本發(fā)明涉及一種多晶硅生產(chǎn)工藝,尤其涉及一種使用還原工藝生產(chǎn)多晶硅的多晶硅生產(chǎn)工藝。
背景技術(shù):
現(xiàn)有的多晶硅生產(chǎn)中,一般采用還原爐還原三氯氫硅獲得多晶硅,在還原爐中,通入三氯氫硅和氫氣,高溫下在硅芯上長晶生成硅棒,這是目前應(yīng)用最廣的多晶硅生產(chǎn)方式之一。但是,這種生產(chǎn)方式的能耗較高,而且在硅棒生長的過程中,會出現(xiàn)“倒棒”的現(xiàn)象,無法獲得完整的多晶硅棒。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提供一種成本較低、轉(zhuǎn)化率高的多晶硅生產(chǎn)工藝。
一種多晶硅生產(chǎn)工藝,包括如下步驟:
硅棒初步生長步驟:在還原爐里通入氫氣和二氯二氫硅,在硅芯表面生成多晶硅使硅棒生長到預(yù)定尺寸;
硅棒完整生長步驟:通入三氯氫硅、二氯二氫硅和氫氣的混合氣體,完成硅棒生長;
開爐步驟:待硅棒生長完成后,打開還原爐,取出硅棒。
本發(fā)明的多晶硅生產(chǎn)工藝,采用兩段生長的方式,開始采用二氯二氫硅和氫氣反應(yīng)的方式,比常規(guī)氫氣還原三氯氫硅的方式生長速度快,一般倒棒的事故多發(fā)生在晶棒生長的前期,這就減少倒棒發(fā)生的可能,本發(fā)明的多晶硅生產(chǎn)工藝,能夠減少倒棒率,降低生產(chǎn)成本。硅棒完整生長階段,加入有部分二氯二氫硅,可以有效地增加硅的生成率,提高原料的轉(zhuǎn)化效率10%到15%。
附圖說明
圖1為初步生長階段的控制示意圖;
圖2為完整生長階段的控制示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合圖1及圖2對本發(fā)明的多晶硅生產(chǎn)工藝進行詳細說明。
本發(fā)明的多晶硅生產(chǎn)工藝包括以下步驟:
硅棒初步生長步驟。在還原爐里通入氫氣和二氯二氫硅,氫氣作為載體,二氯二氫硅發(fā)生反應(yīng)在硅芯表面沉積生成多晶硅,反應(yīng)方程式如下:
2sih2cl2=si+sicl4+2h2;
sih2cl2=si+2hcl;
硅棒不斷生長變粗,直到預(yù)定尺寸。本實施方式中,預(yù)定硅芯為10mm,硅棒的預(yù)定尺寸為40mm。這一階段溫度控制在600~900℃左右,壓力為常壓至1.0mpa。
實驗表明,直徑10mm的硅芯,經(jīng)過20~22小時,可以長到硅棒40mm。
硅棒完整生長步驟。待多晶硅晶棒直徑超過40mm時,晶棒的表面積較大,僅用二氯二氫硅較難滿足晶棒繼續(xù)生長的需要,改通入三氯氫硅、二氯二氫硅和氫氣的混合氣體,其中,要保持二氯二氫硅的含量占總進料量的5%至10%左右,而三氯氫硅和氫氣的比例在3:1左右。即氫氣的進料量比例在22.5~23.75%之間,三氯氫硅在67.5%~71.25%之間,溫度約為1150℃左右,壓力控制在常壓至1.0mpa。持續(xù)生長120~130小時后,完成硅棒生長,生成大概直徑約200~210毫米的硅棒。
開爐步驟。待硅棒生長完成后,打開還原爐,取出硅棒。
可以理解,預(yù)定尺寸可以根據(jù)硅棒的直徑以及工藝、原料的變化適當調(diào)整,不限于40mm,也可以為其他尺寸。
本發(fā)明的多晶硅生產(chǎn)工藝,采用兩段生長的方式,開始采用二氯二氫硅和氫氣反應(yīng)的方式,比常規(guī)氫氣還原三氯氫硅的方式生長速度快,一般倒棒的事故多發(fā)生在晶棒生長的前期(直徑40mm以下),這就減少倒棒發(fā)生的可能,經(jīng)驗證,本發(fā)明的多晶硅生產(chǎn)工藝,能夠減少倒棒率,降低生產(chǎn)成本。硅棒完整生長階段,加入有部分二氯二氫硅,可以有效地增加硅的生成率,提高原料的轉(zhuǎn)化效率10%到15%。
綜上所述,以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,不應(yīng)以此限制本發(fā)明的范圍。即凡是依本發(fā)明權(quán)利要求書及說明書內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾,皆應(yīng)仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。