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0025]此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本實(shí)用新型的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。
[0026]在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。
[0027]在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0028]在本實(shí)用新型的一個(gè)方面，本實(shí)用新型提出了一種純化四氯化硅的系統(tǒng)。下面參考圖1-2對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的純化四氯化硅的系統(tǒng)進(jìn)行詳細(xì)描述。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，該系統(tǒng)包括:
[0029]精餾塔本體100:根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，精餾塔本體100內(nèi)自上而下依次限定出吸附精餾段11、輕組分脫除段12和重組分脫除段13。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，吸附精餾段11與輕組分脫除段12之間設(shè)置有四氯化硅入口 14，用于將四氯化硅供給至精餾塔本體100中。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，輕組分脫除段12與重組分脫除段13之間設(shè)置有四氯化硅出口 15，用于將經(jīng)過精餾處理的四氯化硅排出精餾塔本體100。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，吸附精餾段11頂部設(shè)置有蒸汽出口 16，用于將產(chǎn)生的蒸汽排出精餾塔本體100。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，重組分脫除段13底部設(shè)置有重組分出口 17，用于將精餾處理得到的重組分排出精餾本體100。
[0030]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，吸附精餾段11進(jìn)行吸附精餾的條件并不受特別限制，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，吸附精餾段的塔頂溫度可以為65?95攝氏度，壓力可以為
0.05?0.2MPa。具體地，吸附精餾段的內(nèi)件可以為具有表面復(fù)合吸附劑的規(guī)整填料，并且理論塔板數(shù)為10?20塊。
[0031]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，輕組分脫除段12進(jìn)行精餾處理的條件并不受特別限制，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，輕組分脫除段的頂部溫度可以為65?95攝氏度，壓力可以為0.05?0.2MPa。具體地，輕組分脫除段的內(nèi)件可以為金屬絲網(wǎng)規(guī)整填料和板波紋規(guī)整填料，并且理論板數(shù)為20?40塊。
[0032]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，重組分脫除段13進(jìn)行精餾處理的條件并不受特別限制，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，重組分脫除段的頂部溫度可以為75?95攝氏度，壓力可以為0.05?0.2MPa。具體地，重組分脫除段13的內(nèi)件可以為金屬絲網(wǎng)規(guī)整填料和板波紋規(guī)整填料，并且理論板數(shù)為5?15塊。
[0033]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的純化四氯化硅的系統(tǒng)通過在單塔中同時(shí)進(jìn)行吸附和精餾，有效解決了系統(tǒng)操作困難和無法大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)的問題，并且顯著提高了系統(tǒng)的運(yùn)行效率和運(yùn)行連續(xù)性，同時(shí)，將吸附與精餾相結(jié)合，在吸附的同時(shí)進(jìn)行傳熱傳質(zhì)，保證了四氯化硅產(chǎn)品的純度，從而可以制備得到光纖用級(jí)別的四氯化硅。
[0034]參考圖2，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的純化四氯化硅的系統(tǒng)進(jìn)一步包括:
[0035]四氯化硅汽化裝置200:根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，四氯化硅汽化裝置200具有液體四氯化硅入口 21、未汽化重組分出口 22和氣體四氯化硅出口 23，且適于對(duì)液體四氯化硅進(jìn)行汽化處理，從而可以得到氣體四氯化硅。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，四氯化硅汽化裝置中對(duì)液體四氯化硅進(jìn)行汽化的條件并不受特別限制，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，對(duì)液體四氯化硅進(jìn)行汽化可以在溫度為85?105攝氏度和壓力為0.1?0.25MPa壓力條件下進(jìn)行。具體地，對(duì)液體四氯化硅進(jìn)行汽化，由于液體四氯化硅中含有部分重組分，由此通過溫度控制，可以使得其中所攜帶的部分重組分雜質(zhì)不汽化，從而可以得到氣體四氯化硅，由此，可以顯著提高四氯化硅的純度。
[0036]四氯化硅過熱裝置300:四氯化硅過熱裝置300具有氣體四氯化硅入口 31和過熱四氯化硅出口 32，并且氣體四氯化硅入口 31與氣體四氯化硅出口 23相連，且適于對(duì)氣體四氯化硅進(jìn)行過熱處理，從而可以得到過熱四氯化硅。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，過熱四氯化硅出口 32與四氯化硅入口 14相連，且適于將四氯化硅供給至精餾塔本體100中。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，四氯化硅過熱裝置300中對(duì)氣體四氯化硅進(jìn)行過熱處理的條件并不受特別限制，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，過熱處理可以在溫度為95?115攝氏度和壓力為0.1?0.25MPa壓力條件下進(jìn)行。具體地，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對(duì)氣體四氯化硅進(jìn)行過熱處理可以有效避免四氯化硅蒸汽在輸送過程中液化而增大輸送阻力。
[0037]第一冷卻裝置400:根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，第一冷卻裝置400具有蒸汽入口 41和冷凝液出口 42，并且蒸汽入口 41與蒸汽出口 16相連，適于對(duì)精餾塔本體中產(chǎn)生的蒸汽混合物進(jìn)行第一冷卻處理，從而可以得到回流液和輕組分，冷凝液出口 42與吸附精餾段11相連，適于將冷凝液的一部分作為回流液返回吸附精餾段繼續(xù)進(jìn)行精餾處理。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，回流液中含有四氯化硅。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，回流液與供給至四氯化硅汽化裝置的液體四氯化硅的質(zhì)量流率可以為10?15。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，第一冷卻處理的條件并不受特別限制，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，第一冷卻處理可以在溫度為55?85攝氏度和壓力為0.05?0.2MPa壓力條件下進(jìn)行。
[0038]第二冷卻裝置500:根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，第二冷卻裝置500具有輕組分入口51和經(jīng)過冷卻的輕組分出口 52，并且輕組分入口 51與冷凝液出口 42相連，且適于對(duì)從第一冷卻裝置400中得到的冷凝液的另一部分作為輕組分進(jìn)行第二冷卻處理。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，第二冷卻處理的條件并不受特別限制，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，第二冷卻處理可以在溫度為25?65攝氏度和壓力為0.05?0.2MPa壓力條件下進(jìn)行。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，輕組分可以含有三氯氫硅和少量四氯化硅。
[0039]第三冷卻裝置600:根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，第三冷卻裝置600具有精餾四氯化硅入口 61和純化的四氯化硅出口 62，并且精餾四氯化硅入口 61與四氯化硅出口 15相連，且適于對(duì)經(jīng)過精餾處理的四氯化硅進(jìn)行第三冷卻處理，從而可以得到純化的四氯化硅。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，第三冷卻處理的條件并不受特別限制，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，第三冷卻處理可以在溫度為75?95攝氏度和壓力為0.05?0.2MPa壓力條件下進(jìn)行。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所得到的純化的四氯化硅的純度可以為99.9999?99.999999% ο
[0040]第四冷卻裝置700:根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，第四冷卻裝置700與未汽化重組分出口 22和重組分出口 17相連，且適于對(duì)重組分進(jìn)行第四冷卻處理。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，第四冷卻處理的條件并不受特別限制，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，第四冷卻處理可以在溫度為35?85攝氏度和壓力為0.05?0.2MPa壓力條件下進(jìn)行。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，重組分可以含有甲基氯硅烷和少量四氯化硅。
[0041]如上所述，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的純化四氯化硅的系統(tǒng)可具有選自下列的優(yōu)點(diǎn)至少之一:
[0042]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的純化四氯化硅的系統(tǒng)通過將吸附與精餾相結(jié)合，在吸附的同時(shí)進(jìn)行傳熱傳熱，從而保證四氯化硅產(chǎn)品的純度；
[0043]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的純化四氯化硅的系統(tǒng)將吸附處理與精餾處理在單塔中實(shí)現(xiàn)，操作簡單易行，節(jié)能降耗。
[0044]下面參考具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行描述，需要說明的是，這些實(shí)施例僅僅是描述性的，而不以任何方式限制本實(shí)用新型。
[0045]實(shí)施例
[0046]從前面工序來的液體四氯化硅A首先經(jīng)過四氯化硅汽化裝置200進(jìn)行汽化處理，從而分別得到氣體四氯化硅和未汽化重組分，其中氣體四氯化硅供給至四氯化硅過熱裝置300，得到過熱四氯化硅，然后將得到的過熱四氯化硅通過吸附精餾段和輕組分脫除段之間的四氯化硅入口供給至精餾塔本體，在塔內(nèi)與輕組分脫除段上升的蒸汽混合后進(jìn)行吸附精餾段吸附雜質(zhì)，同時(shí)進(jìn)行精餾處理，含有輕組分的蒸汽混合物從吸附精餾段頂部的蒸汽出口排出，然后經(jīng)過第一冷卻裝置400進(jìn)行第一冷卻處理，得到冷凝液，將冷凝液的一部分作為輕組分供給至第二冷卻裝置500進(jìn)行第二冷卻處理，得到經(jīng)過冷卻的輕組分B，冷凝液的另一部分作為回流液返回至吸附精餾段與上升的蒸汽和過熱四氯化硅進(jìn)行傳熱傳質(zhì)，經(jīng)過吸附精餾處理得到的四氯化硅繼續(xù)進(jìn)入輕組分脫除段進(jìn)行精餾處理，得到的輕組分依次經(jīng)過吸附精餾段、第一冷卻裝置和第二冷卻裝置，而經(jīng)過精餾處理的四氯化硅從輕組分精餾段和重組分精餾段之間的四氯化硅出口排出，經(jīng)過第三冷卻裝置600得到純化的四氯化硅C(純度為99.9999?99.999999% )，而得到的重組分繼續(xù)進(jìn)入重組分脫除段進(jìn)行精餾處理，同理，輕組分依次經(jīng)過輕組分脫除段、吸附精餾段、第一冷卻裝置和第二冷卻裝置，而重組分從重組分脫除段的底部排出，與四氯化硅汽化器中分離得到的未汽化重組分混合后送至第四冷卻裝置700進(jìn)行第四冷卻處理，得到經(jīng)過冷卻的重組分D。
[0047]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且,描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。
[0048] 盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種純化四氯化硅的系統(tǒng)，其特征在于，包括: 精餾塔本體，所述精餾塔本體內(nèi)自上而下依次限定出吸附精餾段、輕組分脫除段和重組分脫除段； 四氯化硅入口，所述四氯化硅入口設(shè)置在所述吸附精餾段與所述輕組分脫除段之間； 四氯化硅出口，所述四氯化硅出口設(shè)置在所述輕組分脫除段與所述重組分脫除段之間； 蒸汽出口，所述蒸汽出口設(shè)置在所述吸附精餾段頂部；以及 重組分出口，所述重組分出口設(shè)置在所述重組分脫除段底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純化四氯化硅的系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括: 四氯化硅汽化裝置，所述四氯化硅汽化裝置具有液體四氯化硅入口、未汽化重組分出口和氣體四氯化硅出口 ；以及 四氯化硅過熱裝置，所述四氯化硅過熱裝置具有氣體四氯化硅入口和過熱四氯化硅出口，并且所述氣體四氯化硅入口與所述氣體四氯化硅出口相連，所述過熱四氯化硅出口與所述四氯化硅入口相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的純化四氯化硅的系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括: 第一冷卻裝置，所述第一冷卻裝置具有蒸汽入口和冷凝液出口，并且所述蒸汽入口與所述蒸汽出口相連，所述冷凝液出口與所述吸附精餾段相連；以及 第二冷卻裝置，所述第二冷卻裝置具有輕組分入口和經(jīng)過冷卻的輕組分出口，并且所述輕組分入口與所述冷凝液出口相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純化四氯化硅的系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括: 第三冷卻裝置，所述第三冷卻裝置具有精餾四氯化硅入口和純化的四氯化硅出口，并且所述精餾四氯化硅入口與所述四氯化硅出口相連；以及 第四冷卻裝置，所述第四冷卻裝置與所述未汽化重組分出口和所述重組分出口相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純化四氯化硅的系統(tǒng)，其特征在于，所述吸附精餾段的內(nèi)件為具有表面復(fù)合吸附劑的規(guī)整填料，并且理論板數(shù)為10?20塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純化四氯化硅的系統(tǒng)，其特征在于，所述輕組分脫除段的內(nèi)件為金屬絲網(wǎng)規(guī)整填料和板波紋規(guī)整填料，并且理論板數(shù)為20?40塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純化四氯化硅的系統(tǒng)，其特征在于，所述重組分脫除段的內(nèi)件為金屬絲網(wǎng)規(guī)整填料和板波紋規(guī)整填料，并且理論板數(shù)為5?15塊。
【文檔編號(hào)】C01B33/107GK203959836SQ201420353786
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月26日
【發(fā)明者】趙雄, 楊永亮, 姜利霞, 嚴(yán)大洲, 萬燁 申請(qǐng)人:中國恩菲工程技術(shù)有限公司